现代光学导论第四次.ppt

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1、设计一款设计一款TEM-分辨率分辨率0.25nm，加速电压，加速电压200Kv物镜物镜电子枪电子枪照明系统照明系统成像系统成像系统类别钨灯丝LaB6场发射枪逸出功（eV）4.52.44.5工作温度(K)27001700300电流密度（A/m2）5x1041061010交叉斑直径（m）50100.01能量散度(eV)31.50.3发射电流稳定度(%/小时)11000各种各种电电子子枪枪的性能的性能对对比比(100kV)源的优化源的发射原理：热电子发射，场致发射以及离子发射等源的发射原理：热电子发射，场致发射以及离子发射等发射尖的具体结构尺寸，栅极或者吸极的结构和电位，阳发射尖的具体结构尺寸，栅极

2、或者吸极的结构和电位，阳极的结构和电位极的结构和电位源的参数：束能、交叉斑直径、束流、亮度、束流密度源的参数：束能、交叉斑直径、束流、亮度、束流密度优化量：最优栅极偏压、栅极内径、优化量：最优栅极偏压、栅极内径、阳极与栅极的距离阳极与栅极的距离3.1 照明系统理论分析照明系统理论分析电子显微镜光路原理图电子显微镜光路原理图电子枪交叉点试样平面杂散电子单聚光镜单聚光镜 双聚光镜双聚光镜（合适激励）（合适激励）双聚光镜双聚光镜（高激励）（高激励）通过调整聚光镜的激励，能够达到所需照明要求通过调整聚光镜的激励，能够达到所需照明要求50微米束斑C1C25微米束斑 初象50微米束斑10微米束斑2微米束斑

3、亮很亮暗1.5微米束斑 TEM模式模式EDS模式模式NBD模式模式后方磁场C2光阑物镜前方磁场试样C1早期电镜早期电镜照明光路照明光路 现代电镜现代电镜照明光路照明光路 3.1 照明系统理论分析照明系统理论分析透镜系统的设计M为系统的放大倍数，为系统的放大倍数，do为源直径，为源直径，（，是物方是物方束半角）为系统球差弥散圆的直径，（束半角）为系统球差弥散圆的直径，（）为系统色）为系统色差弥散圆的直径差弥散圆的直径物镜的设计（直接决定了分辨率）低球差系数和色差系数物镜的设计（直接决定了分辨率）低球差系数和色差系数聚光镜的设计（满足聚光镜的设计（满足照明照明束斑直径的要求）束斑直径的要求）透镜系

4、统的设计透镜系统的设计单个透镜极靴仿真第一聚光镜极靴仿真第一聚光镜轴上磁场分布仿真第二聚光镜极靴仿真第二聚光镜轴上磁场分布仿真磁通量密度(T)磁通量密度(T)Z轴(mm)Z轴(mm)3.2 照明系统软件仿真照明系统软件仿真单个透镜磁路仿真第一聚光镜磁路仿真第一聚光镜轴上磁场分布仿真第二聚光镜磁路仿真第二聚光镜轴上磁场分布仿真磁通量密度(T)Z轴(mm)磁通量密度(T)Z轴(mm)线圈磁路极靴线圈磁路极靴3.2 照明系统软件仿真照明系统软件仿真束斑直径SD（m）0.752.57.5线圈激励（NI）20331090650激励电流值（A）0.3660.1960.117第一聚光镜仿真第一聚光镜光路仿真

5、第一聚光镜轴上磁场仿真第一聚光镜电子束轨迹仿真磁通量密度(T)Z轴(mm)Z轴(mm)R轴(mm)Z轴(mm)3.2 照明系统软件仿真照明系统软件仿真照明束班直径SD（m）1.46205.327821.7869线圈激励NI（A）118112191370激励电流值（A）0.220.230.25第二聚光镜仿真第二聚光镜光路仿真第二聚光镜轴上磁场仿真第二聚光镜电子束轨迹仿真磁通量密度(T)Z轴(mm)R轴(mm)Z轴(mm)3.2 照明系统软件仿真照明系统软件仿真一体化仿真物镜磁路仿真物镜前场轴上磁场仿真TEM模式光路仿真TEM模式电子束轨迹仿真磁通量密度(T)Z轴(mm)线圈磁路极靴R轴(mm)Z

6、轴(mm)Z轴(mm)3.2 照明系统软件仿真照明系统软件仿真实际轨迹图X轴(mm)Z轴(mm)Z轴(mm)Y轴(mm)R轴(mm)虚源位置(物平面)第一聚光镜第二聚光镜物镜样品台5287407633633.02照明束班直径SD（m）1.5515第一聚光镜激励NI（A）20331094727激励电流值（A）0.36630.19710.1310第二聚光镜激励NI（A）118312201312激励电流值（A）0.21310.21980.2364像平面（mm）291.2 631 633301 631 633320 631 633系统倍率0.028200.105140.30127各透镜相对位置（单位

7、mm）仿真结果数据列表3.2 照明系统软件仿真照明系统软件仿真探索式仿真小聚光镜镜磁路仿真小聚光镜轴上磁场仿真TEM模式光路仿真TEM模式电子束轨迹仿真照明束班直径SD（nm）543第一聚光镜激励NI（A-t）1011.12871011.60661013.8271激励电流值（A）0.1821850.1822710.182672第二聚光镜激励NI（A-t）2214.31052215.41022215.4102激励电流值（A-t）0.3989030.3991010.399101小聚光镜激励NI（A-t）1764.33041759.75701755.8848激励电流值（A）0.9047850.902

8、4390.900454磁通量密度(T)Z轴(mm)线圈磁路极靴磁通量密度(T)Z轴(mm)3.2 照明系统软件仿真照明系统软件仿真探索式仿真EDS模式光路仿真NBD模式光路仿真Z轴(mm)Z轴(mm)3.2 照明系统软件仿真照明系统软件仿真机械合轴机械合轴电子合轴电子合轴3.3 照明系统合轴调节照明系统合轴调节对中调节对中调节高度调节高度调节灯丝座结构示意图灯丝座结构示意图高度调节步骤示意图高度调节步骤示意图实际电子枪实际电子枪栅极栅极灯丝座灯丝座3.3 照明系统合轴调节照明系统合轴调节调节电子束调节电子束聚光镜光聚光镜光阑合轴阑合轴聚光镜消聚光镜消象散象散调节灯丝像调节灯丝像3.3 照明系统

9、合轴调节照明系统合轴调节灯丝高度过低时灯丝像灯丝高度过低时灯丝像 合轴后的灯丝像合轴后的灯丝像栅格样品像栅格样品像栅格样品像栅格样品像3.3 照明系统合轴调节照明系统合轴调节3.4 实验验证实验验证实验平台实验平台高放大倍率光斑高放大倍率光斑低放大倍率光斑低放大倍率光斑放大倍数光斑大小实际激励电流值标定记录实验方法实验方法3.4 实验验证实验验证3.23.2成像系统仿真与调试成像系统仿真与调试TEM 模式模式衍射模式衍射模式物镜物镜第一中间镜第一中间镜第二中间镜第二中间镜投影镜投影镜成像系统仿真思路成像系统仿真思路：3.2.3 3.2.3 物镜光学特性仿真物镜光学特性仿真：电子经过物镜后的运动

10、轨迹电子经过物镜后的运动轨迹物镜网格划分物镜网格划分轴上场分布轴上场分布3.1.3 3.1.3 物镜光学特性仿真物镜光学特性仿真：3.13.1成像系统仿真与调试成像系统仿真与调试透镜激励透镜中心主平面物方焦点焦距大小像平面放大倍率球差系数理论点分辨率11838.5565A-t633.02mm635.6405mm633.5206mm2.1199mm809.4948mm81.992.56mm3.13.1成像系统仿真与调试成像系统仿真与调试3.1.4 3.1.4 投影镜光学特性仿真投影镜光学特性仿真：磁透镜有限元网格划分磁透镜有限元网格划分透镜材料的磁性特性透镜材料的磁性特性软件仿真调整激励大小软件

11、仿真调整激励大小投影镜的最大激励投影镜的最大激励荧光屏位置荧光屏位置荧光屏位置荧光屏位置投影投影投影投影镜镜的光的光的光的光学学学学特性特性特性特性参数参数参数参数电子经过投影镜后的运动轨迹电子经过投影镜后的运动轨迹投影镜网格划分投影镜网格划分轴上场分布轴上场分布3.2.5 3.2.5 成像系统一体化仿真成像系统一体化仿真：3.13.1成像系统仿真与调试成像系统仿真与调试磁透镜有限元网格划分磁透镜有限元网格划分透镜材料的磁性特性透镜材料的磁性特性软件仿真调整激励大小软件仿真调整激励大小中间镜的中间镜的最大激励最大激励投影镜物平面投影镜物平面投影镜物平面投影镜物平面物镜像平面物镜像平面物镜像平面

12、物镜像平面在饱和激励在饱和激励在饱和激励在饱和激励范围内调节范围内调节范围内调节范围内调节系统倍率调节系统倍率调节系统倍率调节系统倍率调节3.1.5 3.1.5 成像系统一体化成像系统一体化：系统倍率的实现：系统倍率的实现：3.13.1成像系统仿真与调试成像系统仿真与调试3.1.6 3.1.6 仿真结果仿真结果：3.2.6 3.2.6 仿真结果仿真结果：三、课题研究内容3.13.1成像系统仿真与调试成像系统仿真与调试3.1.7 3.1.7 成像系统调试成像系统调试：电压电压中心中心相机相机长度长度菲涅尔菲涅尔衍射环衍射环调试方法：调试方法：三、课题研究内容3.13.1成像系统仿真与调试成像系统

13、仿真与调试3.1.7 3.1.7 成像系统调试成像系统调试：调试结果：调试结果：3.13.1成像系统仿真与调试成像系统仿真与调试磁透镜及磁透镜及MunroMunro软件简介软件简介：磁透镜成像原理简介磁透镜成像原理简介：三、课题研究内容3.13.1成像系统仿真与调试成像系统仿真与调试3.1.3 3.1.3 物镜光学特性仿真物镜光学特性仿真：电子经过物镜后的运动轨迹电子经过物镜后的运动轨迹物镜网格划分物镜网格划分轴上场分布轴上场分布三、课题研究内容3.13.1成像系统仿真与调试成像系统仿真与调试3.1.4 3.1.4 投影镜光学特性仿真投影镜光学特性仿真：磁透镜有限元网格划分磁透镜有限元网格划分

14、透镜材料的磁性特性透镜材料的磁性特性软件仿真调整激励大小软件仿真调整激励大小投影镜的最大激励投影镜的最大激励荧光屏位置荧光屏位置荧光屏位置荧光屏位置投影投影投影投影镜镜的光的光的光的光学学学学特性特性特性特性参数参数参数参数电子经过投影镜后的运动轨迹电子经过投影镜后的运动轨迹投影镜网格划分投影镜网格划分轴上场分布轴上场分布三、课题研究内容3.13.1成像系统仿真与调试成像系统仿真与调试3.1.5 3.1.5 成像系统一体化仿真成像系统一体化仿真：三、课题研究内容3.13.1成像系统仿真与调试成像系统仿真与调试3.1.7 3.1.7 成像系统调试成像系统调试：调试结果：调试结果：第四节第四节 电

15、子束与物质相互作用电子束与物质相互作用散射截面散射截面电子受原子散射可分为弹性和非弹性散射电子受原子散射可分为弹性和非弹性散射电子受到原子核和核外电子云势场的散射，相当电子受到原子核和核外电子云势场的散射，相当于电子和整个原子碰撞。由于原子质量远大于电于电子和整个原子碰撞。由于原子质量远大于电子质量，电子散射后只改变方向而不损失能量，子质量，电子散射后只改变方向而不损失能量，这种散射称为这种散射称为弹性散射弹性散射。电子既改变方向，又改变能量的散射称为电子既改变方向，又改变能量的散射称为非弹性散射非弹性散射 在电子束轰击下，试样产生各种信息的过程大致分为：信息及其产生过程1.信息的产生信息的产

16、生（1）相互作用（入射电子与试样原子的碰撞）（2）产生次级束或改变原来的性能（3）输运过程，从表面上传输到表面（4）逸出表面（5）被探测到1.信息的产生信息的产生（3）和（4）比较复杂，一般近似地输运过程作一般自由程处理，而逸出表面简化为逸出功的影响，只要能量足以克服势垒而方向又合适即可飞离表面。2.信息的种类信息的种类1.弹性散射电子弹性散射电子 2.背散射电子背散射电子 3.透射电子透射电子 4.吸收电流吸收电流 5.二次电子二次电子 6.俄歇电子俄歇电子 7.各种各种X射线射线弹性散射电子是由弹性散射所产生的，其能量与入射电子相同，在适当的条件下可以产生电子衍射，是电子衍射的基础。1.弹

17、性散射电子弹性散射电子背散射电子是入射电子经过多次弹性和非弹性散射所形成的，绝大多数背散射电子的能量与入射电子的能量相近。有时将弹性散射电子也包括在背散射电子之中。2 背散射电子背散射电子2 背散射电子背散射电子背散射系数是背散射电子数和入射电子数的比值背散射系数与原子序数的依赖关系2 背散射电子背散射电子开始增长快，而后逐渐放慢这样，不同元素产生不同的背散射电子背散射系数与入射电子的初始能量关系不大，10-30keV范围的入射电子的背散射系数是常数。2 背散射电子背散射电子 背散射系数和试样倾角有关超过30度以后，背散射系数增加得很快形貌图（1）原子序数越大，散射角越大，散射机会越多，背散射

18、系数越大；2 背散射电子背散射电子背散射电子的实验规律：（2）原子序数越大，背散射离开表面前在试样中的路程愈短，损失能量越少，因此背散射电子的平均能量越大；（3）试样倾角越大，入射电子的轨道靠近以至射出表面的机会越多，因此背散射系数大。3.透射电子透射电子试样很薄（数百nm），入射电子穿透试样而形成透射电流，透射电镜中用来分析试样的组成和缺陷。4.吸收电流吸收电流 若设入射电流为ip，背散射，透射，吸收，次级电子流强度分别为ib，ir，ia，is，则当试样很厚，ir=0，若 is为一恒量，则：5.二次电子二次电子广义讲，逸出样品表面的电子均为二次电子，真正的二次电子区，经非弹性背散射电子区，弹

19、性散射电子区，EP 为入射电子能量。区电子能量在50eV以下，大部分为获得能量而逸出表面的自由电子，也有一部分是损失了大部分能量的初级电子和输运过程中丧失特征能量的俄歇电子。5.二次电子二次电子6.俄歇电子俄歇电子 俄歇电子带有元素的特征能量，信号很微弱，在特殊场合，利用它的信号来分析试样的表面组成，俄歇电子分析。7.X射线射线连续谱：探伤，诊断等特征X射线：微区成分分析俄歇电子的能量在数十俄歇电子的能量在数十eV2000eV之间，平均自由之间，平均自由程程0.52.0nm，约，约13个单原子层个单原子层；二次电子的能量在二次电子的能量在50eV以内，逸出过程中可能损失以内，逸出过程中可能损失

20、部分能量而本身不带特征能量；部分能量而本身不带特征能量；背散射电子的能量更高，逸出深度更大；背散射电子的能量更高，逸出深度更大；X射线截面约为电子的射线截面约为电子的10-4，逸出深度在微米量级。，逸出深度在微米量级。8 信号逸出深度信号逸出深度二、透射电镜的成像衬度 形成衬度的原理（1）散射衬度为了确保透射电镜的分辨本领，物镜的孔径半角必须很小，即小孔径成像（一般是在物镜的背焦面上放一个被称为物镜光阑的小孔径光阑来达到这个目的的）。三 透射电镜样品制备用于透射电镜的试样不仅尺度很小，而且要很薄，使电子束能穿过。因此样品制备对透射电镜很重要。目前，已发展了很多种方法，各有其特点和应用范围主要有

21、：1.支持膜法 2.复型法 3.薄试样制备 a.化学腐蚀法；b.电解抛光法；c.喷射电解抛光法；d.离子轰击法。电子束光刻技术 E-BeamLithography电子束曝光概述电子束曝光概述电子束曝光系统的结构与原理电子束曝光系统的结构与原理CABL9000C电子束曝光系统及关键参数电子束曝光系统及关键参数电子束曝光的工艺程序电子束曝光的工艺程序电子束曝光的极限分辨率电子束曝光的极限分辨率多层刻蚀工艺多层刻蚀工艺1.1 电子束曝光是什么？电子束曝光是什么？电子束曝光电子束曝光（electronbeamlithography）指利用某些高分子聚合物对电子敏感而形成曝光图形的，是光刻技术的延伸。1

22、.电子束曝光概述紫外光紫外光普通光刻普通光刻电子束曝光电子束曝光电子束电子束光刻技术的精度受到光子在波长尺度上的散射影响。使用的光波长越短，光刻能够达到的精度越高。紫外光波长:常用200400nm之间根据德布罗意的物质波理论，电子是一种波长极短的波（加速电压为50kV，波长为0.0053nm）。这样，电子束曝光的精度可以达到纳米量级，从而为制作纳米结构提供了很有用的工具。1.2 电子束曝光有什么用？电子束曝光有什么用？电子束曝光能够在抗蚀剂上写出纳米级的图形，利用最高级的电子束曝光设备和特殊显影工艺，能够写出10nm以下的精细结构。纳米器件的微结构集成光学器件，如光栅，光子晶体NEMS结构小尺

23、寸光刻掩模板离子泵离子泵限制膜孔电子探测器工作台分子泵场发射电子枪电子枪准直系统电磁透镜消像散器偏转器样品交换室机械泵物镜2.电子束曝光系统的结构与原理电子枪场发射电极ZrO/W电场强度:108N/C钨丝2700K六硼化镧1800K0.5um电子束曝光的电子能量通常在10100keV2.1 电子束曝光系统的结构电子束曝光系统的结构电子枪准直系统整个电子光柱由各部分电子光学元件组装起来，装配高度达1m左右。任何微小的加工或装配误差都可能导致电子枪的阴极尖端与最后一级的透镜膜孔不在同一轴线上。因此需要装一个准直系统，必要时对电子枪发出的电子束进行较直。它与光学聚光透镜的原理相同，能够聚焦电子束的束

24、径，使电子最大限度的到达曝光表面电磁透镜消像散器由于加工误差，电磁透镜的x、y方向的聚焦不一致，造成电子束斑椭圆化。消像散器由多级透镜组成，能从不同方向对电子束进行校正偏转器用来实现电子束的偏转扫描。偏转器物镜将电子束进一步聚焦缩小，形成最后到达曝光表面的电子束斑。除以上部分外，电子束曝光系统还包括束流检测系统、反射电子检测系统、工作台、真空系统、图形发生器等。最小束直径：直接影响电子束直写的最小线宽。加速电压：一般10100keV，电压越高，分辨率越高，邻近效应越小，同时可曝光较厚的抗蚀剂层。电子束流：束流大，曝光速度快，但是束斑尺寸大，分辨率低。3.CABL9000C电子束曝光系统及关键参

25、数日本CRESTEC公司生产的CABL9000C2nm，最小尺寸20nm30keV常用：25100pA扫描场大小：扫描场大，大部分图形可在场内完成，可避免多场拼接；扫描场小，精度高。拼接精度：图像较大，需要多个场拼接。60600um2050nm生产公司生产公司美国美国Vistec日本日本Crestec型号型号VB300CABL9000C最大电子束能量最大电子束能量/keV10030扫描速度扫描速度/MHz501最小曝光图案最小曝光图案/nm1020扫描场尺寸扫描场尺寸164um1.2mm60um600um价格价格/USD69 Million1Million评价评价商业用，性能高，价商业用，性能

26、高，价格高格高电子束曝光与电镜两电子束曝光与电镜两用，价格低用，价格低4.电子束曝光的工艺程序4.1抗蚀剂工艺PMMA优点：分辨率高（优点：分辨率高（10nm），对比度大，利于剥离技术，价格低），对比度大，利于剥离技术，价格低 缺点：灵敏度较低，耐刻蚀能力差缺点：灵敏度较低，耐刻蚀能力差HSQ：负胶，极高的分辨率（：负胶，极高的分辨率（10nm），邻近效应小，灵敏度很低），邻近效应小，灵敏度很低ZEP-520优点：分辨率高（优点：分辨率高（20nm），灵敏度较高，耐刻蚀），灵敏度较高，耐刻蚀 缺点：去胶较难缺点：去胶较难稀释剂：稀释剂：ZEP-A（苯甲醚）（苯甲醚）绘制曝光图案绘制曝光图案样品

27、传入（样品为导体或半导体）样品传入（样品为导体或半导体）选择束电流选择束电流低倍聚焦低倍聚焦选定曝光位置选定曝光位置在在Au颗粒处调整像散颗粒处调整像散高倍聚焦，调节高倍聚焦，调节wafer Z=0，激光定位，激光定位参数设定（位置、剂量、图案数量等）参数设定（位置、剂量、图案数量等）样品曝光样品曝光样品取出显影（样品取出显影（ZEP-N50，1min）曝光图案观察曝光图案观察4.2电子束曝光工艺电子束入射到抗蚀剂后，与抗蚀剂材料中的原子发生碰撞，产生散射。4.3电子束曝光中的邻近效应邻近效应邻近效应：如果两个图形离得很近，散射的电子能量会延伸到相邻的图形中，使图案发生畸变；单个图形的边界也会

28、由于邻近效应而扩展。邻近效应的校正剂量校正剂量校正：由于电子束散射，同一图形在同一剂量由于电子束散射，同一图形在同一剂量下曝光的能量分布式不同的，需要人为的改变曝光下曝光的能量分布式不同的，需要人为的改变曝光剂量。剂量。将图形进行几何分割，计算每一部分能量的分布将图形进行几何分割，计算每一部分能量的分布（每一点能量的分布符合双高斯函数），按照不同（每一点能量的分布符合双高斯函数），按照不同的区域分配曝光剂量。的区域分配曝光剂量。缺点：计算复杂，需要缺点：计算复杂，需要CAPROX等专业软件；等专业软件；计算假设每一图形内部剂量一致，误差存在计算假设每一图形内部剂量一致，误差存在图形尺寸校正图形

29、尺寸校正：通过改变尺寸来补偿电子散射造成的曝光图形畸变。通过改变尺寸来补偿电子散射造成的曝光图形畸变。邻近效应的校正缺点：校正的动态范围小缺点：校正的动态范围小1）稳定的工作环境稳定的工作环境：温度变化范围：温度变化范围0.2，振动，振动2um以以下，磁场变化在下，磁场变化在0.2uT以下。以下。2）高的电子束能量高的电子束能量：高能量电子束产生的电子散射小，：高能量电子束产生的电子散射小，色差与空间电荷效应抵消，且有利于曝光厚的抗蚀剂层。色差与空间电荷效应抵消，且有利于曝光厚的抗蚀剂层。高档次的电子束曝光机一般都在高档次的电子束曝光机一般都在100keV。3）低束流低束流：低束流可以减小空间

30、电荷误差，有利于获得：低束流可以减小空间电荷误差，有利于获得更小的束斑。束流低会增加曝光时间，会使聚焦标记成像更小的束斑。束流低会增加曝光时间，会使聚焦标记成像亮度降低，使对焦困难。亮度降低，使对焦困难。4）小扫描场小扫描场：电子束曝光系统的偏转相差与扫描场大小：电子束曝光系统的偏转相差与扫描场大小有关，高分辨率应尽量使用小扫描场。有关，高分辨率应尽量使用小扫描场。5.电子束曝光的极限分辨率电子束曝光电子束曝光100nm的微细图形很容易制出，但是小于的微细图形很容易制出，但是小于50nm的图形的图形却不是轻易能够实现的。电子束的极限分辨率与多个因素有关：却不是轻易能够实现的。电子束的极限分辨率

31、与多个因素有关：5）低灵敏度抗蚀剂）低灵敏度抗蚀剂：20nm以下的电子束曝光全部使用低灵敏度的抗蚀剂，例如PMMA等。6）薄抗蚀剂层）薄抗蚀剂层：减小抗蚀剂层可减小散射，降低临近效应。7）低密度图形）低密度图形：可以比较容易实现20nm的单一线条图形，却无法或很难实现20nm等间距的线条图形。8）低密度、高导电性衬底材料）低密度、高导电性衬底材料：高密度的衬底材料产生的散射电子多，临近效应强；衬底导电性不好会产生电荷积累效应，影响曝光图形的精度。电子束散射示意图200nm41nm台阶77nm多边形中灵敏度抗蚀剂高灵敏度抗蚀剂低灵敏度抗蚀剂电子束曝光电子束曝光金属镀膜金属镀膜溶脱剥离溶脱剥离6.

32、多层抗蚀剂工艺 透射电镜应用 透射电镜应用a single Pt particle sitting on the Au filmPt particles on the amorphous graphite films 透射电镜应用 透射电镜应用第二章 电子显微镜第九节 透射电镜应用Precision TEM cross-section was prepared by FIB milling through the defect site detected by light emission microscopy.a)Emission micrograph showing the location of the defect.b)TEM micrograph showing epi stacking fault in the light emitting area三.电源系统（高压）高压滤波柱高压滤波柱倍压升压电路倍压升压电路三.电源系统（高压）高压电源电子线路高压电源电子线路