《电力电子技术(第二版)》课后习题及解答.pdf

《《电力电子技术(第二版)》课后习题及解答.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《《电力电子技术(第二版)》课后习题及解答.pdf（29页珍藏版）》请在得力文库 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、 电力电子技术习题及解答 第 1 章 思考题与习题 1.1 晶闸管的导通条件是什么?导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?答：晶闸管的导通条件是：晶闸管阳极和阳极间施加正向电压，并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定，负载上电压由输入阳极电压 UA决定。1.2 晶闸管的关断条件是什么?如何实现?晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答：晶闸管的关断条件是：要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态，可采用阳极电压反向使阳极电流 IA减小，IA下降到维持电流 IH以下时，晶闸管内部建立的正反馈无法进行。进而实现晶闸管的关断，其两端电

2、压大小由电源电压 UA决定。1.3 温度升高时，晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化？答：温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而减小，正反向漏电流随温度升高而增大，维持电流 IH会减小，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。1.4 晶闸管的非正常导通方式有哪几种？答：非正常导通方式有：(1)Ig=0，阳极电压升高至相当高的数值；(1)阳极电 1 压上升率 du/dt 过高；(3)结温过高。1.5 请简述晶闸管的关断时间定义。答：晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。即grrrqttt。1.6 试说明晶闸管有

3、哪些派生器件？答：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。1.7 请简述光控晶闸管的有关特征。答：光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管，在光的照射下，光电二极管电流增加，此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。主要用于高压大功率场合。1.8 型号为 KP100-3，维持电流 IH=4mA 的晶闸管，使用在图题 1.8 所示电路中是否合理，为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题 1.8 答：（a）因为HAImAKVI250100，所以不合理。(b)因为AVIA2010200,KP100 的电流额定值为 100，裕量达倍，太大了。（c）因为AVIA1501150，大于额定

4、值，所以不合理。1.9 图题 1.9 中实线部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为 Im，试计算各图的电流平均值电流有效值和波形系数。2 解：图(a)：IT(AV)=210)(sinttdIm=mI IT=02)()sin(21tdtIm=2mI Kf=)(AVTTII=1.57 图题 19 图(b)：IT(AV)=10)(sinttdIm=2Im IT=02)()sin(1tdtIm=2mI Kf=)(AVTTII=1.11 图(c)：IT(AV)=13)(sinttdIm=23Im IT=32)()sin(1tdtIm=ImmI63.08331 3 Kf=)(AVTTII=1.26 图

5、(d)：IT(AV)=213)(sinttdIm=43Im IT=32)()sin(21tdtIm=ImmI52.06361 Kf=)(AVTTII=1.78 图(e)：IT(AV)=2140)(tdIm=8mI IT=402)(21tdIm=22mI Kf=)(AVTTII=2.83 图(f)：IT(AV)=2120)(tdIm=4mI IT=202)(21tdIm=2mI Kf=)(AVTTII=2 1.10 上题中，如不考虑安全裕量，问额定电流 100A 的晶闸管允许流过的平均电流分别是多少?解：(a)图波形系数为 1.57，则有：1.57)(AVTI=1.57100A,IT(AV)=1

6、00 A(b)图波形系数为 1.11，则有：1.11)(AVTI=1.57100A,IT(AV)=141.4A 4(c)图波形系数为 1.26，则有：1.26)(AVTI=1.57100A,IT(AV)=124.6A(d)图波形系数为 1.78，则有：1.78)(AVTI=1.57100A,IT(AV)=88.2A(e)图波形系数为 2.83，则有：2.83)(AVTI=1.57100A,IT(AV)=55.5A(f)图波形系数为 2，则有：2)(AVTI=1.57100A,IT(AV)=78.5A 1.11 某晶闸管型号规格为 KP200-8D，试问型号规格代表什么意义?解：KP 代表普通型

7、晶闸管，200 代表其晶闸管的额定电流为 200A，8 代表晶闸管的正反向峰值电压为 800V，D 代表通态平均压降为VUVT7.06.0。1.12如图题 1.12 所示，试画出负载 Rd上的电压波形(不考虑管子的导通压降)。图题 1.12 解：其波形如下图所示：5 1.13 在图题 1.13 中，若要使用单次脉冲触发晶闸管 T 导通，门极触发信号（触发电压为脉冲）的宽度最小应为多少微秒（设晶闸管的擎住电流 IL=15mA）？图题 1.13 解：由题意可得晶闸管导通时的回路方程：ERidtdiLAA 可解得 )1(tAeREi，=RL=1 要维维持持晶闸管导通，)(tiA必须在擎住电流 IL以

8、上，即 31015)1(5.050te st150101506，所以脉冲宽度必须大于 150s。1.14 单相正弦交流电源，晶闸管和负载电阻串联如图题 1.14 所示，交流电源 6 电压有效值为 220V。(1)考虑安全余量，应如何选取晶闸管的额定电压？(2)若当电流的波形系数为 Kf=2.22 时，通过晶闸管的有效电流为 100A，考虑晶闸管的安全余量，应如何选择晶闸管的额定电流？解：（1）考虑安全余量,取实际工作电压的 2 倍 UT=22022622V,取 600V（2）因为 Kf=2.22,取两倍的裕量，则：2IT(AV)A10022.2 得：IT(AV)=111(A)取 100A。图题

9、 1.14 1.15 什么叫 GTR 的一次击穿?什么叫 GTR 的二次击穿?答：处于工作状态的 GTR，当其集电极反偏电压 UCE渐增大电压定额 BUCEO时，集电极电流 IC急剧增大（雪崩击穿），但此时集电极的电压基本保持不变，这叫一次击穿。发生一次击穿时，如果继续增大 UCE，又不限制 IC，IC上升到临界值时，UCE突然下降，而 IC继续增大（负载效应），这个现象称为二次击穿。1.16 怎样确定 GTR 的安全工作区 SOA?答：安全工作区是指在输出特性曲线图上 GTR 能够安全运行的电流、电压的极限范围。按基极偏量分类可分为：正偏安全工作区 FBSOA 和反偏安全工作区 RBSOA。

10、7 正偏工作区又叫开通工作区，它是基极正向偏量条件下由 GTR 的最大允许集电极功耗 PCM以及二次击穿功率 PSB，ICM，BUCEO四条限制线所围成的区域。反偏安全工作区又称为 GTR 的关断安全工作区，它表示在反向偏置状态下 GTR 关断过程中电压 UCE，电流 IC限制界线所围成的区域。1.17 GTR 对基极驱动电路的要求是什么？答：要求如下：（1）提供合适的正反向基流以保证 GTR 可靠导通与关断，（2）实现主电路与控制电路隔离，（3）自动保护功能，以便在故障发生时快速自动切除驱动信号避免损坏 GTR。（4）电路尽可能简单，工作稳定可靠，抗干扰能力强。1.18 在大功率 GTR 组

11、成的开关电路中为什么要加缓冲电路?答：缓冲电路可以使 GTR 在开通中的集电极电流缓升，关断中的集电极电压缓升，避免了 GTR 同时承受高电压、大电流。另一方面，缓冲电路也可以使 GTR 的集电极电压变化率dtdu和集电极电流变化率dtdi得到有效值抑制，减小开关损耗和防止高压击穿和硅片局部过热熔通而损坏 GTR。1.19 与 GTR 相比功率 MOS 管有何优缺点?答：GTR 是电流型器件，功率 MOS 是电压型器件，与 GTR 相比，功率 MOS管的工作速度快，开关频率高，驱动功率小且驱动电路简单，无二次击穿问题，安全工作区宽，并且输入阻抗可达几十兆欧。但功率 MOS 的缺点有：电流容量低

12、，承受反向电压小。1.20 从结构上讲，功率 MOS 管与 VDMOS 管有何区别?答：功率 MOS 采用水平结构，器件的源极 S，栅极 G 和漏极 D 均被置于硅片的一侧，通态电阻大，性能差，硅片利用率低。VDMOS 采用二次扩散形式的 P 形区的N+型区在硅片表面的结深之差来形成极短的、可精确控制的沟道长度（13m）、8 制成垂直导电结构可以直接装漏极、电流容量大、集成度高。1.21 试说明 VDMOS 的安全工作区。答：VDMOS 的安全工作区分为：（1）正向偏置安全工作区，由漏电源通态电阻限制线，最大漏极电流限制线，最大功耗限制线，最大漏源电压限制线构成。（2）开关安全工作区：由最大峰

13、值漏极电流 ICM，最大漏源击穿电压 BUDS最高结温 IJM所决定。（3）换向安全工作区：换向速度dtdi一定时，由漏极正向电压 UDS和二极管的正向电流的安全运行极限值 IFM决定。1.22 试简述功率场效应管在应用中的注意事项。答：（1）过电流保护，（2）过电压保护，（3）过热保护，（4）防静电。1.23 与 GTR、VDMOS 相比，IGBT 管有何特点?答：IGBT 的开关速度快，其开关时间是同容量 GTR 的 1/10，IGBT 电流容量大，是同容量 MOS 的 10 倍；与 VDMOS、GTR 相比，IGBT 的耐压可以做得很高，最大允许电压 UCEM可达 4500V，IGBT

14、的最高允许结温 TJM为 150，而且 IGBT 的通态压降在室温和最高结温之间变化很小，具有良好的温度特性；通态压降是同一耐压规格VDMOS 的 1/10，输入阻抗与 MOS 同。1.24 下表给出了 1200V 和不同等级电流容量 IGBT 管的栅极电阻推荐值。试说明为什么随着电流容量的增大，栅极电阻值相应减小？电流容量A 25 50 75 100 150 200 300 栅极电阻 50 25 15 12 8.2 5 3.3 答：对一定值的集电极电流，栅极电阻增大栅极电路的时间常数相应增大，关断时栅压下降到关断门限电压的时间变长，于是 IGBT 的关断损耗增大。因此，随着电流容量的增大，为

15、了减小关断损耗，栅极电阻值相应减小。应当注意的是，太小的栅极电阻会使关断过程电压变化加剧，在损耗允许的情况下，栅极电阻不使用宜太小。9 1.25 在 SCR、GTR、IGBT、GTO、MOSFET、IGCT 及 MCT 器件中，哪些器件可以承受反向电压？哪些可以用作静态交流开关？答：SCR、GTR、IGBT、GTO、MCT 都可承受反向电压。SCR 可以用作静态开关。1.26 试说明有关功率 MOSFET 驱动电路的特点。答：功率 MOSFET 驱动电路的特点是：输入阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高。1.27 试述静电感应晶体管 SIT 的结构特点。答：SIT 采用垂直导电结构

16、，沟道短而宽，适合于高电压，大电流的场合，其漏极电流具有负温度系数，可避免因温度升高而引起的恶性循环漏极电流通路上不存在 PN 结，一般不会发生热不稳定性和二次击穿现象，其安全工作区范围较宽,关断它需加 10V 的负栅极偏压 UGS,使其导通，可以加 56V 的正栅偏压+UGS，以降低器件的通态压降。1.28 试述静电感应晶闸管 SITH 的结构特点。答：其结构在 SIT 的结构上再增加一个 P+层形成了无胞结构。SITH 的电导调制作用使它比 SIT 的通态电阻小，通态压降低，通态电流大，但因器件内有大量的存储电荷，其关断时间比 SIT 要慢，工作频率低。1.29 试述 MOS 控制晶闸管

17、MCT 的特点和使用范围。答：MCT 具有高电压，大电流，高载流密度，低通态压的特点，其通态压降只有的左右，硅片的单位面积连续电流密度在各种器件中是最高的，另外，可承受极高的 di/dt 和 du/dt。使得其保护电路简化，的开关速度超过，且开关损耗也小。1.30 缓冲电路的作用是什么？关断缓冲与开通缓冲在电路形式上有何区别，各自的功能是什么？答：缓冲电路的作用是抑制电力电子器件的内因过电压du/dt或者过电流di/dt,10 减少器件的开关损耗。缓冲电路分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。关断缓冲电路是对 du/dt 抑制的电路，用于抑制器件的关断过电压和换相过电压，抑制 du/dt，减小关断损

18、耗。开通缓冲电路是对 di/dt 抑制的电路，用于抑制器件开通时的电流过冲和 di/dt，减小器件的开通损耗。第 2 章 思考题与习题 2.1 什么是整流？它与逆变有何区别？答：整流就是把交流电能转换成直流电能，而将直流转换为交流电能称为逆变，它是对应于整流的逆向过程。2.2 单相半波可控整流电路中，如果：(1)晶闸管门极不加触发脉冲；(2)晶闸管内部短路；(3)晶闸管内部断开；试分析上述三种情况负载两端电压 ud和晶闸管两端电压 uT的波形。答：（1）负载两端电压为 0，晶闸管上电压波形与 U2相同；（2）负载两端电压为 U2，晶闸管上的电压为 0；（3）负载两端电压为 0，晶闸管上的电压为

19、 U2。11 2.3 某单相全控桥式整流电路给电阻性负载和大电感负载供电，在流过负载电流平均值相同的情况下，哪一种负载的晶闸管额定电流应选择大一些?答：带大电感负载的晶闸管额定电流应选择小一些。由于具有电感，当其电流增大时，在电感上会产生感应电动势，抑制电流增加。电阻性负载时整流输出电流的峰值大些，在流过负载电流平均值相同的情况下，为防此时管子烧坏，应选择额定电流大一些的管子。2.4 某电阻性负载的单相半控桥式整流电路，若其中一只晶闸管的阳、阴极之间被烧断，试画出整流二极管、晶闸管两端和负载电阻两端的电压波形。解：设=0，T2被烧坏，如下图：12 2.5 相控整流电路带电阻性负载时，负载电阻上

20、的 Ud与 Id的乘积是否等于负载有功功率，为什么?带大电感负载时，负载电阻 Rd上的 Ud与 Id的乘积是否等于负 13 载有功功率，为什么?答：相控整流电路带电阻性负载时，负载电阻上的平均功率dddIUP 不等于负载有功功率UIP。因为负载上的电压、电流是非正弦波，除了直流 Ud与 Id外 还 有 谐 波 分 量,21UU和,21II，负 载 上 有 功 功 率 为22212PPPPddddIUP。相控整流电路带大电感负载时，虽然 Ud存在谐波，但电流是恒定的直流，故负载电阻 Rd上的 Ud与 Id的乘积等于负载有功功率。2.6 某电阻性负载要求 024V 直流电压，最大负载电流 Id=3

21、0A，如采用由 220V交流直接供电和由变压器降压到 60V 供电的单相半波相控整流电路，是否两种方案都能满足要求?试比较两种供电方案的晶闸管的导通角、额定电压、额定电流、电路的功率因数及对电源容量的要求。解：采用由 220V 交流直接供电当0时：Udo=0.45U2=0.45220=99V 由变压器降压到 60V 供电当0时：Ud=0.45U2=0.4560=27V 因此，只要调节 都可以满足输出 024V 直流电压要求。(1)采用由 220V 交流直接供电时：2cos145.02UUd，Ud=24V 时 121 59121180 VUUT31122 AtdtRUIT84sin221022

22、14 8.03024ddIUR AIITAVT5457.18457.1)(取 2 倍安全裕量，晶闸管的额定电压、额定电流分别为 622V 和 108A。电源提供有功功率 WRIP8.56448.084222 电源提供视在功率 kVAIUS58.182208422 电源侧功率因数 305.0SPPF(2)采用变压器降压到 60V 供电：2cos145.02UUd，Ud=24V 时 39,14139180 VUUT4.8422 AtdtRUIT38.51sin221022 8.03024ddIUR AIITAVT7.3257.138.5157.1)(取 2 倍安全裕量，晶闸管的额定电压、额定电流分

23、别为 168.8V 和 65.4A。变压器二次侧有功功率 WRIP21128.038.51222 变压器二次侧视在功率 kVAIUS08.338.516022 15 电源侧功率因数 68.0SPPF 2.7某电阻性负载，Rd=50,要求 Ud在 0600V 可调，试用单相半波和单相全控桥两种整流电路来供给，分别计算：(1)晶闸管额定电压、电流值；(2)连接负载的导线截面积(导线允许电流密度 j=6Amm2)；(3)负载电阻上消耗的最大功率。解：（1）单相半波0时,VUUd133345.060045.02,ARUIddd1250600 晶闸管的最大电流有效值 AIIdT8.1857.1 晶闸管额

24、定电流为 IT(AV)57.1TI12(A)晶闸管承受最大电压为 22UURM=1885V 取 2 倍安全裕量，晶闸管的额定电压、额定电流分别为 4000V 和 30A。所选导线截面积为 213.368.18mmJIS 负载电阻上最大功率 kWRIPTR7.172（2）单相全控桥0时,VUUd6679.06009.02,ARUIddd1250600 负载电流有效值 AIId3.1311.1 (Kf=1.11)晶闸管的额定电流为 IT(AV)57.1TI6(A)IT=2I 晶闸管承受最大电压为 22UURM=1885V 16 取 2 倍安全裕量，晶闸管的额定电压、额定电流分别为 4000V 和

25、20A。所选导线截面积为 222.263.13mmJIS 负载电阻上最大功率 kWRIPR9.82 2.8 整流变压器二次侧中间抽头的双半波相控整流电路如图题 2.8 所示。(1)说明整流变压器有无直流磁化问题?(2)分别画出电阻性负载和大电感负载在=60时的输出电压 Ud、电流 id的波形，比较与单相全控桥式整流电路是否相同。若已知 U2=220V，分别计算其输出直流电压值 Ud。（3）画出电阻性负载=60时晶闸管两端的电压 uT波形，说明该电路晶闸管承受的最大反向电压为多少?图题 2.8 解：（1）因为在一个周期内变压器磁通增量为零，所以没有直流磁化。（2）其波形如下图所示，与单相全控桥式

26、整流电路相同。电阻性负载：VUUd5.1482)60cos1(2209.02cos19.002 感性负载：VUUd99cos9.02(3)其波形如下图所示，晶闸管承受的最大反向电压为222U。17 2.9 带电阻性负载三相半波相控整流电路，如触发脉冲左移到自然换流点之前15处，分析电路工作情况，画出触发脉冲宽度分别为 10和 20时负载两端的电压 ud波形。解：三相半波相控整流电路触发脉冲的的最早触发时刻在自然换流点，如触发脉冲左移到自然换流点之前 15处，触发脉冲宽度为 10时，不能触发晶闸管，ud=0。触发脉冲宽度为 15时，能触发晶闸管，其波形图相当于=0时的波形。2.10 三相半波相控

27、整流电路带大电感负载，Rd=10，相电压有效值U2=220V。求=45时负载直流电压 Ud、流过晶闸管的平均电流 IdT和有效电流 IT，画出 ud、iT2、uT3的波形。解：)(sin23/212656ttdUUd1.17cos2U 因为：2U220V，045 Ud=1.1745cos2U=182V 18 AVRUIddd2.1810182 AIIIddTdT1.6312 AIIIddTT5.10312 ud、iT2、uT3波形图如下所示：2.11 在图题 2.11 所示电路中，当=60时，画出下列故障情况下的 ud波形。(1)熔断器 1FU 熔断。(2)熔断器 2FU 熔断。(3)熔断器

28、2FU、3FU 同时熔断。图题 2.11 解：这三种情况下的波形图如下所示：19 (a)(b)(c)2.12 现有单相半波、单相桥式、三相半波三种整流电路带电阻性负载，负载电流 Id都是 40A，问流过与晶闸管串联的熔断器的平均电流、有效电流各为多大?解：设0 单相半波：IdT=Id=40A AIIdTT8.6257.1 (Kf=1.57)单相桥式：IdT=21Id=20A AIIdT3.2821 20 三相半波：IdT=31Id=13.3A 当00时 Ud=1.17U2 U2=Ud/1.17 30o时 )2cos2332(212dTRUI AId5.23)2332(2117.1 2.13 三

29、相全控桥式整流电路带大电感负载，负载电阻 Rd=4，要求 Ud从0220V之间变化。试求：(1)不考虑控制角裕量时，整流变压器二次线电压。(2)计算晶闸管电压、电流值，如电压、电流取 2 倍裕量，选择晶闸管型号。解：（1）因为 Ud=2.34U2cos；不考虑控制角裕量，0时 VUUd9434.22 VUUl2.168322（2）晶闸管承受最大电压为VU3.23062 取 2 倍的裕量,URM=460.6V 晶闸管承受的平均电流为 IdT=31Id 又因为AVRUIddd554220 所以 IdT=18.33A，取 2 倍的裕量 IdTmax=36.67(A)选择 KP505 的晶闸管。2.1

30、4 单结晶体管触发电路中，作为 Ubb的削波稳压管wD两端如并接滤波电容，21 电路能否正常工作?如稳压管损坏断开，电路又会出现什么情况?答：在稳压管wD两端如并接滤波电容后，电路能否正常工作。如稳压管损坏断开，单结晶体管上峰值电压太高，不利于单结晶体管工作。2.15 三相半波相控整流电路带电动机负载并串入足够大的电抗器，相电压有效值 U2=220V，电动机负载电流为 40A，负载回路总电阻为 0.2，求当=60时流过晶闸管的电流平均值与有效值、电动机的反电势。解：电流平均值为：IdT=31Id=40/3=13.3 电流有效值为：AIIIddT23511.03 设电动机的反电势为 ED，则回路

31、方程为：LdDdRIEU 而 VUttdUUd7.128cos17.1)(sin23/2165622 所以 VED7.1202.0407.128 2.16 三相全控桥电路带串联 Ld的电动机负载，已知变压器二次电压为 100V，变压器每相绕组折合到二次侧的漏感 L1为 100H，负载电流为 150A，求：(1)由于漏抗引起的换相压降；(2)该压降所对应整流装置的等效内阻及=0时的换相重叠角。解：(1)231dIXUV5.121501010050236(2)62(coscos211UId 22 11)1006150101005021(cos61 等效内阻01.01505.1AVr 2.17 晶闸

32、管装置中不采用过电压、过电流保护，选用较高电压和电流等级的晶闸管行不行?答：晶闸管装置中必须采用过电压、过电流保护，而不能用高电压、高电流的晶闸管代替，因为在电感性负载装置中，晶闸管在开关断过程中，可能会出现过冲阳极电压，此时极易损坏晶闸管。当未采取过电流保护，而电路过载或短路时更易损坏晶闸管。2.18 什么是有源逆变？有源逆变的条件是什么？有源逆变有何作用？答：如果将逆变电路交流侧接到交流电网上，把直流电逆变成同频率的交流电，反送到电网上去称为有源逆变。有源逆变的条件：（1）一定要有直流电动势，其极性必须与晶闸管的导通方向一致，其值应稍大于变流器直流侧的平均电压；（2）变流器必须工作在2的区

33、域内使 Ud0。有源逆变的作用：它可用于直流电机的可逆调速，绕线型异步电动机的串级调速，高压电流输电太阳能发电等方面。2.19 无源逆变电路和有源逆变电路有何区别？答：有源逆变电路是把逆变电路的交流侧接到电网上，把直流电逆变成同频率的交流反送到电网去。无源逆变电路的交流侧直接接到负载，将直流电逆变成某一频率或可变频率的交流供给负载。2.20 有源逆变最小逆变角受哪些因素限制？为什么？23 答：最小有源逆变角受晶闸管的关断时间 tq折合的电角度、换相重叠角以及安全裕量角的限制。如果不能满足这些因素的要求的话，将导致逆变失败。第 3 章 思考题与习题 3.1 开关器件的开关损耗大小同哪些因素有关？

34、答：开关损耗与开关的频率和变换电路的形态性能等因素有关。3.2 试比较 Buck 电路和 Boost 电路的异同。答；相同点：Buck 电路和 Boost 电路多以主控型电力电子器件（如 GTO，GTR，VDMOS 和 IGBT 等）作为开关器件，其开关频率高，变换效率也高。不同点：Buck 电路在 T 关断时，只有电感 L 储存的能量提供给负载，实现降压变换，且输入电流是脉动的。而 Boost 电路在 T 处于通态时，电源 Ud向电感 L充电，同时电容 C 集结的能量提供给负载，而在 T 处于关断状态时，由 L 与电源E 同时向负载提供能量，从而实现了升压，在连续工作状态下输入电流是连续的。

35、3.3 试简述 Buck-Boost 电路同 Cuk 电路的异同。答：这两种电路都有升降压变换功能，其输出电压与输入电压极性相反，而且两种电路的输入、输出关系式完全相同，Buck-Boost 电路是在关断期内电感 L 给滤波电容 C 补充能量，输出电流脉动很大，而 Cuk 电路中接入了传送能量的耦合电容 C1，若使 C1足够大，输入输出电流都是平滑的，有效的降低了纹波，降低了对滤波电路的要求。3.4 试说明直流斩波器主要有哪几种电路结构？试分析它们各有什么特点？答：直流斩波电路主要有降压斩波电路（uck），升压斩波电路（oost），升降压斩波电路（uckoost）和库克（ook）斩波电路。降压

36、斩波电路是：一种输出电压的平均值低于输入直流电压的变换电路。它主要用于直流稳压电源和直流直流电机的调速。升压斩波电路是：输出电压的平均值高于输入电压的变换电路，它可用于直流 24 稳压电源和直流电机的再生制动。升降压变换电路是输出电压平均值可以大于或小于输入直流电压，输出电压与输入电压极性相反。主要用于要求输出与输入电压反向，其值可大于或小于输入电压的直流稳压电源。库克电路也属升降压型直流变换电路，但输入端电流纹波小，输出直流电压平稳，降低了对滤波器的要求。3.5 试分析反激式和正激式变换器的工作原理。答：正激变换器：当开关管 T 导通时，它在高频变压器初级绕组中储存能量，同时将能量传递到次级

37、绕组，根据变压器对应端的感应电压极性，二极管 D1导通，此时 D2反向截止，把能量储存到电感 L 中，同时提供负载电流OI；当开关管 T截止时，变压器次级绕组中的电压极性反转过来，使得续流二极管 D2导通（而此时 D1反向截止），储存在电感中的能量继续提供电流给负载。变换器的输出电压为：dODUNNU12 反激变换器：当开关管 T 导通，输入电压 Ud便加到变压器 TR 初级 N1上，变压器储存能量。根据变压器对应端的极性，可得次级 N2中的感应电动势为下正上负，二极管 D 截止，次级 N2中没有电流流过。当 T 截止时，N2中的感应电动势极性上正下负，二极管 D 导通。在 T 导通期间储存在

38、变压器中的能量便通过二极管D 向负载释放。在工作的过程中，变压器起储能电感的作用。25 输出电压为 dOUDDNNU112 3.6 试分析全桥式变换器的工作原理。答：当 ug1和 ug4为高电平，ug2和 ug3为低电平，开关管 T1和 T4导通，T2和T3关断时，变压器建立磁化电流并向负载传递能量；当 ug1和 ug4为低电平，ug2和ug3为高电平，开关管 T2和 T3导通，T1和 T4关断，在此期间变压器建立反向磁化电流，也向负载传递能量，这时磁芯工作在 BH 回线的另一侧。在 T1、T4导通期间(或 T2和 T3导通期间)，施加在初级绕组 NP上的电压约等于输入电压 Ud。与半桥电路相

39、比，初级绕组上的电压增加了一倍，而每个开关管的耐压仍为输入电压。3.7 有一开关频率为 50kHz的Buck变换电路工作在电感电流连续的情况下，L=0.05mH，输入电压 Ud=15V，输出电压 U0=10V(1)求占空比 D 的大小；(2)求电感中电流的峰-峰值I；(3)若允许输出电压的纹波U0/U0=5%，求滤波电容 C 的最小值。26 解：（1）DUUd10，667.015100dUUD（2）AfLDDUfLUUUUIddOdOL333.11005.01050)667.01(667.015)1()(33 (3)因为 2200)(1(2ftDUUc kHzf50 LCfc21 则 22)(

40、1(205.0ffDc )1(205.0222Dffc 66.61066.6)1050(1005.0805.0667.01805.0162332minFLfDCF 3.8 图题 3.8 所示的电路工作在电感电流连续的情况下，器件 T 的开关频率为100kHz，电路输入电压为交流 220V，当 RL两端的电压为 400V 时：(1)求占空比的大小；(2)当 RL=40时，求维持电感电流连续时的临界电感值；(3)若允许输出电压纹波系数为 0.01，求滤波电容 C 的最小值。题图 3.8 27 解:（）由题意可知：DUUd10 00UUUDd400220400=0.45（）1022201001.04

41、5.02300dKSUIDTLH5.49 （其中ARUIK104040000）（）CRDTUULS00,FURUDTCLs25.1101.0401045.0500 3.9 在 Boost 变换电路中，已知 Ud=50V，L 值和 C 值较大，R=20，若采用脉宽调制方式，当 Ts=40s，ton=20s 时，计算输出电压平均值 U0和输出电流平均值 I0。解：doffoffonUtttU0VDUd1005.0501 由于和的值都比较大，ARUI52010000 3.10 有一开关频率为50kHz 的库克变换电路，假设输出端电容足够大，使输出电压保持恒定，并且元件的功率损耗可忽略，若输入电压 Ud=10V，输出电压U0调节为 5V 不变。试求:(1)占空比；(2)电容器 C1两端的电压 Uc1；(3)开关管的导通时间和关断时间。28 解：(1)因为 dUDDU10 则 311055dOOUUUD (注意VUo5)(2)VUDUdC15103111111(3)sDTton67.610501313 sTDtoff34.131050132)1(3