《集成电路工艺原理》课程教学大纲（模板）.docx

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1、集成电路工艺原理课程教学大纲一、课程基本情况课程编号：083P42A学分：3 周学时：3 总学时：51 开课学期：3.2开课学院：理学院英文名称：Integrated Circuit Technology and Principle适用专业：微电子学与固体电子学、微电子技术、集成电路设计课程类别：专业方向模块课课程修读条件：大学物理、模拟电路、半导体物理、集成电路原理网络课程地址：课程负责人：所属基层学术组织：微电子系二、课程简介本课程是应用物理微电子方向专业的一门专业选修课。开设本课程的目的在 于完善专业学生的微电子技术及集成电路底层设计的知识结构。该课程以当代超 大规模集成电路的小尺寸特征

2、为切入点，围绕抑制小尺寸效应的现代工艺技术， 展开介绍了目前较为成熟的集成电路制造工艺技术，重点介绍核心工序及关键制 造工艺过程的基本原理，其中包括氧化、扩散、离子注入、薄膜淀积、光刻、刻 蚀、金属化工艺以及工艺集成等内容。三、教学目标总目标：注重培养学生理论联系实际的能力、确立科学研究的思想方法、创 新能力以及实践能力等，为将来从事微电子、集成电路设计、电子材料及相关学 科的科学研究、工程设计奠定扎实的理论与实践基础。知识目标：重点掌握核心工序及关键制造工艺过程的基本原理，其中包括氧 化、扩散、离子注入、薄膜淀积、光刻、刻蚀、金属化工艺以及工艺集成等内容能力目标：注重培养学生理论联系实际的能

3、力、确立科学研究的思想方法、 创新能力以及实践能力。素质目标：为将来从事微电子、集成电路设计、电子材料及相关学科的科学 研究、工程设计奠定扎实的理论与实践基础。四、教学内容及学时分配第0章绪论（2学时）0.1何谓集成电路工艺0.2集成电路制造技术发展历程0.3集成电路制造技术特点第1章单晶硅特性（2学时）硅晶体的结构特点硅晶体缺陷1.1 硅晶体中的杂质第2章硅片的制备（2学时）多晶硅的制备单晶硅生长2.1 切制硅片第3章外延（4学时）概述气相外延3.1 分子束外延其他外延方法外延缺陷与外延层检测第4章热氧化（4学时）4.1 二氧化硅薄膜概述硅的热氧化初始氧化阶段及薄氧化层制备热氧化过程中杂质的

4、再分布4.2 氧化层的质量及检测其他氧化方法第5章扩散（5学时）扩散机构5.1 晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程杂质的扩散掺杂热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素扩散工艺条件与方法5.2 扩散工艺质量与检测扩散工艺的发展第6章离子注入（4学时）概述6.1 离子注入原理注入离子在靶中的分布注入损伤退火6.2 离子注入设备与工艺离子注入的其他应用离子注入与热扩散比较及掺杂新技术第7章化学气相淀积（4学时）7.1 CVD概述CVD工艺原理CVD工艺方法二氧化硅薄膜的淀积7.2 氮化硅薄膜淀积多晶硅薄膜的淀积CVD金属及金属化合物薄膜第8章物理气相淀积（4学时）8.1 PVD概述真空系统及真空的获得

5、真空蒸镀溅射第9章光刻工艺（4学时）概述基本光刻工艺流程光刻技术中的常见问题第10章光刻技术（4学时）光刻掩模版的制造光刻胶光学分辨率增强技术10.1 紫外光曝光技术其他曝光技术光刻设备第11章刻蚀技术（4学时）11.1 概述湿法刻蚀干法刻蚀刻蚀技术新进展第12章工艺集成（4学时）金属化与多层互连CMOS集成电路工艺双极型集成电路工艺第13章工艺监控（2学时）概述实时监控工艺检测片13.1 集成结构测试图形第14章封装与测试（2学时）芯片封装技术集成电路测试技术五、考核及成绩评定方式（请明确说明教学过程考核方式和期末考核方式，各项考核成绩占课程总成绩的比例，原则上平时成绩比重不低于50%o）六、教材及参考书目:序号考核方式成绩比重（）1平时成绩502期末考试（闭卷）50合计100类别教材名称编者出版社出版时间教材硅集成电路工艺基础关旭东北京大学2003.10现代集成电路制造工艺原理李惠军山东大学出版社，2006.12参考书半导体集成电路制造技术张亚飞等高等教育出版社2006. 6集成电路制造工艺史小波；曹燕编 著电子工业出版社2007. 09撰写人： 审核人： 制定时间: