模拟电子技术模拟电子技术 (39).pdf

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1、场效应管概述场效应管概述 FET的分类的分类 FET的特点的特点 场效应管场效应管 FET(Field Effect Transistor)场效应管（FET）是20世纪60年代随着集成电路的发展而出现的一种单极型晶体管，它是一种利用电压产生的电场效应，来实现电压控制电流作用的半导体器件。FET 结型结型 JFET(Junction Field Effect Transistor)绝缘栅型绝缘栅型 IGFET(Insulated Gate FET)JFET N沟道沟道 P沟道沟道 FET的分类的分类 G 栅极（栅极（Gate）D 漏极（漏极（Drain）S 源极（源极（Source）N 沟道结型

2、沟道结型 S G D iD S G D iD P 沟道结型沟道结型 JFET的电路符号的电路符号 IGFET（MOSFET）N沟道沟道 P沟道沟道 G 栅极（栅极（Gate）D 漏极（漏极（Drain）S 源极（源极（Source）B 衬底衬底 增强型增强型 耗尽型耗尽型 S G D B S G D B S G D B S G D B MOSFET的电路符号的电路符号 FET 结型结型 JFET(Junction Field Effect Transistor)绝缘栅型绝缘栅型 IGFET(Insulated Gate FET)FET的分类的分类 FET的的特点特点 单极性器件单极性器件(每个

3、每个FET中只有一种载流子参与导电中只有一种载流子参与导电)工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低 输入电阻高输入电阻高 (107 1015 ，IGFET 可高达可高达 1015 )【问题引导】【问题引导】输入电阻高有什么好处？输入电阻高有什么好处？电压控制器件电压控制器件 综上所综上所述述：与与双极型晶体管（双极型晶体管（BJT）相比，场效应管（）相比，场效应管（FET）不仅具有）不仅具有体积小、耗电省、寿命长、制造工艺简单、集成度高等特体积小、耗电省、寿命长、制造工艺简单、集成度高等特点点；而而且具有输入阻抗高、功耗低、噪声小、温度稳定性好，抗且具有输入阻抗高、功耗低、噪声小、温度稳定性好，抗辐射能力强等优辐射能力强等优点点；因因而大大地拓展了它的应用范围，它已成为大规模和超大规而大大地拓展了它的应用范围，它已成为大规模和超大规模集成电路的最基本单元。模集成电路的最基本单元。