第二章-布尔代数基础课件.ppt

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1、第二章 布尔代数基础布尔代数:用一种数学运算的代数系统描述人的逻辑思 维规律和推理过程。逻辑代数:将布尔代数的一些基本前提和定理应用于继 电器的分析与描述。成为二值布尔代数,或 开关代数。n 逻辑代数是二值逻辑运算中的基本数学工具n 逻辑代数广泛应用于数字系统的分析和设计数字逻辑 华南理工大学出版社 逻辑代数中的几个概念(逻辑变量与逻辑函数)1.逻辑状态 Logic State2.逻辑变量 Logic Value、逻辑常量 Logic Constant 3.逻辑电平 Logic Voltage4.逻辑约定 Logic Assumpsit正逻辑规定(约定)和负逻辑规定(约定)。5.逻辑电路Log

2、ic Circuit6.逻辑代数 Logic Algebar 7.逻辑函数 Logic Function数字逻辑 华南理工大学出版社 2023/5/26 32.1 逻辑代数基本运算 2.1.1 逻辑常量和逻辑变量1.逻辑常量“0”和“1”(高阻“”、未知“”)用来代表两种逻辑状态,如电平的高和低、电流的有和无、灯的亮和灭、开关的闭合和断开等。2.逻辑变量由字母或字母加数字组成原变量:A、B、C、A1反变量:原变量与反变量的关系:“互非”或“互补”2023/5/26 42.1.2 基本逻辑和复合逻辑 1.基本逻辑(与、或、非三种)A BP(1)与逻辑与逻辑概念:只有决定事件结果的全部条件(输入)

3、同时具备时,结果(输出)才发生。逻辑函数的表示方法:真值表、函数表达式、卡诺图和逻辑图2023/5/26 6(2)或逻辑或逻辑概念:在决定事件结果的诸多条件中只要有任何一个满足,结果就会发生。PABA B P0 0 0 0 1 11 0 11 1 1真值表(或)逻 辑 函 数 表 达 式:P=A B=A|B运算规则:000,011,101,111逻辑符号:ABP国际常用符号1ABP国标ABP常用符号(部标)2023/5/26 7真值表(非)(3)非逻辑非逻辑概念:只要条件具备了,结果便不会发生,而条件不具备时,结果一定发生。PR A A P0 11 0逻辑符号:国标1AP常用符号(部标)AP国

4、际常用符号AP运算规则:01,10逻辑函数表达式:2023/5/26 82.复合逻辑与非、或非、与或非、异或和同或逻辑(1)与非逻辑A B P0 0 1 0 1 11 0 11 1 0真值表特点:全高出低、一低出高逻辑函数表达式:逻辑符号:ABP常用符号(部标)ABP国际常用符号&ABP国标2023/5/26 10(3)与或非逻辑逻辑符号逻辑函数表达式国际常用符号PABCDP国标1&ABCD常用符号(部标)+ABCDP2023/5/26 11(4)异或逻辑A B P0 0 00 1 11 0 11 1 0真值表特点:相同为0、相异为1逻辑符号1ABP国标 国际常用符号ABP逻辑函数表达式ABP

5、常用符号(部标)2.2 布尔代数的基本公式及规则2.3.1 布尔代数的基本公理 Basic Postulates01 律A+0=AA1=AA+1=1A0=0交换律AB=BAAB=BA结合律A(BC)=(AB)CA(BC)=(AB)C分配律ABC=(AB)(AC)A(BC)=ABAC数字逻辑 华南理工大学出版社 逻辑代数的基本定理 Fundamental Theorems吸收律 AbsorptionA+A B=A+B A(A+B)=A BA B+A B=A(A+B)(A+B)=AA+AB=A A(A+B)=A数字逻辑 华南理工大学出版社 逻辑代数的基本定理 Fundamental Theorem

6、sA+B=A B A B=A+B摩根定律 DeMorgans TheoremA1+A2+An=A1A2AnA1A2An=A1+A2+AnN变量的摩根定理:数字逻辑 华南理工大学出版社 1、代入规则 n 如果用同一个变量(或逻辑项)代替一个逻辑等式中的一个逻辑变量,则此等式仍然成立,这就称为代入规则。数字逻辑 华南理工大学出版社【例8】B(A+C)=AB+BC将等式中出现A的地方都用函数式E+F代入,则等式依然成立,即:B(E+F+C)=(E+F)B+BC【例9】已知成立,试证明等式也成立。证明:将等式两边出现B的地方都用逻辑式B+C代入,则有:成立2、反演规则n 对于任意一个逻辑式F,若将其中

7、所有的“”换成“+”,“+”换成“”,0换成1,1换成0,原变量换成反变量,反变量换成原变量,则得到。这个规则称为反演规则。n 注意遵守以下两个原则:仍需遵守“先括号、然后乘、最后加”的运算优先次序。不属于单个变量上的反号应该保留不变。数字逻辑 华南理工大学出版社【例10】F=AB+C,求反函数。解:直接利用反演规则得:=【例11】求F=的反函数。解:直接利用反演规则得:利用非函数可得:3、对偶规则n 对于任何一个逻辑式F,若将其中的“”换成“+”,“+”换成“”,0换成1,1换成0,则得到一个新的逻辑式,这个 就叫做F的对偶式。n 对偶定理:如果两逻辑式相等,则它们的对偶的逻辑式也相等(即若

8、F=G,则。数字逻辑 华南理工大学出版社【例13】已知,求,。解:2.3逻辑函数的证明 n 逻辑函数相等的证明方法常用有二种方法:真值表法和公式法。数字逻辑 华南理工大学出版社【例15】用真值表证明等式:证明:根据输入变量(A、B)的不同组合,列真表如表2-11所示:A B0 0 0 00 1 1 11 0 1 11 1 0 0所以等式成立表2-11 真值表公式法证明n 利用逻辑代数的基本公式和规则来证明等式成立。n 应用公式规则证明时,要求灵活、准确地运用不同公式与定理。数字逻辑 华南理工大学出版社【例16】用布尔代数公式证明。证明:左边=右边【例19】试证明成立。证明:左式=(利用摩根定律

9、)=(利用吸收律)=右式 所以原式成立1、真值表n 真值表是将输入逻辑变量的各种可能取值和相应的函数值排列在一起而组成的表格。(变量在左边,值在右边)n 真值表反映逻辑函数值与输入变量的所有可能取值组合之间的对应关系。n 有n个变量输入,相应有2n个取值。n 真值表的优、缺点。n 例1 数字逻辑 华南理工大学出版社 A B C F(结果)0 0 0 00 0 1 00 1 0 00 1 1 11 0 0 01 0 1 11 1 0 11 1 1 1真值表数字逻辑 华南理工大学出版社 一个逻辑命题的三种表示法:真值表 表达式 卡诺图n 真值表是逻辑函数最基本的表达方式,具有唯一性;n 由真值表可

10、以导出逻辑表达式和卡诺图;n 由真值表导出逻辑表达式的两种标准形式:最小项之和 The canonical SOP(the Sum Of Products)最大项之积 The canonical POS(Product Of Sums)2、逻辑函数表达式n 是由逻辑变量和“与”、“或”、“非”三种种运算符所构成的代数表达式。n 逻辑函数表达式种类有:基本式:与或式和或与式;标准式:最小项和式及最大项积式;一般式:除了基本式和标准式以外的逻辑式。表达式与真值表互换 数字逻辑 华南理工大学出版社【例3】列出函数的真值表。解:函数有两个变量,则有22(2n)种取值的可能组合,将它们按顺序排列即得到真

11、值表如表2-2所示。A B F0 0 10 1 01 0 01 1 14、卡诺图n 是函数真值表的一种图示形式。n 将该函数的全部最小项,填入特定图形相应的方格内,并使相邻最小项在方格图内的几何位置也相邻,此种方格图称为卡诺图(经常称为K-图)。n 卡诺图是分析和研究逻辑函数的重要工具。n 由于N个变量的逻辑函数有2n个最小项,因此N个变量的卡诺图中应有2n个方格,每个方格代表一个相应的最小项数字逻辑 华南理工大学出版社【例5】三变量和四变量的卡诺图如图2-2和图2-3所示:2.5 逻辑函数的化简 Simplification of Switching Expression 一个逻辑函数对应着

12、一个实现其逻辑功能的逻辑电路,当使该函数最简意味着使这个电路也最简。n 最简逻辑电路:门数最少;门的输入端最少;门的级数最少。n 最简与或式:与项的数目最少;每个与项的变量 个数最少。n 最简或与式:或项的数目最少;每个或项的变量 个数最少。数字逻辑 华南理工大学出版社 2.5.1 公式化简法数字逻辑 华南理工大学出版社 n 公式法化简法中常用的方法有:合并项法、吸收律法和配项法等。【例20】化简函数式解:=A【例23】用公式法化简函数解:=多余项定律:AB+A+BC=AB+C 2.5.2 卡诺图(Karnaugh MAP)法 卡诺图的构成和特点 逻辑函数在卡诺图上的表示 用卡诺图化简逻辑函数

13、的基本原理 用卡诺图化简逻辑函数数字逻辑 华南理工大学出版社 1、逻辑函数的最小项表达式 n 在一个逻辑函数中,如果有n个变量,则有2n个最小项。n 设有n个变量,它们所组成的具有n个变量有“与”项中,每个变量或者以原变量或者以反变量的形式出现一次,且仅出现一次,这个乘积项称为最小项(Minterm)。数字逻辑 华南理工大学出版社【例24】有一个三变量A、B、C的逻辑函数,试写出它的全部最小项。每个变量在一个乘积项中或以原变量(A、B、C)或反变量(、)的形式仅出现一次,那么,三变量的逻辑函数,最多应该有(23=8)8个乘积项:,C,B,BC,A,A C,AB,ABC。最小项性质n 通过表2-

14、12,可以总结出最小项具有下列性质:n 任意两个最小项之积为0。即:mimj=0n 全体最小项之和为1。即:=1 在输入变量的任何取值下必有一个最小项,且仅有一个最小项的值为1。若两个最小项之间只有一个变量不同,其余各变量均相同,则称这两个最小项为相邻项,两个相邻的最小项之和可以合并,并消去一个因子。数字逻辑 华南理工大学出版社 最小项编号ABC的取值 最小项 编号000 m0001 m1010 m2011 m3100 m4101 m5110 m6111 m7最小项举例 数字逻辑 华南理工大学出版社【例26】写出函数式F=A+BC+的最小项之和式。解:根据最小项的要求变换函数式:F=A(B+)

15、+(A+)BC+(A+)=AB+A+ABC+BC+A+=AB(C+)+A(C+)+ABC+BC+(C+)=ABC+AB+A C+A+BC+C+所以最小项之和式为:F=ABC+AB+A C+A+BC+C+(变量型)=M7+M6+M5+M4+M3+M1+M0(m型)=(型)2、两变量、三变量和四变量的卡诺图 数字逻辑 华南理工大学出版社 图2-17 二、三、四变量卡诺图3、五变量、六变量的卡诺图 数字逻辑 华南理工大学出版社 图2-18 五、六变量卡诺图 4、卡诺图化简 n 卡诺图的化简的重要依据是:最小项具有相邻性 相邻项合并,可消去项中变量n 使用卡诺图对逻辑问题化简的基本步骤:通过对逻辑问题

16、的分析,画出不同变量的出卡诺图框 形成卡诺图(把函数和真值表的描述填在卡诺图上)维块的圈合(从最大到单个,168421)通过合并简化,最后写出最简函数式数字逻辑 华南理工大学出版社 卡诺图化构建方法 数字逻辑 华南理工大学出版社 画卡诺图时要规范,即n个变量的卡诺图方格数为2n个,变量的排列为逻辑相邻。形成卡诺图时,要熟悉根据给出逻辑函数的形式进行填写。给出真值表 给出为标准式 给出为一般逻辑式:先对逻辑式进行变换,化成与或式,再直接填写卡诺图化简要注意的问题n 化简时应注意的几个问题:n 圈1得原函数,圈0得反函数n 圈必须覆盖所有的1。n 圈中1的个数必须是2n个相邻的1。n 圈的个数必须

17、最少(乘积项最少)。n 圈越大越好(消去的变量多)。n 每个圈至少包含一个新的最小项。n 选出最简与或式。六、逻辑函数化简 卡诺图化简卡诺图化简卡诺图化简卡诺图化简卡诺图化简卡诺图化简卡诺图化简举例 数字逻辑 华南理工大学出版社【例27】用卡诺图化简函数式,求它的最简与或式。解:画四变量卡诺图,并进行圈合。如图2-19所示:写出最简的与或式:【例28】用卡诺图法化简函数:F(A,B,C,D)=。解:画四变量卡诺图,并进行圈合。如图2-20所示:写出最简的与或式:F=BD+CD+A卡诺图化简举例(续)数字逻辑 华南理工大学出版社 1.例:下列的用卡诺图化简逻辑函数的圈法是否正确?若不正确,请改正

18、过来。用卡诺图进行化简5、卡诺图的其它应用 n 通过真值表或者代数式的方法来完成的许多操作,同时也可以用卡诺图来实现。卡诺图展现了和真值表一样的信息,只是方式不同。数字逻辑 华南理工大学出版社【例32】函数F(A,B,C)的卡诺图如图2-24所示,根据卡诺图写出函数F的真值表,并 由真值表直接写出函数的最小项和式。解:由卡诺图中,可得方格1,2,4,5,7内为1,所示作真值表时,在001,010,100,101和111的行中,F值为1,另外的为0,如表2-15所示。由表2-15直接写出函数的最小项和式:A B C F0 0 0 00 0 1 10 1 0 10 1 1 01 0 0 11 0

19、1 11 1 0 01 1 1 16.具有无关项的逻辑函数及其化简约束项、任意项和无关项在分析某些具体的逻辑函数时,常遇到输入变量的取值不是任意的情况。对输入变量的取值所施加的限制为约束。这些受约束的变量取值组合所对应的最小项叫约束项。2023/5/26 54约束:不允许出现的输入变量取值组合(最小项)【例1】设计行车控制电路不可能出现的最小项对输出无影响的最小项称为任意项、无关项,记作“”或“”、“d”A B F0 0 0 1 11 0 01 1 控制器ABF红灯绿灯真值表2023/5/26 55【例2】设计一位十进制数(8421BCD码)的四舍五入电路。四舍五入电路F8421DCBAD C

20、 B A F0000 00001 00010 00011 00100 00101 10110 10111 11000 11001 11010 1011 1100 1101 1110 1111 6.具有无关项的逻辑函数及其化简n 无关项在化简逻辑函数中的应用n 在存在无关项的情况下,可以把一个或几个无关项写进逻辑函数中,也可以把无关项从函数式中删掉,不影响函数值。因此在逻辑函数化简时,利用无关项有时会给化简带来方便。n 在卡诺图上,究竟将“”作为“1”还是“0”对待,应以得到的相邻最小项矩形组合最大,而且矩形组合数目最少为原则。6.具有无关项的逻辑函数及其化简n 例:化简具有约束项的逻辑函数已知

21、约束条件为 6.具有无关项的逻辑函数及其化简n 解:如果不利用约束项,F已无从化简,适当写入一些约束项后,可以得到6.具有无关项的逻辑函数及其化简n 可见,利用了约束项以后,能使逻辑函数进一步化简。n 但在确定应该写入哪些约束项时还不够直观。n 如果改用卡诺图化简法,则只要将 F的卡诺图画出,立即就能看出化简时对这些约束项应如何取舍。6.具有无关项的逻辑函数及其化简n 如图示。化简结果与代数相同。6.具有无关项的逻辑函数及其化简n 例:化简逻辑函数n F=(A,B,C,D)=m(0,1,2,3,6,8)+d(10,11,12,13,14,15)。2023/5/26 62第3章 门电路 3.1

22、概述集成电路IC(Integrated Circuits)的分类1.按集成度分类(1)小规模ICSSI(含1 10门)(2)中规模ICMSI(含10 100门)(3)大规模ICLSI(含100 1000门)(4)超大规模ICVLSI(含1000门以上)2.按制造工艺分类(1)双极型IC两种载流子(空穴和自由电子)参与导电(2)单极型IC只有一种载流子(空穴或自由电子)导电 2023/5/26 633.2 晶体管的开关特性 3.2.1 晶体二极管的开关特性1.PN结的形成及PN结两边的少数载流子浓度分布 PN半导体本征半导体载流子(空穴与自由电子)掺杂半导体P型半导体多子(空穴),少子(自由电子

23、)N型半导体多子(自由电子),少子(空穴)+-DPN结(位垒)(1)PN结的形成2023/5/26 64(2)PN结两边的少子浓度分布 无外加偏置电压Ui0(零偏)JP扩JN扩JP漂JN漂动态平衡+-DPNIDPN结P区N区NP0PN02023/5/26 65 外加正向偏置电压Ui+V(正偏)+-DPNID+-U扩散区PN结P区N区NP0PN0NP(X)PN(X)x特点:ID0D导通U ID 扩散区2023/5/26 66 外加反向偏置电压Ui-V(反偏)+-DPNID-+U特点:ID=-IS(反向漏电流)0D截至U 位垒PN结P区N区NP0PN0NP(X)PN(X)x小结:二极管特性正向导通

24、,反向截止单向导电开关2023/5/26 672.二极管的稳态开关特性(1)理想开关特性RKUKIK+-+-VIK闭合时:RK=0,IK=VI/R,UK=0K断开时:RK=,IK=0,UK=VIRDUDID+-+-VID正偏时:RD=0,ID=VI/R,UD=0相当开关闭合(2)二极管的理想开关特性2023/5/26 68RDUDID+-+-+VID反偏时:RD=,ID=0,UD=VI相当开关断开(3)实际二极管的开关特性(伏安特性)ID/mAUD/V0VD锗 硅VZIS特性:UD0(反偏和零偏)时D截止;UDVD(开启电压)时D导通,D导通时UD=VD钳位作用;VD(锗)=0.1 0.3V;

25、VD(硅)=0.5 0.7V(0.7V)2023/5/26 693.二极管的瞬态开关特性(1)理想特性RDUDID+-+-VIVIt0V+V-UDt0IDt0trtf(2)实际特性(3)开关时间 正向导通时间ton=tr 反向截止时间tOFF=tf因素:PN结电容位垒电容和扩散电容2023/5/26 703.2.2 晶体三极管的开关特性1.晶体三极管的稳态开关特性ICVCE0VCC/RCVCC放大区饱和区截止区(1)截止区条件:VBE0;特点:IB=IC=IE 0,VO=VCC+-VIVO+-RBRCICIBIEBCETVCC+12V(2)放大区条件:VBEVD(0.7V),VBC0;特点:I

26、C=IB,VO=VCC-ICRCVIVORCVCC2023/5/26 71(3)饱和区条件:VBEVD(0.7V),VBC0;特点:IBIBS=(VCC-VCES)/RC,VO=VCES=0.3V工作区 可靠条件 工程近似 特点 等效电路截止区VBE 0VBC0VBE 0.7VVBC0VBC0VBE 0.7VVBC0IBIBS=(VCC-VCES)/RCIC=ICSVO=VCES=0.3VBCEB CE+VBE-+VCES-0.7V 0.3VB CE+VBE-IC=IB0.7V2023/5/26 723.3 分立元件门3.3.1 二极管与门1.电路结构和逻辑符号2.工作原理与功能描述(1)功能

27、表A B F0 00 11 01 10001A(V)B(V)F(V)0.3 0.3 1.00.3 3.0 1.03.0 0.3 1.03.0 3.0 3.7(2)真值表(3)表达式 F=AB(4)工作波形(时序图)ABFRFVCC+5VABD1D20.3V3.0V&ABF2023/5/26 733.3.2 二极管或门1.电路结构和逻辑符号2.功能(1)功能表A B F0 00 11 01 10111A(V)B(V)F(V)0.3 0.3-0.40.3 3.0 2.33.0 0.3 2.33.0 3.0 2.3(2)真值表(3)表达式 F=A+B(4)工作波形(时序图)ABFRFVBB-5VAB

28、D1D20.3V3.0V1ABF2023/5/26 743.3.3 三极管非门(反相器)1.电路结构和逻辑符号2.功能(1)功能表A F0110(2)真值表A(V)F(V)0.3 33.0 0.3(3)表达式 F=A(4)工作波形(时序图)AFVIVOR1RCBCETVCC+12VR2-VBB 0.3V3.0VAFVCL3VDCL 1AF2023/5/26 752.或非门(1)电路结构和逻辑符号(2)功能1ABFA B F0 00 11 01 11000真值表 表达式 F=A+B 工作波形(时序图)ABF-VBB VOR1RCBCETVCC+12VR2FVCL3VDCLRAB2023/5/26

29、 763.3.5 正逻辑与负逻辑负逻辑“0”H(高)电平“1”L(低)电平正逻辑“0”L(低)电平“1”H(高)电平功能表A B F0 00 11 01 10001A B FL L LL H LH L LH H H正真值表A B F1 11 00 10 01110负真值表F=AB 正与 F=AB 负或正与 负或 正或 负与作业:P92 3.82023/5/26 773.4 TTL门 TTL集成电路的输入端和输出端都是由晶体三极管构成的电路,称为晶体管-晶体管逻辑,简称TTL(Transistor-Transistor Logic)3.4.1 TTL与非门1.电路结构(1)输入级多发射极晶体管T

30、1和R1完成“与”功能(2)中间级T2、R2和R3完成“两相驱动”功能(3)输出级T3、T4、T5、R4和R5完成“推拉输出”功能T1T2T3T4T5R13KR2 360R4 3KR5 100B1B2IC2IB1ABFVIVOVCC+5V R3 7202023/5/26 782.工作原理(1)当A或B为低电平(VI=VIL=0.3V)时T1深饱和导通:VCES10.1V0.3V3.0VT1T2T3T4T5R13KR2 750R4 3KR5 100B1B2IC2IB1ABFVIVOVCC+5V R3 360T2和T5截止,T3和T4导通(2)当A和B全为高电平(VI=VIH=3.0V)时T1倒置

31、工作,T2和T5饱和导通,VB1=3VBE=2.1VT3微导通,T4截止VO=VOL=VCES5=0.3V电路特点:全高出低,一低出高与非门2023/5/26 79 晶体管状态T1T2T3T4T5关态VO=VOH深饱和 截止 导通 饱和 截止开态VO=VOL倒置工作饱和 微通 截止 饱和TTL与非门的工作状态3.4.2 TTL与非门的外部特性 外部特性是指通过集成电路芯片引脚反映出来的特性。TTL与非门的外部特性主要有电压传输特性、输入特性、输出特性、电源特性和传输延迟特性。2023/5/26 801.电压传输特性输出电压VO随输入电压Vi变化的曲线&VVIVO+-VI/VVO/V01231

32、2 3abcd e(1)曲线分析ab段(截止区)VI0.6V,VB20.7V,T1深饱和,T2和T5截止,T3和T4导通,VO=VOH=3.6V0.3V3.0VT1T2T3T4T5R13KR2 750R4 3KR5 100B1B2IC2IB1ABFVIVOVCC+5V R3 360bc段(线性区)0.6VI1.3V,0.7VVB21.4V,T1深饱和,T2放大导通T5截止2023/5/26 81VI/VVO/V01231 2 3abcd ecd段(转折区)1.3VI1.5V,1.4VB1,T1深饱和转向倒置工作,T2和T5导通de段(饱和区)1.5 VI,T1倒置工作,T2和T5饱和,T4截止

33、,VO=VOL=0.3V2023/5/26 82(2)特性参数 输出逻辑高电平VOH和输出逻辑低电平VOL。典型值:VOH3.6V,VOL0.3V额定值:VOH=3.0V,VOL=0.35V 关门电平VOFF、开门电平VON和阈值电压VTH。关门电平 VOFF(输入低电平上限 VILmax,)典型值:VOFF0.8V。开门电平 VON(输入高电平下限 VIHmin)典型值:VON1.8V。阈值电压VTH典型值:VTH1.4V。VI/VVO/V01231 2 3VOHVOL2.7V0.35VVONVOFFVILVIHVNLVNH 输入低电平噪声容限VNL和输入高电平噪声容限VNHVNL=VOFF

34、VIL0.80.3=0.5VVNH=VIHVON3.01.8=1.2V VIt0Vot0VNL2.7VVNH0.35V2023/5/26 833.6 MOS集成门 3.6.1 MOS(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)管1.MOS管的结构与符号(1)NMOS管N+N+P衬底BD S GSiO2VDSVGS-+-+N沟道IDDSBG增强型NMOSDSBG耗尽型NMOSGDS简化符号(2)PMOS管P+P+N衬底BD S GSiO2VDSVGS+-+-P沟道IDDSBG增强型PMOSDSBG耗尽型PMOS简化符号GDS2023/5/26 842.MOS管的开关特性(1)输出特性VIVOVDD 10VRDGSDIDVDS/V0VDD/RDVDD饱和区非饱和区截止区VGS=3.0VVGS=10VVDS=VGS-VGS(TH)截止区条件:VGS VGS(TH)(开启电压)特点:沟道没有形成,ID=0,相当开关断开 非饱和区条件:VGS VGS(TH),VDSVGSVGS(TH)特点:沟道夹断,VDS ID不变非饱和区与饱和区的分界:VDS=VGS-VGS(TH)N+N+D S GVDSVGS-+-+ID+5V+3VN+N+D S GVDSVGS-+-+ID+5V+4VN+N+D S GVDSVGS-+-+ID+5V+5V

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