2019中国MOSFET行业概览.pdf

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1、 1 此文件为内部工作稿，仅供内部使用 报告编码19RI0880 2019 年中国 MOSFET 行业概览 分析师：苏素 2019 年 11 月 概览标签：半导体、硅、MOSFET、宽禁带半导体 概览摘要：MOSFET，又称 MOS、MOS 管，全称为 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor， 金属-氧化物半导体场效应晶体管， 即以金属层 （M） 的栅极隔着氧化层 （O） 利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。当前 5G 商用进展如火如荼，相关终端产 品将在未来 3-5 年内实现量产，整个 5G 产业链将带来成倍数 MOSF

2、ET 需求上涨，叠加清洁能 源、电动汽车等领域的发展，未来 MOSFET 市场份额将迎来爆发式增长。预计未来五年，中国 MOSFET 行业市场规模（以销量计）将以 24.9%的年复合增长率增长至 2,858.6 亿只。 宏观环境助推国产品牌崛起 中国是世界上最大的 MOSFET 市场，对 MOSFET 有巨大的市场需求，受制于国产产品性能不佳，大部分 高端应用领域在原材料采购进程中不会将国产 MOSFET 纳入选择范围。2018 年的“中兴事件”加速了国 内各行业对于半导体器件的国产化替代进程， 部分下游企业开始尝试使用国产分立器件产品替代进口产品， 为中国 MOSFET 厂商提供了难得的市场

3、机遇。 下游行业市场需求不断扩张 随着电子整机、消费类电子产品等产业链下游行业市场份额的扩张，MOSFET 市场规模仍有可观的发展空 间。汽车电气化刺激 MOSFET 带来巨大的增量，下游电子整机对节能环保的需求在拉动分立器件产品需求 量增长的同时，也带动了产品结构的快速升级。随着 5G 商用化进程的开始以及 TypeC 在移动端的进一步 覆盖，宽禁带 MOSFET 的需求量将成倍增长。 企业推荐： 新洁能 深爱半导体 燕东微电子 报告提供的任何内容（包括但不限于数据、文字、图表、图像等）均系头豹研究院独有的高度机密性文件（在报告中另行标明出处者除外）。未经头豹研究院事先书面许可，任何人不得以

4、任 何方式擅自复制、再造、传播、出版、引用、改编、汇编本报告内容，若有违反上述约定的行为发生，头豹研究院保留采取法律措施，追究相关人员责任的权利。头豹研究院开展的所有商业 活动均使用“头豹研究院”或“头豹”的商号、商标，头豹研究院无任何前述名称之外的其他分支机构，也未授权或聘用其他任何第三方代表头豹研究院开展商业活动 2 此文件为内部工作稿，仅供内部使用 报告编号19RI0880 目录 1方法论 . 5 1.1研究方法 . 5 1.2名词解释 . 6 2中国 MOSFET 行业市场综述 . 8 2.1中国 MOSFET 行业定义及分类 . 8 2.2全球 MOSFET 行业技术发展历程 . 9

5、 2.3中国 MOSFET 行业产业链 . 11 2.3.1上游分析 . 11 2.3.2中游分析 . 13 2.3.3下游分析 . 14 2.4中国 MOSFET 行业市场规模 . 16 3中国 MOSFET 行业驱动因素分析 . 18 3.1宏观环境助推国产品牌崛起 . 18 3.2下游市场需求不断扩张 . 18 4中国 MOSFET 行业政策分析 . 20 5中国 MOSFET 行业风险分析 . 21 6中国 MOSFET 行业市场趋势 . 22 6.1大尺寸晶圆片将成为主要原材料 . 22 6.2行业洗牌，集中度不断提高 . 23 7中国 MOSFET 行业竞争格局分析 . 24 7.

6、1中国 MOSFET 行业竞争格局概述 . 24 3 此文件为内部工作稿，仅供内部使用 报告编号19RI0880 7.2中国 MOSFET 行业投资企业推荐 . 25 7.2.1无锡新洁能股份有限公司 . 25 7.2.2深圳深爱半导体股份有限公司 . 28 7.2.3北京燕东微电子有限公司 . 30 4 此文件为内部工作稿，仅供内部使用 报告编号19RI0880 图表目录 图 2-1 中国 MOSFET 主要分类 . 8 图 2-2 全球 MOSFET 行业技术发展历程 . 9 图 2-3 中国 MOSFET 行业产业链分析 . 11 图 2-4 中国晶圆生产线建设投产情况，2018 年 .

7、 12 图 2-5 中国 MOSFET 产业链下游分析 . 15 图 2-6 NVIDIA TITAN RTX 产品电源模块展示 . 16 图 2-7 中国 MOSFET 行业市场规模（以销量计） ，2014-2023 年预测 . 17 图 3-1 宽禁带 MOSTET 应用场景及性能分析 . 19 图 4-1 中国 MOSFET 行业相关政策分析 . 21 图 6-1 MOSFET 产品制程发展 . 23 图 6-2 MOSFET 生产流程及市场分布 . 24 图 7-1 新洁能主要产品线 . 26 图 7-2 深爱半导体产品优势 . 28 图 7-3 燕东微电子产品线 . 30 5 此文件

8、为内部工作稿，仅供内部使用 报告编号19RI0880 1 方法论 1.1 研究方法 头豹研究院布局中国市场，深入研究 10 大行业，54 个垂直行业的市场变化，已经积累 了近 50 万行业研究样本，完成近 10,000 多个独立的研究咨询项目。 研究院依托中国活跃的经济环境，从半导体、分立器件、制造业等领域着手，研究 内容覆盖整个行业的发展周期，伴随着行业中企业的创立，发展，扩张，到企业走 向上市及上市后的成熟期， 研究院的各行业研究员探索和评估行业中多变的产业模 式，企业的商业模式和运营模式，以专业的视野解读行业的沿革。 研究院融合传统与新型的研究方法， 采用自主研发的算法， 结合行业交叉的

9、大数据， 以多元化的调研方法，挖掘定量数据背后的逻辑，分析定性内容背后 f 的观点，客 观和真实地阐述行业的现状， 前瞻性地预测行业未来的发展趋势， 在研究院的每一 份研究报告中，完整地呈现行业的过去，现在和未来。 研究院密切关注行业发展最新动向，报告内容及数据会随着行业发展、技术革新、 竞争格局变化、政策法规颁布、市场调研深入，保持不断更新与优化。 研究院秉承匠心研究，砥砺前行的宗旨，从战略的角度分析行业，从执行的层面阅 读行业，为每一个行业的报告阅读者提供值得品鉴的研究报告。 头豹研究院本次研究于 2019 年 10 月完成。 6 此文件为内部工作稿，仅供内部使用 报告编号19RI0880

10、 1.2 名词解释 导体：电阻率极小且易于传导电流的物质。 绝缘体：又称电介质，一种阻碍电荷流动的材料。 LED: Light Emitting Diode，发光二极管，由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化 合物制成。 消费类电子产品：个人和家庭使用的、与广播、电视有关的音频和视频产品。 光伏：太阳能光伏发电系统的简称，一种利用太阳电池半导体材料的光伏效应，将太阳 光辐射能直接转换为电能的一种新型发电系统，有独立运行和并网运行两种方式。 元件： 小型的机器、 仪器的组成部分， 其本身常由若干零件构成， 可在同类产品中通用。 短通道效应： 当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道长度

11、降低到十几纳米、 甚至几纳 米量级时， 晶体管出现的一些效应。 这些效应主要包括阈值电压随着沟道长度降低而降 低、漏致势垒降低、载流子表面散射、速度饱和、离子化和热电子效应。 双栅 CMOS 工艺：在 CMOS 工艺上发展出的 MOSFET 集成工艺，n+多晶硅栅极电极 与 p+多晶硅栅极电极分别应用于 NMOS 与 PMOS 中。 硼渗透：为抑制短通道效应，减少了栅极氧化物厚度，P+多晶硅中的硼掺杂剂在高温 退火过程中可跨过栅极氧化物扩散到通道中，这被称为硼渗透。 隧穿现象：像电子等微观粒子能够穿入或穿越位势垒的量子行为。 LSI：Large-scale Integrated Circuit

12、，大规模集成电路，通常指含逻辑门数为 100 门 -9,999 门（或含元件数 1,000-99,999 个） ，在一个芯片上集合有 1,000 个以上电子元 件的集成电路。 功率半导体器件：具有处理高电压、大电流能力的半导体器件，也称电力电子器件。 COP：Crystal Originated Particle，晶体原生颗粒，单晶育成时在结晶内引入的微细 7 此文件为内部工作稿，仅供内部使用 报告编号19RI0880 缺陷。该缺陷与单晶育成时的拉提速度和凝固后的单晶内温度分布相关。 UPS：Uninterrupted Power Supply，不间断电源，将蓄电池与主机相连，并通过主 机逆变

13、器等模块电路将直流电转换成市电的系统设备。 Wafer：晶圆，半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。 Die：裸片，是硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平 和垂直方向上的部分划片槽区域。 GPU：Graphics Processing Unit，又称显示核心、视觉处理器、显示芯片，是一种专 门在个人电脑、工作站、游戏机和一些移动设备（如平板电脑、智能手机等）上做图像 和图形相关运算工作的微处理器。 CPU：Central Processing Unit，中央处理器，计算机系统的运算和控制核心，是信息 处理、程序运行的最终执行单元。 宽禁带半导体

14、材料：又被称为第三代半导体材料，指禁带宽度在 2.3eV 及以上的半导 体材料，典型的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等材料。 中兴事件：2018 年 4 月 16 日，美国商务部单方面激活美国企业禁止向中兴通讯销售 元器件的禁令，为期 7 年。6 月 7 日，美国商务部正式宣布与中国中兴通讯公司达成新 和解协议，但中兴公司需要支付 10 亿美元罚款，另准备亿美元交由第三方保管。此 外美国选择合规团队进驻中兴，并要求中兴在 30 天内更换董事会和高管团队，中兴事 件正式尘埃落定。 8 此文件为内部工作稿，仅供内部使用 报告编号19RI0880 2 中国 MOSFET 行业市场综述

15、2.1 中国 MOSFET 行业定义及分类 MOSFET，又称 MOS、MOS 管，全称为 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管，即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O） 利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。根据工作载流子的极性不同，功率 MOSFET 可进一步分为 N 沟道型（NMOS）与 P 沟道型（PMOS） ，两者极性不同但工作 原理类似，在实际电路中采用导通电阻小、制造较容易的 N 沟道型 MOSFET。 MOSFET 具有三个电极，分为源极（Source） 、漏极（Drain）以

16、及栅极（Gate） ，通过 控制栅极所加电压可控制源极与漏极之间的导通与关闭。以 N 沟道 MOSFET 为例，当 G、 S 极之间的电压为零时，D、S 之间不导通，相当于开路，而当 G、S 极之间的电压为正且 超过一定界限时，D、S 极之间则可通过电流，因此功率 MOSFET 在电路中起到的作用近似 于开关（见图 2-1） 。 图 2-1 中国 MOSFET 主要分类 来源：头豹研究院编辑整理 作为最基础的电子器件，MOSFET 具有高频、电压驱动、抗击穿性好等特点，应用范 9 此文件为内部工作稿，仅供内部使用 报告编号19RI0880 围覆盖电源、变频器、CPU 及显卡、通讯、消费电子、汽

17、车电子、工业等多领域。在一般电 子电路中，MOSFET 通常被用于放大电路或开关电路，其可作为逻辑电路和易失性电路内 存电路的开关，也可作为放大信号元器件使用。20 世纪 70 年代，CMOS 技术在 NMOS 与 PMOS 工艺基础上逐渐发展起来，CMOS 的 C 表示互补，即将 NMOS 器件与 PMOS 器件 同时制作在同一硅衬底下，制作 CMOS 集成电路。CMOS 集成电路具有功耗低、速度快、 抗干扰能力强、集成度高等众多优点，是当前集成电路的主流工艺技术，MOSFET 也因此 成为当前集成电路的重要元器件之一。 目前市面上主流的 MOSFET 生产商主要有 ST、ON、Infine

18、on、Fairchild Semi、台湾 富鼎先进、台湾茂达、AOSMD 等。 2.2 全球 MOSFET 行业技术发展历程 自 20 世纪 50 年代末第一只 MOSFET 诞生以来，经过 60 年的技术更迭，MOSFET 的 产品性能趋于稳定。全球 MOSFET 技术发展历程可分为以下四个阶段：萌芽期、成长期、 快速发展期、稳步发展期（见图 2-2） 。 图 2-2 全球 MOSFET 行业技术发展历程 来源：头豹研究院编辑整理 10 此文件为内部工作稿，仅供内部使用 报告编号19RI0880 （1）萌芽期（1959-1969 年） 1959 年，全球首款功能性 MOSFET 问世，这款产

19、品使用了硅低衬、二氧化硅栅极电介 质和 AI 栅极电极。 此后， 通过引入杂质吸附的方法以及提高对环境清洁度的控制， MOSFET 栅极不稳定的问题得到了解决。这一时期，功率器件领域内成功建立起 MOSFET 的漏极电 流 Id和漏极电压 Vd以及栅极电压之间的关系模型，但由于 MOSFET 驱动电流低于双极结 晶体管，且阈值电压不稳定，尚未成为主流双极技术的竞争者。 （2）成长期（1970-1980 年） 20 世纪 60 年代后期，MOSFET 开始采用多晶硅栅极电极。70 年代初，多晶硅栅极在 高温掺杂扩散时形成源-漏极区域的标志，从而让源极/漏极和栅极电极自行对齐，使 MOSFET 尺

20、寸不断缩小成为了可能。在此背景下，MOSFET 开始被用于 LSI 电路的制造， 如内存和微处理器，但高性能大型计算机主要还是使用双极结晶体管。 （3）快速发展期（1981-2013 年） 随着技术的进步，MOSFET 的特征尺寸不断减小。为解决短通道效应，业界提出了轻 掺杂漏极结构。 自 6m 代 MOSFET 以来， 电源电压二十多年保持在 5V， 最终在 0.5m 代 技术产生时， 电源电压下降至 3.3V， 电源电压的下降有效缓解了漏极附近横向电场的压力。 20 世纪 80 年代中期， 双栅 COMS 工艺出现， CMOS LSI 逐渐替代 NMOS LSI。 COMS 集成电路被广泛

21、应用于数字电路与模拟电路中，MOSFET 成为现代电子信息产业的重要基 础器件之一。 对于MOSFET的数字应用， 速度与功耗是关键因素， 为获得更高的速度和更低的功耗， 这一时期的研发重点始终在缩小 MOSFET 的尺寸。缩小晶体管尺寸，即缩短栅长，可实现 LSI 性能的提升，以及工作速度的提高，同时还能够削减生产成本，降低开/关切换时的耗电 量。 11 此文件为内部工作稿，仅供内部使用 报告编号19RI0880 （4）高速发展期（2014 年至今） 关于栅极氧化物的厚度，当时业界普遍认为 3nm 是极限，低于该数值时则出现隧穿现 象。2016 年，IBM 利用强度更大的背光注入技术成功地制

22、造出了厚度 4nm、栅长 6nm 的 MOSFET，是目前世界上能够实际运行的“最小”的 MOSFET。 为实现器件进一步的缩小与集成，MOSFET 在纳米级别还在现基础上进一步向更小尺 寸发展。为突破物理极限，当前国际各科研团队在新材料特殊属性基础上研发，试图制造出 更高性能更低功率更小尺寸的 MOSFET。 2.3 中国 MOSFET 行业产业链 中国 MOSFET 产业链上游市场参与者有晶圆、封装材料等原材料供应商及生产设备供 应商，产业链中游为中国 MOSFET 制造企业，产业链下游应用领域涵盖消费电子、通讯、 汽车电子、CPU/GPU、工业及电子照明等多领域（见图 2-3） 。 图

23、2-3 中国 MOSFET 行业产业链分析 来源：头豹研究院编辑整理 2.3.1 上游分析 中国 MOSFET 产业链上游市场参与者有晶圆、封装材料等原材料供应商及生产设备供 12 此文件为内部工作稿，仅供内部使用 报告编号19RI0880 应商。 晶圆采购成本约占 MOSFET 成本的 30%-40%，当前全球晶圆供给紧张局面促使晶圆 价格持续上涨。12 英寸晶圆在 2017 年起逐季上涨，全年价格涨幅约为 20%-30%，受晶圆 产能不足的影响，8 英寸晶圆价格随之跟涨。当前中国 MOSFET 芯片良率已达 95%以上， 已基本追平 98%-99%的国际水平，在中低端领域凭借性价比已基本实

24、现进口替代，但制程 多集中 6 英寸，落后于国际市场中功率器件商普遍使用的 8 英寸晶圆制造技术。在 12 英寸 晶圆片领域，当前国际功率器件厂商仅有英飞凌具备相关制造技术。 自 2000 年以来，全球领先晶圆厂产能逐渐从 6 英寸晶圆产线迁移到更高阶的 12 英寸 晶圆产线，8 英寸晶圆生产线数量停滞不前，甚至在 2015 年生产线数量处于逐渐下滑的状 态，2016-2017 年市场随之出现供应紧张状态。相对于刚刚起步的 12 英寸产线，8 英寸制 程可推动中国半导体产业推动设备及材料的联动。目前中国有中芯国际、华虹宏力、上海先 进、华润微电子等多家集成电路制造厂商已建成多条 8 英寸生产线

25、。在功率器件 12 英寸的 技术节点上，政府高度重视晶圆厂的技术发展，近两年来投入巨额资金支持 12 英寸及 8 英 寸先进晶圆产线发展（见图 2-4） ，随着新晶圆产线逐渐建成投产，将为中国半导体产业提 供坚实的发展基础。 图 2-4 中国晶圆生产线建设投产情况，2018 年 13 此文件为内部工作稿，仅供内部使用 报告编号19RI0880 来源：头豹研究院编辑整理 封装作为 MOSFET 器件制作的重要环节，其成本占总成本 40%-60%。具体封装费用 根据封装技术、使用胶量以及金丝、铜丝等金属材料的价格波动。封装好的 MOSFET 经过 测试剔除不良产品， 经过编带后逐个放入 MOSFE

26、T 载带， 形成 2,000-3,000 个/盘的最终产 品。MOSFET 测试费用按照颗粒计费，通常一个 Die 价格在几厘到几分不等。编带过程的 外包价格则通常按小时收费，平均一台机器计费价格约为 50-100 元/小时。 目前大多数 MOSFET 厂商采用 Fabless 模式，除设计环节外大多外包给晶圆厂、封测 厂生产，故而生产设备在成本核算中应具体情况具体分析。 2.3.2 中游分析 按生产模式来分， MOSFET厂商可分为IDM （Integrated Design and Manufacture， 垂直整合制造）模式、Fabless（无工厂芯片供应商）模式及 Foundry（代工

27、厂）模式。 IDM 模式：集 MOSFET 设计、制造、封测，甚至是下游电子终端产品生产于一体的模 式。中国 MOSFET IDM 厂商主要有新洁能、扬杰、深爱半导体等，企业可在设计、制造等 环节协同优化，充分发掘技术潜力，可率先实现领先技术的实验并推行新的半导体技术。但 IDM 模式资金壁垒较高，通常 IDM 厂商规模庞大，管理成本高，资本回报率较低。 Fabless 模式： 指仅负责 MOSFET 芯片设计， 将生产、 测试、 封装等环节外包的模式。 Fabless 模式下，厂商直接面对用户，根据用户需求进行个性化定制，企业资产轻，初始投 资规模小，创业难度低，运营费用低，转型灵活。中国华

28、南地区以及江浙沪地区有众多中小 型 MOSFET 厂商， 其地理位置多贴近下游消费电子整机厂厂址。 这些中小型 MOSFET 厂商 多使用 Fabless 模式，从晶圆厂购买芯片直接售卖，或者将封装、测试环节外包，出售 MOSFET 成品。部分小厂商的主要客户为中低端消费电子整机厂，产品利润水平低，客户 对产品质量要求低，厂商为压缩成本甚至不进行测试环节。 14 此文件为内部工作稿，仅供内部使用 报告编号19RI0880 Foundry 模式：只负责代工制造、封装或测试的其中一环，不负责 MOSFET 产品设计 的模式，如苏州固锝，其不仅生产自身产品，还为其他设计公司提供芯片代工服务。一般代

29、工厂模式下， 厂商可同时为多家设计公司提供服务。 代工厂不存在因市场调研不准与产品设 计缺陷等问题带来的决策风险， 但是批量化的生产需要较大投资规模， 高昂的生产线运维费 用导致该行业资金壁垒远高于 Fabless 模式厂商。 由于半导体生产工艺水平直接影响产品质 量与产品良率， 高工艺水平的芯片代工厂在产业链中具有较高话语权。 在行业内出现周期性 产能紧张的时候，知名芯片代工厂，如华虹电子订单交付周期将从淡季的 1-2 个月延长至 6 个月以上。 大部分设计公司为了囤货应对市场需求， 会采用竞价的方式高价购买代工厂提前 交付的产品。 2.3.3 下游分析 产业链直接下游企业涵盖消费电子、工业

30、、通讯、汽车电子、CPU/GPU 及电子照明等 多领域，并通过直接客户与汽车、计算机、家用电器等众多最终消费品配套。 据在 MOSFET 行业从业超过十年的专家表示， 中国 MOSFET 应用分布中， 汽车电子及 充电桩占比达 20-30%，消费电子占比在 20%以上，工业领域应用约占 20%，通讯设备占 比自 2019 年 3 月份起呈持续上升态势（见图 2-5）。近三年来，受益于国家经济刺激政策 的实施以及新能源、新技术的应用，下游最终产品的市场需求保持着良好的增长态势，从而 为 MOSFET 行业的发展提供了广阔的市场空间。 15 此文件为内部工作稿，仅供内部使用 报告编号19RI088

31、0 图 2-5 中国 MOSFET 产业链下游分析 来源：头豹研究院编辑整理 汽车电气化为 MOSFET 带来巨大的增量空间。2017 年 2 月，国务院发布的“十三 五”国家战略性新兴产业发展规划中提出，到 2020 年中国新能源汽车年产销 200 万辆 以上，累计产销超过 500 万辆，整体技术水平保持与国际同步，形成一批具有国际竞争力 的新能源汽车整车和关键零部件企业。2015 年 11 月，国家发改委印发的电动汽车充电 基础设施发展指南（2015-2020） 提出，到 2020 年中国充换电站数量达到 1.2 万个，分 散式充电桩超过 480 万个。传统汽车中，MOSFET 主要用于辅

32、助驱动各种电动马达，包括 通风系统、雨刮器、电动车窗等。电动汽车中大量电气控制装置将促使 MOSFET 的用量大 幅上升。 根据英飞凌测算， 电动汽车中半导体价值量接近传统汽车的两倍， MOSFET 与 IGBT 等功率器件是电动车电机控制器实现功率变换的核心部件，高端电动汽车中，MOSFET 器 件用量可达 250 只。同时新能源汽车的普及也将进一步带动充电桩的需求，MOSFET 作为 充电桩的核心功率器件，其销量将随着充电桩分布密度的提高不断上升。 在低压 MOSFET 市场中，PC 占据了 40%以上的市场份额，每一代 CPU（又称“主 板” ） 、GPU（又称“显卡” ）的更迭都会带动

33、一波 MOSFET 的市场需求。随着 CPU、GPU 运算能力的上升，所需供电电流愈高，当电流超过电子元件的承受能力后，多相供电就成为 了必要。多相供电电路中每一项供电都至少需要上下桥两个 MOSFET。电竞的蓬勃发展促 16 此文件为内部工作稿，仅供内部使用 报告编号19RI0880 使 PC 硬件最高配置逐年升级，当前英伟达领先产品 NVIDIA TITAN RTX 中搭载的 iMOS Dr MOS 电源高达 13 相（见图 2-6） ，远高于五年前主流的 4-6 相供电，CPU 与 GPU 的 算力提高使 MOSFET 用量大幅增加。 图 2-6 NVIDIA TITAN RTX 产品电

34、源模块展示 来源：NVIDA 官网，头豹研究院编辑整理 2.4 中国 MOSFET 行业市场规模 中国 MOSFET 行业整体不断发展，市场规模（以销量计）从 2014 年的 2.8 亿只增长 至 2018 的年 939.8 亿只，年复合增长率高达 326.5%。2016 年，中国 MOSFET 行业结束 了自 2012 年起市场份额逐年增长的态势，其主要原因如下： （1） 宏观上，由于全球经济整体复苏乏力，且 PC 市场衰退，移动通信终端市场增 速减缓及平板等主要电子产品市场发展放缓； （2） 2014-2015 年积累的大批产能在 2016 年电子产品市场结构调整中爆发，叠加 下游端的需求

35、压缩，行业内产能过剩的情况大量存在。 但受物联网、云计算、大数据、智能制造、智能交通、医疗电子等新兴应用领域市场拓 展的影响，自 2016 年起，中国 MOSFET 行业市场规模再次恢复了逐年增长的发展趋势。 17 此文件为内部工作稿，仅供内部使用 报告编号19RI0880 2019 年起，受 2018 年中美贸易战影响，中美汇率上涨，下游整机出口受限，消费电 子整体市场需求降低。同时 2017-2018 年积累的产能在 2019 年陆续投产，供应端迎来产 能过剩的局面。 供大于需的现状导致自 3 月份起， MOSFET 价格逐渐走低， 销量整体下滑， 大量库存累计在分销商手中。 但自第三季度

36、起，5G 商用进展如火如荼，相关终端产品将在未来 3-5 年内实现量产， 整个 5G 产业链将带来倍数的 MOSFET 需求上涨， 叠加清洁能源、 电动汽车等领域的发展， 未来 MOSFET 市场份额将迎来爆发式增长。预计未来五年，中国 MOSFET 行业市场规模 （以销量计）将以 24.9%的年复合增长率增长至 2,858.6 亿只（见图 2-7） 。 图 2-7 中国 MOSFET 行业市场规模（以销量计） ，2014-2023 年预测 来源：中国电子信息产业统计年鉴，头豹研究院编辑整理 18 此文件为内部工作稿，仅供内部使用 报告编号19RI0880 3 中国 MOSFET 行业驱动因素分析 3.1 宏观环境助推国产品牌崛起 早在 2010 年，国家发改委关于组织实施 2010 年新型电力电子器件产业化专项的通 知中，确立了功率器件产业化专项重点，支持 MOSFET、IGCT、IGBT、FRO 等量大面广 的新型电力电子芯片和器件的研发与产业化。 近五年来， 国家出台了一系列政策扶持民族半 导体制造行业，培养了一批专业人才，行业内整体科研水平迅速提升，大批分立器件制造企 业在短时间内迅速壮大。 地缘政治因素也为内资产品提供了更大的市场空间。中国是世界上最大的 MOSFET 市 场，对 MOSFET