模拟电子技术模拟电子技术 (42).pdf

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1、增强型增强型MOSFET 的的结结构与工构与工作原作原理理 IGFET（MOSFET）增强型增强型 耗尽型耗尽型 N沟道沟道 P沟道沟道 MOSFET有有4种类型种类型 1.结构与电路符号结构与电路符号 P 型衬底型衬底 (掺杂浓度低 )N+N+用扩散的方法 制作两个 N 区 在硅片表面生一层薄 SiO2 绝缘层 S D 用金属铝引出 源极 S 和漏极 D G 在绝缘层上喷金属铝引出栅极 G B 耗耗 尽尽 层层 S 源极源极 Source G 栅极栅极 Gate D 漏极漏极 Drain S G D B N沟道增强型沟道增强型MOSFET【问题引导】【问题引导】MOSFET的的输入电阻为什么

2、比输入电阻为什么比JFET的高的高？2.工作原理工作原理（1）uGS 对导电沟道的影响对导电沟道的影响(uDS=0)反型层反型层 (沟道沟道)uGS=0时，不存在导电沟道时，不存在导电沟道 P 型衬底型衬底 N+N+S D G B uGS UGS(th)时，衬底中电子被吸引到时，衬底中电子被吸引到P 区中区中G极下极下，形成导电沟道形成导电沟道（反型层）（反型层）。uGS 越大沟道越厚。越大沟道越厚。0 uGS UGS(th),uGD=uGS-uDS)uGSUGS(th)，uDS0时，沟道为楔型时，沟道为楔型（越靠近（越靠近D端，端，PN结反向电压越大）结反向电压越大）(PN结越厚结越厚)(a

3、)uGDUGS(th)时，时，未夹断状态。未夹断状态。DS呈电阻特性。呈电阻特性。(b)uGD=UGS(th)时，时，预夹断状态。预夹断状态。(c)uGDUGS(th)，uGD UGS(th)恒流区（饱和区）：沟道夹断但未完全夹断。恒流区（饱和区）：沟道夹断但未完全夹断。uGSUGS(th)，uGD UGS(th)夹断区（截止区）：导电沟道被完全夹断。夹断区（截止区）：导电沟道被完全夹断。uGS UGS(th)时（恒流区）：2GS(th)GSDOD)1(UuIiIDO uGS=2UGS(th)时的 iD 值 开启电压 O（2）转移特性曲线）转移特性曲线 3.与双极型三极管相比，为什么场效应管没有输入特性曲线？与双极型三极管相比，为什么场效应管没有输入特性曲线？【问题引导】【问题引导】1.MOS管的输入电阻？管的输入电阻？2.栅极电流？栅极电流？S G D uDS+-uGS+-iD iS RD VDD O iD/mA uDS/V uGS=2 V 4 V 6 V 8 V