最新微型计算机中的存储器PPT课件.ppt

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1、微型计算机中的存储器微型计算机中的存储器第第4 4章章 微型机中的存储器微型机中的存储器教学重点n 半导体存储器的组成半导体存储器的组成n n 常用芯片使用介绍常用芯片使用介绍n n SRAM、EPROM与与CPU的连接与扩的连接与扩 展展读写存储器RAM组成单元组成单元速度速度集成度集成度应用应用SRAM触发器触发器快快低低小容量系统小容量系统DRAM极间电容极间电容慢慢高高大容量系统大容量系统只读存储器ROMn掩膜掩膜ROM：信息制作在芯片中，不可更改；信息制作在芯片中，不可更改；nPROM：允许一次编程，此后不可更改；允许一次编程，此后不可更改；nEPROM：用用紫紫外外光光擦擦除除，擦

2、擦除除后后可可编编程程；并并允许用户多次擦除和编程；允许用户多次擦除和编程；nEEPROM（E2PROM）：采采用用加加电电方方法法在在线线进行擦除和编程，也可多次擦写；进行擦除和编程，也可多次擦写；nFlash Memory（闪闪存存）：能能够够快快速速擦擦写写的的EEPROM，但只能按块（，但只能按块（Block）擦除。）擦除。2 半导体存储器芯片的结构地地址址寄寄存存地地址址译译码码存储体存储体控制电路控制电路AB数数据据缓缓冲冲读读写写电电路路DBRD WR CS 存储体存储体存储体存储体n n存储器芯片的主要部分，用来存储信息存储器芯片的主要部分，用来存储信息存储器芯片的主要部分，用

3、来存储信息存储器芯片的主要部分，用来存储信息 地址译码电路地址译码电路地址译码电路地址译码电路n n根根根根据据据据输输输输入入入入的的的的地地地地址址址址编编编编码码码码来来来来选选选选中中中中芯芯芯芯片片片片内内内内某某某某个个个个特特特特定定定定的的的的存存存存储储储储单元单元单元单元 读读读读/写电路写电路写电路写电路 包括读写放大器和数据缓冲器，是输入和输出通道。包括读写放大器和数据缓冲器，是输入和输出通道。包括读写放大器和数据缓冲器，是输入和输出通道。包括读写放大器和数据缓冲器，是输入和输出通道。片选和读写控制逻辑片选和读写控制逻辑片选和读写控制逻辑片选和读写控制逻辑n n选中存储

4、芯片，控制读写操作选中存储芯片，控制读写操作选中存储芯片，控制读写操作选中存储芯片，控制读写操作 存储体n n存存存存储储储储体体体体是是是是由由由由大大大大量量量量的的的的位位位位存存存存储储储储单单单单元元元元按按按按矩矩矩矩阵阵阵阵方方方方式式式式排排排排列列列列的的的的组组组组合合合合体体体体。每每每每个个个个位位位位存存存存储储储储单单单单元元元元只只只只能能能能存存存存储储储储1 1位位位位二进制信息。二进制信息。二进制信息。二进制信息。n n存存存存储储储储一一一一个个个个字字字字节节节节的的的的容容容容量量量量被被被被称称称称为为为为1 1个个个个存存存存储储储储单单单单元元元

5、元。每每每每个个个个存存存存储储储储单单单单元元元元被被被被赋赋赋赋予予予予一一一一个个个个惟惟惟惟一一一一的的的的编编编编号号号号，即即即即该该该该单元的地址。单元的地址。单元的地址。单元的地址。n n存储单元的容量与地址线位数有关：存储单元的容量与地址线位数有关：存储单元的容量与地址线位数有关：存储单元的容量与地址线位数有关：2 2n n NN n n：地址线位数地址线位数地址线位数地址线位数 N N：存储单元的容量：存储单元的容量：存储单元的容量：存储单元的容量 存储体n n注注意意：存存储储器器芯芯片片的的存存储储容容量量与与地地址址、数据线的位数有关：数据线的位数有关：芯片的存储容量

6、芯片的存储容量2nm 存储单元数存储单元数存储单元的位数存储单元的位数 n：芯片的芯片的地址线根数地址线根数 m：芯片的：芯片的数据线根数数据线根数 示例示例示例示例 地址译码电路译译码码器器A5A4A3A2A1A06301存储单元存储单元64个单元个单元行行译译码码A2A1A0710列译码列译码A3A4A501764个单元个单元单译码双译码n n单单单单译译译译码码码码结结结结构构构构：也也也也叫叫叫叫字字字字结结结结构构构构，只只只只用用用用一一一一个个个个译译译译码码码码器器器器，译译译译码码码码输输输输出出出出的的的的字字字字选选选选择择择择线线线线直直直直接接接接选选选选中中中中地地

7、地地址址址址所所所所表示的存储单元；表示的存储单元；表示的存储单元；表示的存储单元；n n双双双双译译译译码码码码结结结结构构构构：又又又又称称称称重重重重合合合合译译译译码码码码，用用用用2 2个个个个译译译译码码码码器器器器分分分分别别别别译译译译码码码码，X X向向向向选选选选中中中中矩矩矩矩阵阵阵阵中中中中行行行行存存存存储储储储单单单单元元元元，Y Y向向向向选选选选中中中中矩矩矩矩阵阵阵阵中中中中列列列列存存存存储储储储单单单单元元元元，只只只只有有有有XYXY相相相相同同同同时时时时选中的存储单元才能进行读选中的存储单元才能进行读选中的存储单元才能进行读选中的存储单元才能进行读/

8、写操作。写操作。写操作。写操作。n n双译码可简化芯片设计双译码可简化芯片设计双译码可简化芯片设计双译码可简化芯片设计n n主要采用的译码结构主要采用的译码结构主要采用的译码结构主要采用的译码结构n n可减少译码器的输出线，简化译码器结构可减少译码器的输出线，简化译码器结构可减少译码器的输出线，简化译码器结构可减少译码器的输出线，简化译码器结构 片选和读写控制逻辑n片选端片选端CS*或或CE*n有效时，可以对该芯片进行读写操作有效时，可以对该芯片进行读写操作n读读RD*或或OE*n控制读操作。有效时，芯片内数据输出控制读操作。有效时，芯片内数据输出n该控制端对应系统的读控制线该控制端对应系统的

9、读控制线n写写WR*n控制写操作。有效时，数据进入芯片中控制写操作。有效时，数据进入芯片中n该控制端对应系统的写控制线该控制端对应系统的写控制线3 随机存取存储器静态静态RAMSRAM 2114SRAM 6264动态动态RAMDRAM 4116DRAM 2164用来暂时存放中间结果、数据以及断电后无需继续保留的信息静态RAMn nSRAM的基本存储单元是触发器电路的基本存储单元是触发器电路n n每个基本存储单元存储二进制数一位每个基本存储单元存储二进制数一位n n许多个基本存储单元形成行列存储矩阵许多个基本存储单元形成行列存储矩阵n nSRAM一般采用一般采用“字结构字结构”存储矩阵：存储矩阵

10、：n n外部电路较简单；外部电路较简单；外部电路较简单；外部电路较简单；n n功耗较大。功耗较大。功耗较大。功耗较大。SRAM芯片2114n存储容量为存储容量为10244n18个个引脚：引脚：n10根地址线根地址线A9A0n4根数据线根数据线I/O4I/O1n片选片选CS*n读写读写WE*123456789181716151413121110VccA7A8A9I/O1I/O2I/O3I/O4WE*A6A5A4A3A0A1A2CS*GND功能功能功能功能SRAM芯片6116n存储容量为存储容量为2K8n24个个引脚：引脚：n11根地址线根地址线A10A0n8根数据线根数据线D7D0n片选片选CS

11、*n读写读写W*、E*功能功能功能功能动态RAMn nDRAMDRAM的的的的基基基基本本本本存存存存储储储储单单单单元元元元是是是是单单单单个个个个场场场场效效效效应应应应管管管管及及及及其极间电容（记忆元件）；其极间电容（记忆元件）；其极间电容（记忆元件）；其极间电容（记忆元件）；n n必须配备必须配备必须配备必须配备“读出再生放大电路读出再生放大电路读出再生放大电路读出再生放大电路”进行刷新；进行刷新；进行刷新；进行刷新；n n每次同时对一行的存储单元进行刷新；每次同时对一行的存储单元进行刷新；每次同时对一行的存储单元进行刷新；每次同时对一行的存储单元进行刷新；n n每个基本存储单元存储

12、二进制数一位；每个基本存储单元存储二进制数一位；每个基本存储单元存储二进制数一位；每个基本存储单元存储二进制数一位；n n许多个基本存储单元形成行列存储矩阵；许多个基本存储单元形成行列存储矩阵；许多个基本存储单元形成行列存储矩阵；许多个基本存储单元形成行列存储矩阵；n nDRAMDRAM一般采用一般采用一般采用一般采用“位结构位结构位结构位结构”存储体：存储体：存储体：存储体：n n每个存储单元存放一位每个存储单元存放一位每个存储单元存放一位每个存储单元存放一位n n需要需要需要需要8 8个存储芯片构成一个字节单元个存储芯片构成一个字节单元个存储芯片构成一个字节单元个存储芯片构成一个字节单元n

13、 n每个字节存储单元具有一个地址每个字节存储单元具有一个地址每个字节存储单元具有一个地址每个字节存储单元具有一个地址DRAM芯片4116n存储容量为存储容量为16K1n16个个引脚：引脚：n7根地址线根地址线A6A0n1根数据输入线根数据输入线DINn1根数据输出线根数据输出线DOUTn行地址选通行地址选通RAS*n列地址选通列地址选通CAS*n读写控制读写控制WE*VBBDINWE*RAS*A0A2A1VDDVSSCAS*DOUTA6A3A4A5VCC12345678161514131211109DRAM 4116的读周期DOUT地址地址TCACTRACTCAHTASCTASRTRAHTCA

14、STRCDTRASTRC行地址行地址列地址列地址WECASRAS存储地址需要分两批传送存储地址需要分两批传送n行行地地址址选选通通信信号号RAS*有有效效，开开始始传传送行地址送行地址n随随后后，列列地地址址选选通通信信号号CAS*有有效效，传送列地址，传送列地址，CAS*相当于片选信号相当于片选信号n读写信号读写信号WE*读有效读有效n数据从数据从DOUT引脚输出引脚输出DRAM 4116的写周期TWCSTDS列地址列地址行地址行地址地址地址 TDHTWRTCAHTASCTASRTRAHTCASTRCDTRCTRASDINWECASRAS存储地址需要分两批传送存储地址需要分两批传送n行行地地

15、址址选选通通信信号号RAS*有有效效，开开始始传传送行地址送行地址n随随后后，列列地地址址选选通通信信号号CAS*有有效效，传送列地址传送列地址n读写信号读写信号WE*写有效写有效n数据从数据从DIN引脚进入存储单元引脚进入存储单元DRAM芯片4164n存储容量为存储容量为64K1n16个个引脚：引脚：n8根地址线根地址线A7A0n1根数据输入线根数据输入线Dn1根数据输出线根数据输出线Qn行地址选通行地址选通RAS*n列地址选通列地址选通CAS*n读写控制读写控制WE*4 只读存储器nMROM：掩掩膜膜型型ROM，其其中中的的信信息息是是厂厂家家根根据据给给定定的的程程序序和和数数据据对对芯

16、芯片片进进行行二二次次光光刻刻制制成，造价很高；成，造价很高；nPROM：可可编编程程ROM，每每个个基基本本电电路路由由1个个三三极极管管和和串串接接在在射射极极上上的的熔熔丝丝组组成成。出出厂厂时时，每每位位上上存存储储的的信信息息均均为为1，写写入入0时时，产产生生大大电电流流将将熔熔丝丝烧烧断断完完成成。由由于于熔熔丝丝烧烧断断后后不不能能恢复，所以只能编程一次。恢复，所以只能编程一次。4 只读存储器n nEPROMEPROM：可可可可擦擦擦擦除除除除可可可可编编编编程程程程ROMROM，信信信信息息息息的的的的存存存存储储储储通通通通过过过过电电电电荷荷荷荷分分分分布布布布决决决决定

17、定定定。刚刚刚刚出出出出厂厂厂厂的的的的芯芯芯芯片片片片中中中中没没没没有有有有电电电电荷荷荷荷，所所所所存存存存信信信信息息息息为为为为1 1，写写写写入入入入0 0时时时时通通通通过过过过加加加加编编编编程程程程电电电电压压压压把把把把电电电电荷荷荷荷注注注注入入入入相相相相应应应应的的的的基基基基本本本本存存存存储储储储电电电电路路路路实实实实现现现现。当当当当外外外外部部部部能能能能源源源源（紫紫紫紫外外外外线线线线光光光光源源源源）加加加加到到到到芯芯芯芯片片片片上上上上时时时时，聚聚聚聚集集集集在在在在电电电电路路路路中中中中的的的的电电电电荷荷荷荷形形形形成成成成光光光光电电电电

18、流流流流泄泄泄泄漏漏漏漏走走走走，改改改改变变变变电电电电荷荷荷荷分分分分布布布布，擦擦擦擦掉掉掉掉0 0，恢恢恢恢复复复复原原原原始始始始状态状态状态状态1 1。n nEEPROMEEPROM：电电电电可可可可擦擦擦擦可可可可编编编编程程程程ROMROM，在在在在5V5V电电电电源源源源下下下下就就就就可可可可在在在在线线线线编编编编写写写写和和和和擦擦擦擦除除除除，是是是是一一一一种种种种特特特特殊殊殊殊的的的的可可可可读读读读写写写写的的的的存存存存储器。储器。储器。储器。EPROMn顶顶部部开开有有一一个个圆圆形形的的石石英英窗窗口口，用用于紫外线透过擦除原有信息；于紫外线透过擦除原有

19、信息；n一一般般使使用用专专门门的的编编程程器器（烧烧写写器器）进行编程；进行编程；n编程后，应该贴上不透光封条；编程后，应该贴上不透光封条；n出出厂厂未未编编程程前前，每每个个基基本本存存储储单单元元都是信息都是信息1；n编程就是将某些单元写入信息编程就是将某些单元写入信息0。常用只读存储器芯片常用只读存储器芯片EPROMEPROM 2716EPROM 2764，2732 EEPROMEEPROM 2717AEEPROM 2864AEPROM芯片2716n存储容量为存储容量为2K8n24个个引脚：引脚：n11根地址线根地址线A10A0n8根数据线根数据线DO7DO0n片选片选/编程编程CE*

20、/PGMn读写读写OE*n编程电压编程电压VPP功能功能功能功能VDDA8A9VPPOE*A10CE*/PGMDO7DO6DO5DO4DO3123456789101112242322212019181716151413A7A6A5A4A3A2A1A0DO0DO1DO2VssEPROM芯片2732n存储容量为存储容量为4K8n24个个引脚：引脚：n12根地址线根地址线A12A0n8根数据线根数据线D7D0n片选片选CE*n编程编程PGM*n读写读写OE*/编程电压编程电压VPP功能功能功能功能EEPROMn用用加加电电方方法法，进进行行在在线线（无无需需拔拔下下，直直接接在在电电路路中中）擦擦写

21、写（擦擦除除和和编编程程一一次次完完成）；成）；n有字节擦写、块擦写和整片擦写方法；有字节擦写、块擦写和整片擦写方法；n并行并行EEPROM：多位同时进行；：多位同时进行；n串行串行EEPROM：只有一位数据线。：只有一位数据线。EEPROM芯片2817An存储容量为存储容量为2K8n28个个引脚：引脚：n11根地址线根地址线A10A0n8根数据线根数据线I/O7I/O0n片选片选CE*n读写读写OE*、WE*n状态输出状态输出RDY/BUSY*功能功能功能功能NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2GNDVccWE*NCA8A9NCOE*A10CE*I/O7I/O6

22、I/O5I/O4I/O312345678910111213142827262524232221201918171615EEPROM芯片2864An存储容量为存储容量为8K8n28个个引脚：引脚：n13根地址线根地址线A12A0n8根根 数数 据据 线线 I/O7I/O0n片选片选CE*n读写读写OE*、WE*功能功能功能功能VccWE*NCA8A9A11OE*A10CE*I/O7I/O6I/O5I/O4I/O3NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0I/O0I/O1I/O2GND123456789101112131428272625242322212019181716154.3 存储器的连接

23、n这是本章的重点内容这是本章的重点内容nSRAM、EPROM与与CPU的连接的连接n译码方法同样适合译码方法同样适合I/O端口端口 存储器要经过译码器等附加电路 才能接向CPU主系统存储器芯片经过扩展才能达到需求4.3.1 存储芯片的连接与扩展存储芯片的数据线存储芯片的数据线 存储芯片的地址线存储芯片的地址线 存储芯片的片选端存储芯片的片选端 存储芯片的读写控制线存储芯片的读写控制线1.存储芯片位数的扩充n若芯片的数据线正好若芯片的数据线正好8根：根：n一次可从芯片中访问到一次可从芯片中访问到8位数据；位数据；n全部数据线与系统的全部数据线与系统的8位数据总线相连；位数据总线相连；n若芯片的数

24、据线不足若芯片的数据线不足8根：根：n一次不能从一个芯片中访问到一次不能从一个芯片中访问到8位数据位数据n需利用多个芯片扩充数据位需利用多个芯片扩充数据位n这个扩充方式简称这个扩充方式简称“位扩充位扩充”，即，即“位并联位并联”。位扩充2114（1）A9A0I/O4I/O1片选片选D3D0D7D4A9A02114（2）A9A0I/O4I/O1CECEn多多个个位位扩扩充充的的存存储储芯芯片片的的数数据据线线连连接于系统数据总线的不同位数；接于系统数据总线的不同位数；n地址线的相应位、各控制线并联；地址线的相应位、各控制线并联；n这些芯片应被看作是一个整体；这些芯片应被看作是一个整体；n常被称为

25、常被称为“芯片组芯片组”。例：2K1位芯片组成2K8位存储器例：1K4位芯片组成1K8位存储器2.存储芯片地址线的连接n芯芯片片的的地地址址线线通通常常应应全全部部与与系系统统的低位地址总线相连；的低位地址总线相连；n寻寻址址时时，这这部部分分地地址址的的译译码码是是在在存存储储芯芯片片内内完完成成的的，我我们们称称为为“片内译码片内译码”。片内译码A9A0存储芯片存储芯片000H001H002H3FDH3FEH3FFH全全0全全1000000010010110111101111范围（范围（16进制）进制）A9A03.存储器芯片地址的扩充n存储系统常需利用多个存储芯片扩充容量；存储系统常需利用

26、多个存储芯片扩充容量；n也就是扩充了存储器地址范围；也就是扩充了存储器地址范围；n进进行行“地地址址扩扩充充”，需需要要利利用用存存储储芯芯片片的的片片选选端端对多个存储芯片（组）进行寻址；对多个存储芯片（组）进行寻址；n这这个个寻寻址址方方法法，主主要要通通过过将将存存储储器器芯芯片片的的片片选端选端与系统的高位地址线相关联来实现；与系统的高位地址线相关联来实现；n这种扩充简称为这种扩充简称为“地址扩充地址扩充”或或“地址串联地址串联”。地址扩充（容量扩展）片选端片选端D7D0A19A10A9A0（2）A9A0D7D0CE（1）A9A0D7D0CE译码器0000000001000000000

27、0片选端常有效的情况：A19A15A14A0 全全0全全1D7D027256EPROMA14A0CEn令芯片（组）的片选端常有效；令芯片（组）的片选端常有效；n不与系统的高位地址线发生联系；不与系统的高位地址线发生联系；n芯片（组）总处在被选中的状态；芯片（组）总处在被选中的状态；n虽虽简简单单易易行行、但但无无法法再再进进行行地地址址扩扩充，会出现充，会出现“地址重复地址重复”。地址重复现象n一个存储单元具有多个存储地址的现象；一个存储单元具有多个存储地址的现象；n原因：有些高位地址线没有用、可任意；原因：有些高位地址线没有用、可任意；n使使用用地地址址：出出现现地地址址重重复复时时，常常选

28、选取取其其中中既好用、又不冲突的一个既好用、又不冲突的一个“可用地址可用地址”；n例如：例如：00000H07FFFHn选取的原则：高位地址全为选取的原则：高位地址全为0的地址。的地址。高位地址译码才更好 译码和译码器n译译码码：将将某某个个特特定定的的“编编码码输输入入”翻翻译译为为唯一唯一“有效输出有效输出”的过程；的过程；n译码电路可以使用译码电路可以使用门电路组合逻辑门电路组合逻辑；n译码电路更多的是采用集成译码电路更多的是采用集成译码器译码器：n常用的常用的2:4译码器：译码器：74LS139n常用的常用的3:8译码器：译码器：74LS138n常用的常用的4:16译码器：译码器：74

29、LS154 全译码n所所有有的的系系统统地地址址线线均均参参与与对对存存储储单单元元的的译码寻址；译码寻址；n包包括括低低位位地地址址线线对对芯芯片片内内各各存存储储单单元元的的译译码码寻寻址址（片片内内译译码码），高高位位地地址址线线对对存储芯片的译码寻址（片选译码）；存储芯片的译码寻址（片选译码）；n采采用用全全译译码码，每每个个存存储储单单元元的的地地址址都都是是唯一的，唯一的，不存在地址重复；不存在地址重复；n译码电路可能比较复杂、连线也较多。译码电路可能比较复杂、连线也较多。全译码示例A15 A14A13A16CBAE3138 2764A19A18A17A12A0CEY6E2E1IO

30、/M1C000H1DFFFH全全0全全10 0 0 1 1 1 00 0 0 1 1 1 0地址范围地址范围A12A0A19A18A17A16A15A14 A13 部分译码n只只有有部部分分（高高位位）地地址址线线参参与与对对存存储储芯芯片的译码；片的译码；n每每个个存存储储单单元元将将对对应应多多个个地地址址（地地址址重重复），需要选取一个可用地址；复），需要选取一个可用地址；n可简化译码电路的设计；可简化译码电路的设计；n但系统的部分地址空间将被浪费。但系统的部分地址空间将被浪费。部分译码示例138A17 A16A11A0A14 A13A12(4)(3)(2)(1)273227322732

31、2732CBAE3E2E1IO/MCECECECEY0Y1Y2Y3A19 A15A14 A12A11A0一个可用地址一个可用地址123410101010000001010011全全0全全1全全0全全1全全0全全1全全0全全120000H20FFFH21000H21FFFH22000H22FFFH23000H23FFFH 线选译码n只只用用少少数数几几根根高高位位地地址址线线进进行行芯芯片片的的译译码码，且每根负责选中一个芯片（组）；且每根负责选中一个芯片（组）；n虽构成简单，但地址空间严重浪费；虽构成简单，但地址空间严重浪费；n必然会出现地址重复；必然会出现地址重复；n一个存储地址会对应多个存

32、储单元；一个存储地址会对应多个存储单元；n多个存储单元共用的存储地址不应使用。多个存储单元共用的存储地址不应使用。线选译码示例A14A12A0A13(1)2764(2)2764 CECEA19 A15A14 A13A12A0一个可用地址一个可用地址121 00 1全全0全全1全全0全全104000H05FFFH02000H03FFFH切记：A14 A1300的情况不能出现00000H01FFFH的地址不可使用片选端译码小结n存存储储芯芯片片的的片片选选控控制制端端可可以以被被看看作作是是一一根根最最高位地址线；高位地址线；n在在系系统统中中，主主要要与与地地址址发发生生联联系系：包包括括地地址

33、址空空间间的的选选择择（接接系系统统的的M/IO*信信号号）和和高高位位地地址址的的译译码码选选择择（与与系系统统的的高高位位地地址址线线相相关联）；关联）；n对对一一些些存存储储芯芯片片通通过过片片选选无无效效可可关关闭闭内内部部的的输出驱动机制，起到降低功耗的作用。输出驱动机制，起到降低功耗的作用。存储器芯片容量扩展举例n设设系系统统中中的的地地址址总总线线为为16位位，要要求求从从0000H起安排起安排4片片2716EPROM。n2716芯芯片片的的规规格格为为2K8位位，可可知知芯芯片片内内部部寻址为寻址为11位，取位，取A10A0地址线地址线；n各各芯芯片片的的片片选选信信号号由由A

34、15A11确确定定。可可安安排排1个个2-4译译码码器器，各各芯芯片片连连接接的的译译码码输输出出信信号号和地址范围如下：和地址范围如下：存储器芯片容量扩展举例n片选译码片选译码 芯片序号芯片序号 A15 A14 A13 A12 A11 地址范围地址范围 Y0 0#0 0 0 0 0 0000H07FFH Y1 1#0 0 0 0 1 0800H0FFFH Y2 2#0 0 0 1 0 1000H17FFH Y3 3#0 0 0 1 1 1800H1FFFH具体连接如图：具体连接如图：存储器芯片位字扩展n n实实际际上上存存储储器器通通常常都都有有位位向向和和字字向向的扩展要求。的扩展要求。n

35、 n扩扩展展方方法法即即位位扩扩展展和和字字扩扩展展的的综综合合运用。运用。存储容量与地址总线、地址范围的关系容量容量 1K 2K 4K 8K 16K 32K总线数总线数 10 11 12 13 14 15范围范围 000 000 000 0000 0000 0000 3FF 7FF FFF 1FFF 3FFF 7FFF容量容量 64K 128K 256K 512K 1MB 总线数总线数 16 17 18 19 20范围范围 0000 00000 00000 00000 00000 FFFF 1FFFF 3FFFF 7FFFF FFFFF4.3.2 存储器与CPU的连接n8086最小模式与最小

36、模式与SRAM的连接：的连接：4.3.2 存储器与CPU的连接n8086与与ROM的连接：的连接：连接时须注意的问题n存存储储芯芯片片与与CPU总总线线的的连连接接，还还有有两两个很重要的问题：个很重要的问题：nCPU的总线负载能力的总线负载能力nCPU能能否否带带动动总总线线上上包包括括存存储储器器在在内内的的连接器件连接器件n存储芯片与存储芯片与CPU总线时序的配合总线时序的配合nCPU能否与存储器的存取速度相配合能否与存储器的存取速度相配合1.总线驱动nCPU的总线驱动能力有限；的总线驱动能力有限；n单单向向传传送送的的地地址址和和控控制制总总线线，可可采采用用三三态态锁锁存存器器和和三

37、三态态单单向向驱驱动动器器等等来加以锁存和驱动；来加以锁存和驱动；n双双向向传传送送的的数数据据总总线线，可可以以采采用用三三态双向驱动器来加以驱动。态双向驱动器来加以驱动。2.时序配合n分分析析存存储储器器的的存存取取速速度度是是否否满满足足CPU总线时序的要求。总线时序的要求。n如果不能满足：如果不能满足：n考虑更换芯片考虑更换芯片n在总线周期中插入等待状态在总线周期中插入等待状态TW切记：时序配合是连接中的难点3.合理分配内存的地址空间nRAM和和ROM分分区区域域安安排排，一一般般把把RAM安安排排在在低低端端，ROM安安排排在在高高端。端。切记：时序配合是连接中的难点第第4 4章教学

38、要求章教学要求1.了解各类半导体存储器的应用特点；了解各类半导体存储器的应用特点；2.熟悉半导体存储器芯片的结构；熟悉半导体存储器芯片的结构；3.掌掌握握部部分分SRAM、EPROM、EEPROM 芯片的引脚功能；芯片的引脚功能；4.理理解解SRAM读读写写原原理理、DRAM读读写写和和刷刷新原理、新原理、EPROM和和EEPROM工作方式工作方式第第4 4章教学要求章教学要求（续）（续）5.掌掌握握存存储储芯芯片片与与CPU连连接接的的方方法法，特别是片选端的处理；特别是片选端的处理；6.了了解解存存储储芯芯片片与与CPU连连接接的的总总线线驱动和时序配合问题。驱动和时序配合问题。习题习题4（第（第85页）页）