电路和电路元件.pptx

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1、电路电路元件和电路模型电流、电压及其参考方向电路功率1.1 电路和电路的基本物理量第1页/共72页放大器扬声器话筒手电筒电路扩音器示意图1、电路的概念 电路是电流的通路，是为了实现某种应用目的，将若干电工、电子器件或设备按一定方式所组成的整体。电路第2页/共72页发电机升压变压器降压变压器电灯电动机电炉.输电线电源:提供电能的装置中间环节：传递、分配和控制电能的作用负载:取用电能的装置2、电路的分类依据电路的作用，可将电路分为两类。(1)用于实现电能传输和转换的电路 强电电路电压较高、电流和功率较大电力系统结构图第3页/共72页(2)实现信号传递与处理的电路直流电源直流电源直流电源:提供能源负

2、载信号源:提供信息放大器扬声器话筒弱电电路电压较低、电流和功率较小扩音器示意图第4页/共72页电路元件和电路模型（1）实际电路元件和理想电路元件 实际电路元件：构成电路的电工、电子器件或设备。理想电路元件：具有某种确定的电磁性质的假想元件，它们及其组合，可以反映出实际电路元件的电磁性质和电路的电磁现象。理想电路元件主要有电阻元件、电感元件、电容元件和电源元件等。开关R+RoES+UI灯泡电池导线（2）实际电路和电路模型实际电路：用实际原件构成的电路实际电路：用实际原件构成的电路电路模型：将实际原件都由其相应的模型表示后就够成实际电电路模型：将实际原件都由其相应的模型表示后就够成实际电路的电路模

3、型。路的电路模型。第5页/共72页电流、电压及其参考方向1.电流及其参考方向电流：电路中带电粒子在电源的作用下有规则的移动形成电流。电流的实际方向：正电荷移动的方向。电流的大小：电荷量对时间的变化率：直流电流电流的大小和方向不随时间变化。电流的参考方向任意假定的实际方向(用箭头表示)。交流电流电流的大小和方向随时间变化。i 参考方向AB电流的单位：1kA=103A，1mA=10-3A，1 A=10-6AA（安培）、kA、mA、A第6页/共72页i 0i 0实际方向 实际方向电流的参考方向与实际方向的关系：i 参考方向ABi 参考方向ABb.i 0，电流的实际方向与参考方向相同；例1:判断各支路

4、电流的实际方向第7页/共72页2.电压及其参考方向电流的参考方向有两层含义：1）电流的参考方向可以任意指定。2）在指定的参考方向下，从电流数值的正、负来确定的实际方向。电压：是描述电场力对电荷做功的物理量，定义为单位正电荷从：是描述电场力对电荷做功的物理量，定义为单位正电荷从一点移至另一点电场力作的功：一点移至另一点电场力作的功：电压的实际方向高电位指向低电位的方向，即电位真正降低的高电位指向低电位的方向，即电位真正降低的方方向。向。acb例：例：已知：已知：V Va a=2V,V=2V,Vb b=-2V,=-2V,分析各点之间的电压及电压的实际方向分析各点之间的电压及电压的实际方向单位V(伏

5、)、kV、mV、V第8页/共72页直流电压：电压的大小和极性不随时间变化。：电压的大小和极性不随时间变化。交流电压：电压的大小和极性随时间变化。：电压的大小和极性随时间变化。电压的参考方向：任意假定的实际方向：任意假定的实际方向,用用“+”“-”“+”“-”符号表示。符号表示。U+电压的参考方向与实际方向的关系：a.u 0，电压的实际方向与参考方向相同；b.u 0 吸收正功率 (实际吸收)P0 发出正功率 (实际发出)P1VuBE/VOiB/A2uCE/VOiC/mA4682468100AIB=0饱和区截止区放大区80A60A40A20A第58页/共72页截止区：IB=0 曲线一下区域 特点：

6、集电结、发射结均反向偏置，无放大作用，IC=ICEO0，集电极与发射极相当于断开的开关用于开关电路。饱和区：UCEUBE的区域 特点：发射结、集电结均正向偏置，无放大作用,有IC，但UCE=UCES0（约0.3V），集电极与发射极相当于接通的开关用于开关电路。2uCE/VOiC/mA4682468100AIB=0饱和区截止区放大区80A60A40A20A放大区：I IC C=I IB B特点：发射结正向偏置，集电结反向偏置，有放大作用用于放大电路。第59页/共72页2.主要参数电流放大系数 穿透电流ICEO集电极最大允许电流ICM集电极最大允许耗散功率PCM集电极发射极反向击穿电压U(BR)C

7、EO第60页/共72页简化的小信号模型1.受控源概念受控源非独立电源输出电压或电流受电路中另一电压或电流的控制。电压控制电压源（VCVS）电压控制电流源（VCCS）电流控制电压源（CCVS）电流控制电流源（CCCS）四种类型：第61页/共72页四种受控源符号：VCVSVCCSCCVSCCCS第62页/共72页2晶体管的简化小信号模型 晶体管工作在放大区，即:B-E之间，工作在输入特性的近似线性区，用电阻rbe模拟。用电流控制电流源模型。rb=200 IE单位mA。C-E之间，IC=IB。IC与UCE基本无关。第63页/共72页部分晶体管的照片第64页/共72页1.6 绝缘栅场效应晶体管基本结构

8、和工作原理特性曲线和主要参数简化的小信号模型第65页/共72页基本结构和工作原理类型：N沟道绝缘栅场效应管（NMOS）P沟道绝缘栅场效应管（PMOS）增强型绝缘栅场效应管 耗尽型绝缘栅场效应管1.基本结构耗尽型NMOS管结构G 栅极S 源极D 漏极耗尽型NMOS第66页/共72页 在二氧化硅绝缘层中掺入大量正离子，不加UGS 在两个N+区之间存在N型导电沟道。增强型NMOS管结构 在二氧化硅绝缘层中掺入少量正离子，尚未形成导电沟道,只有加入足够大的UGS时才形成导电沟道。P沟道MOS管的符号 增强型NMOSGDSB增强型PMOS耗尽型PMOSGDSBGDSB第67页/共72页2.工作原理 在D

9、-S间外加电源UDD，加于G-S间的电压UGS变化时，漏极电流ID变化。UGS控制ID 电压控制型器件。对耗尽型NMOS，UGS可正可负；对增强型NMOS，UGS为正。第68页/共72页特性曲线和主要参数1.特性曲线输出特性：转移特性：耗尽型NMOS管的特性曲线 增强型MOS管的转移特性NMOS管PMOS管第69页/共72页2.主要参数夹断电压UGS(off)耗尽型MOS管参数。开启电压U UGSGS(thth)增强型MOS管参数。饱和漏极电流IDSS 耗尽型MOS管参数。低频跨导gm 最大漏极电流IDM 最大耗散功率PDM 最大漏-源极击穿电压U(BR)DS 栅源直流电阻RGS 第70页/共72页简化的小信号模型栅源电阻很大，栅极电流IG0 栅源电压控制漏极电流 电压控制电流源模型 第71页/共72页感谢您的观看！第72页/共72页