TVS用硅单晶研磨片(T-ZZB 2675—2022).pdf

《TVS用硅单晶研磨片(T-ZZB 2675—2022).pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《TVS用硅单晶研磨片(T-ZZB 2675—2022).pdf（11页珍藏版）》请在得力文库 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、ICS 29.045 CCS H 82 T/ZZB 26752022 TVS 用硅单晶研磨片 Monocrystalline silicon as lapped wafers for TVS 2022-04-13 发布 2022-05-13 实施 浙江省品牌建设联合会 发 布 团体标准 T/ZZB 26752022 I 目 次 前言.II 1 范围.1 2 规范性引用文件.1 3 术语和定义.2 4 产品分类.2 5 基本要求.2 6 技术要求.2 7 试验方法.5 8 检验规则.6 9 标志、包装、贮存和运输.7 10 订货单（或合同）内容.8 11 质量承诺.8 T/ZZB 2675202

2、2 II 前 言 本文件按照GB/T 1.12020标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由浙江省品牌建设联合会提出并归口。本文件由浙江省质量合格评定协会牵头组织制定。本文件主要起草单位：浙江海纳半导体有限公司。本文件参与起草单位（排名不分先后）：浙江旭盛电子有限公司、浙江众晶电子有限公司、浙江星宇能源科技有限公司、浙江华盛模具科技有限公司、江苏捷捷微电子股份有限公司、浙江省质量合格评定协会、开化县检验检测研究院、衢州职业技术学院。本文件主要起草人：沈益军、肖世豪、潘金平、陈洪、饶伟星、张

3、立安、史少礼、黄云龙、詹玉峰、陈锋、牛小群、楼鸿飞、张超、汪新华、许琴、程富荣、苏文霞、冯小娟、梁奎、余天威。本文件评审专家组长：金勇。本文件由浙江省质量合格评定协会负责解释。T/ZZB 26752022 1 TVS 用硅单晶研磨片 1 范围 本文件规定了瞬态电压抑制二极管（TVS）用硅单晶研磨片（以下简称硅片）的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为100 mm、125 mm、150 mm的硅单晶研磨片。2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规

4、范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 2828.12012 计数抽样检验程

5、序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 12962 硅单晶 GB/T 129632014 电子级多晶硅 GB/T 13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T 14140 硅片直径

6、测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 26068 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法 GB/T 26572 电子电气产品中限用物质的限量要求 GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 T/ZZB 26752022 2 GB/T 32279 硅片订货单格式输入规范 GB/T 32280 硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法 YS/T 26 硅片边缘轮廓检验方法 YS/T 28 硅片包装 3 术语和定义 GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1 瞬态电压抑制二极管 transient voltage s

7、uppressor 是一种保护用的电子零件，可以保护电器设备不受导线引入的电压尖峰破坏，简称TVS。4 产品分类 4.1 硅片按导电类型分为 N 型、P 型两种。4.2 硅片的掺杂剂类型分为硼（B）、磷（P）两种。4.3 硅片按表面取向可分为100、111。5 基本要求 5.1 设计研发 5.1.1 应具备产品全生命周期的设计能力和制程能力，包括产品设计、配方设计、生产流程设计、工艺设计以及设备和工装设计等。5.1.2 应具备关键技术研发能力，涉及直拉单晶硅生长技术、线切割加工技术、双面研磨加工技术、化学清洗技术研发等，包括基于 PLC 的温度自动控制、生长速度自动控制、转速自动控制、线速自动

8、控制、基于 CCD 的直径自动控制、以及基于红外感应的厚度自动控制等技术研发。5.2 原材料 5.2.1 原材料多晶硅应满足 GB/T 129632014 第 4.2 条中电子 2 级要求。5.2.2 原材料多晶硅应满足 GB/T 26572 对限用物质限量的要求。5.3 工艺及装备 5.3.1 应采用半导体硅单晶生长炉、金刚线切割机、双面研磨机、清洗机等自动化设备。5.3.2 应具备硅片自动分选仪，可实现硅片电阻率和厚度的精准分档和自动分片。5.4 检验检测 应具备少数载流子寿命、氧含量、碳含量、位错密度、表面取向、导电类型、电阻率、直径、厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲度等指标的检测能力。6

9、 技术要求 T/ZZB 26752022 3 6.1 理化性能 6.1.1 硅片的掺杂剂类型分为硼（B）、磷（P）两种。硅片的少数载流子寿命、氧含量、碳含量及晶体完整性应符合表 1 的规定。表1 理化性能 项目 指标要求 少数载流子寿命，s 100 氧含量，atoms/cm3 8.01017 碳含量，atoms/cm3 11016 位错密度，个/cm2 10 6.1.2 表面取向及其偏离度应符合下列要求：a)硅片的表面取向可分为100、111。b)硅片的表面取向偏离度可分为正晶向和偏晶向两种：正晶向：偏离度为 00.25。偏晶向：对111硅片，有主参考面的，硅片表面法线沿平行主参考面的平面向最

10、邻近的方向偏 2.50.25或 4.00.25。6.2 电学性能 硅片的导电类型分为N型、P型两种。硅片的电阻率及径向电阻率变化应符合GB/T 12962第5.2条的规定。6.3 几何参数 硅片的几何参数应符合表2的规定。表2 几何参数 项目 指标要求 直径，mm 100 125 150 直径允许偏差，mm 0.2 0.2 0.2 厚度（中心点），m 200 250 300 厚度允许偏差，m 5 5 5 总厚度变化，m 2 2 3 弯曲度，m 15 15 20 翘曲度，m 30 30 35 主参考面长度，mm 2.5 2.5 2.5 副参考面长度，mm 2.0 2.5 2.5 6.4 基准标记

11、 硅片的参考面取向及位置应符合表3的规定，如图1所示。硅片是否制作副参考面由供需双方协商确定。T/ZZB 26752022 4 表3 主、副参考面取向及位置 导电类型 表面取向 主参考面取向a 副参考面 P 100 1101 与主参考面成 905 N 100 1101 与主参考面成：1805(直径不大于 125 mm)；1355(直径 150 mm)P 111 1101 无 N 111 1101 与主参考面成 455 a 对于（100）晶面的硅片，可允许等效110的面是（011）、（011）、（011）和（011）晶面。对于（111）晶面的硅片，可允许等效110的面是（110）、（011）和（

12、101）晶面。a）P 型 100 b）N 型100，直径不大于 125mm c）N 型 100,直径 150mm d）P 型111 图1 硅片的主、副参考面位置 T/ZZB 26752022 5 e）N 型111 图1（续）6.5 边缘轮廓 硅片边缘圆周上的所有点应处于使用YS/T 26测量模板的清晰区域内，且硅片边缘轮廓的任何部位不允许有锐利点或凸起物。6.6 表面质量 6.6.1 硅片应无崩边。6.6.2 硅片不允许有裂纹、缺口。6.6.3 硅片经清洗干燥后，表面应洁净、无色斑、无沾污。6.6.4 硅研磨片表面应无划伤、无线痕。7 试验方法 7.1 少数载流子寿命测量按 GB/T 1553

13、 或 GB/T 26068 的规定进行，仲裁方法按 GB/T 1553 的规定进行。7.2 硅单晶氧含量的测量按 GB/T 1557 的规定进行。7.3 硅单晶碳含量的测量按 GB/T 1558 的规定进行。7.4 位错密度按 GB/T 1554 的规定进行。7.5 表面取向及其偏离度的测试按 GB/T 1555 的规定进行。7.6 导电类型的测试按 GB/T 1550 的规定进行。7.7 电阻率的测试按 GB/T 1551 中的直排四探针法或 GB/T 6616 的规定进行。仲裁时按照 GB/T 1551中的直排四探针法进行。7.8 径向电阻率变化的测试按 GB/T 11073 的规定进行。

14、7.9 直径的测量按 GB/T 14140 的规定进行。7.10 厚度和总厚度变化的测量按 GB/T 6618 或 GB/T 29507 的规定进行，仲裁时按 GB/T 29507 的规定进行。7.11 弯曲度的测量按 GB/T 6619 的规定进行。7.12 翘曲度的测量按 GB/T 6620 或 GB/T 32280 的规定进行，仲裁时按 GB/T 32280 的规定进行。7.13 主、副参考面长度的测量按 GB/T 13387 的规定进行。7.14 主参考面取向的测试按 GB/T 13388 的规定进行。7.15 副参考面的位置使用角度尺测量。T/ZZB 26752022 6 7.16

15、边缘轮廓的检验按 YS/T 26 的规定进行。7.17 表面质量的检验按 GB/T 6624 的规定进行，必要时使用相应精度的工具测量。8 检验规则 8.1 检验分类 检验分为出厂检验和型式检验。8.2 出厂检验 8.2.1 组批 产品以成批的形式提交验收，每批应由同一牌号、相同规格的硅片组成。8.2.2 检验项目 每批产品对应的检测项目见表4。表4 检验分类和检验项目 序号 检验项目 出厂检验 型式检验 技术要求 试验方法 1 少数载流子寿命，s-6.1 7.1 2 氧含量，atoms/cm3-6.1 7.2 3 碳含量，atoms/cm3-6.1 7.3 4 位错密度，个/cm2-6.1

16、7.4 5 表面取向及其偏离度 6.1 7.5 6 导电类型 6.2 7.6 7 电阻率 6.2 7.7 8 径向电阻率变化 6.2 7.8 9 直径，mm 6.3 7.9 10 直径允许偏差，mm-6.3 7.9 11 厚度（中心点），m 6.3 7.10 12 厚度允许偏差，m-6.3 7.10 13 总厚度变化，m 6.3 7.10 14 弯曲度，m 6.3 7.11 15 翘曲度，m 6.3 7.12 16 主参考面长度，mm 6.3 7.13 17 副参考面长度，mm 6.3 7.13 18 主参考面取向-6.4 7.14 19 副参考面位置-6.4 7.15 20 边缘轮廓-6.5

17、 7.16 21 表面质量 6.6 7.17 T/ZZB 26752022 7 8.2.3 抽检 每批产品的检验取样按GB/T 2828.12012中一般检查水平，正常检查一次抽样方案进行。8.2.4 检验结果的判定 导电类型、表面取向及其偏离度的检验结果中若有一片不合格，则判该批产品为不合格。其他检验项目的合格质量水平（AQL）见表5。表5 接收质量限 序号 检验项目 接收质量限（AQL）1 电阻率 1.0 2 径向电阻率变化 1.0 3 直径 1.0 4 厚度 1.0 5 总厚度变化 1.0 6 弯曲度 1.0 7 翘曲度 1.0 8 参考面长度(主参考面直径)2.5 9 主参考面取向 1

18、.0 10 副参考面位置 2.5 11 表面质量 崩边 1.0 裂纹、缺口 1.0 色斑 1.0 沾污 1.5 线痕 1.0 划伤 2.0 累计 2.5 8.3 型式检验 8.3.1 有以下情形都应进行型式检验：a)新产品或老产品转厂生产试制的定型鉴定；b)产品结构、工艺、原材料有重大改变并可能影响到产品性能时；c)产品停产半年以上，重新恢复生产时；d)出厂检验结果和最近一次型式检验结果有较大差异时；e)质量监督机构提出型式检验要求时。8.3.2 型式检验抽检项目按表 5 要求的规定。8.3.3 抽样规则：型式检验每年一次，抽取 5 片，如果有一片不合格即判为不合格。9 标志、包装、贮存和运输

19、 T/ZZB 26752022 8 9.1 标志 包装箱外侧应有“小心轻放”、“防潮”、“易碎”等标识，并标明：a)供方名称；b)产品名称、牌号；c)产品数量。9.2 包装 硅片包装按YS/T 28的规定执行。9.3 贮存 产品应贮存在清洁、干燥的环境中。9.4 运输 产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震防潮措施。9.5 质量证明书 每批产品应有质量证明书，其上注明：a)供方名称；b)产品名称及牌号；c)产品批号；d)产品片数（盒数）；e)各项分析检验结果和检验部门的印记；f)本标准编号；g)出厂日期。10 订货单（或合同）内容 本标准所列产品的订货单（或合同）应符合GB/T 32279的规定。11 质量承诺 11.1 在本文件的包装方式条件，以及在上述要求的储存环境条件下，自出厂日期起，质保期为 12 个月，质保期内，在正常使用情况下如出现质量问题，提供免费换货服务。11.2 对客户提出的咨询或投诉，在 2 h 内做出响应；在 24 h 内为客户提供合理范围内的服务或解决方案。