模拟电子技术模拟电子技术 (36).pdf

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1、BJT的的工作原理工作原理 BJT的分类的分类 BJT的基本结构与电路符号的基本结构与电路符号 BJT的工作原理的工作原理 按材料分：按材料分：硅管、锗管硅管、锗管 按功率分：按功率分：小功率管小功率管 1W 按结构分按结构分：NPN、PNP 按使用频率分按使用频率分：低频管、高频管低频管、高频管 一、BJT的分类 二、二、BJT基本结构与电路符号基本结构与电路符号 发射结JE 集电结JC 基区 发射区 集电区 NPN 型型 基极 B 集电极 C 发射极 E PNP 型型 E C B N P N E C B P N P C P N P E B Emitter Base Collector 三、

2、BJT的工作原理 1.电路的三种组态 b e c+-+-共发射极（共发射极（CE）b c e+-+-共集电极共集电极（CC）e b c-+-+共基极共基极（CB）2.晶体管的放大条件 内部内部 条件条件 发射区掺杂浓度最高发射区掺杂浓度最高 基区薄且掺杂浓度低基区薄且掺杂浓度低 集电区掺杂浓度较高，集电结面积大集电区掺杂浓度较高，集电结面积大 外部外部 条件条件 发射结正偏发射结正偏 集电结反偏集电结反偏 很重要！很重要！3.3.放大状态下晶体管内部载流子的传输过程放大状态下晶体管内部载流子的传输过程 1)1)发射区向基区注入多子发射区向基区注入多子电子电子，形成发射极电流形成发射极电流 IE

3、 IE IE IEN IBP IEN +=IEN IBP 3.3.放大状态下晶体管内部载流子的传输过程放大状态下晶体管内部载流子的传输过程 IE IB 2)2)电子到达基区后电子到达基区后 (基区空穴运动因浓度低而忽略基区空穴运动因浓度低而忽略)IBN ICN 多数向多数向 JC 结方向扩散形成结方向扩散形成 ICN。少数与空穴复合，形成少数与空穴复合，形成 IBN。3)3)集电区收集扩散过集电区收集扩散过 来的载流子形成集来的载流子形成集 电极电流电极电流 IC IC 3.3.放大状态下晶体管内部载流子的传输过程放大状态下晶体管内部载流子的传输过程 I CN IE I BN 基区空基区空 穴

4、来源穴来源 基极电源提供基极电源提供(IB)集电区少子漂移集电区少子漂移(ICBO)I CBO IB 即：IB=IBN+IBP ICBO IBN ICBO IB IBN IBN I CN IE I BN I CBO IB IC 4.4.三极管的电流分配关系三极管的电流分配关系 当管子制成后当管子制成后，发射区载发射区载流子浓度流子浓度、基区宽度基区宽度、集电结集电结面积等确定面积等确定，故电流的比例关故电流的比例关系确定系确定，即：即：IBN=I B+ICBO ICN=IC-ICBO BNCNII CEOBCBOBC)1(IIIII 穿透电流穿透电流 CBOBCBOCIIII IE=IEN+IBP IEN BCEIII BC II BE)1(II I CN IE I BN I CBO IB IC 4.4.三极管的电流分配关系三极管的电流分配关系 IB控制载流子流通的闸门的开度控制载流子流通的闸门的开度，从而控制载流子到达从而控制载流子到达集电区的流量的大小集电区的流量的大小，即即IC受受IB控制：控制：IC IB。【问题引导】怎样从物理的角度来理解三极管的电流放大作用？【问题引导】怎样从物理的角度来理解三极管的电流放大作用？忽略次要因数，有忽略次要因数，有