光伏晶体硅片规范(T-CPIA 0037—2022).pdf

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1、ICS29.045CCSH82团体标准T/CPIA 0037202X光伏晶体硅片规范Specification for photovoltaic crystalline silicon wafers2022-03-30 发布2022-04-15 实施中国光伏行业协会发 布T/CPIA 00372022I目次前言.II1范围.12规范性引用文件.13术语和定义.14要求.24.1外形尺寸.24.2表面质量.34.3材料性能.45检验方法.46检验规则.56.1检验和验收.56.2检验项目.56.3取样及检验结果的判定.57包装、运输、贮存和质量证明书.67.1包装、运输和贮存.67.2质量证明书

2、.6T/CPIA 00372022II前言本文件按照GB/T 1.12020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中国光伏行业协会标准化技术委员会归口。本文件起草单位：保利协鑫（苏州）新能源有限公司、中国电子技术标准化研究院、隆基乐叶光伏科技有限公司、中环半导体有限公司、晶科能源有限公司、天合光能股份有限公司、苏州阿特斯阳光电力科技有限公司、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、江苏爱康科技股份有限公司、无锡京运通科技有限公司。本文件主要起草人：刘涛、黄琰、李小娟、邓浩

3、、张雪囡、张昕宇、丁国建、王栩生、苏磊、邵学峰、倪志春、孙守振。T/CPIA 003720221光伏晶体硅片规范1范围本文件规定了光伏电池片用光伏晶体硅片（以下简称硅片）的要求、检验方法、检验规则、包装、运输、贮存、质量证明书。本文件适用于光伏直拉单晶硅片及铸造多晶硅片,类单晶硅片参照单晶硅片。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T 1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB

4、/T 1555半导体单晶晶向测定方法GB/T 1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收检测方法GB/T 1558硅中代位碳原子含量.红外吸收测量方法GB/T 2828.12012计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划GB/T 6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法GB/T 6619硅片弯曲度测试方法GB/T 6620硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 11073硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T 14140硅片直径测量方法GB/T 14264半导体材料术语GB/T 29054太阳能电池用铸造多晶硅块GB/T 30860太阳能电池用硅片表面粗糙

5、度及切割线痕测试方法GB/T 30869太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法GB/T 31854光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法SJ/T 11627太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法SJ/T 11630太阳能电池用硅片几何尺寸测试方法SJ/T 11631太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法SJ/T 11632太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试方法YS/T 28硅片包装SEMI PV13-0714硅片、硅锭和硅块中多数载流子复合寿命的测试 非接触涡流传感法3术语和定义T/CPIA 003720222GB/T 14264和GB/T 29054界定的以及下列术语和定义适用于

6、本文件。3.1线痕saw marks晶块切割时，在晶片表面留下的条状凸纹和凹纹形状的不规则痕迹。3.2微裂纹microcrack宽度在微米量级，无法通过肉眼直接识别的裂纹。4要求4.1外形尺寸4.1.1几何尺寸4.1.1.1方形硅片的几何尺寸如图 1 所示，几何尺寸及允许偏差应符合表 1 的规定。图1方形硅片几何尺寸示意图表 1方形硅片几何尺寸及允许偏差项目要求允许偏差边长（A），mm100.75125.75156.75158.751661822100.25对角线长度（G），mm142.4177.8221.6224.5234.76257.4296.980.5倒角长度（B），mm1.251.25

7、1.251.251.251.2520.75相邻两边的垂直度（），900.25注：方形硅片倒角为直线。倒角角度一般是45，不做具体规定。4.1.1.2准方形硅片的几何尺寸如图 2 所示，几何尺寸及允许偏差应符合表 2 的规定。AAT/CPIA 003720223图2准方形硅片几何尺寸示意图表 2准方形硅片几何尺寸及允许偏差项目要求允许偏差边长（A），mm100.75125.75156.75156.75158.751661822100.25直径（D），mm1261512052102232232472950.25相邻两边的垂直度（），900.25注：准方形硅片倒角为直线或弧线。不做具体规定。4.1.

8、2厚度和其他参数硅片的厚度和其他参数及允许偏差应符合表3的规定。非正方片参考正方片标准。表 3硅片厚度和其他参数及允许偏差单位为：微米项目要求允许偏差厚度12013014015015160165170175180+20/-10总厚度变化252525272730303030翘曲度404040505050505050弯曲度4040405050505050504.2表面质量4.2.1硅片表面应洁净，无缺口、沾污、明显色差、目视裂纹、微裂纹、孔洞等缺陷。AAT/CPIA 0037202244.2.2硅片表面不应有“V”型缺口的崩边缺陷，允许有深度小于 0.3 mm 且长度小于 0.5 mm 的崩边缺陷

9、，整片不超过 2 处。4.2.3硅片表面的单条线痕深度值应不大于 15 m。4.3材料性能4.3.1单晶硅片的材料性能参数单晶硅片的材料性能参数应符合表4的规定。表 4单晶硅片的材料性能参数项目要求导电类型PN晶向晶向偏离度，+3+3电阻率，cm0.26.00.120.0载流子复合寿命（体寿命），s50600径向电阻率变化，%1520间隙氧含量，atoms/cm38.010178.01017代位碳含量，atoms/cm35.0101651016位错密度,个/cm25004.3.2多晶硅片的材料性能参数多晶硅片的材料性能参数应符合表5的规定。表 5多晶硅片的材料性能参数项目要求导电类型P电阻率，

10、cm0.53.0载流子复合寿命（体寿命），s2间隙氧含量，atoms/cm35.01017代位碳含量，atoms/cm38.01017金属杂质（Fe、Cr、Ni、Cu、Zn）总含量，g/g25检验方法5.1除直径外，几何尺寸的检验按 SJ/T 11630 的规定进行。5.2直径的检验按 GB/T 14140 的规定进行。5.3厚度和总厚度变化的检验按 GB/T 30869 的规定进行。5.4弯曲度的检验按 GB/T 6619 的规定进行，或由供需双方协商确定。5.5翘曲度的检验按 GB/T 6620 的规定进行。T/CPIA 0037202255.6导电类型的检验按 GB/T 1550 的规定

11、进行。5.7晶向及晶向偏离度的检验按 GB/T 1555 的规定进行。5.8电阻率的检验按 GB/T 6616、SJ/T 11627 的规定进行。5.9径向电阻率变化的检验按 GB/T 11073 的规定进行，测试点的选择方案和径向电阻率变化计算公式的选择由供需双方协商确定。5.10载流子复合寿命的检验按 SEMI PV13-0714 的规定进行，或按照供需双方协商确定的方法进行。5.11单晶硅片间隙氧含量的检验按 GB/T 1557 的规定进行。多晶硅片间隙氧含量的检验在硅块底部取样后参照 GB/T 1557 的规定进行。5.12单晶硅片代位碳含量的检验按 GB/T 1558 的规定进行。多

12、晶硅片代位碳含量的检验在硅块顶部取样后参照 GB/T 1558 的规定进行。5.13单晶硅片位错密度的检验按 GB/T 1554 的规定进行。5.14多晶硅片金属杂质含量的检验按 GB/T 31854 的规定进行，或按供需双方协商确定的方法进行。5.15表面质量（除微裂纹、线痕）的检验按 SJ/T 11631 的规定进行，或由供需双方协商确定。5.16表面微裂纹的检验按 SJ/T 11632 的规定进行。5.17表面线痕的检验按 GB/T 30860 的规定进行。6检验规则6.1检验和验收6.1.1产品由供方进行检验，保证产品质量符合本文件的规定，并填写质量证明书(见 7.2)。6.1.2需方

13、对收到的产品按本文件的规定进行检验。6.1.3组批硅片成批提交验收，每批由相同工艺生产的同一外形尺寸、导电类型和电阻率范围的硅片组成。6.2检验项目6.2.1除导电类型和电阻率外，其他材料性能参数是否检验由供需双方协商确定。6.2.2每批硅片应对外形尺寸、导电类型、电阻率和表面质量进行检验。6.3取样及检验结果的判定6.3.1除导电类型和电阻率外，其他材料性能参数的检验结果或检验取样和判定由供需双方协商确定。6.3.2外形尺寸、导电类型、电阻率和表面质量的检验取样按 GB/T 2828.1-2012 中的正常检验一次抽样方案，检验水平和接收质量限（AQL）应符合表 6 的规定。如按其他方案进行

14、取样和判定，宜由供需双方协商确定。表 6硅片抽样检验水平及接收质量限序号检验项目检验水平接收质量限（AQL）1边长S-22.52对角线长度3倒角长度4相邻两边的垂直度5直径T/CPIA 003720226表 6硅片抽样检验水平及接收质量限（续）序号检验项目检验水平接收质量限（AQL）6厚度S-22.57总厚度变化8翘曲度9弯曲度10导电类型11电阻率12表面质量0.657包装、运输、贮存和质量证明书7.1包装、运输和贮存7.1.1硅片包装按 YS/T 28 的规定进行。7.1.2硅片在运输过程中应轻装轻卸，严禁抛掷，勿挤压，且应采取防震、防潮措施。7.1.3硅片应贮存在清洁、干燥的环境中。7.2质量证明书每批硅片应附有质量证明书，其上注明：a）供方名称；b）产品名称；c）产品数量；d）产品批号；e）各项检验结果及检验部门印记；f）本标准编号；g）出厂日期。