半导体工艺原理薄膜技术物理气相淀积讲稿.ppt

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1、半导体工艺原理薄膜技术物理气相淀积第一页，讲稿共五十页哦物理气相淀积（物理气相淀积（PVD）n1 1 真空蒸发法原理真空蒸发法原理n2 2 设备与方法设备与方法n3 3 加热器加热器n4 4 气体辉光放电气体辉光放电n5 5 溅射溅射第二页，讲稿共五十页哦n物理气相淀积（物理气相淀积（Physical vapor deposition，PVD）是利用某种物理过程，如用是利用某种物理过程，如用真空真空蒸发蒸发和和溅射溅射方法方法实现物质转移，即原子或分子由源转移到衬底实现物质转移，即原子或分子由源转移到衬底(硅硅)表面淀积成薄膜。表面淀积成薄膜。蒸发必须在蒸发必须在高真空度下高真空度下进行进行。

2、溅射是在气体辉溅射是在气体辉光放电的等离子光放电的等离子状态实现。状态实现。nPVD常用来制备金属薄膜常用来制备金属薄膜:如如Al,Au,Pt,Cu，合金及，合金及多层金属。多层金属。第三页，讲稿共五十页哦一、一、真空蒸发法制备薄膜的基本原理真空蒸发法制备薄膜的基本原理n真空蒸发真空蒸发即利用蒸发材料在高温时所具有的饱和蒸汽压进即利用蒸发材料在高温时所具有的饱和蒸汽压进行薄膜制备。行薄膜制备。n在真空条件下，加热蒸发源，使原子在真空条件下，加热蒸发源，使原子或分子从蒸发源表或分子从蒸发源表面逸出面逸出，形成蒸汽流并入射到硅片衬底表面凝结形成固态，形成蒸汽流并入射到硅片衬底表面凝结形成固态薄膜。

3、薄膜。n这种物理淀积方法，制备的一般是多晶金属薄膜。这种物理淀积方法，制备的一般是多晶金属薄膜。第四页，讲稿共五十页哦真空蒸发法优点真空蒸发法优点n设备简单，操作容易n所制备的薄膜纯度较高，厚度控制较精确，成膜速率快n生长机理简单真空蒸发法主要缺点真空蒸发法主要缺点所形成的薄膜与衬底附着力较小工艺重复性不够理想台阶覆盖能力差已为溅射法和化学气相淀积法所代替第五页，讲稿共五十页哦蒸镀过程蒸镀过程n源受热蒸发；源受热蒸发；n气化原子或分子在蒸发气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运；源与基片之间的输运；n被蒸发的原子或分子在被蒸发的原子或分子在衬底表面的淀积：凝结衬底表面的淀积：凝结成核成核 生长

4、生长成膜。成膜。第六页，讲稿共五十页哦1.1 基本参数基本参数n汽化热汽化热H 被蒸发的原子或分子需克服固相或液相的原子间被蒸发的原子或分子需克服固相或液相的原子间束缚，而蒸发到真空中并形成具有一定动能的气相原子或分束缚，而蒸发到真空中并形成具有一定动能的气相原子或分子所需的能量。子所需的能量。常用金属材料汽化热常用金属材料汽化热 /原子（分子）原子（分子）在蒸发温度下的动能在蒸发温度下的动能 /原子（分子）原子（分子）饱和蒸汽压饱和蒸汽压P 在一定温度下真空室内蒸发物质的蒸汽与固态或液态在一定温度下真空室内蒸发物质的蒸汽与固态或液态平衡时所表现出来的压力平衡时所表现出来的压力蒸发温度蒸发温度

5、 在饱和蒸汽压为在饱和蒸汽压为133.310-2Pa时所对应的物质温度时所对应的物质温度第七页，讲稿共五十页哦n蒸发速率蒸发速率和温度、蒸发面蒸发速率和温度、蒸发面积、表面的清洁程度、加热方式有关，积、表面的清洁程度、加热方式有关，工程上将源物质、蒸发温度和蒸发速工程上将源物质、蒸发温度和蒸发速率之间关系绘成为率之间关系绘成为诺漠图。诺漠图。分子平均自由程分子平均自由程 粒子两次碰撞粒子两次碰撞之间飞行的平均距离之间飞行的平均距离蒸蒸汽压汽压第八页，讲稿共五十页哦蒸镀为什么要求高真空度？蒸镀为什么要求高真空度？n蒸发的原子（或分子）的输运应为直线，真空度过低，输运过程被蒸发的原子（或分子）的输

6、运应为直线，真空度过低，输运过程被气体分子多次碰撞散射，方向改变，动量降低，难以淀积到衬底上。气体分子多次碰撞散射，方向改变，动量降低，难以淀积到衬底上。n真空度过低，气体中的氧和水汽，使金属原子或分子在输真空度过低，气体中的氧和水汽，使金属原子或分子在输运过程中氧化，同时也使加热衬底表面发生氧化。运过程中氧化，同时也使加热衬底表面发生氧化。n系统中气体的杂质原子或分子也会淀积在衬底上，影响淀积薄系统中气体的杂质原子或分子也会淀积在衬底上，影响淀积薄膜质量。膜质量。第九页，讲稿共五十页哦1.2 真空的获得真空的获得n初真空：初真空：0.1760Torr，10105Pan中真空：中真空：10-4

7、10-1Torr，10-210Pan高真空：高真空：10-810-4Torr，10-610-2Pan超高真空：超高真空：10-8Torr，10-6Pa 1atm=760Torr 1atm=760Torr，1Torr=133.3Pa1Torr=133.3Pa 半导体工艺设备一般工作在初、中真空度。而在通入工作半导体工艺设备一般工作在初、中真空度。而在通入工作气体之前，设备先抽至高、超高真空度。气体之前，设备先抽至高、超高真空度。第十页，讲稿共五十页哦气体流气体流动及及导率率-气体气体动力学力学n气流用标准体积来测量，指相同气体气流用标准体积来测量，指相同气体,在在0和和1atm下所占的体积。下所

8、占的体积。阀门n质量流速质量流速qm(g/s)：气体流量气体流量Q(Latm/min)：G-在体积V内气体的质量-质量密度第十一页，讲稿共五十页哦nC与电导率一样并联相加；串联时倒数相加与电导率一样并联相加；串联时倒数相加n若大量气体流过真空系统，要保持腔体压力接近泵的压力，就若大量气体流过真空系统，要保持腔体压力接近泵的压力，就要求真空系统有大的传导率要求真空系统有大的传导率-管道直径；泵放置位置管道直径；泵放置位置 泵入口压力泵入口压力气体传导率气体传导率C泵的抽速泵的抽速Sp-体积置换率体积置换率泵的抽速泵的抽速Sp-体积置换率体积置换率第十二页，讲稿共五十页哦1.3真空泵真空泵初、中初

9、、中真空真空度度的的获得得n用活塞用活塞/叶片叶片/柱塞柱塞/隔膜的机隔膜的机械运动将气体正向移位械运动将气体正向移位n有三步骤：捕捉气体有三步骤：捕捉气体-压缩气压缩气体体-排出气体排出气体n压缩比压缩比旋转叶片旋转叶片真空泵真空泵罗茨泵罗茨泵第十三页，讲稿共五十页哦n旋片泵旋片泵旋片泵主要由定子、转子、旋片、定盖、弹簧等零件组成。n其结构是利用偏心地装在定子腔内的转子和转子槽内滑动的借助弹簧张力和离心力紧贴在定子内壁的两块旋片，当转子旋转时，始终沿定子内壁滑动。旋片泵工作原理图旋片泵工作原理图1-泵体;2-旋片;3-转子;4-弹簧;5-排气阀两个旋片把转子、定子内腔和定盖所围成的月牙型空间

10、分隔成A、B、C三个部分，不断地进行着吸气、压缩、排气过程，从而达到连续抽气的目的。第十四页，讲稿共五十页哦n在泵腔内，有二个“8”字形的转子相互垂直地安装在一对平行轴上，由传动比为1的一对齿轮带动作彼此反向的同步旋转运动。在转子之间，转子与泵壳内壁之间，保持有一定的间隙，可以实现高转速运行。n压缩比30：1n罗茨泵第十五页，讲稿共五十页哦在0位置时下转子从泵入口封入v0体积的气体。当转到45位置时该腔与排气口相通。由于排气侧压强较高，引起一部分气体返冲过来。当转到90位置时,下转子封入的气体，连同返冲的气体一起排向泵外。这时，上转子也从泵入口封入v0体积的气体。当转子继续转到135时，上转子

11、封入的气体与排气口相通，重复上述过程。180位置和0位置是一样的。转子主轴旋转一周共排出四个v0体积的气体。第十六页，讲稿共五十页哦高、超高真空度的高、超高真空度的获得得在微电子加工领域，高真空泵分为两类：在微电子加工领域，高真空泵分为两类：（1）转移动量给气态分子而抽吸气体）转移动量给气态分子而抽吸气体 （2）俘获气体分子）俘获气体分子抽吸腐蚀性、有毒、抽吸腐蚀性、有毒、大流量气体大流量气体-扩散泵、分子泵扩散泵、分子泵抽吸通入的小流量气抽吸通入的小流量气体或工艺前抽吸腔室体或工艺前抽吸腔室-低温泵低温泵第十七页，讲稿共五十页哦扩散泵扩散泵n靠高速蒸汽射流来携带气体以达到抽气的目的n工作原理

12、工作原理当油扩散泵用前级泵预抽到低于1帕真空时,油锅可开始加热。沸腾时喷嘴喷出高速的蒸气流，热运动的气体分子扩散到蒸气流中，与定向运动的油蒸气分子碰撞。气体分子因此而获得动量，产生和油蒸气分子运动方向相同的定向流动。到前级，油蒸气被冷凝，释出气体分子，即被前级泵抽走而达到抽气目的。n适用于高真空,但入口真空也要求较高,一般前要接机械泵n压缩比可达108n油扩散泵主要由泵体、扩散喷嘴、蒸气导管、油锅、加热器、扩散器、冷却系统和喷射喷嘴等部分组成。第十八页，讲稿共五十页哦涡轮分子泵涡轮分子泵n1958年，联邦德国的W.贝克首次提出有实用价值的涡轮分子泵n利用高速旋转的动叶轮将动量传给气体分子，使气

13、体产生定向流动而抽气的真空泵。n动叶轮外缘的线速度高达气体分子热运动的速度（一般为150400米秒）。具有这样的高速度才能使气体分子与动叶片相碰撞后改变随机散射的特性而作定向运动。n压缩比可达109涡轮分子泵涡轮分子泵主要由泵体、带叶片的转子（即动叶轮）、静叶轮和驱动系统等组成。第十九页，讲稿共五十页哦低温泵低温泵Cryopump（cold pump|cryogenic pump|cryovacuum pump|low temperature pump）n利用低温表面冷凝气体真空泵，又称冷凝泵。n抽气原理抽气原理在低温泵内设有由液氦或制冷机冷却到极低温度的冷板。它使气体凝结，并保持凝结物的蒸汽

14、压力低于泵的极限压力，从而达到抽气作用。低温泵是获得清洁真空的极限压力最低、抽气速率最大的真空泵,广泛应用于半导体和集成电路的研究和生产,以及分子束研究、真空镀膜设备、真空表面分析仪器、离子注入机等方面。第二十页，讲稿共五十页哦2、设备与方法、设备与方法n设备由三部分组成：设备由三部分组成：真空室真空室抽气系统抽气系统测试部分测试部分n蒸发方法：蒸发方法：单组份、多组份蒸发；单组份、多组份蒸发；衬底是否加热，冷蒸或衬底是否加热，冷蒸或热蒸；热蒸；按加热器分类。按加热器分类。第二十一页，讲稿共五十页哦多组分薄膜的蒸镀方法多组分薄膜的蒸镀方法(a)单源蒸发法单源蒸发法(b)多源同时蒸发法多源同时蒸

15、发法第二十二页，讲稿共五十页哦3 蒸发源蒸发源n电阻加热蒸镀电阻加热蒸镀n电子束电子束(EB)蒸镀蒸镀n激光蒸镀激光蒸镀n高频感应蒸镀高频感应蒸镀第二十三页，讲稿共五十页哦3.1 电阻加热器电阻加热器n出现最早，工艺简单；但有出现最早，工艺简单；但有加热器污染，薄膜台阶覆盖加热器污染，薄膜台阶覆盖差，难镀高熔点金属问题。差，难镀高熔点金属问题。n对电阻加热材料要求：熔对电阻加热材料要求：熔点要高；饱和蒸气压要低；点要高；饱和蒸气压要低；化学稳定性好；被蒸发材化学稳定性好；被蒸发材料与加热材料间应有料与加热材料间应有润湿润湿性性。第二十四页，讲稿共五十页哦3.2电子束电子束(EB)加热加热nEB

16、蒸镀基于电子在电场作用蒸镀基于电子在电场作用下，获得动能轰击处于阳极下，获得动能轰击处于阳极的蒸发材料，使其加热汽化。的蒸发材料，使其加热汽化。nEB蒸镀相对于电阻加热蒸镀蒸镀相对于电阻加热蒸镀杂质少杂质少，去除了加热器带来的玷，去除了加热器带来的玷污；污；可蒸发高熔点金属；热效率可蒸发高熔点金属；热效率高高；nEB蒸镀薄膜有辐射损伤，即蒸镀薄膜有辐射损伤，即薄膜电子由高激发态回到基态薄膜电子由高激发态回到基态产生的；也有设备复杂，价格产生的；也有设备复杂，价格昂贵的缺点。昂贵的缺点。第二十五页，讲稿共五十页哦3.3电子束加热器电子束加热器第二十六页，讲稿共五十页哦3.4激光蒸镀激光蒸镀n利用

17、高功率的连续或脉冲激光束作为能源对蒸利用高功率的连续或脉冲激光束作为能源对蒸发材料进行加热，称为发材料进行加热，称为激光束加热蒸发法。激光束加热蒸发法。n激光束加热的特点是加热温度高，可避免坩埚的污染，激光束加热的特点是加热温度高，可避免坩埚的污染，材料蒸发速率高，蒸发过程容易控制。材料蒸发速率高，蒸发过程容易控制。n激光加热法特别适应于蒸发那些成份比较复杂的激光加热法特别适应于蒸发那些成份比较复杂的合金或化合物材料。合金或化合物材料。第二十七页，讲稿共五十页哦3.5 高频感应蒸发高频感应蒸发n高频感应蒸发源是通过高高频感应蒸发源是通过高频感应对装有蒸发源的坩频感应对装有蒸发源的坩埚进行加热，

18、使蒸发材料埚进行加热，使蒸发材料在高频电磁场的感应下产在高频电磁场的感应下产生强大的涡流损失和磁滞生强大的涡流损失和磁滞损失损失(对铁磁体对铁磁体)，致使蒸，致使蒸发材料升温直至汽化发材料升温直至汽化蒸发。蒸发。第二十八页，讲稿共五十页哦4 气体辉光放电气体辉光放电n溅射溅射 具有一定能量的入射离子在对固体表面进行轰击时，入射离子在与固体表面原子的碰撞过程中将发生能量和动量的转移，并可能将固体表面的原子溅射出来。n热蒸发本质能量的转化溅射本质能量和动量，原子具有方向性n溅射过程建立在辉光放电的基础上溅射过程建立在辉光放电的基础上第二十九页，讲稿共五十页哦溅射溅射选定选定区域区域f几几Pa-几十

19、几十Pa气体气体4.1 4.1 原理原理无光放电区：极少量原子受到高能宇宙射线激发而电离；电流微弱、，且不稳定汤生放电区：电压升高，电子、离子的能量逐渐升高，作用；作用；辉光放电：气体放电击穿；负阻现象；阴极电流密度一定，有效放电面积随电流增加而增大；反常辉光放电：阴极全部成为有效放电区域，只有增加功率才可增加阴极电流密度电弧放电：随电流增加，放电电压再次大幅下降第三十页，讲稿共五十页哦反常辉光放电区反常辉光放电区n暗区，暗区，相当于离子和电子从相当于离子和电子从电场获取能量的加速区；电场获取能量的加速区；n辉光区，辉光区，相当于不同离子发相当于不同离子发生碰撞、复合、电离的区域。生碰撞、复合

20、、电离的区域。n负辉区，负辉区，是最亮区域。是最亮区域。第三十一页，讲稿共五十页哦4.2 等离子体等离子体n等离子体（等离子体（Plasma）是指具有一定导电能力的气体，它由正是指具有一定导电能力的气体，它由正离子、电子、光子以及原子、原子团、分子及它们的激发态所离子、电子、光子以及原子、原子团、分子及它们的激发态所组成的混合气体，宏观上呈现电中性。组成的混合气体，宏观上呈现电中性。n辉光放电构成的等离子体中粒子能量、密度较低，放电电辉光放电构成的等离子体中粒子能量、密度较低，放电电压较高。其特点是质量较大的重粒子，包括离子、中性原压较高。其特点是质量较大的重粒子，包括离子、中性原子和原子团的

21、能量远远低于电子的能量，是一种非热平衡子和原子团的能量远远低于电子的能量，是一种非热平衡状态的等离子体。状态的等离子体。第三十二页，讲稿共五十页哦等离子鞘层等离子鞘层n电子：等离子体中电子平均动能电子：等离子体中电子平均动能2eV，对应温度，对应温度T=23000K;平均平均运动速度运动速度 v=9.5*105 m/sn离子及中性原子处于低能状态，对离子及中性原子处于低能状态，对应温度在应温度在T=300-500K；平均速度；平均速度vAr=5*102m/sn等离子鞘层等离子鞘层：电子与离子具有不：电子与离子具有不同速度，结果是形成所谓的同速度，结果是形成所谓的等离子等离子鞘层鞘层，即任何处于

22、等离子中的，即任何处于等离子中的物体相对于等离子体来讲都呈物体相对于等离子体来讲都呈现出现出负电位，负电位，且在物体表面出且在物体表面出现现正电荷积累正电荷积累。第三十三页，讲稿共五十页哦辉光放电中的碰撞过程辉光放电中的碰撞过程n弹性碰撞弹性碰撞 无激发、电离或复合无激发、电离或复合n非弹性碰撞非弹性碰撞 动能转变为内能动能转变为内能 维持了自持放电维持了自持放电电离过程：电离过程：e-+Ar Ar+2e-激发过程：激发过程：e-+O2 O2*+e-分解反应：分解反应：e-+CF4 CF3*+F*+e-等离子体中高速运动的电子与其它粒子的碰撞是维持气体放电的主等离子体中高速运动的电子与其它粒子

23、的碰撞是维持气体放电的主要微观机制。要微观机制。第三十四页，讲稿共五十页哦4.3 射频辉光放电射频辉光放电n国际上采用的射频频率多为美国联邦通讯委员会国际上采用的射频频率多为美国联邦通讯委员会(Fcc)建建议的议的13.56MHz。n在一定气压条件下，在阴阳电极之间加交变电压频在一定气压条件下，在阴阳电极之间加交变电压频率在射频范围时，会产生稳定的射频辉光放电。率在射频范围时，会产生稳定的射频辉光放电。第三十五页，讲稿共五十页哦射频放电的激发源nE型放电：高频电场直接激发nH型放电：高频磁场感应激发射频辉光放电与直流放电很不相同：射频辉光放电与直流放电很不相同：电场周期性改变方向，带电粒子不容

24、易到达电极和器壁，减电场周期性改变方向，带电粒子不容易到达电极和器壁，减少了带电粒子的损失。在两极之间不断振荡运动的电子可从少了带电粒子的损失。在两极之间不断振荡运动的电子可从高频电场中获得足够能量，使气体分子电离，电场较低就可高频电场中获得足够能量，使气体分子电离，电场较低就可维持放电。维持放电。阴极产生的二次电子发射不再是气体击穿必要条件。阴极产生的二次电子发射不再是气体击穿必要条件。射频电场可由容抗或感抗耦合进淀积室。电极可以是导体，也射频电场可由容抗或感抗耦合进淀积室。电极可以是导体，也可是绝缘体。可是绝缘体。第三十六页，讲稿共五十页哦5 溅射溅射n微电子工艺中的溅射，是指利用微电子工

25、艺中的溅射，是指利用气体辉光放气体辉光放电电时，离子对阴极轰击，使阴极物质飞溅时，离子对阴极轰击，使阴极物质飞溅出来淀积到基片上形成薄膜的工艺方法。出来淀积到基片上形成薄膜的工艺方法。第三十七页，讲稿共五十页哦5.1 工艺机理工艺机理n在初、中真空度下，真空室通入少量氩或其它惰性在初、中真空度下，真空室通入少量氩或其它惰性气体，加高压或高频电场，使氩等惰性气体电离，气体，加高压或高频电场，使氩等惰性气体电离，正离子在电场作用下撞击靶，靶原子受碰撞溅射，正离子在电场作用下撞击靶，靶原子受碰撞溅射，到达衬底淀积成膜。到达衬底淀积成膜。第三十八页，讲稿共五十页哦入射离子溅射分析入射离子溅射分析溅射出

26、的原子，获得很溅射出的原子，获得很大动能，约大动能，约10-50eV。和。和蒸镀相比（约蒸镀相比（约0.2eV）溅）溅射原子在基片表面上的射原子在基片表面上的迁移能力强，改善了台迁移能力强，改善了台阶覆盖性，以及与衬底阶覆盖性，以及与衬底的附着力。的附着力。第三十九页，讲稿共五十页哦5.2 溅射特性溅射特性n溅射阈值溅射阈值 每一种靶材，都存在一个能量阈值，低于这个每一种靶材，都存在一个能量阈值，低于这个值就不会发生溅射现象。值就不会发生溅射现象。溅射阈值与入射离子质量无关，溅射阈值与入射离子质量无关，而主要而主要取决于靶取决于靶特性。特性。n溅射率溅射率S 又称溅射产额又称溅射产额 S=溅射

27、出的靶溅射出的靶原子数入射离子数。原子数入射离子数。n溅射粒子的溅射粒子的速度和能量速度和能量第四十页，讲稿共五十页哦溅射率的影响因素溅射率的影响因素nS与入射离子能量的关系与入射离子能量的关系：随着入射离子能量的增随着入射离子能量的增加，溅射率先是增加，加，溅射率先是增加，其后是一个平缓区，当其后是一个平缓区，当离子能量继续增加时，离子能量继续增加时，溅射率反而下降，此时溅射率反而下降，此时发生了离子注入现象。发生了离子注入现象。第四十一页，讲稿共五十页哦溅射率的影响因素溅射率的影响因素nS与入射离子种类的关系与入射离子种类的关系：溅射率依赖于入射离子，其原子量越大，溅射率越：溅射率依赖于入

28、射离子，其原子量越大，溅射率越高。溅射率也与入射离子的原子序数有密切的关系，呈现出随离子的原子序数高。溅射率也与入射离子的原子序数有密切的关系，呈现出随离子的原子序数周期性变化。惰性气体的溅射率最高。周期性变化。惰性气体的溅射率最高。nS与靶的关系与靶的关系：随靶原子序数增加而增大。：随靶原子序数增加而增大。第四十二页，讲稿共五十页哦溅射率的影响因素溅射率的影响因素nS与离子入射角的与离子入射角的关系关系：nS还与靶温、靶晶格还与靶温、靶晶格结构，靶的表面情况、结构，靶的表面情况、溅射压强、升华热的溅射压强、升华热的大小等因素有关。大小等因素有关。第四十三页，讲稿共五十页哦被溅射出的粒子的速度

29、和能量被溅射出的粒子的速度和能量n重靶逸出能量高，轻靶逸出速度高。重靶逸出能量高，轻靶逸出速度高。n不同靶逸出能不同，溅射率高的靶，逸出能较低。不同靶逸出能不同，溅射率高的靶，逸出能较低。n相同轰击能，逸出能随入射离子质量线性增加；轻入射离子溅射出的相同轰击能，逸出能随入射离子质量线性增加；轻入射离子溅射出的靶逸出能量较低，约靶逸出能量较低，约10eV；重入射离子溅射出的靶逸出能量较大，；重入射离子溅射出的靶逸出能量较大，约约30-40eV。n靶的逸出能量，随入射离子能量而增加，当入射离子能达靶的逸出能量，随入射离子能量而增加，当入射离子能达1keV时，平均逸出能趋于恒定值。时，平均逸出能趋于

30、恒定值。n在倾斜方向逸出的原子具有较高的逸出能量。在倾斜方向逸出的原子具有较高的逸出能量。第四十四页，讲稿共五十页哦5.3 溅射方法（式）溅射方法（式）n直流溅射直流溅射n射频溅射射频溅射n磁控溅射磁控溅射n反应溅射反应溅射n离子束溅射离子束溅射n偏压溅射偏压溅射第四十五页，讲稿共五十页哦1）、直流溅射）、直流溅射n最早出现，是将靶作为阴最早出现，是将靶作为阴极，只能制备导电的金属极，只能制备导电的金属薄膜，溅射速率很慢。薄膜，溅射速率很慢。气压和淀积速率的关系气压和淀积速率的关系第四十六页，讲稿共五十页哦2）、射频溅射）、射频溅射n在射频电场作用下，气体电在射频电场作用下，气体电离为等离子体

31、。靶相对于等离为等离子体。靶相对于等离子体而言是负极，被轰击离子体而言是负极，被轰击溅射；衬底放置电极与机壳溅射；衬底放置电极与机壳相连，鞘层压降很小，与等相连，鞘层压降很小，与等离子体基本等电位。离子体基本等电位。n可溅射介质薄膜，如可溅射介质薄膜，如SiO2等；等；n功率大，对人身防护成问功率大，对人身防护成问题。题。13.56MHz第四十七页，讲稿共五十页哦3）、磁控溅射）、磁控溅射n在阴极靶面上建立一个磁在阴极靶面上建立一个磁场，以控制二次电子的运场，以控制二次电子的运动，延长电子飞向阳极的动，延长电子飞向阳极的行程，使其尽可能多产生行程，使其尽可能多产生几次碰撞电离从而增加了几次碰撞

32、电离从而增加了离子密度，提高溅射效率。离子密度，提高溅射效率。n也只能制备金属导电薄膜。也只能制备金属导电薄膜。n溅射质量和速率有了很溅射质量和速率有了很大提高。大提高。第四十八页，讲稿共五十页哦4）、反应溅射）、反应溅射n用化合物作靶可实现多组分薄膜淀积，但得到的薄膜往往用化合物作靶可实现多组分薄膜淀积，但得到的薄膜往往与靶的化学组成有很大的差别。可采取与靶的化学组成有很大的差别。可采取反应溅射，反应溅射，在溅射在溅射室通入反应气体，如：室通入反应气体，如：O2，N2，H2S，CH4，生成：，生成：氧化物：氧化物：Al2O3，SiO2，In2O3等等碳化物：碳化物：SiC，WC，TiC等等氮

33、化物：氮化物：TiN，AlN，Si3N4等等硫化物：硫化物：CdS，ZnS等等各种复合化合物各种复合化合物第四十九页，讲稿共五十页哦5.4 设备设备n北京世华尖峰精仪（北京世华尖峰精仪（AJA）的）的ATC系列磁控溅系列磁控溅射系统射系统n均匀性均匀性:好于好于+/-2%；溅射室直径；溅射室直径13到到34英寸英寸.最多可安最多可安13只靶枪，可直流或射频溅射。基片可只靶枪，可直流或射频溅射。基片可加热、冷却、加热、冷却、RF偏压、偏压、B磁场。真空室可达磁场。真空室可达210-8Torr。n典型应用领域典型应用领域:CD/DVD 磁盘镀膜磁盘镀膜(例如例如:反射反射,换相换相)减反减反/硬度硬度/色彩色彩)半导体薄膜半导体薄膜 透明导电薄膜透明导电薄膜(如如 ITO)化学合成化学合成 薄膜传感器薄膜传感器 光电薄膜光电薄膜(太阳能电池太阳能电池)第五十页，讲稿共五十页哦