四极杆质谱原理和技术x.pptx

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1、2009-1 V四极杆质谱的基本原理第1页/共45页四极杆分析器的基本要素电场分析器直流电压 U交流电压 V sin t电场结构四极场 quadrupolar电极圆柱、双曲线场半径 r02009-1 V简单的四极杆结构示意图第2页/共45页四极场的结构四极场内部的电势瞬间时变四极杆分析器内部的电势呈马鞍面2009-1 V第3页/共45页四极场的性质沿着 x 和 y 轴对称等电势面是一个马鞍面（0，0）点电势为 0V，而且是等电势马鞍面的鞍点带电粒子在其中受到的 x 方向的作用力与粒子和 x 轴的距离成正比四极杆分析器内部的电势呈马鞍面2009-1 V第4页/共45页2009-1 V离子在四极场

2、中的运动离子在 x 方向感受到的电场可以表示为这样离子受到的电场力可以表示为：结合牛顿第二定律，加入加速度的方程：将电场和加速度展开后，整理，可得，第5页/共45页2009-1 Va 对应着直流的强度q 对应着交流的强度描述离子运动的马修方程马修方程和离子的运动方程可以很好的对应起来对应离子运动特征参数mile Lonard Mathieu （1835 1890）法国数学家，研究了鼓的震动，给出了微分方程和解第6页/共45页2009-1 V马修方程的解和稳定区只有在稳定区内的运动形式在空间上才是有限的稳定高于一切！马修方程的稳定区第7页/共45页四极杆的稳定区离子需要在 x 和 y 方向都稳定

3、才能通过四极杆稳定区上下对称特殊点：（0.908，0）LMCO，低质量歧视（0，0）Zero blast，氢的不准确（0.706，0.237）四极杆工作点四极杆的稳定区示意图2009-1 V第8页/共45页利用稳定区筛选离子目标：只让单一的 m/z 离子通过四极杆原理：mass selective instability技术：（0.706，0.237）通过 a，q 计算 U，V2009-1 V第9页/共45页2009-1 V离子在四极杆中的稳定性第10页/共45页2009-1 V四极杆工作曲线Agilent5975 GCMS 的工作曲线第11页/共45页四极杆窗口宽度如果直流强度超过 16.8

4、%，那么直线的斜率会太大，不能通过稳定区域，这时没有离子能够通过四极杆质量分析器反之，离子选择的纯度会下降，顶点附近的其他 m/z 的离子也会通过四极杆，四极杆的分辨力会下降，但是总的信号强度会增加。实际上工作线并没有通过稳定区顶点2009-1 V第12页/共45页四极杆的 TUNE 微调四极杆微调电路的一部分通过微调 2%的 U 可以调整出 20u、5u、1u、单位分辨以及高分辨、无通过等多种峰宽信号强度2009-1 V1 分辨力第13页/共45页四极杆的 AutoTune调整每个 m/z 对应的tune 值，使四极杆质谱图的峰形对称、峰强达到标准、分辨力达到统一宽度2009-1 V第14页

5、/共45页2009-1 V四极杆质谱技术第15页/共45页2009-1 V四极杆分析器的电极外形双曲线圆柱面第16页/共45页圆柱四极杆与双曲面四极杆的比较四极场 99%的相同加工难度双曲面 圆柱加工精度圆柱 双曲面2009-1 V第17页/共45页高阶场对四极杆的影响圆柱型电极的影响多一个自由度 r/ro传统采用 1.1487实际上可以在1.121.16 之间四极场不纯特殊的位置可以起到增强灵敏度或分辨力的效有效区域果四极场作用区域2009-1 V高阶场作用区域第18页/共45页分辨力提高灵敏度提高2009-1 V四极杆粗细的影响增大四极杆直径有利于增大四极杆不利于大质量范围的使用高压射频的

6、制作2 x ro 直径6mm用途9000u 科研450u 以下高灵敏度小分子分析8 9mm12mm16 20mm常见的 30 3000u 有机分子分析10 1500u高分辨的较小有机分子分析1 50u超高分辨气体分析第19页/共45页四极杆长度的影响四极杆原理中认为四极杆是无限长的一般采用 r0 的 30 60 倍作为长度一般的 9mm 四极杆最短的有 127mm最长的有 240mm某些 16mm 四极杆会长达400mm四极杆越长加工越困难，但是离子震动的次数多，分辨力越好2009-1 V第20页/共45页2009-1 V四极杆预杆的作用较长的四极杆难以加工四极杆的两头由于存在透镜的干扰，电场

7、并不符合四极场，分辨力较低预杆可以延长四极杆的“有效长度”降低边沿场的干扰有前预杆、后预杆Pre-quadpost-quad第21页/共45页2009-1 V四极杆的预杆预杆是现代 LCMS 中必备的部件，而且预杆多数采用了电源隔离技术第22页/共45页四极杆的射频电源技术频率 1MHz500kHz 10MHz双次级线圈分别供给x、y 方向的两对杆子相位相差 180 度电压 0 10000Vpp稳定度万分之 1 52009-1 V第23页/共45页四极杆的射频电源技术Agilent 安捷伦 GCMS2009-1 V第24页/共45页2009-1 V四极杆的射频电源技术Sciex API 400

8、0第25页/共45页2009-1 V四极杆的射频电源技术提高射频电源频率：分辨力高、灵敏度高（震动次数多）功耗大，制作困难提高射频电源电压强度：质量范围宽（大质量离子震动慢）功耗大、制作困难调谐和耐压问题第26页/共45页2009-1 VRF-only 四极杆只有射频 V 没有直流 U用于传输和冷却离子可以做的很长 1m存在 LMCO第27页/共45页Q00RF-only 四极杆Q2Q0Sciex API 5500 三重四极杆 LCMSMS2009-1 V第28页/共45页低质量歧视LMCOLower mass cut offq=0.908 时的 m如果离子在 RF-only 四极杆中的 q

9、超过 0.908时，将不能通过小质量范围的离子不能传输，消失了采用 6 极杆或更高的2009-1 V第29页/共45页四极杆离子源现有离子源：ESI 电喷雾EI（外）CI（外）要点离子成束能量较低 3 20eV（能量高分辨力差）2009-1 V第30页/共45页四极杆质谱检测器通常使用打拿极和电子倍增器+模拟型号记录仪 高能打拿极 10kV将离子转换为二次电子电子倍增器电子放大16bit 采集卡（动态范围好）也可以采用电子倍增器+计数器 倍增器工作在饱和模式 计数器记录离子个数（灵敏度高）2009-1 V打拿极四极杆狭缝电子倍增器eion第31页/共45页2009-1 V四极杆串联质谱技术第3

10、2页/共45页三重四极杆技术四极杆串联技术两把高分辨四极杆Q1、Q3（筛选离子）一把传输四极杆Q2（打碎离子）结合四极杆的优秀定量能力和串级质谱的定性能力精确的定量能力更低的假阳性率定性能力2009-1 VTSQ Quantum 三重四极杆第33页/共45页2009-1 V三重四极杆基本功能Q1 可以筛选母离子 mz1Q2 通过碰撞碎裂打碎离子，形成碎片离子峰Q3 筛选子离子，定量子离子碎片强度 mz2第34页/共45页2009-1 V三重四极杆工作模式模式Q1 扫描Q1扫描离子Q2不打碎，传输Q3无分辨，传输用途和特点了解样品基本信息子离子扫描固定过滤母离子打碎母离子扫描子离子研究母离子的结

11、构特征母离子扫描扫描母离子打碎母离子固定过滤子离子筛选具有特征子离子（结构）的分子中性丢失单离子监视 SIM多反应检测MRM扫描母离子按表过滤离子按表过滤母离子打碎离子不打碎，传输打碎母离子扫描子离子，与母离子有特征差异无分辨，传输按表过滤子离子筛选具有特征结构的分子，此结构不易形成子离子定量定量，假阳性低第35页/共45页MRM 假阳性率较低的原因利用母离子和子离子的共同特征，定量选择性提高例如：如果样品 A 母离子 697 和样品 B542 在打碎后都具有子离子 245如果直接以特征离子 245 定量 A697，那么样品 B 就会对样品 A 的定量造成干扰而利用离子对 697-245 定量

12、，B542 在 A697 通过 Q1 时无法通过 Q1，这样就排除了B542 的干扰2009-1 V697EI245542第36页/共45页四极杆飞行时间串联质谱四极杆-TOF 串联Q1 选择母离子Q2 打碎母离子TOF 高精度测量定性能力非常好Q1、Q2 了解结构TOF 高分辨定性10000 以上分辨力Qstar 四极杆飞行时间质谱2009-1 V第37页/共45页基于四极杆的线型离子阱技术利用四极杆的 RF-only模式囚禁离子利用四极杆后端的狭缝，选择性激发离子具有 MSn 串级功能和四极杆优秀的定量能力2009-1 V第38页/共45页2009-1 VSciex QTrap激发电极第3

13、9页/共45页2009-1 V中国四极杆技术的发展第40页/共45页早期科学院的产品ZQ402 四极杆质谱计用于国防等气体检测KYKY 的石英双曲面镀钼技术2009-1 V第41页/共45页2007 年北京东西电子的产品GCMS 3100、3110 两款 GCMS基于安捷伦 5972 5973 的技术，检测器类似于菲尼根 DSQ目前我国最接近于国际同类产品的产品2009-1 V第42页/共45页我们的四极杆技术主要借鉴产品包括 5975、API4000 和普发 QMA4102007 年起发展了 3 代 3 种技术的产品，分别满足工业在线、GCMS、QTOF 3 种专用质谱仪的需求。专用化、低价位，走差异化的发展路线2009-1 V第43页/共45页2009-1 VThe EndContact:第44页/共45页