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1、精品_精品资料_第一章 半导体二极管1. 本征半导体单质半导体材料是具有4 价共价键晶体结构的硅Si 和锗 Ge.导电才能介于导体和绝缘体之间.特性:光敏、热敏和掺杂特性.本征半导体: 纯洁的、 具有完整晶体结构的半导体.在肯定的温度下,本征半导体内的最重要的物 理现象是本征激发 (又称热激发) ,产生两种带电性质相反的载流子(空穴和自由电子对) ,温度越高,本征激发越强.空穴是半导体中的一种等效+q 的载流子. 空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位, 使局部显示 +q 电荷的空位宏观定向运动.在肯定的温度下,自由电子和空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消逝的现象称为复合.当热激
2、发和复合相等时,称为载流子处于动态平稳状态.2. 杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体.表达的是半导体的掺杂特性.P 型半导体:在本征半导体中掺入微量的3 价元素(多子是空穴,少子是电子).N 型半导体:在本征半导体中掺入微量的5 价元素(多子是电子,少子是空穴).杂质半导体的特性载流子的浓度:多子浓度打算于杂质浓度,几乎与温度无关.少子浓度是温度的敏锐函数.体电阻:通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻.在半导体中,存在因电场作用产生的载流子漂移电流(与金属导电一样),仍才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流.3. PN 结在具有完整晶格的P 型和 N 型半导体的物理界面邻近,形成一
3、个特别的薄层(PN 结).PN 结中存在由 N 区指向 P 区的内建电场,阻挡结外两区的多子的扩散,有利于少子的漂移.PN 结具有单向导电性:正偏导通,反偏截止,是构成半导体器件的核心元件.正偏 PN 结( P+,N-):具有随电压指数增大的电流, 硅材料约为 0.6-0.8V ,锗材料约为 0.2-0.3V .反偏 PN 结( P-,N+ ):在击穿前,只有很小的反向饱和电流Is.PN结的伏安(曲线)方程:4. 半导体二极管一般的二极管内芯片就是一个PN 结, P 区引出正电极, N 区引出负电极.单向导电性:正向导通,反向截止.可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_正向导通压降:硅管0.60.7V ,锗管 0.20.3V .死区电压:硅管 0.5V ,锗管 0.1V .分析方法:将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:如 V 阳 V 阴 正偏,二极管导通 短路 ;如 V 阳 u-时, uo=+ Uom ,当 u+u-时, uo=-Uom基本运算电路反相比例运算电路R2 =R1/Rf同相比例运算电路R2=R1/Rf反相求和运算电路R4=R1/R2/R3/Rf同相求和运算电路R1/R2/R3/R4=Rf/R5加减运算电路可编辑资料 - - - 欢迎下载精品_精品资料_R1/R2/Rf=R3/R4/R5积分运算微分运算可编辑资料 - - - 欢迎下载