集成电路版图设计.pptx

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1、版图设计流程设计规则检查DRCDesign Rule Check电气规则检查ERCElectrical Rule Check版图与线路图比较程序Layout Versus Schematic（LVS）版图寄生参数提取LPELayout Parameter Extraction寄生电阻提取PREParasitic Resistance Extraction第1页/共57页27.1 工艺流程定义7.2 版图几何设计规则7.3 图元7.4 电学设计规则7.5 布线规则7.6 版图设计7.7 版图检查7.8 版图数据提交第7章 版图设计第2页/共57页选择工艺流程需要考虑的因素选择某一家公司的某一工艺

2、来实现我们所设计的IC，除了Design Rules外尚会包含下列资料。1.工艺参数：如每一层的厚度，深度等。2.工艺流程：如每一步骤所需的时间。3.设计指导(Design guide)：如告诉你如何加contact，如何用library，如何用避免Latch Up等4.SPICE Parameters：SPICE的参数。一般还有分是那一种 SPICE的参数。这些参数大致分为(1)基本(Typical)；(2)最快(Fast)及(3)最慢(Slow)。5.Package：可用的包装及Pin Count。6.Area：每一个Die的最大容许面积。7.Testing：测试方法8.其它：如温度系数，

3、片电阻(Sheet resistance)系数，Tape out的流程等。第3页/共57页7.1 工艺流程定义设计规则是以晶圆厂实际制造过程为基准，经过实际验证过的一整套参数，是进行版图设计必须遵守的规则，版图设计是否符合设计规则是流片是否成功的一个关键。每一家公司的Design Rules并不相同，同一公司不同Process其Design Rules也会不相同，即使是同一公司同一Process，其Design Rules也会Upgrade。以台湾半导体制造公司(TSMC)的0.35m CMOS工艺为例，我们给出从工艺文件出发到设计出版图的途径。TSMC的0.35m CMOS工艺是MOSIS

4、1998年以来提供服务的深亚微米工艺，以下简要介绍利用该工艺的技术文件进行芯片设计的流程。第4页/共57页 TSMC的0.35m沟道尺寸和对应的电源电压、电路布局图中金属布线层及其性能参数见表。金属布线层及其性能参数沟道长(m)金属布线层数多晶硅布线层数电源电压(V)W/L 阀值电压（V）31级环行振荡器频率(MHz)NMOSPMOS0.35323.30.6/0.400.54-0.77196.173.6/0.400.58-0.76第5页/共57页MOSIS为TSMC 0.35 mCMOS工艺定义的全部工艺层层名层名层号层号(GDSII)对应的对应的CIF名称名称说明说明Contact25CCC

5、接触孔接触孔N_well42CWNN阱阱Active43CAA有源层有源层P_plus_select44CSPP型扩散型扩散N_plus_select45CSNN型扩散型扩散Poly46CPG多晶硅多晶硅Electrode56CEL第二层多晶硅第二层多晶硅Metal149CMF第一层金属第一层金属Via150CVA连接第一与第二层金属的接触孔连接第一与第二层金属的接触孔Metal251CMS第二层金属第二层金属Via261CVS连接第二与第三层金属的接触孔连接第二与第三层金属的接触孔Metal362CMT第三层金属第三层金属Glass52COG钝化玻璃钝化玻璃第6页/共57页新加坡Charte

6、red 0.35 mCMOS工艺定义的全部工艺层第7页/共57页8nFeature size L=0.18umnVDD 1.8V/2.5VnDeep NWELL to reduce substrate noisenMIM capacitor(1fF/um2)nThick-top-metal for inductorn6 Metal 1 PolynPolycide resistor(7.5 Ohm/sq)nHigh N/P implant resistor(59 Ohm/sq,133 Ohm/sq)nM1-M5(78 mOhm/sq)Thick-top-metal(18 mOhm/sq)0.18

7、 m 制程结构第8页/共57页97.1 工艺流程定义7.2 版图几何设计规则7.3 图元7.4 电学设计规则7.5 布线规则7.6 版图设计7.7 版图检查7.8 版图数据提交第7章 版图设计第9页/共57页7.2 版图几何设计规则集成电路的制造必然受到工艺技术水平的限制，受到器件物理参数的制约，为了保证器件正确工作和提高芯片的成品率，要求设计者在版图设计时遵循一定的设计规则，这些设计规则直接由流片厂家提供。设计规则（design rule）是版图设计和工艺之间的接口。设计规则主要包括各层的最小宽度、层与层之间的最小间距等。设计规则可以采用可缩放的-规则（最小尺寸用的倍数表示）和固定的微米规则

8、（最小尺寸用具体微米数值给出）第10页/共57页1.最小宽度(minWidth)在利用DRC(设计规则检查)对版图进行几何规则检查时，对于宽度低于规则中指定的最小宽度的几何图形，计算机将给出错误提示。最小宽度指封闭几何图形的内边之间的距离第11页/共57页TSMC_0.35 m CMOS工艺中各版图层的线条最小宽度层层(layer)最小宽度最小宽度(minWidth)单位：单位：lambda=0.2 mN阱阱(N_well)12扩散层扩散层(P_plus_select/N_plus_select)2多晶硅多晶硅(Poly)2有源层有源层(Active)3接触孔接触孔(Contact)2*2(固

9、定尺寸固定尺寸)第一层金属第一层金属(Metal1)3接触孔接触孔(Via1)2*2(固定尺寸固定尺寸)第二层金属第二层金属(Metal2)3第二层多晶硅第二层多晶硅(Electrode)3接触孔接触孔(Via2)2*2(固定尺寸固定尺寸)第三层金属第三层金属(Metal3)5第12页/共57页2.最小间距(minSep)间距指各几何图形外边界之间的距离第13页/共57页TSMC_0.35 m CMOS工艺版图各层图形之间的最小间隔最小宽度最小宽度(minSep)单位：单位：lambda=0.2mN_wellActivePolyP_lplus_select/N_plus_selectConta

10、ctMetal1Via1Metal2ElectrodeVia2Metal3N_well18Active63Poly13P_plus_select/N_plus_select32Contact223Metal13Via12223Metal24Electrode2233Via223Metal3151515153第14页/共57页3.最小交叠(min Overlap)交迭有两种形式：a)一几何图形内边界到另一图形的内边界长度(overlap)b)一几何图形外边界到另一图形的内边界长度(extension)第15页/共57页 X Y N_wellActivePolyP_lplus_select/N_p

11、lus_selectContactMetal1Via1Metal2ElectrodeVia2Metal3N_well6ActivePoly2P_plus_select/N_plus_select2Contact1.51.51Metal11Via11Metal21Electrode22Via21Metal31Glass6TSMC_0.35 m CMOS工艺版图各层图形之间最小交叠第16页/共57页新加坡Chartered 0.35 mCMOS工艺设计规则1.an阱阱(well)n阱的最小宽度阱的最小宽度0.8u1.b阱与阱之间的最小间距阱与阱之间的最小间距diff到到nwell的最小间距的最小间

12、距(inside)0.2u(outside)1.1u1.dpdiff到到nwell的最小间距的最小间距(inside)1.1u(outside)0.35u1.ep mos 器件必须在器件必须在nwell内内2.a有源区（有源区（active）有源区的最小宽度有源区的最小宽度0.4u2.b有源区之间的最小间距有源区之间的最小间距0.6u3.a多晶硅（多晶硅（poly）多晶硅的最小宽度多晶硅的最小宽度0.35u3.b多晶硅间的最小间距多晶硅间的最小间距0.45u3.c多晶硅与有源区的最小间距多晶硅与有源区的最小间距0.2u3.d多晶硅栅在场区上的最小露头多晶硅栅在场区上的最小露头0.45u3.e源

13、、漏与栅的最小间距源、漏与栅的最小间距0.6u4.a引线孔（引线孔（contact）引线孔的最大最小宽度引线孔的最大最小宽度0.40.4u4.b引线孔间的最小间距引线孔间的最小间距0.4u4.c多晶硅覆盖引线孔的最小间距多晶硅覆盖引线孔的最小间距0.15u4.dmetal1覆盖引线孔的最小间距覆盖引线孔的最小间距0.15u4.e引线孔到引线孔到gate间距间距0.3u4.fdiff覆盖引线孔的最小间距覆盖引线孔的最小间距0.15u5.a金属金属1（metal1）金属金属1的最小宽度的最小宽度0.45u5.b金属金属1间的最小间距间的最小间距0.45u6.a金属金属2（metal2）金属金属2的

14、最小宽度的最小宽度0.5u6.b金属金属2间的最小间距间的最小间距0.5u第17页/共57页4.设计规则举例18图 多晶硅层相关设计规则的图形关系 第18页/共57页197.1 工艺流程定义7.2 版图几何设计规则7.3 图元7.4 电学设计规则7.5 布线规则7.6 版图设计7.7 版图检查7.8 版图数据提交第7章 版图设计第19页/共57页8.3 图元电路所涉及的每一种元件都是由一套掩模决定的几何形状和一系列物理、化学和机械处理过程的一个有机组合。仅根据设计规则来设计版图，难以入手。对版图设计者来讲，工艺能够制造的有源和无源元件的版图应该作为工艺元件库事先从工艺厂家得到。必要时，设计者需

15、要自己建立相应的元件库。以下给出根据MOSIS提供的TSMC 0.35m CMOS工艺文件设计的几种关键元件，图中几何尺寸的单位都是lambda，对于0.35m工艺，=0.2m。第20页/共57页1.NMOS和PMOS多晶硅(Poly)形成MOS管的栅极。N+扩散和有源区(Active)共同形成N型有源区（NMOS），P+扩散和有源区共同形成P型有源区（PMOS）。有源区分别在栅极两侧构成源区(S)和漏区(D)。源区和漏区又分别通过接触孔(Contact)与第一层金属(Metal1)连接构成源极和漏极。MOS管的可变参数为：栅长(gate_length)、栅宽(gate_width)和栅指数(

16、gates)。栅长(gate_length)指栅极下源区和漏区之间的沟道长度，最小值为2 lambda=0.4m。栅 宽(gate_width)指 栅 极 下 有 源 区(沟 道)的 宽 度，最 小 栅 宽 为 3 lambda=0.6m。栅指数(gates)指栅极的个数。第21页/共57页NMOS 俯视图第22页/共57页PMOS 俯视图第23页/共57页2.电阻(Resistor)设计者在Cadence环境下CMOS工艺可用的电阻有多晶硅电阻、有源层电阻和阱区电阻。三种电阻的计算公式均为：其中，Rsh为方块电阻值，l 和w 分别是体电阻的长与宽，Rcon是单个接触区形成的电阻值，n是接触孔

17、数.电阻的可变参数：电阻宽度(width)、电阻值(R)。第24页/共57页多晶硅电阻第一层多晶硅电阻俯视图多晶硅通过接触孔与第一层金属连接，该金属构成电阻的两个电极，图中所示电阻最小宽度为2=0.4m。第一层多晶硅的方块电阻值为7.4欧姆，每接触孔形成的电阻为5.6欧姆。该多晶硅电阻一般为几十欧姆。第25页/共57页多晶硅电阻（续）第二层多晶硅(Electrode)的方块电阻值为47.4欧姆，每个接触孔形成的电阻为31.4欧姆。该多晶硅电阻一般为几百欧姆。第二层多晶硅电阻俯视图第26页/共57页有源层电阻由N+扩散与有源区形成N+有源层电阻。有源层通过接触孔与第一层金属连接，金属构成有源层电

18、阻的两个电极。N+有源层电阻的方块电阻值为79.1欧姆，每个接触孔形成的电阻为54.8欧姆。电阻一般为几百到几千欧姆。N+有源层电阻俯视图第27页/共57页有源层电阻(续)P+扩散分别与有源区形成P+有源层电阻。有源层通过接触孔与第一层金属连接，金属构成有源层电阻的两个电极。P+有源层电阻的方块电阻值为153.4欧姆，每个接触孔形成的电阻为118.5欧姆。电阻一般为几百到几千欧姆。P+有源层电阻俯视图第28页/共57页阱区电阻为了引出N阱电阻的两个电极，在N阱中进行N+扩散，该扩散区与有源层形成N型有源区，有源区再通过接触孔和金属连接形成欧姆接触，金属构成了电阻的两个电极。N阱电阻的方块电阻值

19、为1011欧姆，该电阻一般在几k到几百k。第29页/共57页电容(Capacitance)TSMC_0.35m工艺制作的电容是一种结构简单的MIM电容，该电容由三层介质组成：导电层作为下电极绝缘层作为平板电容两电极间的介质导电层作为上电极 电容计算公式其中，area是两导电层重叠区域的面积，CareafF/m2是单位有效面积的电容量,perimeter 是两导电层重叠区域的周长，CfringefF/m是单位长度电容量。电容的可变参数为：两导电层重叠区域一边的长度(y)、电容值(CtotalF)。第30页/共57页互连(Interconnect)在TSMC_0.35m的集成电路工艺流程中，不同导

20、电层之间由绝缘介质隔离。导电层之间的相互连接需要通过打孔实现。有源层、多晶硅(Poly)和第二层多晶硅(Electrode)都通过接触孔(Contact)与第一层金属(Metal1)连接。(a)多晶硅和第一层金属(b)第一和第二层金属(c)第二和第三层金属连接的俯视图第31页/共57页焊盘(Pad)电路的输入和输出需要通过适当的导体结构（焊盘）来实现与外部电路的连接，它同时用于电路的在芯片测试。焊盘的尺寸通常远大于电路中其它的元器件，焊盘的尺寸是固定的。焊盘的俯视图第32页/共57页337.1 工艺流程定义7.2 版图几何设计规则7.3 图元7.4 电学设计规则7.5 布线规则7.6 版图设计

21、7.7 版图检查7.8 版图数据提交第7章 版图设计第33页/共57页7.4 电学设计规则 电学设计规则给出的是将具体的工艺参数及其结果抽象出的电学参数，是电路与系统设计、模拟的依据。几何设计规则是图形编辑的依据电学设计规则是分析计算的依据几何设计规则是设计系统生成版图和检查版图错误的依据电学设计规则是设计系统预测电路性能（仿真）的依据。34第34页/共57页35电学设计规则描述衬底电阻掺杂区薄层电阻多晶硅薄层电阻接触电阻电容（单位面积电容）综合参数阈值电压击穿电压导电因子第35页/共57页367.1 工艺流程定义7.2 版图几何设计规则7.3 图元7.4 电学设计规则7.5 布线规则7.6

22、版图设计7.7 版图检查7.8 版图数据提交第7章 版图设计第36页/共57页7.5 布线规则电源线与地线：梳状走线、金属布线长信号线避免平行走线压点位置根据电气特性要求选择布线层37第37页/共57页387.1 工艺流程定义7.2 版图几何设计规则7.3 图元7.4 电学设计规则7.5 布线规则7.6 版图设计7.7 版图检查7.8 版图数据提交第7章 版图设计第38页/共57页7.6 版图设计1.版图设计环境建立数据库通道，确定版图与工艺对应关系。2.芯片版图布局布局图应尽可能与电路图一致设计布局图的一个重要的任务是安排焊盘 集成电路必须是可测的 限幅放大器的系统框图第39页/共57页限幅

23、放大器的版图布局第40页/共57页3.元件布局与布线利用版图编辑工具设计版图的基本步骤1)运行版图编辑工具，建立版图文件；2)在画图窗口内根据几何参数值调元器件和子单元的版图；3)在不同的层内进行元器件和子单元之间的连接；4)调用DRC程序进行设计规则检查，修改错误；5)调用电路提取程序提取版图对应的元件参数和电路拓扑；6)与分析阶段建立的电路图文件结合进行版图与电路图对照分析，即LVS（Layout-vs-Schemetic）。7)存储版图文件，供今后修改和重用。第41页/共57页CMOS差动放大器单元电路设计版图的过程 画出两只MCS3并将它们的栅、漏和源极互连画L型金属线作地线第42页/

24、共57页画出两只MN1并将它们的栅、漏和源极互连CMOS差动放大器单元电路设计版图的过程 第43页/共57页依次画出R1、并联的两只MSF1和并联的两只MCF1以及偏压等半边电路版图CMOS差动放大器单元电路设计版图的过程第44页/共57页CMOS差动放大器单元电路设计版图的过程通过对图中半边版图对X轴作镜像复制形成的完整版图第45页/共57页4.版图设计注意事项在正式用Cadence画版图之前，一定要先构思，也就是要仔细想一想，每个管子打算怎样安排，管子之间怎样连接，最后的电源线、地线怎样走。对于差分形式的电路结构，最好在版图设计时也讲究对称，这样有利于提高电路性能。为了讲究对称，有时候需要

25、把一个管子分成两个，比如为差分对管提供电流的管子就可以拆成两个、四个甚至更多。差分形式对称的电路结构，一般地线铺在中间，电源线走上下两边，中间是大片的元件。当采用的工艺有多晶硅和多层金属时，布线的灵活性很大。一般信号线用第一层金属，信号线交叉的地方用第二层金属，整个电路与外部焊盘的接口用第三层金属。但也不绝对，比如说某一条金属线要设计允许通过的电流很大，用一条金属线明显很宽，就可以用两条甚至三条金属线铺成两层甚至三层，电流在每一层金属线上流过去的量就小了二分之一。层与层是通过连接孔连接的，在可能的情况下适当增加接触孔数，确保连接的可靠性。第46页/共57页4.版图设计注意事项（续1）输入和输出

26、最好分别布置在芯片两端，例如让信号从左边输入，右边输出，这样可以减少输出到输入的电磁干扰。对于小信号高增益放大器，这一点特别重要，设计不当会引起不希望的反馈，造成电路自激。金属连线的宽度是版图设计必须考虑的问题。铝金属线电流密度最大为0.8mA/mm2，Metal1、Metal2厚0.7mm,电 流 密 度 按 0.56mA/mm2设 计，Metal3厚 1.1mm,按0.8mA/mm2设计。当金属中流过的电流过大时，在金属较细的部位会引起“电徙”效应（金属原子沿电流方向迁徙），使金属变窄直到截断。因此，流过大电流的金属连线应该根据需要设定宽度。应确保电路中各处电位相同。芯片内部的电源线和地线

27、应全部连通，对于衬底应该保证良好的接地。第47页/共57页4.版图设计注意事项（续2）对高频信号，尽量减少寄生电容的干扰，对直流信号，尽量利用寄生电容来旁路掉直流信号中的交流成分从而稳定直流。第一层金属和第二层金属之间，第二层金属和第三层金属之间均会形成电容。对于电路中较长的走线，要考虑到电阻效应。金属、多晶硅分别有各自不同的方块电阻值，实际矩形结构的电阻值只跟矩形的长宽比有关。金属或多晶硅连线越长，电阻值就越大。为防止寄生大电阻对电路性能的影响，电路中尽量不走长线。第48页/共57页4.版图设计注意事项（续3）MOS管的尺寸（栅长、栅宽）是由电路模拟时候定下来的，画MOS管时应按照这些尺寸进

28、行。但是当MOS管的栅宽过大时，为了减小栅电阻和栅电容对电路性能的影响，我们需要减小每个MOS管的栅宽，为达到的所需的总栅宽可以采用并联的方式。另外，对于NMOS管，我们应当充分保证其衬底接地，而PMOS管应当保证其衬底充分接高电平，特别MOS管流过大电流时，应该在管子周围形成隔离环进行保护。电阻可以用不同的材料形成，可选择性很大，需要设计者进行选择。比如根据所需电阻值的大小，阻值的精确度，电阻的面积等来确定选用何种电阻。对于电阻宽度，我们也需要考虑，保证可以流过足够大的电流，防止电阻被烧坏。可能整个电路的有效面积仅仅占整个芯片面积的很小一部分，因此对于芯片中的空闲面积，可以尽量设计成电容，利

29、用这些电容来旁路外界电源和地对电路性能的影响。第49页/共57页4.版图设计注意事项（续4）力求层次化设计。即按功能将版图划分为若干子单元，每个子单元又可能包含若干子单元，从最小的子单元进行设计，这些子单元又被调用完成较大单元的设计，这种方法大大减少了设计和修改的工作量，且结构严谨、层次清晰。图形应尽量简捷，避免不必要的多边形，对连接在一起的同一层应尽量合并，这不仅可减小版图的数据存储量，而且使版图一目了然。设计者在构思版图结构时，除要考虑版图所占的面积、输入和输出的合理分布、减小不必要的寄生效应还应力求版图与电路原理框图保持一致(必要时修改框图画法)，并力求版图美观大方(利用适当空间添加标识

30、符)。第50页/共57页517.1 工艺流程定义7.2 版图几何设计规则7.3 图元7.4 电学设计规则7.5 布线规则7.6 版图设计7.7 版图检查7.8 版图数据提交第7章 版图设计第51页/共57页7.7 版图验证1.设计规则检查DRC2.电路提取3.电气规则检查ERC4.版图与电路图对照LVS52第52页/共57页7.8 版图数据提交经过版图检查完全无错将版图数据转换成GDS-II格式的码流数据按照Foundry的要求或MPW要求，通过网络传送GDS-II文件（一般为FTP）第53页/共57页有关Cadence Tools的使用Schematic可以进行层次化模块设计，整个电路图分割

31、成若干个子电路，子电路下面又可分割成子电路。Layout也要进行层次化模块化设计。Schematic的子电路可以进行cellview的symbol提取，laytout不能进行symbol的提取，但是可以进行子模块的调用。版图设计的基本步骤是画电路图(schematic)，画版图(layout)，版 图 设 计 规 则 检 查(DRC:design-rule-checking)，版图提取(extract)，电路图版图对照(LVS:layout via schematic)。从版图的每一小块开始，就要进行DRC设计规则检查，这样能及早发现错误并给以纠正。因 为 Cadence不 能 够 在 LVS

32、的 Error display时 显 示schematic子电路中的错误标记，所以从最基本的子电路开始，就要进行LVS检查。第54页/共57页 有关Cadence Tools的使用（续）经过一段时间的实际操作之后会发现，初次利用Cadence画版图的时候，DRC相对困难，因为很多条的设计规则一下子很难记住。但当逐步熟悉了Cadence之后，就发现真正的难点在于LVS，因为电路规模庞大，电路结构很复杂，Cadence检查出的错误只能以网表的形式显示于文件或以标记标于extracted和schematic图中，但是LVS的错误类型有几种，包括网表(nets)错误，器件(instance)错误，参数

33、(parameter)错误，端点(terminal)错误。Cadence提取的时候会把某些使用者连接错误造成的网表错误归为器件或参数错误。所以检查错误的时候最好先检查网表错误。LVS检查之后，info中的log(日志)文件，错误网表，mergenet和错误显示Errordisplay是对使用者比较有用的。第55页/共57页本章习题1.说明版图与电路图的关系。2.说明设计规则与工艺制造的关系。3.选用以为单位的设计规则有什么优点？4.设计规则主要包括哪几种几何关系？5.版图设计中整体布局有哪些注意事项？6.版图设计中元件布局布线方面有哪些注意事项？第56页/共57页57感谢您的观看。第57页/共57页