张家口薄膜设备项目申请报告.docx

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1、泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告张家口薄膜设备项目张家口薄膜设备项目申请报告申请报告xxxxxx 有限公司有限公司泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告目录目录第一章第一章 市场分析市场分析.8一、行业发展面临的机遇与挑战.8二、薄膜沉积技术概况.10第二章第二章 总论总论.14一、项目名称及项目单位.14二、项目建设地点.14三、可行性研究范围.14四、编制依据和技术原则.15五、建设背景、规模.16六、项目建设进度.17七、环境影响.17八、建设投资估算.18九、项目主要技术经济指标.18主要经济指标一览表.18十、主要结论及建议.20第三章第三章 背景及必要性背景及必要性.21一、半导

2、体行业概览.21二、半导体薄膜沉积设备的发展情况.22三、加快构建绿色能源体系.29四、项目实施的必要性.29第四章第四章 建设单位基本情况建设单位基本情况.31泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告一、公司基本信息.31二、公司简介.31三、公司竞争优势.32四、公司主要财务数据.34公司合并资产负债表主要数据.34公司合并利润表主要数据.35五、核心人员介绍.35六、经营宗旨.37七、公司发展规划.37第五章第五章 产品方案与建设规划产品方案与建设规划.42一、建设规模及主要建设内容.42二、产品规划方案及生产纲领.42产品规划方案一览表.43第六章第六章 建筑技术方案说明建筑技术方案说明.

3、44一、项目工程设计总体要求.44二、建设方案.45三、建筑工程建设指标.48建筑工程投资一览表.49第七章第七章 SWOT 分析分析.51一、优势分析（S）.51二、劣势分析（W）.53三、机会分析（O）.53泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告四、威胁分析（T）.54第八章第八章 法人治理法人治理.58一、股东权利及义务.58二、董事.63三、高级管理人员.67四、监事.70第九章第九章 运营模式运营模式.72一、公司经营宗旨.72二、公司的目标、主要职责.72三、各部门职责及权限.73四、财务会计制度.76第十章第十章 进度计划方案进度计划方案.80一、项目进度安排.80项目实施进度计划

4、一览表.80二、项目实施保障措施.81第十一章第十一章 环保方案分析环保方案分析.82一、环境保护综述.82二、建设期大气环境影响分析.82三、建设期水环境影响分析.83四、建设期固体废弃物环境影响分析.84五、建设期声环境影响分析.84六、环境影响综合评价.85泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告第十二章第十二章 安全生产分析安全生产分析.86一、编制依据.86二、防范措施.87三、预期效果评价.91第十三章第十三章 投资估算及资金筹措投资估算及资金筹措.93一、编制说明.93二、建设投资.93建筑工程投资一览表.94主要设备购置一览表.95建设投资估算表.96三、建设期利息.97建设期利息

5、估算表.97固定资产投资估算表.98四、流动资金.99流动资金估算表.100五、项目总投资.101总投资及构成一览表.101六、资金筹措与投资计划.102项目投资计划与资金筹措一览表.102第十四章第十四章 经济效益分析经济效益分析.104一、基本假设及基础参数选取.104二、经济评价财务测算.104泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告营业收入、税金及附加和增值税估算表.104综合总成本费用估算表.106利润及利润分配表.108三、项目盈利能力分析.109项目投资现金流量表.110四、财务生存能力分析.112五、偿债能力分析.112借款还本付息计划表.113六、经济评价结论.114第十五章第十

6、五章 项目风险防范分析项目风险防范分析.115一、项目风险分析.115二、项目风险对策.118第十六章第十六章 总结分析总结分析.119第十七章第十七章 附表附表.121主要经济指标一览表.121建设投资估算表.122建设期利息估算表.123固定资产投资估算表.124流动资金估算表.125总投资及构成一览表.126项目投资计划与资金筹措一览表.127营业收入、税金及附加和增值税估算表.128泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告综合总成本费用估算表.128利润及利润分配表.129项目投资现金流量表.130借款还本付息计划表.132本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场

7、分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告第一章第一章 市场分析市场分析一、行业发展面临的机遇与挑战行业发展面临的机遇与挑战1、行业发展面临的机遇（1）清洁能源发展以及光伏产业降本提效带动行业持续发展过去对传统能源如煤炭、石油、天然气等化石能源的过度依赖已导致严重的生态环境问题，使得国际社会对保障能源安全、保护生态环境、应对气候变化等问题日益重视。而太阳能作为最重要的可再生能源之一，具有资源普遍可及、便于应用、成本低等优势，是替代化石能源的主力能源之一，已经成为

8、世界范围内应对气候变化的共同选择。近年来，全球多个国家陆续出台了一系列鼓励和扶持太阳能光伏产业发展的政策，为各国光伏产业的健康、持续发展创造了良好的政策环境。中国在 2020 年 9 月提出了“二氧化碳排放力争于 2030 年前达到峰值，努力争取 2060 年前实现碳中和”的目标；2021 年 3 月 12日发布的国民经济第十四个五年规划和 2035 年远景目标纲要指出，推进能源革命，建设清洁低碳、安全高效的能源体系，提高能源供给保障能力，加快发展非化石能源，坚持集中式和分布式并举，大力提升风电、光伏发电规模。泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告通过数十年的持续研发，光伏产业主要原材料的价格已

9、经大幅下降，技术不断迭代升级，光电转换效率稳步提升，与之相对的，光伏领域的专用设备行业技术也将大幅提升。随着行业技术的持续进步与生产成本的不断下降，光伏发电的综合成本有望维持降低趋势。这将有助于光伏发电的大规模普及应用，进而使得高性能光伏专用设备的市场规模呈现持续扩张态势。（2）半导体产能转移以及国产替代背景使得国内设备厂商面临发展机遇中国大陆作为全球最大半导体终端产品消费市场，随着国际产能不断向中国转移，半导体企业纷纷在中国投资建厂，国内半导体产业的规模不断扩大，设备需求将不断增长。持续的产能转移不仅带动了国内半导体整体产业规模和技术水平的提高，为半导体专用设备制造业提供了巨大的市场空间，也

10、促进了国内半导体产业专业人才的培养及配套行业的发展，半导体产业环境的良性发展为中国半导体专用设备制造业产业的扩张和升级提供了机遇。在半导体领域，元器件逐步呈现高密度、高深宽比结构，部分核心工艺通过传统方式难以实现，ALD 设备在该类应用中已通过国外大型集成电路晶圆制造厂商的量产验证。与此同时，从中美贸易战开始，限制了通过国际采购获得先进设备渠道。在此背景下，我国半导体设泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告备提升国产化率的任务迫在眉睫，随着国内核心晶圆厂商规模扩大和工艺提升，国内设备厂商面临发展机遇。2、行业发展面临的挑战（1）高端技术和人才缺乏光伏、半导体等专用设备属于典型技术密集型行业，对于

11、技术人员的知识背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求。由于中国研发起步较晚，业内人才和技术水平仍然较为缺乏，在一定程度上制约了行业的快速发展。随着市场的日臻成熟与下游需求的推动，专业人才缺乏的矛盾将会更加突出。（2）国产核心零部件配套能力薄弱国产高端专用设备总体起步较晚，对零部件市场拉动时间较短，高端专用设备零部件配套能力较弱，影响专用设备的优化周期和制造成本。二、薄膜沉积技术概况薄膜沉积技术概况1、基本情况薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料膜层，使之具备一定的特殊性能，广泛应用于光伏、半导体等领域的生产制造环节。2、薄膜沉积设备技术基本情况及对比泓域咨询/张家口薄

12、膜设备项目申请报告薄膜沉积设备按照工艺原理的不同可分为物理气相沉积（PVD）设备、化学气相沉积（CVD）设备和原子层沉积（ALD）设备。（1）PVD物理气相沉积（PVD）技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。PVD 镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。（2）CVD化学气相沉积（CVD）是通过化学反应的方式，利用加热、等离子或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术，是一

13、种通过气体混合的化学反应在基体表面沉积薄膜的工艺，可应用于绝缘薄膜、硬掩模层以及金属膜层的沉积。（3）薄膜沉积设备技术之间对比PVD 为物理过程，CVD 为化学过程，两种具有显著的区别。ALD 也是采用化学反应方式进行沉积，但反应原理和工艺方式与 CVD 存在显著区别，在 CVD 工艺过程中，化学蒸气不断地通入真空室内，而在 ALD工艺过程中，不同的反应物（前驱体）是以气体脉冲的形式交替送入泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告反应室中的，使得在基底表面以单个原子层为单位一层一层地实现镀膜。相比于 ALD 技术，PVD 技术生长机理简单，沉积速率高，但一般只适用于平面的膜层制备；CVD 技术的重

14、复性和台阶覆盖性比 PVD 略好，但是工艺过程中影响因素较多，成膜的均匀性较差，并且难以精确控制薄膜厚度。3、ALD、PVD、CVD 技术应用差异PVD、CVD、ALD 技术各有自己的技术特点和技术难点，经过多年的发展，亦分别发展出诸多应用领域。原子层沉积可以将物质以单原子层形式一层一层地镀在基底表面的方法。从原理上说，ALD 是通过化学反应得到生成物，但在沉积反应原理、沉积反应条件的要求和沉积层的质量上都与传统的 CVD 不同，在传统 CVD 工艺过程中，化学气体不断通入真空室内，因此该沉积过程是连续的，沉积薄膜的厚度与温度、压力、气体流量以及流动的均匀性、时间等多种因素有关；在 ALD工艺

15、过程中，则是将不同的反应前驱物以气体脉冲的形式交替送入反应室中，因此并非一个连续的工艺过程。ALD 与 CVD 技术之间既存在明显的区分度，又在部分常规应用场景中存在可替代性。具体情况如下：在 PERC 电池背钝化 Al2O3 的沉积工艺中，ALD 技术与 PECVD 技术存在互相替代的关系在 2016 年之前，PECVD 在 PERC 电池背面钝化的泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告应用被迅速推广，原因是在常规单晶电池制造工艺流程中，仅电池正面需要用 PECVD 镀 SiNX，因此电池厂商选择 PERC 电池背面沉积 Al2O3的方法时，PECVD 技术被优先用于 Al2O3 的沉积。而当

16、时的 ALD 技术在国外主要应用于半导体领域，大多属于单片式反应器类型，这种反应器虽然镀膜精度高，但产能较低。近年来，晶圆制造的复杂度和工序量大大提升，以逻辑芯片为例，随着 90nm 以下制程的产线数量增多，尤其是 28nm 及以下工艺的产线对镀膜厚度和精度控制的要求更高，特别是引入多重曝光技术后，工序数和设备数均大幅提高；在存储芯片领域，主流制造工艺已由 2DNAND 发展为 3DNAND 结构，内部层数不断增高；元器件逐步呈现高密度、高深宽比结构。由于 ALD 独特的技术优势，在每个周期中生长的薄膜厚度是一定的，拥有精确的膜厚控制和优越的台阶覆盖率，因此能够较好的满足器件尺寸不断缩小和结构

17、 3D 立体化对于薄膜沉积工序中薄膜的厚度、三维共形性等方面的更高要求。ALD 技术愈发体现出举足轻重、不可替代的作用。泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告第二章第二章 总论总论一、项目名称及项目单位项目名称及项目单位项目名称：张家口薄膜设备项目项目单位：xxx 有限公司二、项目建设地点项目建设地点本期项目选址位于 xx（待定），占地面积约 44.00 亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、可行性研究范围可行性研究范围1、项目提出的背景及建设必要性；2、市场需求预测；3、建设规模及产品方案；4、建设地点与建设条性；5、工

18、程技术方案；6、公用工程及辅助设施方案；7、环境保护、安全防护及节能；8、企业组织机构及劳动定员；泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告9、建设实施与工程进度安排；10、投资估算及资金筹措；11、经济评价。四、编制依据和技术原则编制依据和技术原则（一）编制依据（一）编制依据1、国家经济和社会发展的长期规划，部门与地区规划，经济建设的指导方针、任务、产业政策、投资政策和技术经济政策以及国家和地方法规等；2、经过批准的项目建议书和在项目建议书批准后签订的意向性协议等；3、当地的拟建厂址的自然、经济、社会等基础资料；4、有关国家、地区和行业的工程技术、经济方面的法令、法规、标准定额资料等；5、由国家颁

19、布的建设项目可行性研究及经济评价的有关规定；6、相关市场调研报告等。（二）技术原则（二）技术原则1、坚持科学发展观，采用科学规划，合理布局，一次设计，分期实施的建设原则。泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告2、根据行业未来发展趋势，合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则，根据行业的现有格局和未来发展方向，优化设备选型和工艺方案，使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术进步原则，产品及工艺设备选型达到目前国内领先水平。同时合理使用项目资金，将先进性与实用性有机结合，做到投入少、产出多，效益最大化。5、严格遵守“三同时”设计原则，对项目可能产生的污染源进行综合治理，使其达到国家规

20、定的排放标准。五、建设背景、规模建设背景、规模（一）项目背景（一）项目背景太阳能电池片技术的发展对光伏设备技术提升和应用拓展有重要推动作用。从太阳能电池片的生产技术来看，近几年可分为三个阶段：第一个阶段是 2015 年以前，光伏电池市场主要采取多晶 Al-BSF技术，单晶 PERC 电池处于技术验证阶段，以试验产能为主，增长迅速但总量较小，随着单晶 PERC 电池成功量产，其商业化的可行性得到确认；第二阶段是 2015-2017 年，单晶 PERC 电池投资吸引力凸显，国内厂商开始加码 PERC 电池生产，但从整个光伏电池市场来看，主要还是采取多晶 Al-BSF 技术，Al-BSF 技术电池因

21、性能稳定，生产成本较低，此阶段仍占据着市场主要份额；第三阶段是 2018 年至今，PERC 电池产泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告能实现爆发式增长，根据中国光伏行业协会的统计数据，继 2019 年后，2020 年新建量产产线仍以 PERC 电池产线为主，PERC 电池片市场占比进一步提升至 86.4%。（二）建设规模及产品方案（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积 29333.00（折合约 44.00 亩），预计场区规划总建筑面积 55296.95。其中：生产工程 32948.41，仓储工程14166.00，行政办公及生活服务设施 4462.57，公共工程3719.97。项目建成后，形成

22、年产 xxx 套薄膜设备的生产能力。六、项目建设进度项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx 有限公司将项目工程的建设周期确定为 24 个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、环境影响环境影响项目建设拟定的环境保护方案、生产建设中采用的环保设施、设备等，符合项目建设内容要求和国家、省、市有关环境保护的要求，项目建成后不会造成环境污染。本项目没有采用国家明令禁止的设备、工艺，生产过程中产生的污染物通过合理的污染防治措施处理后，均能达标排放，符合清洁生产理念。泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告八、建设投资估算建设投资估算（

23、一）项目总投资构成分析（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资 20033.87 万元，其中：建设投资 15947.50万元，占项目总投资的 79.60%；建设期利息 374.16 万元，占项目总投资的 1.87%；流动资金 3712.21 万元，占项目总投资的 18.53%。（二）建设投资构成（二）建设投资构成本期项目建设投资 15947.50 万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用 13703.07 万元，工程建设其他费用1837.27 万元，预备费 407.16 万元。九、项目主要技术经济指标项目主要技术

24、经济指标（一）财务效益分析（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入 44600.00 万元，综合总成本费用 37583.35 万元，纳税总额 3480.16 万元，净利润5119.98 万元，财务内部收益率 18.16%，财务净现值 6958.93 万元，全部投资回收期 6.28 年。（二）主要数据及技术指标表（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表主要经济指标一览表泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告序号序号项目项目单位单位指标指标备注备注1占地面积29333.00约 44.00 亩1.1总建筑面积55296.951.2基底面积17893.131.3投资强度万元/亩34

25、6.582总投资万元20033.872.1建设投资万元15947.502.1.1工程费用万元13703.072.1.2其他费用万元1837.272.1.3预备费万元407.162.2建设期利息万元374.162.3流动资金万元3712.213资金筹措万元20033.873.1自筹资金万元12397.883.2银行贷款万元7635.994营业收入万元44600.00正常运营年份5总成本费用万元37583.356利润总额万元6826.647净利润万元5119.98泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告8所得税万元1706.669增值税万元1583.4910税金及附加万元190.0111纳税总额万元3

26、480.1612工业增加值万元11986.8013盈亏平衡点万元19165.10产值14回收期年6.2815内部收益率18.16%所得税后16财务净现值万元6958.93所得税后十、主要结论及建议主要结论及建议本项目生产线设备技术先进，即提高了产品质量，又增加了产品附加值，具有良好的社会效益和经济效益。本项目生产所需原料立足于本地资源优势，主要原材料从本地市场采购，保证了项目实施后的正常生产经营。综上所述，项目的实施将对实现节能降耗、环境保护具有重要意义，本期项目的建设，是十分必要和可行的。泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告第三章第三章 背景及必要性背景及必要性一、半导体行业概览半导体行业概

27、览1、半导体产业链情况半导体行业是电子信息产业的基础支撑，主要分为集成电路、分立器件、传感器和光电子器件等四大类，广泛应用于 5G 通信、计算机、云计算、大数据、物联网等下游终端应用市场，是现代经济社会中的战略性、基础性和先导性产业。2、半导体行业发展概况（1）全球半导体行业市场规模巨大自半导体核心元器件晶体管诞生以来，半导体行业遵循着摩尔定律快速发展。2013 年到 2018 年，全球半导体市场规模从 3,056 亿美元迅速提升至 4,688 亿美元，年均复合增长率达到 8.93%。2019 年，受国际贸易环境恶化导致市场信心不足等因素影响，全球半导体市场出现下跌。2020 年，受益于疫情催

28、生远程办公设备销量提振以及全球汽车产业复苏所推动的需求强劲反弹，全球半导体行业克服新冠疫情影响，发展态势良好。（2）全球半导体制造产能逐步向中国大陆转移泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告全球半导体产业的发展经历了由美国向日本、韩国和中国台湾地区以及中国大陆的几轮产业转移。凭借着巨大的市场容量和消费群体，在半导体制造方面，中国大陆近年来已超过美国、欧洲、日本，成为全球最大的半导体销售国。中国大陆半导体市场发展势头良好，吸引了台积电、三星、英特尔、SK 海力士等在中国大陆建厂。根据SEMI 数据统计，2017-2020 年间全球投产的半导体晶圆厂为 62 座，其中有 26 座设于中国大陆，占全球

29、总数的 42%。（3）中国半导体行业稳步发展中国大陆正处于新一代智能手机、物联网、人工智能、5G 通信等行业快速崛起的进程中，已成为全球最重要的半导体应用和消费市场之一。集成电路为半导体工业的核心，经过多年的改革开放，中国集成电路市场获得了长足的发展，我国对集成电路的需求也在不断提升。据中国半导体行业协会统计，2020 年中国集成电路产业销售额为8,848 亿元人民币，较 2019 年增长 17%，在 2020 年受疫情影响的情况下，中国集成电路产业销售额仍稳步提升。二、半导体薄膜沉积设备的发展情况半导体薄膜沉积设备的发展情况1、半导体薄膜沉积设备行业发展情况（1）薄膜沉积设备市场规模持续增长

30、泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告根据 MaximizeMarketResearch 数据统计，全球半导体薄膜沉积设备市场规模从 2017 年的 125 亿美元扩大至 2020 年的 172 亿美元，年复合增长率为 11.2%。预计至 2025 年市场规模可达 340 亿美元。（2）薄膜沉积设备国产化率低我国半导体设备经过最近几年快速发展，在部分领域已有一定的进步，但整体国产设备特别在核心设备化上的国产化率仍然较低，半导体薄膜沉积设备行业基本由 AMAT、ASM、Lam、TEL 等国际巨头垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民营企业的兴起，我国半导体制造体系和产业生态得以建立和完

31、善。半导体薄膜沉积设备的国产化率虽然由 2016 年的 5%提升至 2020 年的 8%，但总体占比尤其是中高端产品占比较低。（3）各类薄膜沉积设备发展态势从半导体薄膜沉积设备的细分市场上来看，CVD 设备占比 56%，PVD 设备市占率 23%，其次是 ALD 及其他镀膜设备。在半导体制程进入28nm 后，由于器件结构不断缩小且更为 3D 立体化，生产过程中需要实现厚度更薄的膜层，以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下，ALD 技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，技术优势愈加明显，在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。泓域咨询/张家口薄膜设备项目

32、申请报告2、ALD 技术在半导体薄膜沉积设备中的典型应用情况ALD 技术在高 k 材料、金属栅、电容电极、金属互联、TSV、浅层沟道隔等工艺中均存在大量应用，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、第三代化合物半导体等领域。（1）ALD 典型应用高介电常数金属栅极（HKMG）工艺晶体管是构成逻辑电路、微处理器及记忆元件的基本单元，漏电一直是影响其良率、性能和功耗的重要影响因素。在半导体晶圆制程进入 65nm 及之前，集成电路主要通过沉积 SiO2 薄膜形成栅极介电质减少漏电；随着集成电路尺寸不断缩小，特别是制程 28nm 之后，传统的 SiO2 栅介质层物理厚度缩小至 1 纳米以下，达到了其物理极限，产

33、生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应，导致漏电流急剧增加，器件性能急剧恶化。通过引入高介电常数金属栅极（HKMG）工艺，可以解决上述问题，即采用高 k 材料替代传统的二氧化硅栅极氧化层作为栅极介质层，TiN 替代传统的多晶硅栅极作为金属栅极，高 k 栅氧化层与金属栅极的组合使用，不仅能够大幅减小栅极漏电流，同时因高 k 栅氧化层的等效氧化物厚度较薄，还能有效减低栅极电容。泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告ALD 技术凭借其精确的膜厚控制、均匀性和致密性的特点，自从英特尔在 45nm 技术节点将应用于栅介质薄膜制造工艺后，就被广泛应用于栅极介质层、金属栅极制备。（2）ALD 典型应用电容和电极

34、材料集成电路 2D 存储器件的线宽已接近物理极限，NAND 闪存已进入3D 时代。目前 64 层 3DNAND 闪存已进入量产阶段，128 层闪存也陆续有厂商开始推出，行业预期未来将叠加至 500 层，技术工艺还会持续推进。3DNAND 制造工艺中，增加集成度的主要方法不仅是缩小单层上线宽，而且需要增加堆叠的层数，使得一些器件结构的深宽比增加至40：1，甚至是 80：1 的极深孔或极深的沟槽，对薄膜沉积设备等生产设备提出了更高的要求。ALD 技术最早应用于 DRAM 存储器件的超高深宽比的电容电极制作工艺。随着 3DNAND 和 DRAM 相关技术的不断发展，等效氧化物厚度进一步下降，3DNA

35、ND 和 DRAM 电容呈现高深宽比结构，在这种情况下，高k 电容材料和电容电极的沉积只有具备优异填隙性和共形性的 ALD 技术才可以满足。除此之外，新型存储器也在快速发展，与闪存和 DRAM 相比，新型存储器一般具有更高的写入速度和更长的读写寿命。以铁电存储器（FeRAM）为例，其由电容和场效应管构成，其中电容为在两个泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告电极板中间沉淀的一层晶态的铁电晶体薄膜，该薄膜对于厚度、质量均有非常高的要求，ALD 技术可以较好地满足技术指标。（3）ALD 典型应用金属互联阻挡层金属互联即在集成电路片上沉积金属薄膜，并通过光刻技术形成布线，把互相隔离的元件按一定要求互连

36、成所需电路的工艺。铜互连为金属互联的一种，而在铜互连中采用 ALD 的主要驱动力在于随着制程进步、TSV 等先进封装工艺的发展，元件集成度提高、几何构架收缩，导致深宽比的增加，ALD 技术能够沉积尽可能薄的阻挡层，阻止铜和周围绝缘体之间的相互扩散，且作为粘附层促进互连铜的生长，给铜沉积留出最大的空间。3、半导体薄膜沉积设备发展趋势（1）半导体行业景气度带动设备需求增长随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。薄膜沉积设备行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充，另一方面受益于技术演进带来的增长机遇，包括制程进步、多重曝光

37、与3DNAND 存储技术，全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增长。MaximizeMarketResearch 预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告在 2025 年将从 2020 年的 172 亿美元扩大至 340 亿美元，保持年复合13.3%的增长速度。（2）进口替代空间巨大近年来，在国家政策的拉动和支持下，我国半导体产业快速发展，整体实力显著提升，设计、制造能力与国际先进水平不断缩小，但半导体先进设备制造仍然相对薄弱。中国制造 2025对于半导体设备国产化提出明确要求：在 2020 年之前，90-32nm 工艺设备国产化率达到 50%，实现 90nm

38、 光刻机国产化，封测关键设备国产化率达到50%。在 2025 年之前，20-14nm 工艺设备国产化率达到 30%，实现浸没式光刻机国产化。为推动我国半导体产业的发展，国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金，国家集成电路基金首期募资 1,387 亿元，二期募资超过 2,000 亿元。伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施，本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机，而薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备，将会迎来巨大的进口替代市场空间。（3）薄膜要求提高衍生设备需求在晶圆制造过程中，薄膜发挥着形成导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、阻挡刻蚀等重要作用。由

39、于芯片的线宽泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告越来越窄、结构越来越复杂，薄膜性能参数精细化要求也随之提高，如先进制程的前段工艺对薄膜均匀性、颗粒数量控制、金属污染控制的要求逐步提高，台阶覆盖能力强、薄膜厚度控制精准的 ALD 设备因此被引入产线。（4）先进制程增加导致设备市场攀升随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在 90nmCMOS 工艺大约需要 40 道薄膜沉积工序。在3nmFinFET 工艺产线，则超过 100 道薄膜沉积工序，涉及的薄

40、膜材料由6 种增加到近 20 种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。只有薄膜沉积设备的不断创新和进步才能支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。目前，半导体行业的薄膜沉积设备中，PVD 设备与 CVD 设备均已初步实现国产化，而 ALD 设备作为先进制程所必须的工艺设备，在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。当技术节点向 14 纳米甚至更小的方向升级时，与 PVD 设备和 CVD 设备相比，ALD 设备的必要性更加凸显。目前，基于供应链安全考虑，国内设备制造商正面临更多的机会。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势，以及国泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告产化进程加快的背景下，

41、国产半导体 ALD 设备迎来前所未有的发展契机。三、加快构建绿色能源体系加快构建绿色能源体系围绕“三大创新、四大工程、五大功能区”深入推进可再生能源示范区建设，力争碳达峰、碳中和走在全国前列。实施规模化开发，扎实推进千万千瓦级智慧风电基地、百万千瓦级老旧风电场改造升级、千万千瓦级“光伏+”综合利用示范基地等重大项目，力争2025 年装机规模达到 4000 万千瓦。发展大容量储能，积极谋划百万千瓦级可再生能源储能工程，实施好抽水蓄能电站、压缩空气储能及“源网荷储”一体化等重点项目，力争 2025 年储能规模达到 300 万千瓦。推进智能化输送，谋划建设第二条 1000 千伏特高压外送通道，实施新

42、一轮电网改造工程，持续推进变电站、储能站、数据中心“三站合一”泛在电力物联网建设。促进高比例应用，可再生能源消费量占终端能源消费总量比例达到 45%以上。围绕创建国家氢能产业示范城市，加快推进氢能产业创新中心、坝上地区氢能基地等重点项目建设，力争 2025 年氢能及相关产业产值超过 300 亿元。四、项目实施的必要性项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先

43、的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告第四章第四章 建设单位基本情况建设单位基本情况一、公司基本信息公司基本信息1、公司名称：xxx 有限公司2、法定代表人：谢 xx3、注册资本：1090 万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx 市场监督管理局6、成立日期：2010-6-27、营业期限：2010-6-2 至无固定期限8、注册地址：xx 市 xx 区 xx9、经营范围：从事薄膜设备相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策

44、禁止和限制类项目的经营活动。）二、公司简介公司简介公司自成立以来，坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本，强调服务，一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革，实现了企业持泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一，质量第一，信誉第一”为原则，在产品质量上精益求精，追求完美，对客户以诚相待，互动双赢。公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上，坚持优化结构，提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式，补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板，走绿色、协调和可持续发展道路，不断优化供给结

45、构，提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念，以提质增效为中心，以提升创新能力为主线，降成本、补短板，推进供给侧结构性改革。三、公司竞争优势公司竞争优势（一）自主研发优势公司在各个细分领域深入研究的同时，通过整合各平台优势，构建全产品系列，并不断进行产品结构升级，顺应行业一体化、集成创新的发展趋势。通过多年积累，公司产品性能处于国内领先水平。公司多年来坚持技术创新，不断改进和优化产品性能，实现产品结构升级。公司结合国内市场客户的个性化需求，不断升级技术，充分体现了公司的持续创新能力。泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告在不断开发新产品的过程中，公司已有多项产

46、品均为国内领先水平。在注重新产品、新技术研发的同时，公司还十分重视自主知识产权的保护。（二）工艺和质量控制优势公司进口大量设备和检测设备，有效提高了精度、生产效率，为产品研发与确保产品质量奠定了坚实的基础。此外，公司是行业内较早通过 ISO9001 质量体系认证的企业之一，公司产品根据市场及客户需要通过了产品认证，表明公司产品不仅满足国内高端客户的要求，而且部分产品能够与国际标准接轨，能够跻身于国际市场竞争中。在日常生产中，公司严格按照质量体系管理要求，不断完善产品的研发、生产、检验、客户服务等流程，保证公司产品质量的稳定性。（三）产品种类齐全优势公司不仅能满足客户对标准化产品的需求，而且能根

47、据客户的个性化要求，定制生产规格、型号不同的产品。公司齐全的产品系列，完备的产品结构，能够为客户提供一站式服务。对公司来说，实现了对具有多种产品需求客户的资源共享，拓展了销售渠道，增加了客户粘性。公司产品价格与国外同类产品相比有较强性价比优势，在国内市场起到了逐步替代进口产品的作用。泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告（四）营销网络及服务优势根据公司产品服务的特点、客户分布的地域特点，公司营销覆盖了华南、华东、华北及东北等下游客户较为集中的区域，并在欧美、日本、东南亚等国家和地区初步建立经销商网络，及时了解客户需求，为客户提供贴身服务，达到快速响应的效果。公司拥有一支行业经验丰富的销售团队，在

48、各区域配备销售人员，建立从市场调研、产品推广、客户管理、销售管理到客户服务的多维度销售网络体系。公司的服务覆盖产品服务整个生命周期，公司多名销售人员具有研发背景，可引导客户的技术需求并为其提供解决方案，为客户提供及时、深入的专业技术服务与支持。公司与经销商互利共赢，结成了长期战略合作伙伴关系，公司经销网络较为稳定，有利于深耕行业和区域市场，带动经销商共同成长。四、公司主要财务数据公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据公司合并资产负债表主要数据项目项目20202020 年年 1212 月月20192019 年年 1212 月月20182018 年年 1212 月月资产总额6960.08556

49、8.065220.06负债总额3267.952614.362450.96泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告股东权益合计3692.132953.702769.10公司合并利润表主要数据公司合并利润表主要数据项目项目20202020 年度年度20192019 年度年度20182018 年度年度营业收入22787.5118230.0117090.63营业利润5232.314185.853924.23利润总额4249.683399.743187.26净利润3187.262486.062294.83归属于母公司所有者的净利润3187.262486.062294.83五、核心人员介绍核心人员介绍1、谢

50、xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961 年出生，本科学历，高级工程师。2002 年 11 月至今任 xxx 总经理。2017 年 8 月至今任公司独立董事。2、唐 xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970 年出生，硕士研究生学历。2012 年 4 月至今任 xxx 有限公司监事。2018 年 8 月至今任公司独立董事。3、罗 xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959 年出生，大专学历，高级工程师职称。2003 年 2 月至 2004 年 7 月在 xxx 股份有限公司泓域咨询/张家口薄膜设备项目申请报告兼任技术顾问；2004 年 8 月至 2011 年 3 月任 xxx 有限责任公司总