ds时钟芯片介绍.pptx

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1、一DS1302的主要性能指标 （1 1）DS1302DS1302实实时时时时钟钟具具有有能能计计算算21002100年年之之前前的的秒秒、分分、时时、日日、日日期期、星星期期、月月、年年的的能能力力，还还有有闰闰年年调调整整的的能力。能力。（2 2）内部含有）内部含有3131个字节静态个字节静态RAMRAM，可提供用户访问。，可提供用户访问。（3 3）采采用用串串行行数数据据传传送送方方式式，使使得得管管脚脚数数量量最最少少，简简单单SPI 3SPI 3线接口线接口。（4 4）工作电压范围宽：）工作电压范围宽：2.02.05.5V5.5V。（5 5）工作电流：）工作电流：2.0V2.0V时，小

2、于时，小于300nA300nA。第1页/共18页（6）时钟或RAM数据的读/写有两种传送方式：单字节传送和多字节传送方式。（7）采用8脚DIP封装或SOIC封装。（8）与TTL兼容，Vcc=5V。（9）可选工业级温度范围：-40C+85C。（10）具有涓流充电能力。（11）采用主电源和备份电源双电源供应。（12）备份电源可由电池或大容量电容实现。第2页/共18页二引脚功能DS1302的引脚图第3页/共18页其中：X1、X2：32.768KHz晶振接入引脚。GND：地。：复位引脚，低电平有效,操作时高电平。I/O：数据输入/输出引脚，具有三态功能。SCLK：串行时钟输入引脚。Vcc1：工作电源引

3、脚。Vcc2：备用电源引脚。第4页/共18页DS1302内部结构第5页/共18页三DS1302的寄存器及片内RAM DS1302有一个控制寄存器、12个日历、时钟寄存器和31个RAM。可读写（一）控制寄存器 控 制 寄 存 器 用 于 存 放 DS1302的 控 制 命 令 字，DS1302的RST引脚回到高电平后写入的第一个字就为控制命令。它用于对DS1302读写过程进行控制，它的格式如下：D7D6D5D4D3D2D1D0 1RAM/CKA4A3A2A1A0R/W第6页/共18页其中：D7：固定为1D6：RAM/CK位。=1:片内RAM；=0:日历、时钟存器选择位。D5D1：地址位，用于选择

4、进行读写的日历、时 钟寄存器或片内RAM。对日历、时钟 寄存器或片内RAM的选择见表。D0：读写选择，=0 写，=1 读第7页/共18页寄存器名称寄存器名称D7D6D5D4D3D2D1D01RAM/CKA4A3A2A1A0R/W秒寄存器秒寄存器10000000或或1分寄存器分寄存器10000010或或1小时寄存器小时寄存器10000100或或1日寄存器日寄存器10000110或或1月寄存器月寄存器10001000或或1星期寄存器星期寄存器10001010或或1年寄存器年寄存器10001100或或1第8页/共18页寄存器名称寄存器名称D7D6D5D4D3D2D1D01RAM/CKA4A3A2A1

5、A0R/W写保护寄存器写保护寄存器10001110或或1慢充电寄存器慢充电寄存器10010000或或1时钟突发模式时钟突发模式10111110或或1RAM011000000或或1110或或1RAM3011111100或或1RAM突发模式突发模式11111110或或1第9页/共18页（二）日历、时钟寄存器DS1302共有12个寄存器，其中有7个与日历、时钟相关，存放的数据为BCD码形式。日历、时钟寄存器的格式如表。寄存器名称寄存器名称取值范围取值范围D7D7D6D6D5D5D4D4D3D3 D2D2 D1D1 D0D0秒寄存器秒寄存器00005959CHCH秒的十位秒的十位秒的个位秒的个位分寄存

6、器分寄存器000059590 0分的十位分的十位分的个位分的个位小时寄存器小时寄存器01011212或或00002312/2412/240 0A/PA/PHRHR小时的个位小时的个位日寄存器日寄存器0101310 00 0日的十位日的十位日的个位日的个位第10页/共18页寄存器名称寄存器名称取值取值范围范围D7D7D6D6D5D5D4D4D3D3D2D2D1D1D0D0月寄存器月寄存器0101120 00 00 01 1或或0 0月的个位月的个位星期寄存器星期寄存器0101070 00 00 00 0星期几星期几年寄存器年寄存器010199年的十位年的十位年的个位年的个位写保护寄存器写保护寄存

7、器WPWP0 00 00 00 00 00 00 0慢充电寄存器慢充电寄存器TCSTCSTCSTCSTCSTCSTCSTCSDSDSDSDSRSRSRSRS时钟突发寄存器时钟突发寄存器第11页/共18页说明：（1）数据都以BCD码形式。（2）小时寄存器的D7位为12小时制/24小时制的选择位，当为1时选12小时制，当为0时选24小时制。当12小时制时，D5位为1是上午，D5位为0是下午，D4为小时的十位。当24小时制时，D5、D4位为小时的十位。（3）秒寄存器中的CH位为时钟暂停位，当为1时钟暂停，为0时钟开始启动。第12页/共18页4）写保护寄存器中的WP为写保护位，当WP=1，写保护，当W

8、P=0未写保护，当对日历、时钟寄存器或片内RAM进行写时WP应清零，当对日历、时钟寄存器或片内RAM进行读时WP一般置1。（5）慢充电寄存器的TCS位为控制慢充电的选择，当它为1010才能使慢充电工作。DS为二极管选择位。DS为01选择一个二极管，DS为10选择二个二极管，DS为11或00充电器被禁止，与TCS无关。RS用于选择连接在VCC2与VCC1之间的电阻，RS为00，充电器被禁止，与TCS无关，电阻选择情况见表.第13页/共18页RSRS位位电阻器电阻器阻值阻值0000无无无无0101R1R12K2K1010R2R24K4K1111R3R38K8K第14页/共18页（三）片内RAM D

9、S1302片内有31个RAM单元，对片内RAM的操作有两种方式：单字节方式和多字节方式。当控制命令字为C0HFDH时为单字节读写方式，命令字中的D5D1用于选择对应的RAM单元，其中奇数为读操作，偶数为写操作。当控制命令字为FEH、FFH时为多字节操作（表中的RAM突发模式），多字节操作可一次把所有的RAM单元内容进行读写。FEH为写操作，FFH为读操作。第15页/共18页1.置RST高电平启动输入输出过程，2.在SCLK时钟的控制下，控制命令字写入DS1302的控制寄存器，3.根据写入的控制命令字，依次读写内部寄存器或片内RAM单元的数据，4.对于日历、时钟寄存器，根据控制命令字，一次可以读

10、写一个日历、时钟寄存器，也可以一次读写8个字节，对所有的日历、时钟寄存器写的控制命令字为0BEH，读的控制命令字为0BFH；5.对于片内RAM单元，根据控制命令字，一次可读写一个字节，一次也可读写31个字节。当数据读写完后，RST变为低电平结束输入输出过程。（四）DS1302的输入输出过程第16页/共18页四、DS1302与单片机的接口VCC2VCC2X1X1X2X2GNDGNDVCC1VCC1SCLKSCLKI/OI/ORSTRST+5V+5V80518051P1.0P1.0P1.2P1.2P1.3P1.3+5V+5V DS1302与单片机的连接仅需要3条线：时钟线SCLK、数据线I/O和复位线 RST。连接图如上图。第17页/共18页2023/4/13泉州信息职业技术学院第18页谢谢您的观看！第18页/共18页