200mm重掺磷直拉硅单晶抛光片(T-ZZB 0648—2018).pdf

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1、 ICS 29.045 H 82 ZZB 浙江制造团体标准 T/ZZB 06482018 200 mm 重掺磷直拉硅单晶抛光片 200 mm heavily phosphorus-doped single crystalline Czochralski silicon polished wafers 2018-10-19 发布 2018-11-01 实施 浙江省品牌建设联合会 发 布 T/ZZB 06482018 I 目 次 前言.II 1 范围.1 2 规范性引用文件.1 3 术语和定义.1 4 产品分类.1 5 基本要求.2 6 技术要求.2 7 试验方法.4 8 检验规则.4 9 包装、

2、标志、运输和贮存.6 10 订货单（或合同）内容.7 11 质量承诺.7 T/ZZB 06482017 II 前 言 本标准按照GB/T 1.12009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由浙江省浙江制造品牌建设促进会提出并归口。本标准由浙江省标准化研究院牵头组织制定。本标准主要起草单位：浙江金瑞泓科技股份有限公司。本标准参与起草单位：金瑞泓科技（衢州）有限公司。本标准主要起草人：许峰、朱华英、陈平人、田达晰、梁兴勃、刘红方、李方虎、李艳玲。本标准由浙江省标准化研究院负责解释。T/ZZB 06482017 1 200 mm 重掺磷

3、直拉硅单晶抛光片 1 范围 本标准规定了200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。本标准适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为200 mm的硅单晶抛光片。产品主要用于集成电路、分立器件用外延片的衬底。2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定

4、方法 GB/T 2828.12012 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 12962 硅单晶 GB/T 129632014 电子级多晶硅 GB/T 12965 硅单晶切割片和研磨片 GB/T 14140 硅片直径测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 19921

5、硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T 24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 GB/T 32279 硅片订货单格式输入规范 GB/T 32280 硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法 YS/T 28 硅片包装 3 术语和定义 GB/T 14264界定的术语及定义适用于本文件。4 产品分类 T/ZZB 06482017 2 本产品为N型直拉硅单晶抛光片，按照晶向分为常用的、两种规格。5 基本要求 5.1 应满足客户关注的要求，包括表面颗粒、硅片平整度、表面金属杂质等；筛选并确定关键制造过程工艺配方，包括直拉单晶

6、硅工艺技术、CMP（化学机械抛光）工艺技术、化学清洗工艺技术等。5.2 原材料多晶硅应满足 GB/T 129632014 第 4.2 条中电子 2 级要求，具体指标见表 1。表1 多晶硅主要性能要求 项目 指标要求 施主杂质浓度，10-9 0.25 受主杂质浓度，10-9 0.08 少数载流子寿命，s 1 000 碳浓度，atoms/cm3 1.01016 氧浓度，atoms/cm3 基体金属杂质浓度,10-9 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na 总金属杂质含量：1.5 表面金属杂质浓度,10-9 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Al、K、Na 总金属杂质含量：10.5 5.3 应采用 DCS、

7、PLC 等自动化控制系统，以及密闭化、高效节能的生产设备和装置，最终检验生产车间为洁净车间，达到 0.1 m 颗粒十级以上标准。5.4 应具备第 6 章技术要求中规定所有出厂检验项目的检测能力。6 技术要求 6.1 物理性能参数 6.1.1 硅抛光片的导电类型、掺杂元素、电阻率及其径向变化应符合表 2 的规定，其他氧含量、碳含量的参数应符合 GB/T 12962 的规定。表2 硅抛光片物理性能参数 项目 指标要求 导电类型 N 掺杂元素 P 电阻率，cm 0.0015 电阻率径向变化,%10 6.1.2 硅抛光片的直径、晶向、参考面晶向、主参考面和副参考面的位置、切口尺寸均应符合 GB/T 1

8、2965的规定。6.2 几何参数 硅抛光片的几何参数应符合表3的规定，表3未包含参数或对表3中参数有其他要求时，由供需双方协商确定。T/ZZB 06482017 3 表3 硅抛光片几何参数 项目 指标要求 硅片直径，mm 200 直径允许偏差，mm 0.2 硅片厚度，中心点，m 725 厚度允许偏差，m 10 总厚度变化（TTV），m 3 弯曲度（WARP），m 40 60（背面为多晶加背封）翘曲度（BOW），m 40 60（背面为多晶加背封）总平整度（TIR），m 2 局部平整度（SFQR，边缘扩展，PUA100%），m(25 mm25 mm)0.25 6.3 氧化诱生缺陷 氧化诱生缺陷不大

9、于50 个/cm2。6.4 表面质量 硅抛光片表面质量应符合表4的规定，其中对颗粒的要求可由供需双方协商确定。表4 抛光片表面质量目检要求 序号 项目 指标要求 正表面 1 划伤 无 2 蚀坑 无 3 雾 无 4 局部光散射体（颗粒）个/片 局部光散射体直径 0.16 m 100 0.2 m 15 0.3 m 7 0.5 m 1 5 区域沾污 无 6 崩边 无 7 裂纹，鸦爪 无 8 凹坑 无 9 沟（槽）无 10 小丘 无 11 桔皮，波纹 无 12 线痕 无 背表面 13 崩边 无 14 裂纹，鸦爪 无 15 区域沾污 无 16 线痕 无 T/ZZB 06482017 4 表4(续)序号

10、项目 指标要求 背表面 17 背表面处理 酸或碱腐蚀，外吸除、背封等处理或由供需双方商定 6.5 边缘轮廓 硅抛光片的边缘轮廓形状、尺寸应满足GB/T 12965的要求，且硅抛光片边缘轮廓的任何部位不允许有锐利点或凸起物。6.6 表面金属 表面金属（Cr、Fe、Ni、Cu）每种元素应不大于11010 atoms/cm2，表面金属（Na、K、Ca、Al、Zn）每种元素应不大于51010 atoms/cm2。6.7 其他 硅抛光片的激光刻号、边缘抛光等其他要求，由供需双方协商确定。7 试验方法 7.1 导电类型测量按照 GB/T 1550 进行。7.2 电阻率测量按照 GB/T 6616 进行。7

11、.3 硅片径向电阻率变化按照 GB/T 11073 进行。7.4 硅单晶直径及允许偏差的测量按照 GB/T 14140 进行。7.5 硅单晶晶向及晶向偏离度的测量按照 GB/T 1555 进行。7.6 厚度和总厚度变化的测量按照 GB/T 29507 进行。7.7 弯曲度测量按照 GB/T 6619 进行。7.8 翘曲度测量按照 GB/T 32280 进行。7.9 硅抛光片的平整度和局部平整度测量按照 GB/T 29507 进行。7.10 抛光片氧化诱生缺陷按照 GB/T 4058 进行。7.11 表面质量检验按照 GB/T 6624 进行。7.12 局部光散射体（微小颗粒沾污）按照 GB/T

12、 19921 进行。7.13 表面金属沾污的测量按照 GB/T 24578 进行，或按照供需双方协商的方法进行。8 检验规则 8.1 检验分类 检验分为出厂检验和型式检验。8.2 出厂检验 8.2.1 组批 产品以成批的形式提交验收，每批应由同一批号、相同规格的硅抛光片组成，每批硅抛光片应不少于25 片。T/ZZB 06482017 5 8.2.2 检验项目 8.2.2.1 每批产品应对电阻率、厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、总平整度、表面质量（除局部光散射体外）进行检验。8.2.2.2 导电类型、径向电阻率变化、局部平整度、氧化诱生缺陷、表面金属、边缘轮廓、局部光散射体（颗粒）是否检验由供

13、需双方协商确定。8.2.3 取样 8.2.3.1 非破坏性检验项目的检验取样按 GB/T 2828.12012 一般检查水平、正常检查一次抽样方案进行，或由供需双方协商确定抽样方案。8.2.3.2 破坏性检验项目的检验取样按 GB/T 2828.12012 特殊检查水平 S-2、正常检查一次抽样方案进行，或由供需双方协商确定抽样方案。8.2.4 检验结果的判定 8.2.4.1 导电类型检验若有一片不合格，则该批产品为不合格，其他检验项目的接收质量限（AQL）见表 5。表5 接收质量限 序号 项目 接收质量限（AQL）1 电阻率 1.0 2 径向电阻率变化 1.0 3 厚度 1.0 4 总厚度变

14、化 1.0 5 弯曲度 1.0 6 翘曲度 1.0 7 总平整度 1.0 8 局部平整度 1.0 9 表面质量 区域沾污 1.0 划伤，蚀坑 1.0 崩边，裂纹、鸦爪 累计 1.0 凹坑，沟(槽)、小丘，桔皮、波纹 累计 1.0 线痕 累计 1.0 累计 2.0 8.2.4.2 氧化诱生缺陷、表面金属、边缘轮廓、局部光散射体（颗粒）、雾、背表面处理的检验结果判定由供需双方协商确定。8.2.4.3 抽检不合格的产品，供方可对不合格项进行全数检验，除去不合格品后，合格品可以重新组批。8.3 型式检验 8.3.1 条件 有下列情况之一时，必须进行型式检验：T/ZZB 06482017 6 a)新产品

15、或老产品转厂生产试制的定型鉴定；b)产品结构、工艺、原材料有重大改变并可能影响到产品性能时；c)产品停产半年以上，重新恢复生产时；d)出厂检验结果和最近一次型式检验结果有较大差异时；e)质量监督机构提出型式检验要求时。8.3.2 项目 型式检验的项目为本标准第6章的全部要求。8.3.3 抽样规则 型式检验的样本：a)针对电阻率范围、径向电阻率变化、厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、总平整度、目检表面质量、局部平整度、局部光散射体（颗粒）等项目，应从出厂检验合格的产品中抽取，每次随机抽取样品总量的 5，单次抽样不小于 25 片；b)针对直径、晶向及晶向偏离度、参考面位置和晶向、切口尺寸、边缘轮廓

16、、导电类型、氧化诱生缺陷、表面金属含量等项目，应从出厂检验合格的产品中每次随机抽取，1 片/加工批次。9 包装、标志、运输和贮存 9.1 包装 硅抛光片的包装按YS/T 28的相关内容执行或由供需双方协商，每批产品应有质量证明书，内容可包括：a)供方名称；b)产品名称；c)规格；d)产品批号；e)产品片数（盒数）；f)各项参数检验结果和检验部门的印记；g)出厂日期。9.2 标志 硅抛光片的包装箱内应有装箱单，外侧应有“小心轻放”、“防潮”、“易碎”、“防腐”等标识，并标明：a)供方名称；b)产品名称；c)规格；d)产品件数或数量。9.3 运输和贮存 产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震、防潮措施，产品应贮存在清洁、干燥的环境中。T/ZZB 06482017 7 10 订货单（或合同）内容 本文件所列产品的订货单（或合同）可参照GB/T 32279规定，或由供需双方协商确定。11 质量承诺 11.1 在本文件的包装方式条件，以及在上述要求的储存环境条件下，质保期为 12 个月，质保期内，在正常使用情况下如出现质量问题，提供免费换货服务。11.2 对客户提出的咨询或投诉，在 24 h 内作出响应；在 48 h 内为客户提供合理范围内的服务或解决方案。11.3 出货后 5 年内，客户有任何相关资料需要，承诺一个工作日内回复相关资料。