结型场效应管.优秀PPT.ppt-得力文库

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1、3.2 结型场效应管结型场效应管3.3 场效管应用原理场效管应用原理3.1 MOS场效应管场效应管第三章第三章场效应管场效应管概概述述场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小、工艺简洁，器件特性便于限制，是件。它体积小、工艺简洁，器件特性便于限制，是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。目前制造大规模集成电路的主要有源器件。场效应管与三极管主要区分：场效应管与三极管主要区分：场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。场效应管是单极型器件（三极管是双极型器件）。场效应管是单极型器件（三极管是双极型器件

2、）。场效应管分类：场效应管分类：MOS场效应管场效应管结型场效应管结型场效应管3.1 3.1 MOS场效应管场效应管P沟道（沟道（PMOS）N沟道（沟道（NMOS）P沟道（沟道（PMOS）N沟道（沟道（NMOS）MOSFETFET增强型（增强型（EMOS）耗尽型（耗尽型（DMOS）N沟道沟道MOS管与管与P沟道沟道MOS管工作原理相像，不管工作原理相像，不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此导致加在各极上的电压极性相反。此导致加在各极上的电压极性相反。N+N+P+P+PUSGD3.1.1 3.1.1 增加型增加型MOSMOS场效应管场效应管

3、q N沟道沟道EMOSFET结构示意图结构示意图源极源极漏极漏极衬底极衬底极 SiO2绝缘层绝缘层金属栅极金属栅极P P型硅型硅衬底衬底SGUD电路符号电路符号l沟道长度沟道长度W沟道沟道宽度宽度 N沟道沟道EMOS管管外部工作条件外部工作条件 VDS 0 (保证栅漏保证栅漏PN结反偏结反偏)。U接电路最低电位或与接电路最低电位或与S极相连极相连(保证源衬保证源衬PN结反偏结反偏)。VGS 0(形成导电沟道形成导电沟道)PP+N+N+SGDUVDS-+-+-+-+VGSq N沟道沟道EMOS管管工作原理工作原理栅栅衬之间衬之间相当相当于以于以SiO2为介质为介质的平板电容器。的平板电容器。

4、N沟道沟道EMOSFET沟道形成原理沟道形成原理假设假设VDS=0VDS=0，探讨，探讨VGSVGS作用作用PP+N+N+SGDUVDS=0-+-+VGS形成空间电荷区形成空间电荷区并与并与PN结相通结相通VGS 衬底表面层中衬底表面层中负离子负离子、电子、电子 VGS 开启电压开启电压VGS(th)形成形成N型导电沟道型导电沟道表面层表面层 npVGS越大，反型层中越大，反型层中n 越多，导电实力越强。越多，导电实力越强。反型层反型层 VDS对沟道的限制（假设对沟道的限制（假设VGS VGS(th)且保持不且保持不变）变）VDS很很小时小时 VGD VGS。此时此时W近似不变近似不变，即即

5、Ron不变不变。由图由图 VGD=VGS-VDS因此因此 VDS ID线性线性。若若VDS 则则VGD 近漏端沟道近漏端沟道 Ron增大增大。此时此时 Ron ID 变慢。变慢。PP+N+N+SGDUVDS-+-+VGS-+-+PP+N+N+SGDUVDS-+-+VGS-+-+当当VDS增加到增加到使使VGD =VGS(th)时时 A点出现预夹断点出现预夹断若若VDS 接着接着 A点左移点左移出现夹断区出现夹断区此时此时 VAS=VAG+VGS=-VGS(th)+VGS（恒定）（恒定）若忽视沟道长度调制效应，则近似认为若忽视沟道长度调制效应，则近似认为l l 不变（即不变（即RonRon不

6、变）。不变）。因此预夹断后：因此预夹断后：PP+N+N+SGDUVDS-+-+VGS-+-+APP+N+N+SGDUVDS-+-+VGS-+-+AVDS ID 基本维持不变。基本维持不变。若考虑沟道长度调制效应若考虑沟道长度调制效应则则VDS 沟道长度沟道长度l 沟道电阻沟道电阻Ron略略。因此因此 VDS ID略略。由上述分析可描绘出由上述分析可描绘出IDID随随VDS VDS 变更的关系曲线：变更的关系曲线：IDVDS0VGS VGS(th)VGS一定一定曲线形态类似三极管输出特性。曲线形态类似三极管输出特性。MOS管仅依靠一种载流子（多子）导电，故管仅依靠一种载流子（多子）导电，故称称单

7、极型器件。单极型器件。三极管中多子、少子同时参与导电，故称双三极管中多子、少子同时参与导电，故称双极型器件。极型器件。利利用用半半导导体体表表面面的的电电场场效效应应，通通过过栅栅源源电电压压VGS的的变变更更，变变更更感感生生电电荷荷的的多多少少，从从而而变变更更感生沟道的宽窄，限制漏极电流感生沟道的宽窄，限制漏极电流ID。MOSFET工作原理：工作原理：由于由于MOSMOS管栅极电流管栅极电流为零，故不探讨输入特为零，故不探讨输入特性曲线。性曲线。共源组态特性曲线：共源组态特性曲线：ID=f(VGS)VDS=常数常数转移特性：转移特性：ID=f(VDS)VGS=常数常数输出特性：输出特性：

8、q 伏安特性伏安特性+TVDSIG 0VGSID+-转移特性与输出特性反映场效应管同一物理过程，转移特性与输出特性反映场效应管同一物理过程，它们之间可以相互转换。它们之间可以相互转换。NEMOS管输出特性曲线管输出特性曲线q 非饱和区非饱和区特点：特点：ID同时受同时受VGS与与VDS的限制。的限制。当当VGS为常数时，为常数时，VDSID近似线性近似线性，表现为一种电阻特性；，表现为一种电阻特性；ID/mAVDS/V0VDS=VGS VGS(th)VGS=5V3.5V4V4.5V当当VDS为常数时，为常数时，VGS ID ，表现出一种压控电阻的特性。，表现出一种压控电阻的特性。沟道预夹断前对

9、应的工作区。沟道预夹断前对应的工作区。条件：条件：VGS VGS(th)V DS VGS(th)V DS VGSVGS(th)考考虑虑到到沟沟道道长长度度调调制制效效应应，输输出出特特性性曲曲线线随随VDS的增加略有上翘。的增加略有上翘。留意：饱和区（又称有源区）对应三极管的放大区。留意：饱和区（又称有源区）对应三极管的放大区。数学模型：数学模型：若考虑沟道长度调制效应，则若考虑沟道长度调制效应，则ID的修正方程：的修正方程：工工作作在在饱饱和和区区时时，MOS管管的的正正向向受受控控作作用用，听听从平方律关系式：从平方律关系式：其中：其中：称称沟道长度调制系数，其值与沟道长度调制系数，其值与

10、l 有关。有关。通常通常 =(0.005 0.03)V-1q 截止区截止区特点：特点：相当于相当于MOS管三个电极断开。管三个电极断开。ID/mAVDS/V0VDS=VGS VGS(th)VGS=5V3.5V4V4.5V沟道未形成时的工作区沟道未形成时的工作区条件：条件：VGS VGS(th)ID=0=0以下的工作区域。以下的工作区域。IG0，ID0q 击穿区击穿区 VDS增大到确定值时增大到确定值时漏衬漏衬PN结雪崩击穿结雪崩击穿 ID剧增。剧增。VDS沟道沟道 l 对于对于l 较小的较小的MOS管管穿通击穿。穿通击穿。由于由于MOS管管COX很小，因此当带电物体（或人）很小，因此当带电物

11、体（或人）靠近金属栅极时，感生电荷在靠近金属栅极时，感生电荷在SiO2绝缘层中将产生绝缘层中将产生很大的电压很大的电压VGS(=Q/COX)，使使绝缘层绝缘层击穿，造成击穿，造成MOS管永久性损坏管永久性损坏。MOS管爱护措施：管爱护措施：分立的分立的MOS管：管：各极引线短接、烙铁外壳接地。各极引线短接、烙铁外壳接地。MOS集成电路：集成电路：TD2D1D1 D2一方面限制一方面限制VGS间间最大电压，同时对感最大电压，同时对感生生电荷起旁路作用。电荷起旁路作用。NEMOS管管转移特性曲线转移特性曲线VGS(th)=3VVDS=5V 转移特性曲线反映转移特性曲线反映VDSVDS为常数时，为

12、常数时，VGSVGS对对IDID的限制作的限制作用用,可由输出特性转换得到。可由输出特性转换得到。ID/mAVDS/V0VDS=VGS VGS(th)VGS=5V3.5V4V4.5VVDS=5VID/mAVGS/V012345 转移特性曲线中转移特性曲线中,ID=0 时对应的时对应的VGS值值,即开启即开启电压电压VGS（th）。q 衬底效应衬底效应集成电路中，很多集成电路中，很多MOSMOS管做在同一衬底上，为保证管做在同一衬底上，为保证U U与与S S、D D之间之间PNPN结反偏，衬底应接电路最低电位（结反偏，衬底应接电路最低电位（N N沟道）或最高电位沟道）或最高电位（P P沟道）。

13、沟道）。若若|VUS|-+VUS耗尽层中负离子数耗尽层中负离子数因因VGS不变（不变（G极正电荷量不变）极正电荷量不变）ID VUS=0ID/mAVGS/VO-2V-4V依据衬底电压对依据衬底电压对IDID的限制作用，又称的限制作用，又称U U极为背栅极。极为背栅极。PP+N+N+SGDUVDSVGS-+-+阻挡层宽度阻挡层宽度表面层中表面层中电子电子数数 q P沟道沟道EMOS管管+-+-VGSVDS+-+-SGUDNN+P+SGDUP+N沟道沟道EMOS管与管与P沟道沟道EMOS管工作原理相像。管工作原理相像。即即 VDS 0、VGS 0，VGS 正、负、零均可。正、负、零均可。外部工

14、作条件：外部工作条件：DMOS管在饱和区与非饱和区的管在饱和区与非饱和区的ID表达式表达式与与EMOS管管相同相同。PDMOS与与NDMOS的差别仅在于电压极性与电流方向相反。的差别仅在于电压极性与电流方向相反。3.1.3 3.1.3 四种四种MOS场效应管比较场效应管比较q 电路符号及电流流向电路符号及电流流向SGUDIDSGUDIDUSGDIDSGUDIDNEMOSNDMOSPDMOSPEMOSq 转移特性转移特性IDVGS0VGS(th)IDVGS0VGS(th)IDVGS0VGS(th)IDVGS0VGS(th)q 饱和区（放大区）外加电压极性及数学模型饱和区（放大区）外加电压极性及数

16、端等效为压控电流源，满足平方律方程：三极管输出端等效为流控电流源，满足三极管输出端等效为流控电流源，满足IC=IC=IB IB。SGDIDVGSSDGIDIG 0ID(VGS)+-VBE(on)ECBICIBIB+-3.1.4 3.1.4 小信号电路模型小信号电路模型q MOS MOS管简化小信号电路模型管简化小信号电路模型(与三极管比照与三极管比照)gmvgsrdsgdsicvgs-vds+-rds为为场效应管场效应管输出电阻：输出电阻：由于场效应管由于场效应管IG 0，所以输入电阻所以输入电阻rgs。而三极管放射结正偏，故输入电阻而三极管放射结正偏，故输入电阻rbrb e e较小。较小。与

17、三极管与三极管输出电阻表达式输出电阻表达式相似。相似。rb ercebceibic+-+vbevcegmvb e MOS管管跨导跨导利用利用得得三极管三极管跨导跨导通常通常MOS管的跨导比三极管的跨导要小一个数管的跨导比三极管的跨导要小一个数量级以上，即量级以上，即MOS管放大实力比三极管弱。管放大实力比三极管弱。q 计及衬底计及衬底效应的效应的MOS管简化电路模型管简化电路模型考虑到衬底电压考虑到衬底电压vusvus对漏极电流对漏极电流idid的限制作用，小的限制作用，小信号等效电路中需增加一个压控电流源信号等效电路中需增加一个压控电流源gmuvusgmuvus。gmvgsrdsgds

18、idvgs-vds+-gmuvusgmu称背栅跨导，称背栅跨导，工程上工程上为常数，为常数，一般一般 =0.1 0.2q MOS管管高频小信号电路模型高频小信号电路模型当当高高频频应应用用、需需计计及及管管子子极极间间电电容容影影响响时时，应应接接受如下高频等效电路模型。受如下高频等效电路模型。gmvgsrdsgdsidvgs-vds+-CdsCgdCgs栅源极间栅源极间平板电容平板电容漏源极间电容漏源极间电容（漏衬与（漏衬与源衬之间的势垒电容）源衬之间的势垒电容）栅漏极间栅漏极间平板电容平板电容场场效效应应管管电电路路分分析析方方法法与与三三极极管管电电路路分分析析方方法法相相像像，可

19、可以以接接受受估估算算法法分分析析电电路路直直流流工工作作点点；接接受小信号等效电路法分析电路动态指标。受小信号等效电路法分析电路动态指标。3.1.5 3.1.5 MOS管电路分析方法管电路分析方法场效应管估算法分析思路与三极管相同，只是由场效应管估算法分析思路与三极管相同，只是由于两种管子工作原理不同，从而使外部工作条件有于两种管子工作原理不同，从而使外部工作条件有明显差异。因此用估算法分析场效应管电路时，确明显差异。因此用估算法分析场效应管电路时，确定要留意自身特点。定要留意自身特点。q 估算法估算法 MOS MOS管截止模式推断方法管截止模式推断方法假定假定MOS管工作在放大模式：管工

20、作在放大模式：放大模式放大模式非饱和模式非饱和模式（需重新计算需重新计算Q Q点点）N沟道管沟道管：VGS VGS(th)截止条件截止条件非饱和与饱和（放大）模式推断方法非饱和与饱和（放大）模式推断方法a)a)由直流通路写出管外电路由直流通路写出管外电路VGS与与ID之间关系式。之间关系式。c)c)联立解上述方程，选出合理的一组解。联立解上述方程，选出合理的一组解。d)d)推断电路工作模式：推断电路工作模式：若若|VDS|VGSVGS(th)|若若|VDS|VGSVGS(th)，VGS VGS(th)，假设成立。假设成立。q 小信号等效电路法小信号等效电路法场效应管小信号等效电路分法与三极管

21、相像。场效应管小信号等效电路分法与三极管相像。利用微变等效电路分析沟通指标。利用微变等效电路分析沟通指标。画沟通通路画沟通通路将将FETFET用小信号电路模型代替用小信号电路模型代替计算微变参数计算微变参数gm、rds注：具体分析将在第四章中具体介绍。注：具体分析将在第四章中具体介绍。3.2 3.2 结型场效应管结型场效应管q JFET结构示意图及电路符号结构示意图及电路符号SGDSGDP+P+NGSDN沟道沟道JFETP沟道沟道JFETN+N+PGSDq N沟道沟道JFET管管外部工作条件外部工作条件 VDS 0(保证栅漏保证栅漏PN结反偏结反偏)VGS VGS(off)V DS VGS

22、(off)V DS VGSVGS(off)在饱和区，在饱和区，JFET的的ID与与VGS之间也满足平方律关系，但由之间也满足平方律关系，但由于于JFET与与MOS管结构不同，故方程不同。管结构不同，故方程不同。q 截止区截止区特点：特点：沟道全夹断的工作区沟道全夹断的工作区条件：条件：VGS 0，ID流入管子漏极。流入管子漏极。P沟道沟道FET：VDS vGS vGS(th)因此因此当当 vGS vGS(th)时时N沟道沟道EMOS管管工作在饱和区。工作在饱和区。伏安特性：伏安特性：iDvGSVQIQQ直流电阻：直流电阻：（小）（小）交流电阻：交流电阻：（大）（大）Tvi+-+-vRiq N沟

23、道沟道DMOS管管GS相连相连构成有源电阻构成有源电阻v=vDS，vGS=0，i=iD由图由图因此，当因此，当 vDS 0 vGS(th)时，管子工作在饱和区。时，管子工作在饱和区。伏安特性即伏安特性即vGS=0 时的输出特性。时的输出特性。由由得知得知当当vGS=0 时，电路近似恒流输出。时，电路近似恒流输出。iDvDSVQIQQ-VGS(th)vGS=0 0Tvi+-+-vRiq 有源电阻有源电阻构成分压器构成分压器若两管若两管 n、COX、VGS(th)相同，则相同，则联立求解得：联立求解得：T1V1I1+-I2V2+-VDDT2由图由图I1=I2V1+V2=VDDV1+V2=VDD调整沟道宽长比（调整沟道宽长比（W/l），可得所需的分压值。），可得所需的分压值。

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