倒入黑色聚乙烯片架中.ppt

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1、光刻基本操作一、认真核对随工单，检查随工单上的工步与片子数是否与实际相符，如果正确，将其倒入黑盒中，用倒边器检查片子是否有崩边，若有则查对随工单上是否有标明，若无，退回上步工序。确定无误后，按照随工单上的要求制作。二、光刻的主要步骤：匀胶、前烘、曝光、显影、显影后检查匀胶：目的：在硅片表面均匀涂上一层厚度一定的 光刻胶准备工作：、泡胶嘴、擦胶嘴、走陪片 、检查胶瓶内光刻胶（胶液面 距瓶底5厘米，及时更换新 胶，并填写“换胶记录表”）、按随工单加工工步、匀胶程序 确定表，选择正确的匀胶程序 l注意：在匀胶过程中，如发 生不明原因的报警应 通知设备人员；停用5分钟以上应先匀3个 陪片，方可进行正式

2、片的匀胶所有胶类型加工步类型程序号负胶氧化层及氮化硅层用5#（0.8um1.1um）铝层及钝化层用4#（1.3um1.6um）正胶氧化层及氮化硅层用1#（0.9um1.2um）铝层及钝化层用3#（2.2um2.5um）前烘目的：将涂在硅片表面的胶內溶剂充分挥发，增强抗显影能力主要步骤：、将匀完胶的硅片硅片从黑色的片架 中倒入白色的四氟白色的四氟片架中 、将硅片放入烘箱中，负胶烘15 分钟，正胶25分钟 、将烘好的硅片取出，倒入黑色黑色 聚乙烯聚乙烯片架中l注意：操作时必须带上手套操作曝光目的：将掩膜版上的图形复印到硅片上主要步骤：、检查光刻版：将光刻版放在UV灯灯下检查，照射背面背面检查是否有

3、颗粒，若有用氮气吹 掉，切忌不要吹正面 、装版：将版盒打开，开口方向背对自己，将光刻版正面朝下，箭头朝左下方，扣上 版盒，准备曝光 、上版与对版：RTLDRCHG/N FILE NAME=C：MK609-RETICLE NAME=M2 EXECUTE？、曝光操作：FEXPPRNT/IO 。PARAMETER CHECK COMPLETE(YOR N)=_N_找到 EXP.TIME=按“空格”修改曝光时间（见下页“曝光时间确定表”）HOW MANY WAFERS=_1_ 待片子上到载片台后，手动对准标记进行曝光，显影，检验，确认无误后，对硅片继续进行曝光一次曝光为一次曝光为NEXP所用胶类型加工

4、步类型曝光时间 负胶氧化层湿法腐蚀片200ms500ms带胶注入片200ms500ms氧化硅层（孔）200ms500ms铝层100ms300ms钝化层（压点）200ms400ms 正胶氧化层湿法腐蚀片200ms400ms带胶注入片200ms460ms氧化硅层（孔）200ms400ms铝层500ms700ms钝化层（压点）500ms1000ms曝光时间确定表目的：将未感光部分的负性光刻胶溶除，留下感光部分的胶膜；将感光部分的正性光刻胶 除，留下未感光部分的胶膜注意事项：、检查N2压力不低于22PSI，真空 压力必须大于22或23Hg/cm2,显 影液压力调制15PSI 、检查显影液是否够，若不够

5、，要 及时添加 、机器若出现故障，及时通知班长 或技术员显影光刻胶性质 加工步骤显影程序号 热板程序号负胶氧化层，氮化硅层，铝，压点 1#1#光刻后带胶注入1#2#正胶铝层2#1#氧化层，氮化硅层1#1#PI钝化层手动20秒l注意：氧化层光刻后带胶注入的片子一 定要走热盘目的：确定光刻胶成像情况及表面情况是否符 合要求，以确定能否进行下道工序基本步骤：、UV灯下检查光刻胶是否有划 伤、沾污或覆盖不完全的情况 、显微镜下检查是否没有光刻胶 图形、重复曝光、浮胶、图形 套偏（错行，错位）、接触不 良、曝光不适度、光刻胶覆盖 不完全、显影不彻底、连条、沾污、缺口、毛刺等现象显影后检查u思考题1、匀正式片之前为什么要泡胶嘴、走陪片？2、曝光时先曝光一片进行试片，你认为是否 有必要，为什么？3、光刻后带胶注入的片子为什么要走热盘？