mems作业(第七周收).pptx

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1、作业作业1 1、阅读相关资料（阅读资料、阅读相关资料（阅读资料1 1与阅读资料与阅读资料2 2），结合我们的上课内容，写读后感。），结合我们的上课内容，写读后感。2 2、参考我们绪论、参考我们绪论pptppt外文期刊，检索一篇关外文期刊，检索一篇关于于MEMSMEMS的相关论文（不得低于的相关论文（不得低于1010页内容），页内容），翻译，并做翻译，并做pptppt介绍，包括原理、设计、加介绍，包括原理、设计、加工、试验等工、试验等注：第四周左右先交英文论文注：第四周左右先交英文论文课下作业课下作业第一第一章章课后课后P31P31：2.2.解释解释MEMSMEMS和微系统的区别和微系统的区别3

2、.3.微系统和微电子技术之间最明显的区别微系统和微电子技术之间最明显的区别是什么是什么7.7.给出给出2 2个你看到过或欣赏的消费产品小型个你看到过或欣赏的消费产品小型化的例子化的例子课下作业课下作业第二章第二章课后课后P65P65：2 2、3 3、5 5、6 6补充：补充：1.1.给出传感器的最基本的静态技术指标给出传感器的最基本的静态技术指标2.2.给出几种传感器信号拾取方式给出几种传感器信号拾取方式/信号转换信号转换方式，并说明各自的优缺点方式，并说明各自的优缺点3.3.给出最常用的微执行器是什么，并简要给出最常用的微执行器是什么，并简要说明其原理。说明其原理。课下作业课下作业第七章第七

3、章课后课后P245P245：1 1、2 2、4 4补充：补充：1 1、为什么、为什么硅是比较理想的衬底硅是比较理想的衬底材料？材料？/MEMSMEMS装置为何大多选用硅材料制造？装置为何大多选用硅材料制造？2 2、MEMSMEMS材料主要分为几类？材料主要分为几类？3 3、晶面与晶向？。、晶面与晶向？。课下作业课下作业半导体基本制造工艺半导体基本制造工艺补充：补充：1 1、掺杂的定义，分为哪两种，各自的定义、掺杂的定义，分为哪两种，各自的定义2.2.扩散分为哪两种扩散分为哪两种3 3、扩散的质量参数有哪些、扩散的质量参数有哪些4 4、如何测试方块电阻、如何测试方块电阻5 5、扩散与离子注入的特

4、点、扩散与离子注入的特点6 6、什么是退火，为什么要进行退火、什么是退火，为什么要进行退火/退火的优退火的优点点课下作业课下作业半导体基本制造工艺半导体基本制造工艺补充：补充：7 7、表面薄膜的制造有哪几种工艺？、表面薄膜的制造有哪几种工艺？8 8、氧化有哪几种？其反应方程式。、氧化有哪几种？其反应方程式。9 9、干氧氧化与湿氧氧化相比材料的特性如何、干氧氧化与湿氧氧化相比材料的特性如何1010、氧化硅薄膜在、氧化硅薄膜在MEMSMEMS中的主要用途中的主要用途1111、为什么在制备牺牲层时，要先干氧、湿、为什么在制备牺牲层时，要先干氧、湿氧，再干氧的工艺氧，再干氧的工艺课下作业课下作业半导体

5、基本制造工艺半导体基本制造工艺补充：补充：1212、什么是化学汽相淀积，有哪几种？各有、什么是化学汽相淀积，有哪几种？各有什么特点？什么特点？1313、化学汽相淀积主要淀积哪几种材料？其、化学汽相淀积主要淀积哪几种材料？其反应气体主要是什么？有哪种工艺生成？反应气体主要是什么？有哪种工艺生成？1414、CVDCVD淀积氧化硅与热氧化生成的氧化硅有淀积氧化硅与热氧化生成的氧化硅有什么异同点什么异同点课下作业课下作业半导体基本制造工艺半导体基本制造工艺补充：补充：1515、外延主要有哪几种？外延主要用的气体是什、外延主要有哪几种？外延主要用的气体是什么？么？1616、淀积、淀积和外延，什么区别？和

6、外延，什么区别？1717、为什么、为什么外延出的是单晶，淀积出的是多晶？外延出的是单晶，淀积出的是多晶？1818、外延对、外延对基底、设备、环境要求如何基底、设备、环境要求如何？1919、主要的两种金属化镀膜工艺是什么？各有什、主要的两种金属化镀膜工艺是什么？各有什么特点么特点？课下作业课下作业光刻工艺光刻工艺补充：补充：1 1、光刻工艺的定义，光刻的步骤有哪些、光刻工艺的定义，光刻的步骤有哪些2 2、光刻的三要素、光刻的三要素3 3、有哪几种光刻方式、有哪几种光刻方式4 4、正胶、负胶、正版、负版、正胶、负胶、正版、负版5 5、对准、对准课下作业课下作业刻蚀工艺刻蚀工艺补充：补充：1 1、刻蚀有哪几种、刻蚀有哪几种2 2、