第三章习题和答案.doc

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1、精品文档，仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除第三章习题和答案1. 计算能量在E=Ec到 之间单位体积中的量子态数。解：2. 试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式（3-6）。3. 当E-EF为1.5k0T，4k0T, 10k0T时，分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。费米能级费米函数玻尔兹曼分布函数1.5k0T0.1820.2234k0T0.0180.018310k0T4. 画出-78oC、室温（27 oC）、500 oC三个温度下的费米分布函数曲线，并进行比较。y=(1.38065e-23)*(273.15-78)*log(1./x-1);(图中红色)y

2、=(1.38065e-23)*(273.15+27)*log(1./x-1); （图中粗蓝色）y=(1.38065e-23)*(273.15+300)*log(1./x-1); （图中细蓝色）5. 利用表3-2中的m*n，m*p数值，计算硅、锗、砷化镓在室温下的NC , NV以及本征载流子的浓度。 Ge：Nc=1.051019cm-3 Nv=5.71018cm-3 Ni=2.01013cm-3 Si：Nc=2.801019cm-3 Nv=1.11019cm-3 Ni=7.8109cm-3 GaAs: Nc=4.51017cm-3 Nv=8.11018cm-3 Ni=2.3106cm-3 6.

3、计算硅在-78 oC，27 oC，300 oC时的本征费米能级，假定它在禁带中间合理吗？ 所以假设本征费米能级在禁带中间合理，特别是温度不太高的情况下。 7. 在室温下，锗的有效状态密度Nc=1.051019cm-3，NV=5.71018cm-3，试求锗的载流子有效质量m*n m*p。计算77K时的NC 和NV。 已知300K时，Eg=0.67eV。77k时Eg=0.76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。77K时，锗的电子浓度为1017cm-3 ，假定受主浓度为零，而Ec-ED=0.01eV，求锗中施主浓度ED为多少？8. 利用题 7所给的Nc 和NV数值及Eg=0.67eV，求温度为3

4、00K和500K时，含施主浓度ND=51015cm-3，受主浓度NA=2109cm-3的锗中电子及空穴浓度为多少？其中：300K时，=51015cm-3 9.计算施主杂质浓度分别为1016cm3，,1018 cm-3，1019cm-3的硅在室温下的费米能级，并假定杂质是全部电离，再用算出的的费米能 级核对一下，上述假定是否在每一种情况下都成立。计算时，取施主能级在导带底下的面的0.05eV。 10. 以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n型锗在300K时，以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。11. 若锗中施主杂质电离能DED=0.01eV，施主杂质浓度分别为ND=1014cm-3

5、及1017cm-3。计算99%电离；90%电离；50%电离时温度各为多少？解未电离杂质占的百分比为：求得：(1) ND=1014cm-3，99%电离，即D_=1-99%=0.01即： , T37.2K将ND=1017cm-3，D_=0.01代入得：即： , T=536K(2) 90%时，D_=0.1即： , T=24.3KND=1017cm-3得：即：； T=160.5K(3) 50电离不能再用上式即：即：取对数后得：整理得下式：即：当ND1014cm-3时，得 ,T=16K当ND1017cm-3时 ,T=25k 12. 若硅中施主杂质电离能DED=0.04eV，施主杂质浓度分别为1015cm

6、-3， 1018cm-3。计算99%电离；90%电离；50%电离时温度各为多少？ 13. 有一块掺磷的 n型硅，ND=1015cm-3,分别计算温度为77K；300K；500K；800K时导带中电子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）解：查出NC=2.81019cm-3，77K时，为低温弱电离区： cm-3公式=1.541015cm-3这样，出现n0ND=1015cm-3,跟假设的n型半导体处于低温弱电离区矛盾。根据：可以得到：代入数值有：=解出：=0.1575 7.601014cm-314. 计算含有施主杂质浓度为ND=91015cm-3，及受主杂质浓度为1.11016cm3，的硅在33K时

7、的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。15. 掺有浓度为每立方米为1022硼原子的硅材料，分别计算300K；600K时费米能级的位置及多子和少子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）。 0.025eV 16. 掺有浓度为每立方米为1.51023砷原子 和每立方米51022铟的锗材料，分别计算300K；600K时费米能级的位置及多子和少子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）。 -0.12eV17. 施主浓度为1013cm3的n型硅，计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。18. 掺磷的n型硅，已知磷的电离能为.eV，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和浓度。19. 求室温

8、下掺锑的n型硅，使EF=（EC+ED）/2时锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。 20. 制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。 （1）设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。 （2）设n型外延层杂质均匀分布，杂质浓度为4.61015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。 （3）在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.21015cm-3,计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。 （4）如温度升到500K，计算中电子和空穴的浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）。21. 试计算掺磷的硅、锗在室温下开始发生弱简并时的杂质浓度为多少？22. 利用上题结果，计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离？导带中电子浓度为多少？或者：【精品文档】第 5 页