2022年模拟电子技术基础知识点总结4 .docx

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1、第一章 半导体二极管1. 本征半导体单质半导体材料是具有4 价共价键晶体结构的硅Si 和锗 Ge；导电才能介于导体和绝缘体之间；特性：光敏、热敏和掺杂特性；本征半导体： 纯洁的、 具有完整晶体结构的半导体；在肯定的温度下,本征半导体内的最重要的物 理现象是本征激发 （又称热激发） ,产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对） ,温度越高,本征激发越强；空穴是半导体中的一种等效+q 的载流子； 空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位, 使局部显示 +q 电荷的空位宏观定向运动；在肯定的温度下,自由电子和空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消逝的现象称为复合；当热激发和复合相等时,

2、称为载流子处于动态平稳状态；2. 杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体；表达的是半导体的掺杂特性；P 型半导体：在本征半导体中掺入微量的3 价元素（多子是空穴,少子是电子）；N 型半导体：在本征半导体中掺入微量的5 价元素（多子是电子,少子是空穴）；杂质半导体的特性载流子的浓度：多子浓度打算于杂质浓度,几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏锐函数；体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻；在半导体中,存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一样）,仍才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流；3. PN 结在具有完整晶格的P 型和 N 型半导体的物理界面邻近,形成一个特别的薄层（P

3、N 结）；PN 结中存在由 N 区指向 P 区的内建电场,阻挡结外两区的多子的扩散,有利于少子的漂移；PN 结具有单向导电性：正偏导通,反偏截止,是构成半导体器件的核心元件；正偏 PN 结（ P+,N-）：具有随电压指数增大的电流, 硅材料约为 0.6-0.8V ,锗材料约为 0.2-0.3V ；反偏 PN 结（ P-,N+ ）：在击穿前,只有很小的反向饱和电流Is；PN结的伏安（曲线）方程：4. 半导体二极管一般的二极管内芯片就是一个PN 结, P 区引出正电极, N 区引出负电极；单向导电性：正向导通,反向截止；正向导通压降：硅管0.60.7V ,锗管 0.20.3V ；死区电压：硅管 0.5V ,锗管 0.1V ；分析方法：将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:如 V 阳 V 阴 正偏,二极管导通 短路 ;如 V 阳 u-时, uo=+ Uom ,当 u+u-时, uo=-Uom基本运算电路反相比例运算电路R2 =R1/Rf同相比例运算电路R2=R1/Rf反相求和运算电路R4=R1/R2/R3/Rf同相求和运算电路R1/R2/R3/R4=Rf/R5加减运算电路R1/R2/Rf=R3/R4/R5积分运算微分运算