ch03-4类NMOS和BiCMOS逻辑门电路.pptx

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1、3.4 类类NMOS和和BiCMOS逻辑门电路逻辑门电路3.4.1 类类NMOS门电路门电路3.4.2 BiCMOS门电路门电路uMOS集成电路分为集成电路分为PMOS、NMOS和和CMOS。uNMOS比比PMOS速度快。速度快。uCMOS有有静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点成为主静态功耗低、抗干扰能力强等诸多优点成为主流器件。但流器件。但CMOS电路增加一个输入端必须增加一个电路增加一个输入端必须增加一个PMOS和一个和一个NMOS管，在某些希望芯片面积小的应用，管，在某些希望芯片面积小的应用，仍采用仍采用NMOS。u类类NMOS电路可与电路可与CMOS电路相匹配。电路相匹配。3.4.1

2、类类NMOS门电路门电路1.类类NMOS反相器反相器当当vI=0:NMOS管截止，管截止，PMOS管导通管导通,输出高电平。输出高电平。当当vI=VDD:NMOS管和管和PMOS管均导通管均导通,NMOS管管比比PMOS管管导通电阻小很多，输出低电平。导通电阻小很多，输出低电平。2.类类NMOS与非门和或非门与非门和或非门特点特点:功耗低、速度快、驱动力强功耗低、速度快、驱动力强3.4.2 BiCMOS门电路门电路p I I为高电平为高电平:MN、M1和和T2导通，导通，MP、M2和和T1截止，输出截止，输出 O O为低电平。为低电平。工作原理工作原理:M1的导通的导通,迅速拉走迅速拉走T1的基区存的基区存储电荷储电荷;M2截止截止,MN的输出电流的输出电流全部作为全部作为T2管的驱动电流管的驱动电流,M1、M2加快输出状态的转换加快输出状态的转换p I I为低电平为低电平:MP、M2和和T1导通，导通，MN、M1和和T2截止，输出截止，输出 O O为高电平。为高电平。T2基区的存储电荷通过基区的存储电荷通过M2而消散。而消散。M1、M2加快输出状态的转换加快输出状态的转换电电路的开关速度可得到改善路的开关速度可得到改善 M1截止，截止，MP的的输出电流输出电流全全部作为部作为T1的驱动电流。的驱动电流。