多芯片集成终于在隔离型DC-DC转换器中实现.docx

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1、多芯片集成终于在隔离型DC-DC转换器中实现 隔离型DC-DC转换器历来通过分立元件实施-分立驱动IC和分立功率MOSFETo 这些器件被用于各种拓扑结构。最主要的是“半桥”和“全桥”。许多云基础设施的应用采用半桥和全桥拓扑结构，如无线基站(远程无线电单 元)、电源模块和任何板载隔离型DC-DC转换器。其他应用包括工业领域，如 电机驱动器、风扇和暖通空调(HVAC)。这些应用的设计工程师力求降低整体方 案的大小或增加输出功率。安森美半导体的FDMF8811是业界首款100 V桥式功率级模块，优化用于全桥和 半桥拓扑。FDMF8811以高能效和高可靠性水平提供更高的功率密度。与分立方案相比，FD

2、MF8811可减少一个典型的全桥方案约三分之一的PCB面 积。这令制造商设计更紧凑、高能效的产品。物料单(BOM)器件的数量也显着减 少，实现供应链和装配的高效。FDMF8811PQFN 6mm x 7,5mm如果PCB面积不是问题，那FDMF8811可有助于在现有的PCB面积内提高设计的 输出功率。例如，这可通过从现有的、本来低功率拓扑结构，如有源钳位正 激、反激式或推拉式，转为采用FDMF8811的半桥或全桥拓扑来实现。另一个例 子是现有的采用分立MOSFET的半桥方案可以转换为在相同的占板面积内的一个 全桥拓扑。这种转换使系统的输出功率加倍。FDMF88n集成了一对100V的功率MOSF

3、ET、120 V驱动器IC和一个自举二极管 到 6. 0 mm x 7. 5 mm 的 PQFN 封装。High-Side 100V FETLow-Side 100V FETPWM-Low Input120V bndge gate driver通过集成所有的关键动力传动元件，安森美半导体已经能优化该模块的驱动器 和MOSFET的动态性能、系统寄生电感和功率MOSFET的导通电阻RDS (0N), 从而保持尽可能最高的能效。该集成显著降低了供电回路的寄生效应。这大大 降低电压应力和电磁干扰(EMI),提高系统的可靠性。采用FDMF8811的隔离型DC-DC转换器被充分优化，以在最佳能效水平达到最高 的功率密度。有了高度集成的、高性能的FDMF88H,实在没有理由再使用分立 器件！