材料科学基础基本概念和名词解释.doc

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1、晶体缺陷单晶体：是指在整个晶体内部原子都按照周期性的规则排列。 多晶体：是指在晶体内每个局部区域里原子按周期性的规则排列，但不同局部区域之间原 子的排列方向并不相同，因此多晶体也可看成由许多取向不同的小单晶体（晶粒）组成 点缺陷（Point defects）：最简单的晶体缺陷，在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构 的正常排列。在空间三维方向上的尺寸都很小，约为一个、几个原子间距，又称零维缺陷。 包括空位 vacancies、间隙原子 interstitial atoms、杂质 impurities、溶质原子 solutes 等。 线缺陷（Linear defects）：在一个方向上的缺陷扩展

2、很大，其它两个方向上尺寸很小，也 称为一维缺陷。主要为位错 dislocations。 面缺陷（Planar defects）：在两个方向上的缺陷扩展很大，其它一个方向上尺寸很小，也 称为二维缺陷。包括晶界 grain boundaries、相界 phase boundaries、孪晶界 twin boundaries、堆垛层错 stacking faults 等。 晶体中点阵结点上的原子以其平衡位置为中心作热振动，当振动能足够大时，将克服周围 原子的制约，跳离原来的位置，使得点阵中形成空结点，称为空位 vacancies 肖脱基（Schottky）空位：迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置，

3、使晶体内部留下空位。弗兰克尔（Frenkel）缺陷：挤入间隙位置，在晶体中形成数目相等的空位和间隙原子。 晶格畸变：点缺陷破坏了原子的平衡状态，使晶格发生扭曲，称晶格畸变。从而使强度、 硬度提高，塑性、韧性下降；电阻升高，密度减小等。 热平衡缺陷：由于热起伏促使原子脱离点阵位置而形成的点缺陷称为热平衡缺陷（thermal equilibrium defects） ，这是晶体内原子的热运动的内部条件决定的。 过饱和的点缺陷：通过改变外部条件形成点缺陷，包括高温淬火、冷变形加工、高能粒子 辐照等，这时的点缺陷浓度超过了平衡浓度，称为过饱和的点缺陷(supersaturated point defe

4、cts) 。 位错：当晶格中一部分晶体相对于另一部分晶体发生局部滑移时，滑移面上滑移区与未滑 移区的交界线称作位错 刃型位错：当一个完整晶体某晶面以上的某处多出半个原子面，该晶面象刀刃一样切入晶 体，这个多余原子面的边缘就是刃型位错。 刃型位错线可以理解为已滑移区和未滑移区的分界线，它不一定是直线 螺型位错：位错附近的原子是按螺旋形排列的。螺型位错的位错线与滑移矢量平行，因此 一定是直线 混合位错：一种更为普遍的位错形式，其滑移矢量既不平行也不垂直于位错线，而与位错 线相交成任意角度。可看作是刃型位错和螺型位错的混合形式。 柏氏矢量 b: 用于表征不同类型位错的特征的一个物理参量，是决定晶格偏

5、离方向与大小 的向量，可揭示位错的本质。 位错的滑移（守恒运动）：在外加切应力作用下，位错中心附近的原子沿柏氏矢量 b 方向 在滑移面上不断作少量位移（小于一个原子间距）而逐步实现。 交滑移：由于螺型位错可有多个滑移面，螺型位错在原滑移面上运动受阻时，可转移到与 之相交的另一个滑移面上继续滑移。如果交滑移后的位错再转回到和原滑移面平行的滑移 面上继续运动，则称为双交滑移。 位错滑移的特点 1) 刃型位错滑移的切应力方向与位错线垂直，而螺型位错滑移的切应力方向与位错线平行；2) 无论刃型位错还是螺型位错，位错的运动方向总是与位错线垂直的；（伯氏矢量方向代 表晶体的滑移方向） 3) 刃型位错引起的

6、晶体的滑移方向与位错运动方向一致，而螺型位错引起的晶体的滑移方 向与位错运动方向垂直； 4) 位错滑移的切应力方向与柏氏矢量一致；位错滑移后，滑移面两侧晶体的相对位移与柏 氏矢量一致。 5) 对螺型位错，如果在原滑移面上运动受阻时，有可能转移到与之相交的另一滑移面上继 续滑移，这称为交滑移 (双交滑移）派-纳力：晶体滑移需克服晶体点阵对位错的阻力，即点阵阻力 位错的攀移（非守恒运动）：刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动，主要是通过原子或 空位的扩散来实现的（滑移过程基本不涉及原子的扩散） 。 位错在某一滑移面上运动时，对穿过滑移面的其它位错（林位错）的交割。包括扭折和割 阶。 扭折：位错交割形

7、成的曲折线段在位错的滑移面上时，称为扭折。 割阶：若该曲折线段垂直于位错的滑移面时，称为割阶。 位错交割的特点 1) 运动位错交割后，在位错线上可能产生一个扭折或割阶，其大小和方向取决于另一位错 的柏氏矢量，但具有原位错线的柏氏矢量(指扭折或割阶的长度和方向) 2) 所有的割阶都是刃型位错，而扭折可以是刃型也可是螺型的。 3) 扭折与原位错线在同一滑移面上，可随位错线一道运动，几乎不产生阻力，且在线张力 的作用下易于消失； 4）割阶与原位错不在同一滑移面上，只能通过攀移运动，所以割阶是位错运动的障碍- 割阶硬化 位错的应变能：位错周围点阵畸变引起的弹性应力场，导致晶体能量的增加，称为位错的 应

8、变能或位错的能量。 位错密度：单位体积内所包含的位错线总长度。 = L / V (cm-2)一般，位错密度也定义为单位面积所见到的位错数目= n / A (cm-2) 单位位错 Unit dislocation：柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错 全位错 Perfect dislocation：柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错，全位错滑移后晶体 原子排列不变 不全位错 Imperfect dislocation：柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错，不全位错滑移后 晶体原子排列规律变化 部分位错 Partial dislocation：柏氏矢量小于点阵矢量的位错 堆垛层错：实际晶体结构中，密排面

9、的正常堆垛顺序有可能遭到破坏和错排，称为堆垛层 错，简称层错。 位错反应：位错线之间可以合并或分解，称为位错反应 界面 interface：通常包含几个原子层厚的区域，其原子排列及化学成分不同于晶体内部， 可视为二维结构分布，也称为晶体的面缺陷。包括：外表面和内界面 外表面：指固体材料与气体或液体的分界面。它与摩擦、吸附、腐蚀、催化、光学、微电 子等密切相关。 内界面：分为 晶粒界面、亚晶界、孪晶界、层错、相界面等。 表面能：晶体表面单位面积自由能的增加，可理解为晶体表面产生单位面积新表面所作的 功 = dW/ds 小角度晶界：（Low-angle grain boundary）相邻晶粒的位相

10、差小于 10 亚晶界一般为 2 左 右。 对称倾斜晶界：(symmetric tilt boundary) 晶界两侧晶体互相倾斜 晶界的界面对于两个晶粒 是对称的，其晶界视为一列平行的刃型位错组成。 大角度晶界：（High-angle grain boundary） 相邻晶粒的位相差大于 10 重合位置点阵：当两个相邻晶粒的位相差为某一值时，若设想两晶粒的点阵彼此通过晶界 向对方延伸，则其中一些原子将出现有规律的相互重合。由这些原子重合位置所组成的比 原来晶体点阵大的新点阵，称为重合位置点阵。 晶界特性 1）晶粒的长大和晶界的平直化能减少晶界面积和晶界能，在适当的温度下是一个自发的过 程；须原

11、子扩散实现 2) 晶界处原子排列不规则，常温下对位错的运动起阻碍作用，宏观上表现出提高强度和硬 度；而高温下晶界由于起粘滞性，易使晶粒间滑动； 3) 晶界处有较多的缺陷，如空穴、位错等，具有较高的动能，原子扩散速度比晶内高； 4) 固态相变时，由于晶界能量高且原子扩散容易，所以新相易在晶界处形核； 5) 由于成分偏析和内吸附现象，晶界容易富集杂质原子，晶界熔点低，加热时易导致晶界 先熔化；过热 6）由于晶界能量较高、原子处于不稳定状态，以及晶界富集杂质原子的缘故，晶界腐蚀比 晶内腐蚀速率快。 孪晶 Twins：两个晶体(或一个晶体的两部分)沿一个公共晶面构成镜面对称的位相关系，这 两个晶体称为

12、孪晶；这一公共晶面称为孪晶面(孪晶界) Twin plane (boundary)。 相界：具有不同结构的两相之间的分界面称为“相界” 非共格界面(non-coherent interface)：当两相邻晶体在界面处的晶面间距相差很大时，这种 相界与大角度晶界相似，可看成是由原子不规则排列的薄过渡层构成 变形塑性变形的方式：主要通过滑移和孪生、还有扭折。 滑移是指晶体的一部分沿一定的晶面和晶向相对于另一部分发生滑动位移的现象。 滑移带：滑移线的集合构成滑移带，滑移带是由更细的滑移线所组成， 滑移系：一个滑移面和其上的一个滑移方向构成一个滑移系 临界切应力：滑移只能在切应力的作用下发生，产生滑移

13、的最小切应力称临界切应力。 滑移是通过滑移面上的位错的运动来实现的 孪生是指晶体的一部分沿一定晶面和晶向相对于另一部分所发生的切变。发生切变的部分 称孪生带或孪晶，沿其发生孪生的晶面称孪生面 孪生与滑移的主要区别 1 孪生通过晶格切变使晶格位向改变，使变形部分与未变形 部分呈镜面对称；而滑移不引起晶格位向改变。 2 孪生时，相邻原子面的相对位移量小于一个原子间距；而滑移时滑移面两侧晶体的相对 位移量是原子间距的整数倍。 3 孪生所需要的切应力比滑移大得多，变形速度大得多 退火孪晶：由于相变过程中原子重新排列时发生错排而产生的，称退火孪晶 位错的塞积：当位错运动到晶界附近时，受到晶界的阻碍而堆积

14、起来,称位错的塞积细晶强化：通过细化晶粒来同时提高金属的强度、硬度、塑性和韧性的方法称细晶强化 因为晶粒越细，单位体积内晶粒数目越多，参与变形的晶粒数目也越多，变形越均匀，使 在断裂前发生较大的塑性变形。强度和塑性同时增加,金属在断裂前消耗的功也越大，因而 其韧性也比较好。固溶强化：随溶质含量增加，固溶体的强度、硬度提高，塑性、韧性下降，称固溶强化 原因：由于溶质原子与位错相互作用的结果，溶质原子不仅使晶格发生畸变，而且易被吸 附在位错附近形成柯氏气团，使位错被钉扎住，位错要脱钉，则必须增加外力，从而使变 形抗力提高 柯氏 Cotrell 气团溶质原子的偏聚现象。在位错线附近存在溶质原子偏聚，

15、位错的滑移 受到约束和钉扎作用，塑性变形难度增加，金属材料的强度增加。弥散强化：当在晶内呈颗粒状弥散分布时，第二相颗粒越细，分布越均匀，合金的强度、 硬度越高，塑性、韧性略有下降，这种强化方法称弥散强化或沉淀强化。 原因：由于硬的颗粒不易被切变，因而阻碍了位错的运动，提高了变形抗力加工硬化：随冷塑性变形量增加，金属的强度、硬度提高，塑性、韧性下降的现象称加工 硬化 原因：随变形量增加, 位错密度增加，由于位错之间的交互作用(堆积、缠结)，使得位错难 以继续运动，从而使变形抗力增加；这是最本质的原因形变织构：由于晶粒的转动，当塑性变形达到一定程度时，会使绝大部分晶粒的某一位向 与变形方向趋于一致

16、，这种现象称形变织构或择优取向。 内应力是指平衡于金属内部的应力。是由于金属受力时, 内部变形不均匀而引起的。金属 发生塑性变形时,外力所做的功大部分转化为热能，只有 10%转化为内应力残留于金属中. 回复与再结晶回复 recovery：是指新的无畸变晶粒出现前所产生的亚结构和性能变化的阶段。金属中的 点缺陷及位错近距离迁移而引起的晶内某些变化。如空位与其他缺陷合并、同一滑移面上 的异号位错相遇合并而使缺陷数量减少等。 再结晶 recrystallization：是指出现无畸变的等轴新晶粒逐步取代变形晶粒的过程。 在开始阶段，在畸变较大的区域里产生新的无畸变的晶粒核心，即再结晶的形核过程；然

17、后通过逐渐消耗周围变形晶粒而长大，转变成为新的等轴晶，直至冷变形晶粒完全消失。 晶粒长大 grain growth：是指再结晶结束后晶粒的长大过程，在晶界界面能的驱动下，新晶 粒会发生合并长大，最终达到一个相对稳定的尺寸多边形化：由于位错运动使其由冷塑性变形时的无序状态变为垂直分布，形成亚晶界，这 一过程称多边形化 去应力退火：利用回复现象将冷变形金属低温加热，既稳定组织又保留加工硬化，这种热 处理方法称去应力退火 回复阶段退火的作用： 提高扩散 促进位错运动 释放内应变能 回复退火产生的结果： 电阻率下降 硬度、强度下降不多 降低内应力 再结晶的形核率是指单位时间、单位体积内形成的再结晶核心

18、的数目，一般用 N 表示；晶 核一旦形成便会继续长大至相邻晶粒彼此相遇，长大速率用 G 表示 再结晶温度：再结晶不是一个恒温过程，它是自某一温度开始，在一个温度范围内连续进 行的过程，发生再结晶的最低温度称再结晶温度。 再结晶退火：把消除加工硬化的热处理称为再结晶退火晶粒的长大：正常长大，异常长大。 正常长大：大多数晶粒几乎同时长大，晶粒长大的驱动力是降低其界面能，晶粒界面的不 同曲率是造成界面迁移的直接原因，界面总是向曲率中心的方向移动。 异常长大（不连续晶粒长大、二次再结晶）：少数晶粒突发性不均匀长大，使晶粒之间尺 寸差别显著增大，直至这些迅速长大的晶粒完全相互接触为止。 退火孪晶:再结晶

19、退火后出现的孪晶。是由于再结晶过程中因晶界迁移出现层错形成的 再结晶织构:再结晶退火后形成的织构。退火可将形变织构消除，也可形成新织构低于再结晶温度的加工变形称为冷加工 高于再结晶温度的加工变形称为热加工 热加工：在加工变形的同时产生加工硬化和动态回复与再结晶，并且热加工产生的加工硬 化很快被回复再结晶产生的软化所抵消，所以热加工体现不出加工硬化现象。 动态回复：在塑变过程中发生的回复。 动态再结晶：在塑变过程中发生的再结晶。 特点：反复形核，有限长大，晶粒较细。 包含亚晶粒，位错密度较高，强度硬度高。 超塑性：某些材料在特定变形条件下呈现的特别大的延伸率材料的凝固结构起伏（Structura

20、l undulation）：液态金属中存在着原子排列规则（有序）的小区域 （原子集团） ，但是不稳定，存在原子重新聚集 clustering，此起彼伏。 能量起伏（Energy undulation）：造成结构起伏的原因是液态金属中存在着能量起伏，能量 低的地方形成 cluster，遇到能量高峰又散开成无序状态。 结构起伏与能量起伏是对应的。 过冷：结晶只有在 T0 以下的实际结晶温度下才能进行，这种现象称为过冷 过冷度：理论结晶温度与实际结晶温度的差 T 称过冷度 T= T0 T1 均匀形核：是指新相晶核在母相中均匀地生成，即晶核由液相中的一些 cluster 直接形成， 不受杂质粒子或外表

21、面的影响 非均匀形核：是指新相优先在母相中存在的异质处形核，即依附于液相中的杂质或外来表 面形核，也称异质形核。 临界形核功：形成临界晶核所需的能量 G*称为临界形核功。 形核率 N：是指在单位时间内，单位体积的金属液体中形成的晶核数 光滑界面：是指固相表面为基本完整的原子密排面，固液两相截然分开，从微观上看界面 是光滑的，但是从宏观来看，界面呈锯齿状的折线。 粗糙界面：在微观上高低不平、粗糙，存在几个原子厚度的过渡层，但是宏观上看，界面 反而是平直的。 过冷度：晶体长大也需要一定的过冷度。长大所需的界面过冷度称为动态过冷度，用Tk 表示。 粗糙界面长大机制：连续长大，晶体沿界面的法线方向向液

22、相中生长。这种长大方式叫做 垂直长大(vertical growth)，或连续长大 粗糙界面 光滑界面晶体长大机制：二维形核 借螺型位错长大 成分起伏：材料内因原子的热运动引起微区中成分瞬间偏离溶液的平均成分，出现起伏 平衡分配系数 k0：平衡凝固时固相的溶质质量分数 wS（成分）和液相溶质质量分数 wL（成分）之比。 正偏析：溶质浓度由锭表面向中心逐渐增加的不均匀分布称为正偏析，它是宏观偏析的一 种。这种偏析通过扩散退火也难以消除 区域熔炼：原始质量浓度为 0，凝固前端部分的溶质浓度不断下降（k00.59 时，形成具有 复杂晶体结构的相， 106、大角度晶界:多晶材料中各晶粒之间的晶界称为大

23、角度晶界，即 相邻晶粒的位相差大于 10 的晶界。 10、固溶强化：由于合金元素（杂质）的加入，导致的以金属为基体的合金的强度得到加 强的现象。 98、电子化合物:电子化合物是指由主要电子浓度决定其晶体结构的一类化合物，又称休姆 -罗塞里相。凡具有相同的电子浓度，则相的晶体结构类型相同。 第三章 晶体缺陷 7、交滑移:当某一螺型位错在原滑移面上运动受阻时，有可能从原滑移面转移到与之相交 的另一滑移面上去继续滑移，这一过程称为交滑移。 11、弥散强化：许多材料由两相或多相构成，如果其中一相为细小的颗粒并弥散分布在材 料内，则这种材料的强度往往会增加，称为弥散强化。 12、不全位错：柏氏矢量不等于

24、点阵矢量整数倍的位错称为不全位错。 13、扩展位错：通常指一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位 错形态。 14、螺型位错：位错线附近的原子按螺旋形排列的位错称为螺型位错。38、多滑移:当外力在几个滑移系上的分切应力相等并同时达到了临界分切应力时，产生同 时滑移的现象。 41、全位错:把柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错称为全位错。 42、滑移系:晶体中一个滑移面及该面上一个滑移方向的组合称一个滑移系。 45、刃型位错:晶体中的某一晶面，在其上半部有多余的半排原子面，好像一把刀刃插入晶 体中，使这一晶面上下两部分晶体之间产生了原子错排，称为刃型位错。 46、细晶强化:晶粒

25、愈细小，晶界总长度愈长，对位错滑移的阻碍愈大，材料的屈服强度愈 高。晶粒细化导致晶界的增加，位错的滑移受阻，因此提高了材料的强度。 47、双交滑移:如果交滑移后的位错再转回和原滑移面平行的滑移面上继续运动，则称为双 交滑移。 48、单位位错:把柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错称为单位位错。 50、晶界偏聚:由于晶内与晶界上的畸变能差别或由于空位的存在使得溶质原子或杂质原子 在晶界上的富集现象。 68、孪晶:孪晶是指两个晶体（或一个晶体的两部分）沿一个公共晶面构成镜面对称的位向 关系，这两个晶体就称为孪晶，此公共晶面就称孪晶面。 71、晶界:晶界是成分结构相同的同种晶粒间的界面。 73、位错:是晶

26、体内的一种线缺陷，其特点是沿一条线方向原子有规律地发生错排；这种缺 陷用一线方向和一个柏氏矢量共同描述。 77、亚晶粒:一个晶粒中若干个位相稍有差异的晶粒称为亚晶粒。 78、亚晶界:相邻亚晶粒间的界面称为亚晶界。 79、晶界能:不论是小角度晶界或大角度晶界，这里的原子或多或少地偏离了平衡位置，所 以相对于晶体内部，晶界处于较高的能量状态，高出的那部分能量称为晶界能，或称晶界 自由能。 80、表面能:表面原子处于不均匀的力场之中，所以其能量大大升高，高出的能量称为表面 自由能（或表面能） 。 81、界面能:界面上的原子处在断键状态，具有超额能量。平均在界面单位面积上的超额能 量叫界面能。 88、

27、柏氏矢量:描述位错特征的一个重要矢量，它集中反映了位错区域内畸变总量的大小和 方向，也使位错扫过后晶体相对滑动的量。 91、位错滑移:在一定应力作用下，位错线沿滑移面移动的位错运动。 107、小角度晶界:相邻亚晶粒之间的位相差小于 10，这种亚晶粒间的晶界称为小角度晶界， 一般小于 2，可分为倾斜晶界、扭转晶界、重合晶界等。 70、孪生:晶体受力后，以产生孪晶的方式进行的切变过程叫孪生。 61、肖脱基空位:在个体中晶体中，当某一原子具有足够大的振动能而使振幅增大到一定程 度时，就可能克服周围原子对它的制约作用，跳离其原来位置，迁移到晶体表面或内表面 的正常结点位置上而使晶体内部留下空位，称为肖

28、脱基空位。 62、弗兰克尔空位:离开平衡位置的原子挤入点阵中的间隙位置，而在晶体中同时形成相等 数目的空位和间隙原子。 第四章 扩散 18、上坡扩散；溶质原子从低浓度向高浓度处扩散的过程称为上坡扩散。表明扩散的驱动 力是化学位梯度而非浓度梯度。 19、间隙扩散：这是原子扩散的一种机制，对于间隙原子来说，由于其尺寸较小，处于晶 格间隙中，在扩散时，间隙原子从一个间隙位置跳到相邻的另一个间隙位置，形成原子的 移动。34、柯肯达尔效应:反映了置换原子的扩散机制，两个纯组元构成扩散偶，在扩散的过程中， 界面将向扩散速率快的组元一侧移动。 49、反应扩散:伴随有化学反应而形成新相的扩散称为反应扩散。 5

29、4、稳态扩散:在稳态扩散过程中，扩散组元的浓度只随距离变化，而不随时间变化。 56、非共格晶界:当两相在相界处的原子排列相差很大时，即错配度 很大时形成非共格 晶界。同大角度晶界相似，可看成由原子不规则排列的很薄的过渡层构成。 63、非稳态扩散:扩散组元的浓度不仅随距离 x 变化，也随时间变化的扩散称为非稳态扩散。23、共格相界：如果两相界面上的所有原子均成一一对应的完全匹配关系,即界面上的原子 同时处于两相晶格的结点上,为相邻两晶体所共有,这种相界就称为共格相界。 第五章 塑性变形与再结晶 3、亚稳相:亚稳相指的是热力学上不能稳定存在，但在快速冷却成加热过程中，由于热力 学能垒或动力学的因素

30、造成其未能转变为稳定相而暂时稳定存在的一种相。 5、再结晶:冷变形后的金属加热到一定温度之后，在原变形组织中重新产生了无畸变的新 晶粒，而性能也发生了明显的变化并恢复到变形前的状态，这个过程称为再结晶。 （指出现 无畸变的等轴新晶粒逐步取代变形晶粒的过程） 9 加工硬化:金属经冷塑性变形后，其强度和硬度上升，塑性和韧性下降，这种现象称为加 工硬化。 26、再结晶退火：所谓再结晶退火工艺，一般是指将冷变形后的金属加热到再结晶温度以 上，保温一段时间后，缓慢冷却至室温的过程。 51、柯氏气团:通常把溶质原子与位错交互作用后，在位错周围偏聚的现象称为气团，是由 柯垂尔首先提出，又称柯氏气团。 52、

31、形变织构:多晶体形变过程中出现的晶体学取向择优的现象叫形变织构。 59、二次再结晶:再结晶结束后正常长大被抑制而发生的少数晶粒异常长大的现象。 64、时效:过饱和固溶体后续在室温或高于室温的溶质原子脱溶过程。 65、回复:指新的无畸变晶粒出现之前所产生的亚结构和性能变化的阶段。 95、应变时效:第一次拉伸后，再立即进行第二次拉伸，拉伸曲线上不出现屈服阶段。但第 一次拉伸后的低碳钢试样在室温下放置一段时间后，再进行第二次拉伸，则拉伸曲线上又 会出现屈服阶段。不过，再次屈服的强度要高于初次屈服的强度。这个试验现象就称为应 变时效。 97、临界变形度:给定温度下金属发生再结晶所需的最小预先冷变形量。

32、 100、再结晶温度:形变金属在一定时间（一般 1h）内刚好完成再结晶的最低温度。 103、施密特因子:亦称取向因子，为 coscos, 为滑移面与外力 F 中心轴的夹角， 为滑移方向与外力 F 的夹角。 108、临界分切应力:滑移系开动所需的最小分切应力；它是一个定值，与材料本身性质有 关，与外力取向无关。第六章 凝固 6、伪共晶:非平衡凝固条件下，某些亚共晶或过共晶成分的合金也能得到全部的共晶组织， 这种由非共晶成分的合金得到的共晶组织称为伪共晶。 20、成分过冷；界面前沿液体中的实际温度低于由溶质分布所决定的凝固温度时产生的过 冷。 29、非均匀形核:新相优先在母相中存在的异质处形核，即

33、依附于液相中的杂质或外来表面 形核。39、过冷度:相变过程中冷却到相变点以下某个温度后发生转变，平衡相变温度与该实际转 变温度之差称过冷度。 43、离异共晶:共晶体中的 相依附于初生 相生长，将共晶体中另一相 推到最后凝 固的晶界处，从而使共晶体两组成相相间的组织特点消失，这种两相分离的共晶体称为离 异共晶。 44、均匀形核:新相晶核是在母相中存在均匀地生长的，即晶核由液相中的一些原子团直接 形成，不受杂质粒子或外表面的影响。 67、合金:两种或两种以上的金属或金属与非金属经熔炼、烧结或其他方法组合而成并具有 金属特性的物质。 69、相图:描述各相平衡存在条件或共存关系的图解，也可称为平衡时热

34、力学参量的几何轨 迹。 74、偏析:合金中化学成分的不均匀性。 92、异质形核:晶核在液态金属中依靠外来物质表面或在温度不均匀处择优形成。 93、结构起伏:液态结构的原子排列为长程无序，短程有序，并且短程有序原子团不是固定 不变的，它是此消彼长，瞬息万变，尺寸不稳定的结构，这种现象称为结构起伏。 96、枝晶偏析:固溶体在非平衡冷却条件下，匀晶转变后新得的固溶体晶粒内部的成分是不 均匀的，先结晶的内核含较多的高熔点的组元原子，后结晶的外缘含较多的低熔点的组元 原子，而通常固溶体晶体以树枝晶方式长大，这样，枝干含高熔点组元较多，枝间含低熔 点组元原子多，造成同一晶粒内部成分的不均匀现象。 第七章

35、相图 15、包晶转变：在二元相图中，包晶转变就是已结晶的固相与剩余液相反应形成另一固相 的恒温转变。 16、共晶转变：由一个液相生成两个不同固相的转变。 17、共析转变：由一种固相分解得到其他两个不同固相的转变。 55、包析反应:由两个固相反应得到一个固相的过程为包析反应。 60、伪共析转变:非平衡转变过程中，处在共析成分点附近的亚共析、过共析合金，转变终 了组织全部呈共析组织形态。 66、相律:相律给出了平衡状态下体系中存在的相数与组元数及温度、压力之间的关系，可 表示为： f=C+P-2,f 为体系的自由度数，C 为体系的组元数，P 为相数。 86、珠光体:铁碳合金共析转变的产物，是共析铁素体和共析渗碳体的层片状混合物。 87、莱氏体:铁碳相图共晶转变的产物，是共晶奥氏体和共晶渗碳体的机械混合物。 94、重心法则：处于三相平衡的合金，其成分点必位于共轭三角形的重心位置。 24、调幅分解：过饱和固溶体在一定温度下分解成结构相同、成分不同的两个相的过程。