模拟电子技术模拟电子技术 (26).pdf

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1、BJT的输入输出特性的输入输出特性 输入特输入特性曲线性曲线 输出特性及其分区输出特性及其分区 1.输入特性曲线输入特性曲线 输入 回路 输出 回路 常 数常 数 CE)(BEBuufiBEuBiO 0CE uV 1CE uBEuBiO 0CE uV 1CE u特性基本重合(电流分配关系确定)特性右移(因集电结开始吸引电子)导通电压导通电压 UBE(on)NPN型硅管：型硅管：(0.6 0.6 0.8)0.8)V PNP型锗管：型锗管：(0.1(0.1 0.3)0.3)V 取取0.7 0.7 V 取取0.3 0.3 V 0CE u与二极管特性相似 0 1V uCE uCE 1V 2.2.输出特

2、性及其分区输出特性及其分区 常数常数 B)(CECiufiiC/mA uCE/V 50 A 40 A 30 A 20 A 10 A IB=0 O 2 4 6 8 4 3 2 1（1 1）截止）截止区区 IB 0 IC=ICEO 0 条件：条件：两个两个PN结反偏结反偏 截止区 ICEO 50 A 40 A 30 A 20 A 10 A IB=0 iC/mA uCE/V 50 A 40 A 30 A 20 A 10 A IB=0 O 2 4 6 8 4 3 2 1（2 2）饱和区）饱和区 uCE u BE uCB=uCE u BE 0 条件：条件：两个两个PN结正偏结正偏 特点特点：IC IB 临界饱和时：临界饱和时：uCE=uBE 深度饱和时：深度饱和时：0.3 V(硅管硅管)UCES=0.1 V(锗管锗管)截止区 饱 和 区 ICEO【问题引导】【问题引导】三极管当开关管使用时是工作在哪个区？三极管当开关管使用时是工作在哪个区？iC/mA uCE/V 50 A 40 A 30 A 20 A 10 A IB=0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 放大区 截止区（3 3）放大区）放大区 BCII 条件：条件：发射结正偏发射结正偏 集电结反偏集电结反偏 特点：特点：水平、等间隔 ICEO 饱 和 区