模拟电子技术模拟电子技术 (43).pdf

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1、耗尽型耗尽型MOSFET的结的结构与工构与工作原作原理理 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET 4种种MOSFET的电路符号与特性曲线的比较的电路符号与特性曲线的比较 IGFET（MOSFET）增强型增强型 耗尽型耗尽型 N沟道沟道 P沟道沟道 MOSFET有有4种类型种类型 S G D B Sio2 绝缘层中掺入绝缘层中掺入正离子正离子在在 uGS=0 时已形成沟道；时已形成沟道；在在 DS 间加正电压时形成间加正电压时形成 iD，uGS UGS(off)时，全夹断。时，全夹断。UGS(OFF)UGS 沟道宽度 0 一、一、N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET 1.结构与图形符号结构与图形符号

2、2.工作原理与特性曲线工作原理与特性曲线 uGS/V iD/mA 转移特性 IDSS UGS(off)夹断 电压 饱和漏 极电流 当 uGS UGS(off)时，2(off)1(GSGSDSSDUuIi uGS=4 V 2 V 0 V 2 V uDS/V 输出特性 iD/mA O O S G D uDS+-uGS+-iD iS RD VDD N 沟道沟道增强型增强型 S G D B iD P 沟道沟道增强型增强型 S G D B iD 2 2 O uGS/V iD/mA UGS(th)S G D B iD N 沟道耗尽沟道耗尽型型 iD S G D B P 沟道耗尽沟道耗尽型型 UGS(off)IDSS uGS/V iD/mA 5 O 5 二、二、4种种MOSFET 电路符号、特性的比较电路符号、特性的比较