半导体靶材项目规划设计方案.docx

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1、泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案半导体靶材项目半导体靶材项目规划设计方案规划设计方案xxxx 有限公司有限公司泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案目录目录第一章第一章 行业发展分析行业发展分析.7一、国外主要半导体供应商基本情况.7二、应用趋势：下游技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展.7第二章第二章 总论总论.11一、项目名称及投资人.11二、编制原则.11三、编制依据.11四、编制范围及内容.12五、项目建设背景.12六、结论分析.13主要经济指标一览表.15第三章第三章 项目背景分析项目背景分析.17一、国产替代+技术革新，高端靶材需求强劲.17二、靶材在半导体中的应

2、用.19三、全球半导体靶材市场规模预测.20四、坚持以新发展理念构建新发展格局.21第四章第四章 建筑工程技术方案建筑工程技术方案.22一、项目工程设计总体要求.22二、建设方案.23三、建筑工程建设指标.23泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案建筑工程投资一览表.24第五章第五章 选址方案选址方案.26一、项目选址原则.26二、建设区基本情况.26三、坚持立足实际融入和服务大局大势.29四、坚持高位谋划、系统谋划、超前谋划、深度谋划.29五、项目选址综合评价.29第六章第六章 法人治理结构法人治理结构.30一、股东权利及义务.30二、董事.32三、高级管理人员.37四、监事.39第七章第七章

3、 发展规划发展规划.41一、公司发展规划.41二、保障措施.45第八章第八章 SWOT 分析分析.48一、优势分析（S）.48二、劣势分析（W）.49三、机会分析（O）.50四、威胁分析（T）.50第九章第九章 进度实施计划进度实施计划.58泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案一、项目进度安排.58项目实施进度计划一览表.58二、项目实施保障措施.59第十章第十章 工艺技术方案工艺技术方案.60一、企业技术研发分析.60二、项目技术工艺分析.62三、质量管理.63四、设备选型方案.64主要设备购置一览表.65第十一章第十一章 节能分析节能分析.66一、项目节能概述.66二、能源消费种类和数量分

4、析.67能耗分析一览表.68三、项目节能措施.68四、节能综合评价.71第十二章第十二章 人力资源分析人力资源分析.72一、人力资源配置.72劳动定员一览表.72二、员工技能培训.72第十三章第十三章 投资计划投资计划.74一、投资估算的编制说明.74二、建设投资估算.74泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案建设投资估算表.76三、建设期利息.76建设期利息估算表.77四、流动资金.78流动资金估算表.78五、项目总投资.79总投资及构成一览表.79六、资金筹措与投资计划.80项目投资计划与资金筹措一览表.81第十四章第十四章 经济效益分析经济效益分析.82一、经济评价财务测算.82营业收入、

5、税金及附加和增值税估算表.82综合总成本费用估算表.83固定资产折旧费估算表.84无形资产和其他资产摊销估算表.85利润及利润分配表.87二、项目盈利能力分析.87项目投资现金流量表.89三、偿债能力分析.90借款还本付息计划表.91第十五章第十五章 项目招标方案项目招标方案.93一、项目招标依据.93二、项目招标范围.93泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案三、招标要求.94四、招标组织方式.96五、招标信息发布.96第十六章第十六章 总结总结.97第十七章第十七章 附表附表.98营业收入、税金及附加和增值税估算表.98综合总成本费用估算表.98固定资产折旧费估算表.99无形资产和其他资产摊

6、销估算表.100利润及利润分配表.101项目投资现金流量表.102借款还本付息计划表.103建设投资估算表.104建设投资估算表.104建设期利息估算表.105固定资产投资估算表.106流动资金估算表.107总投资及构成一览表.108项目投资计划与资金筹措一览表.109泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案第一章第一章 行业发展分析行业发展分析一、国外主要半导体供应商基本情况国外主要半导体供应商基本情况日矿金属、东曹公司以及美国的霍尼韦尔、普莱克斯公司，四家靶材制造国际巨头，占据了全球半导体芯片用靶材市场约 90%的份额。半导体靶材技术含量极高，处于靶材应用场景顶端，市场集中度极高，日矿金属、东

7、曹公司以及美国的霍尼韦尔、普莱克斯公司，四家靶材制造国际巨头，占据了全球半导体芯片用靶材市场约 90%的份额。凭借着先发优势，美日等国的靶材企业已经具备了从金属材料的高纯化制备到靶材制造的完备的技术垂直整合能力，在全球高端电子制造用靶材市场占据着绝对的领先地位。二、应用趋势：下游技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、应用趋势：下游技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展高纯度化发展芯片制程工艺已经从 130nm 提升至 7nm，晶圆尺寸也已实现了 8 英寸到 12 英寸的转变,，对溅射靶材性能要求大幅提升。溅射靶材的技术发展趋势与下游应用领域的技术革新息息相关，随着应用市场在薄膜

8、产品或元件上的技术进步，溅射靶材也需要随之变化，随着半导体技术的不断发展，集成电路中的晶体管和线宽的尺寸越来越小。芯片制程工艺已经从 130nm 提升至 7nm，与之对应的晶圆尺寸也已实现了 8英寸到 12 英寸的转变，此外台积电、三星等企业也正在加速推进更高泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案端的芯片制程工艺研发与生产。为了满足现代芯片高精度、小尺寸的需求，对电极和连接器件的布线金属薄膜的性能要求越来越高，这就对溅射靶材的性能提出了更高的要求。推动溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展。1、趋势 1：大尺寸大尺寸是靶材的重要发展方向，但随尺寸增加，靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加，对技

9、术要求就越高。晶圆尺寸越大，可利用效率越高。.12 英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积，得以达到效率最佳化，相对于 8 英寸晶圆而言，12 英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸方向发展。2、趋势 2：多品种半导体芯片行业常用的金属溅射靶材主要种类包括：铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材，以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材，其中铝与铜为两大主流导线工艺。目前芯片生产所使用的主流工艺中同时存在铝和铜两种导线工艺，一般来说 110nm 晶圆技术节点以上使用铝导线，110nm 晶圆技术节点以下使用铜导线。钛靶和铝靶通常配合起来使用，常作为铝导线的阻挡层的薄膜材料，钽靶则配合铜靶使用，作

10、为铜导线的阻挡层的薄膜材料。泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展，铜导线工艺的应用量在逐步增大，因此，铜和钽靶材的需求将有望持续增长。在晶圆制程选择上，从全球晶圆厂产能建设情况来看，12 寸晶圆厂是目前主流建设方向。随着晶圆制造朝着更小的制程方向发展，铜导线由于具有更低的电迁移效应，及更低的电阻，有降低功耗、提高运算速度等作用，应用量在逐步增大。据 SEMI 数据显示，如今 12 英寸晶圆约占 64%，8英寸晶圆占比达 26%，其他尺寸晶圆占比 10%。12 英寸晶圆已经成为市场的主流。但传统的铝靶由于在可靠性和抗干扰性等方面的性能依然较为突出，也仍然具有巨大

11、的市场空间。如汽车电子领域的芯片大量使用铝钛材料的 110nm 以上工艺以确保可靠性。因此，芯片制程工艺的进步并不意味着原有制程工艺及其材料被淘汰，因可靠性、抗干扰性、低成本等优势，110nm 以上技术节点的芯片产品也具有巨大的市场空间。3、趋势 3：高纯化高纯度甚至超高纯度靶材是高端集成电路半导体芯片的必备材料，通常半导体靶材纯度要求通常达 99.9995%（5N5）甚至 99.9999%（6N）以上。在下游应用领域中，半导体产业对溅射靶材和溅射薄膜的品质要求最高，随着更大尺寸的硅晶圆片制造出来，相应地要求溅射靶材也朝着大尺寸方向发展，同时也对溅射靶材的晶粒晶向控制提泓域咨询/半导体靶材项目

12、规划设计方案出了更高的要求。溅射薄膜的纯度与溅射靶材的纯度密切相关，为了满足半导体更高精度、更细小微米工艺的需求，所需要的溅射靶材纯度不断攀升，通常半导体靶材纯度要求通常达 99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）以上。目前国内溅射靶材的高纯金属原料多数依靠日美进口。但部分企业在部分金属提纯方面已取得了重大突破。全球范围内，美、日等国凭借着先发优势和技术专利壁垒，依托先进的提纯技术在产业链中居于十分有利的地位，议价能力强，国内溅射靶材的高纯金属原料多数也依靠日美进口。但经过多年的靶材技术开发，近年来部分企业已在部分金属提纯方面已取得了重大突破，已开始逐步实现国产替代。泓域咨询/半

13、导体靶材项目规划设计方案第二章第二章 总论总论一、项目名称及投资人项目名称及投资人（一）项目名称（一）项目名称半导体靶材项目（二）项目投资人（二）项目投资人xx 有限公司（三）建设地点（三）建设地点本期项目选址位于 xxx（待定）。二、编制原则编制原则1、立足于本地区产业发展的客观条件，以集约化、产业化、科技化为手段，组织生产建设，提高企业经济效益和社会效益，实现可持续发展的大目标。2、因地制宜、统筹安排、节省投资、加快进度。三、编制依据编制依据1、中国制造 2025；2、“十三五”国家战略性新兴产业发展规划；3、工业绿色发展规划(2016-2020 年)；泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案

14、4、促进中小企业发展规划（20162020 年）；5、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035 年远景目标纲要；6、关于实现产业经济高质量发展的相关政策；7、项目建设单位提供的相关技术参数；8、相关产业调研、市场分析等公开信息。四、编制范围及内容编制范围及内容根据项目的特点，报告的研究范围主要包括：1、项目单位及项目概况；2、产业规划及产业政策；3、资源综合利用条件；4、建设用地与厂址方案；5、环境和生态影响分析；6、投资方案分析；7、经济效益和社会效益分析。通过对以上内容的研究，力求提供较准确的资料和数据，对该项目是否可行做出客观、科学的结论，作为投资决策的依据。五、项目建

15、设背景项目建设背景泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案大尺寸是靶材的重要发展方向，但随尺寸增加，靶材在晶粒晶向控制难度呈指数级增加，对技术要求就越高。晶圆尺寸越大，可利用效率越高。.12 英寸晶圆拥有较大的晶方使用面积，得以达到效率最佳化，相对于 8 英寸晶圆而言，12 英寸的可使用面积超过两倍。大尺寸晶圆要求靶材也朝着大尺寸方向发展。六、结论分析结论分析（一）项目选址（一）项目选址本期项目选址位于 xxx（待定），占地面积约 15.00 亩。（二）建设规模与产品方案（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产 xxx 吨半导体靶材的生产能力。（三）项目实施进度（三）项目实施进度本期项目

16、建设期限规划 24 个月。（四）投资估算（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资 7676.29 万元，其中：建设投资 6416.97 万元，占项目总投资的 83.59%；建设期利息 133.07 万元，占项目总投资的 1.73%；流动资金 1126.25 万元，占项目总投资的 14.67%。（五）资金筹措（五）资金筹措泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案项目总投资 7676.29 万元，根据资金筹措方案，xx 有限公司计划自筹资金（资本金）4960.68 万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额 2715.61 万元。（六）经济

17、评价（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：13300.00 万元。2、年综合总成本费用（TC）：10675.98 万元。3、项目达产年净利润（NP）：1918.14 万元。4、财务内部收益率（FIRR）：18.69%。5、全部投资回收期（Pt）：6.11 年（含建设期 24 个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：5477.67 万元（产值）。（七）社会效益（七）社会效益本项目生产所需的原辅材料来源广泛，产品市场需求旺盛，潜力巨大；本项目产品生产技术先进，产品质量、成本具有较强的竞争力，三废排放少，能够达到国家排放标准；本项目场地及周边环境经考察适合本项目建设；项目产品畅销，经济效

18、益好，抗风险能力强，社会效益显著，符合国家的产业政策。泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号序号项目项目单位单位指标指标备注备注1占地面积10000.00约 15.00 亩1.1总建筑面积19631.181.2基底面积6500.001.3投资强度万元/亩407.452总投资万元7676.292.1建设投资万元6416

19、.972.1.1工程费用万元5544.492.1.2其他费用万元717.202.1.3预备费万元155.282.2建设期利息万元133.072.3流动资金万元1126.25泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案3资金筹措万元7676.293.1自筹资金万元4960.683.2银行贷款万元2715.614营业收入万元13300.00正常运营年份5总成本费用万元10675.986利润总额万元2557.527净利润万元1918.148所得税万元639.389增值税万元554.1910税金及附加万元66.5011纳税总额万元1260.0712工业增加值万元4328.3813盈亏平衡点万元5477.67产

20、值14回收期年6.1115内部收益率18.69%所得税后16财务净现值万元2862.61所得税后泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案第三章第三章 项目背景分析项目背景分析一、国产替代国产替代+技术革新，高端靶材需求强劲技术革新，高端靶材需求强劲靶材主要用于平板显示器、半导体、光伏电池、记录媒体等领域。从需求来，靶材是制备功能薄膜的核心原材料，主要用于面板、半导体、光伏和磁记录媒体等领域，实现导电或阻挡等功能。2020 年全球靶材市场规模约 188 亿美元，我国靶材市场规模为 46 亿美元。从供给来看，四家日美巨头占据 80%靶材市场，国内溅射靶材主要应用于中低端产品，国产替代需求强烈。产业转移

21、加速靶材国产替代，技术革新推动铜钽需求提升。半导体芯片行业是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域，纯度要求通常达 5N5 甚至 6N 以上。随着半导体产业加速向国内转移，预计 25年我国半导体靶材市场规模将达到约 6.7 亿美元，21-25 年我国靶材需求增速或达 9.2%。同时随着下游芯片技术革新，溅射靶材逐步向大尺寸、多品种、高纯度化发展，其中铜、钽靶材需求增长前景较好。供给方面，日美厂商约占 90%份额，但有研等企业已在国产铜、铝等靶材取得突破，同时产能也在不断扩张，预计未来 2-3 年我国半导体靶材将新增 10 万块以上产能。泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案国产替代+产品迭代，我

22、国显示面板靶材需求有望持续高速。FDP靶材根据工艺，可分为溅射用靶材和蒸镀用靶材。其中溅射靶材主要为 Cu、Al、Mo 和 IGZO 等，纯度和技术要求仅次于半导体，一般在 4N甚至 5N 以上，但对靶材的焊接结合率、平整度等提出了更高要求。受益显示面板需求上涨和我国显示面板国产替代提升，预计 25 年我国FDP 靶材市场规模将达 50 亿美元，21-25 年 CAGR 为 18.9%。此外预计OLED 用钼靶与低电阻铜靶成长空间广阔。供给来看，我国显示面板靶材高度依赖进口，日企在国内市场仍然占据主导地位，国内以隆华科技、江丰电子、阿石创、先导稀材、有研新材为主，国产替代正逐渐加速。Hit 量

23、产元年开启，靶材或迎成长机遇期。光伏靶材的使用主要是薄膜电池和 HIT 光伏电池，纯度一般在 4N 以上。随着 HIT 电池和薄膜电池的发展，预计 25 年我国市场规模将接近 38 亿美元，21-25 年CAGR 为 56.1%。供给方面，由于国内薄膜电池及 HIT 电池市场规模尚小，相关靶材企业也较少，多处起步阶段，其中先导稀材、江丰电子等产能相对较大，此外隆华科技也已开始布局相关产业龙头。趋势难逆，磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。磁记录靶材则多以溅射法制作，常用材料为钴（3N）/镍/铁合金/铬/碲、硒（4N）/稀土-迁移金属（3N）等，主要包括铬靶、镍靶、钴靶。我国泓域咨询/半导体靶

24、材项目规划设计方案磁记录靶材市场以海外供应为主，中国生产磁记录靶材企业数量和产能非常有限。由于我国机械硬盘国产化水平极低，且记录媒体研发重心主要在半导体存储，预计传统机械键盘成长空间有限，磁记录靶材预计将逐步转向存储芯片靶材。3DNAND 领域用钨、钛、铜、钽靶材需求增量较大。二、靶材在半导体中的应用靶材在半导体中的应用半导体芯片行业是金属溅射靶材的主要应用领域之一，也是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域，靶材纯度要求通常达99.9995%（5N5）甚至 99.9999%（6N）以上。半导体芯片的制作过程可分为芯片设计、晶圆制造、芯片封装和芯片测试四大环节，其中，在晶圆制造和芯片封装这两个

25、环节中都需要用到金属溅射靶材。其中，靶材在晶圆制造环节主要被用作金属溅镀，常采用 PVD 工艺进行镀膜，通常使用纯度在 5N5 及以上的铜靶、铝靶、钽靶、钛靶以及部分合金靶等；靶材在芯片封装环节常用作贴片焊线的镀膜，常采用高纯及超高纯金属铜靶、铝靶、钽靶等。半导体芯片用金属溅射靶材的作用，就是给芯片上制作传递信息的金属导线。具体工艺过程为，在完成溅射工艺后，使各种靶材表面的原子一层一层地沉积在半导体芯片的表面上，然后再通过的特殊加工工艺，将沉积在芯片表面的金属薄膜刻蚀成纳米级别的金属线，将泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案芯片内部数以亿计的微型晶体管相互连接起来，从而起到传递信号的作用。半导

26、体靶材市场在半导体晶圆制造材料市场中占比约 2.6%，在封装材料市场中占比约 2.7%。据 SEMI 统计，2011-2015 年，在晶圆制造材料中，溅射靶材约占晶圆制造材料市场的 2.6%。在封装测试材料中，溅射靶材约占封装测试材料市场的 2.7%。全球半导体靶材市场规模与全球半导体材料市场规模变化趋势相近。三、全球半导体靶材市场规模预测全球半导体靶材市场规模预测半导体行业已步入新一轮景气周期，预计 2025 年全球半导体晶圆制造材料销售额预计将达到 604 亿美元，封装材料销售额将达到 248亿美元。根据 wind 及 SEMI 数据显示，2011-2020 年，全球半导体晶圆制造材料销售

27、额年均复合增长率为 4.1%，封装材料销售额年均复合增长率为-1.6%，2020 年，因 5G 普及、新冠肺炎疫情推升宅经济需求，全球半导体需求攀高，全球半导体材料销售额年增 4.9%至 553 亿美元，其中晶圆制造材料占比 63%，销售额为 349 亿美元；半导体封装材料 204 亿美元。据 Gartner，经过 2019 年的周期性调整，半导体行业已步入新一轮景气周期。假设 2020-2025 年全球半导体晶圆制造材料销售额 CAGR 与ICInsights 预测全球晶圆制造市场规模 CAGR 基本保持一致，为泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案11.6%，预计 2025 年全球半导体晶圆

28、制造材料销售额预计将达到 604亿美元，同时假设 21-25 年全球半导体封测材料销售额 CAGR 与Frost&Sullivan 预测全球封测行业市场规模 CAGR 保持一致，为4.0%，封装材料销售额将达到 248 亿美元。四、坚持以新发展理念构建新发展格局坚持以新发展理念构建新发展格局把新发展理念贯穿全市经济社会发展全过程和各领域，积极主动融入新发展格局，切实转变发展方式，努力实现更高质量、更有效率、更加公平、更可持续、更为安全的发展。泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案第四章第四章 建筑工程技术方案建筑工程技术方案一、项目工程设计总体要求项目工程设计总体要求（一）土建工程原则根据生产需

29、要，本项目工程建设方案主要遵循如下原则：1、布局合理的原则。在平面布置上，充分利用好每寸土地，功能设施分区设置，人流、物流布置得当、有序，做到既利于生产经营，又方便交通。2、配套齐全、方便生产的原则。立足厂区现有基础条件，充分利用好现有功能设施，保证水、电供应设施齐全，厂区内外道路畅通，方便生产。在建筑结构设计，严格执行国家技术经济政策及环保、节能等有关要求。在满足工艺生产特性，设备布置安装、检修等前提下，土建设计要尽量做到技术先进、经济合理、安全适用和美观大方。建筑设计要简捷紧凑，组合恰当、功能合理、方便生产、节约用地；结构设计要统一化、标准化、并因地制宜，就地取材，方便施工。（二）土建工程

30、采用的标准为保证建筑物的质量，保证生产安全和长寿命使用，本项目建筑物严格按照相关标准进行施工建设。泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案1、工业企业设计卫生标准2、公共建筑节能设计标准3、绿色建筑评价标准4、外墙外保温工程技术规程5、建筑照明设计标准6、建筑采光设计标准7、民用建筑电气设计规范8、民用建筑热工设计规范二、建设方案建设方案主要厂房在满足工艺使用要求，满足防火、通风、采光要求的前提下，力求做到布置紧凑、节省用地。车间立面造型简洁明快，体现现代化企业的建筑特色。屋面防水、保温尽可能采用质量较高、性能可靠的新型建筑材料。本项目中主要生产车间及仓库均为钢结构，次建筑为砖混结构。考虑当地地震

31、带的分布，工程设计中将加强建筑物抗震结构措施，以增强建筑物的抗震能力。三、建筑工程建设指标建筑工程建设指标泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案本期项目建筑面积 19631.18，其中：生产工程 13226.85，仓储工程 3174.60，行政办公及生活服务设施 1714.58，公共工程 1515.15。建筑工程投资一览表建筑工程投资一览表单位：、万元序号序号工程类别工程类别占地面积占地面积建筑面积建筑面积投资金额投资金额备注备注1生产工程3315.0013226.851800.391.11#生产车间994.503968.05540.121.22#生产车间828.753306.71450.101

32、.33#生产车间795.603174.44432.091.44#生产车间696.152777.64378.082仓储工程1430.003174.60301.482.11#仓库429.00952.3890.442.22#仓库357.50793.6575.372.33#仓库343.20761.9072.362.44#仓库300.30666.6763.313办公生活配套359.451714.58261.843.1行政办公楼233.641114.48170.20泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案3.2宿舍及食堂125.81600.1091.644公共工程1365.001515.15166.21辅助用

33、房等5绿化工程1760.0030.32绿化率 17.60%6其他工程1740.007.757合计10000.0019631.182567.99泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案第五章第五章 选址方案选址方案一、项目选址原则项目选址原则1、符合城乡建设总体规划，应符合当地工业项目占地使用规划的要求，并与大气污染防治、水资源和自然生态保护相一致。2、项目选址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其它特别需要保护的敏感性目标。3、节约土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地。4、项目选址选择应提供足够的场地以满足工艺及辅助生产设施的建设需要。5、项目选址应具备良好的

34、生产基础条件，水源、电力、运输等生产要素供应充裕，能源供应有可靠的保障。6、项目选址应靠近交通主干道，具备便利的交通条件，有利于原料和产成品的运输。通讯便捷，有利于及时反馈市场信息。7、地势平缓，便于排除雨水和生产、生活废水。8、应与居民区及环境污染敏感点有足够的防护距离。二、建设区基本情况建设区基本情况泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案昭通，云南省下辖地级市，位于云南省东北部，地处云、贵、川三结合部的乌蒙山区腹地，金沙江下游沿岸，坐落在四川盆地向云贵高原抬升的过渡地带，东侧紧邻贵州省毕节市，南侧紧邻云南曲靖市，西侧紧邻四川凉山彝族自治州以金沙江为界相邻，北侧紧邻四川宜宾市以金沙江为界相邻，

35、面积 2.3 万平方公里。昭通历史上是云南省通向四川、贵州两省的重要门户，是中原文化进入云南的重要通道，云南文化三大发源地之一，为中国著名的“南丝绸之路”的要冲，素有“锁钥南滇，咽喉西蜀”之称，是云南连接长江经济带和成渝经济区的重要通道，是内地通往南亚、东南亚和云南通往内地的双向大走廊。昭通市辖 1 区、9 县、1 县级市，市政府驻昭阳区，是一个集“山区、革命老区、民族散杂区”为一体的市。根据第七次人口普查数据，截至 2020 年 11 月 1 日零时，昭通市常住人口为 5092611人。昭通水能资源丰富，境内有溪洛渡、向家坝、白鹤滩三座巨型电站，煤、硫储量居全省首位，是全国野生天麻核心区域，

36、中国南方优质苹果基地。到 2035 年，全市综合实力进一步增强，经济发展质量和效益大幅提升；与全国全省同步基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化，现代化经济体系建设取得决定性进展，全面形成滇东北开发开放新高地；生态宜居省际区域中心城市辐射带动和影响力大幅提泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案升；广泛形成绿色生产生活方式，碳排放达峰后稳中有降，生态环境根本好转，生态保护修复排头兵建设目标基本实现；中等收入群体显著扩大，城乡基本公共服务均等化基本实现，城乡区域发展差距和居民生活水平差距显著缩小，人民群众综合素质和社会文明程度达到新高度，全市文化软实力显著增强；基本实现治理体系和治理能力现代

37、化，平安昭通、法治昭通建设达到更高水平，人民群众的获得感幸福感和安全感大幅提升，人的全面发展、全体人民共同富裕取得更为明显的实质性进展。“十三五”时期是昭通发展历程中极不平凡的五年，是应对重大挑战、经受重大考验、取得重大成就的五年，是在高质量跨越发展道路上大胆探索、创新实践并取得显著成效的五年。五年来，面对艰巨繁重的脱贫攻坚任务，面对错综复杂的国际国内形势和改革发展稳定任务，坚定“四个自信”，做到“两个维护”，不忘初心、牢记使命，凝心聚力、克难攻坚，经济社会发展实现历史性跨越，决战脱贫攻坚取得全面胜利，决胜全面小康取得决定性成就，民生福祉不断增强，改革开放不断深化，生态环境不断改善，社会和谐稳

38、定局面进一步巩固，为全市开启全面建设社会主义现代化国家新征程奠定了坚实基础。泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案三、坚持立足实际融入和服务大局大势坚持立足实际融入和服务大局大势立足发展不充分不平衡的最根本实际，突出自身优势，把握大局大势，站在全国看昭通、站在昭通看昭通，找准切入点、抓住支撑点、抢占制高点，在危机中育先机、于变局中开新局，努力变边缘为前沿、变交界为交汇、变落后为赶超。四、坚持高位谋划、系统谋划、超前谋划、深度谋划坚持高位谋划、系统谋划、超前谋划、深度谋划加强对全市各领域发展的前瞻性思考、全局性谋划、战略性布局、整体性推进，更加注重从全局谋划一域、以一域服务全局，充分调动各方面积极

39、性和创造性，着力固根基、扬优势、补短板、强弱项，注重防范化解重大风险，实现发展质量、结构规模、速度效益、安全相统一。五、项目选址综合评价项目选址综合评价项目选址区域地势平坦开阔，四周无污染源、自然景观及保护文物。供电、供水可靠，给、排水方便，而且，交通便利、通讯便捷、远离居民区，所以，从项目选址周围环境概况、资源和能源的利用情况以及对周围环境的影响分析，拟建工程的项目选址选择是科学合理的。泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案第六章第六章 法人治理结构法人治理结构一、股东权利及义务股东权利及义务1、公司股东享有下列权利：（1）依照其所持有的股份份额获得股利和其他形式的利益分配；（2）依法请求、召

40、集、主持、参加或者委派股东代理人参加股东大会，并行使相应的表决权；（3）对公司的经营进行监督，提出建议或者质询；（4）依照法律、行政法规及本章程的规定转让、赠与或质押其所持有的股份；（5）查阅本章程、股东名册、公司债券存根、股东大会会议记录、董事会会议决议、监事会会议决议、财务会计报告；（6）公司终止或者清算时，按其所持有的股份份额参加公司剩余财产的分配；（7）对股东大会作出的公司合并、分立决议持异议的股东，要求公司收购其股份；（8）法律、行政法规、部门规章或本章程规定的其他权利。2、公司股东承担下列义务：（1）遵守法律、行政法规和本章程；泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案（2）依其所认购的

41、股份和入股方式缴纳股金；（3）除法律、法规规定的情形外，不得退股；（4）不得滥用股东权利损害公司或者其他股东的利益；不得滥用公司法人独立地位和股东有限责任损害公司债权人的利益；公司股东滥用股东权利给公司或者其他股东造成损失的，应当依法承担赔偿责任。公司股东滥用公司法人独立地位和股东有限责任，逃避债务，严重损害公司债权人利益的，应当对公司债务承担连带责任。（5）法律、行政法规及本章程规定应当承担的其他义务。3、持有公司 5%以上有表决权股份的股东，将其持有的股份进行质押的，应当自该事实发生当日，向公司作出书面报告。4、公司的控股股东、实际控制人员不得利用其关联关系损害公司利益。违反规定给公司造成

42、损失的，应当承担赔偿责任。公司控股股东及实际控制人对公司和公司社会公众股股东负有诚信义务。控股股东应严格依法行使出资人的权利，控股股东不得利用利润分配、资产重组、对外投资、资金占用、借款担保等方式损害公司和社会公众股股东的合法利益，不得利用其控制地位损害公司和社会公众股股东的利益。违反规定的，给公司造成损失的，应当承担赔偿责任。公司董事会建立对控股股东所持公司股份“占用即冻结”机泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案制，即发现控股股东侵占公司资产立即申请司法冻结，凡不能以现金清偿的，通过变现股权偿还侵占资产。二、董事董事1、公司设董事会，对股东大会负责。董事会由 5 名董事组成。公司不设独立董事

43、，设董事长 1 名，由董事会选举产生。2、董事会行使下列职权：（1）召集股东大会，并向股东大会报告工作；（2）执行股东大会的决议；（3）决定公司的经营计划和投资方案；（4）制订公司的年度财务预算方案、决算方案；（5）制订公司的利润分配方案和弥补亏损方案；（6）决定公司内部管理机构的设置；（7）根据董事长的提名，聘任或者解聘公司总经理、董事会秘书，根据总经理的提名，聘任或者解聘公司副总经理、财务总监等高级管理人员，并决定其报酬事项和奖惩事项；（8）制订公司的基本管理制度；（9）制订本章程的修改方案；（10）管理公司信息披露事项；泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案3、董事会应当就注册会计师对公司

44、财务报告出具的非标准审计意见向股东大会作出说明。董事会须及时对公司治理机制是否给所有的股东提供合适的保护和平等权利，以及公司治理结构是否合理、有效等情况进行讨论、评估，并在其年度工作报告中作出说明。4、董事会制定董事会议事规则，以确保董事会落实股东大会决议，提高工作效率，保证科学决策。董事会议事规则作为本章程的附件，由董事会拟定，股东大会批准。5、董事长和副董事长由董事会以全体董事的过半数选举产生。6、董事长行使下列职权：（1）主持股东大会和召集、主持董事会会议；（2）督促、检查董事会决议的执行；（3）签署董事会重要文件和其他应由公司法定代表人签署的文件；（4）行使法定代表人的职权；泓域咨询/

45、半导体靶材项目规划设计方案（5）在发生特大自然灾害等不可抗力的紧急情况下，对公司事务行使符合法律法规规定和公司利益的特别处置权，并在事后向公司董事会或股东大会报告；（6）董事会授予的其他职权。7、董事会可以授权董事长在董事会闭会期间行使董事会的其他职权，该授权需经由全体董事的二分之一以上同意，并以董事会决议的形式作出。董事会对董事长的授权内容应明确、具体。除非董事会对董事长的授权有明确期限或董事会再次授权，该授权至该董事会任期届满或董事长不能履行职责时应自动终止。董事长应及时将执行授权的情况向董事会汇报。8、公司副董事长协助董事长工作，董事长不能履行职务或者不履行职务的，由副董事长履行职务；副

46、董事长不能履行职务或者不履行职务的,由半数以上董事共同推举一名董事履行职务。9、董事会每年至少召开两次会议，由董事长召集，于会议召开 10日以前书面通知全体董事和监事。10、代表 1/10 以上表决权的股东、1/3 以上董事或者监事会，可以提议召开董事会临时会议。董事长应当自接到提议后 10 日内，召集和主持董事会会议。泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案11、召开临时董事会会议，董事会应当于会议召开 3 日前以电话通知或以专人送出、邮递、传真、电子邮件或本章程规定的其他方式通知全体董事和监事。12、董事会会议通知包括以下内容：（1）会议日期和地点；（2）会议期限；（3）事由及议题；（4）发出

47、通知的日期。13、董事会会议应有过半数的董事出席方可举行。董事会作出决议，必须经全体董事的过半数通过。董事会决议的表决，实行 1 人 1票。14、董事与董事会会议决议事项所涉及的企业有关联关系的,不得对该项决议行使表决权，也不得代理其他董事行使表决权。该董事会会议由过半数的无关联关系董事出席即可举行，董事会会议所作决议须经无关联关系董事过半数通过。出席董事会的无关联董事人数不足 3人的，应将该事项提交股东大会审议。15、董事会决议以记名表决方式进行表决。董事会临时会议在保障董事充分表达意见的前提下，可以用传真或电子邮件或其它通讯方式进行并作出决议，并由参会董事签字。但泓域咨询/半导体靶材项目规

48、划设计方案涉及关联交易的决议仍需董事会临时会议采用记名投票表决的方式，而不得采用其他方式。16、董事会会议，应由董事本人出席；董事因故不能出席，可以书面委托其他董事代为出席，委托书中应载明代理人的姓名，代理事项、授权范围和有效期限，并由委托人签名或盖章。代为出席会议的董事应当在授权范围内行使董事的权利。董事未出席董事会会议，亦未委托代表出席的，视为放弃在该次会议上的投票权。17、董事会应当对会议所议事项的决定做成会议记录，董事会会议记录应当真实、准确、完整。出席会议的董事、信息披露事务负责人和记录人应当在会议记录上签名。董事会会议记录作为公司档案保存，保存期限为 10 年。18、董事会会议记录

49、包括以下内容：（1）会议召开的日期、地点和召集人姓名；（2）出席董事的姓名以及受他人委托出席董事会的董事（代理人）姓名；（3）会议议程；（4）董事发言要点；泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案（5）每一决议事项的表决方式和结果（表决结果应载明赞成、反对或弃权的票数）。19、董事应当在董事会决议上签字并对董事会的决议承担责任。董事会决议违反法律、法规或者公司章程、股东大会决议，致使公司遭受损失的，参与决议的董事对公司负赔偿责任。但经证明在表决时曾表明异议并记载于会议记录的，该董事可以免除责任。三、高级管理人员高级管理人员1、公司设总经理 1 名，由董事会聘任或解聘。公司设副总经理 3 名，由董事

50、会聘任或解聘。公司总经理、副总经理、财务总监为公司高级管理人员。2、本章程关于不得担任董事的情形，同时适用于高级管理人员。本章程关于董事的忠实义务和关于勤勉义务的规定，同时适用于高级管理人员。3、在公司控股股东、实际控制人单位担任除董事、监事以外其他职务的人员，不得担任公司的高级管理人员。4、总经理每届任期 3 年，总经理连聘可以连任。5、总经理对董事会负责，行使下列职权：泓域咨询/半导体靶材项目规划设计方案（1）主持公司的经营管理工作，组织实施董事会的决议，并向董事会报告工作；（2）组织实施公司年度经营计划和投资方案；（3）拟订公司内部管理机构设置方案；（4）拟订公司的基本管理制度；（5）制