第九章-单晶硅制备-直拉法优秀PPT.ppt

《第九章-单晶硅制备-直拉法优秀PPT.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《第九章-单晶硅制备-直拉法优秀PPT.ppt（82页珍藏版）》请在得力文库 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、直拉生长工艺直拉生长工艺 p直拉法又称直拉法又称CzCz法，目前，法，目前，98%98%的电子元件都是用硅的电子元件都是用硅材料制作的，其中约材料制作的，其中约85%85%是用直拉硅单晶制作的。是用直拉硅单晶制作的。直拉硅单晶由于具有较高的氧含量，机械强度比直拉硅单晶由于具有较高的氧含量，机械强度比FzFz硅单晶大，在制电子器件过程申不简洁形变。硅单晶大，在制电子器件过程申不简洁形变。由于它的生长是把硅熔融在石英坩埚中，而渐渐由于它的生长是把硅熔融在石英坩埚中，而渐渐拉制出的，其直径简洁做得大。目前直径拉制出的，其直径简洁做得大。目前直径300mm300mm的的硅单晶己商品化，直径硅单晶己商品

2、化，直径450mm450mm的硅单晶已试制成功，的硅单晶已试制成功，直径的增大，有利于降低电子元器件的单位成本。直径的增大，有利于降低电子元器件的单位成本。1 1、CZCZ基本原理基本原理 在熔化的硅熔液中插入有确定晶向的籽晶，通过引细晶消退原生位错，利用结晶前沿的过冷度驱动硅原子按依次排列在固液界面的硅固体上，形成单晶。固液界面过冷度固液界面过冷度2 CZ2 CZ基本工艺基本工艺CZ过过程程须须要惰性气体要惰性气体爱护爱护！现现有的有的CZ都接受都接受氩氩气气氛减气气氛减压压拉晶。拉晶。利用通入惰性气体利用通入惰性气体氩氩气，气，结结合真空合真空泵泵的抽的抽气，形成一个减气，形成一个减压压气

3、氛下的气氛下的氩氩气流淌。气流淌。氩氩气流气流带带走高温熔融硅走高温熔融硅挥发挥发的氧化物，以防的氧化物，以防止氧化物止氧化物颗颗粒掉粒掉进进硅熔液，硅熔液，进进而运而运动动到固到固液界面，破坏液界面，破坏单单晶原子排列的一晶原子排列的一样样性。性。拉晶过程中的爱护气流拉晶过程中的爱护气流2 2、利用热场形成温度梯度利用热场形成温度梯度 热场是由高纯石墨部件和保温材料（碳毡）组成。热场是由高纯石墨部件和保温材料（碳毡）组成。单晶热场温度分布单晶热场温度分布 石墨加热器：产生热量，熔化多石墨加热器：产生热量，熔化多晶硅原料，晶硅原料，并保持熔融硅状态；并保持熔融硅状态；石墨部件：形成氩气流道，并

4、隔石墨部件：形成氩气流道，并隔离开保温材料；离开保温材料；保温材料：保持热量，为硅熔液保温材料：保持热量，为硅熔液供应合适的温度梯度。供应合适的温度梯度。3 3 单单晶炉供晶炉供应应减减压压气氛气氛爱护爱护、机械运、机械运动动和自和自动动限制系限制系统统 减压气氛爱护：减压气氛爱护：通过上炉筒、副室、炉通过上炉筒、副室、炉 盖、主炉盖、主炉室和下炉室形成减压气氛室和下炉室形成减压气氛 保持系统。保持系统。机械运动：机械运动：通过提拉头和坩埚运动系统供应通过提拉头和坩埚运动系统供应晶转、晶升、埚转、埚升系统。晶转、晶升、埚转、埚升系统。自动限制系统自动限制系统 通过相机测径、测温孔测温、自通过相

5、机测径、测温孔测温、自动柜限制组成单晶拉制自动限制系统。动柜限制组成单晶拉制自动限制系统。直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺 CzCz法的基本设备法的基本设备 cz cz法的基本设备有法的基本设备有:炉体、晶体及坩埚的升降和传动部炉体、晶体及坩埚的升降和传动部分、电器限制部分和气体制部分，此外还有热场的配置。分、电器限制部分和气体制部分，此外还有热场的配置。(1)(1)炉体：炉体接受夹层水冷式的不锈钢炉壁，上下炉室用炉体：炉体接受夹层水冷式的不锈钢炉壁，上下炉室用隔离阀隔开，上炉室为生长完成后的晶棒停留室，下炉室隔离阀隔开，上炉室为生长完成后的晶棒停留室，下炉室为单晶生长室，其中

6、配有热场系统。为单晶生长室，其中配有热场系统。1提拉提拉头头：晶升、晶晶升、晶转转系系统统，磁流体系，磁流体系统统等；等；2上炉筒：上炉筒：供供应应晶棒上升空晶棒上升空间间；3副室：副室：提肩装籽晶提肩装籽晶掺杂掺杂等的操作空等的操作空间间；4炉盖：炉盖：主炉室向副室的主炉室向副室的缩缩径；径；5主炉室：主炉室：供供应热场应热场和硅熔液的空和硅熔液的空间间；6下炉室：下炉室：供供应应排气口和排气口和电电极穿孔等；极穿孔等；单晶炉结构单晶炉结构8上炉筒提升系上炉筒提升系统统：液液压压装置，用于上炉筒提升；装置，用于上炉筒提升；9梯子：梯子：攀登炉攀登炉顶顶，检查检查修理提拉修理提拉头头等；等；1

7、0视视察窗：察窗：视视察炉内的察炉内的实际实际拉晶状拉晶状态态；11测测温孔：温孔：测测量量对应对应的保温筒外的温度；的保温筒外的温度；12排气口：排气口：氩氩气的出口，气的出口，连连接真空接真空泵泵；13坩坩埚埚升降系升降系统统：坩坩埚埚升降旋升降旋转转系系统统等；等；14冷却水管冷却水管组组：供供应应冷却水的安排。冷却水的安排。直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺 (2)(2)晶体及坩埚的转动及提升部分：晶体及坩埚的转动及提升部分：晶升：通过籽晶提升系统把凝固的固体向上升，保持晶体确定的直径。晶升：通过籽晶提升系统把凝固的固体向上升，保持晶体确定的直径。埚升：通过坩埚升降系统，

8、把硅熔液的液面限制在一个位置埚升：通过坩埚升降系统，把硅熔液的液面限制在一个位置 晶转和埚转：抑制熔液的热对流，为单晶生长供应稳定热系统。晶转和埚转晶转和埚转：抑制熔液的热对流，为单晶生长供应稳定热系统。晶转和埚转的方向必需相反的方向必需相反 直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺 (3)限制部分：限制部分是用以晶体生长中限制各种参数的电控限制部分：限制部分是用以晶体生长中限制各种参数的电控系统，直径限制器通过系统，直径限制器通过CCD读取晶体直径读取晶体直径;并将读数送至限制并将读数送至限制系统。系统。(4)气体限制部分：主要限制炉内压力和气体流量，炉内压力气体限制部分：主要限制炉

9、内压力和气体流量，炉内压力-般为般为10-20torr(毫米汞柱，毫米汞柱，ltorr=133.322Pa),Ar流量一般为流量一般为60-150slpm(标升标升/分分)。直径自动限制直径自动限制 如何得到直径信号？如何得到直径信号？弯月面与亮环弯月面与亮环 自动限制中，一般用光学传感器取得自动限制中，一般用光学传感器取得弯月面的辐射信号作为直径信号。弯月面的辐射信号作为直径信号。什么是弯月面？什么是弯月面？如左图所示，在生长界面的周界旁边，如左图所示，在生长界面的周界旁边，熔体自由表面呈空间曲面，称弯月面。它熔体自由表面呈空间曲面，称弯月面。它可以反射坩埚壁等热辐射，从而形成高亮可以反射坩

10、埚壁等热辐射，从而形成高亮度的光环。度的光环。直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺 (5）热场配置热场配置热场包括石英坩埚、石墨坩埚、加热器、保温层热场包括石英坩埚、石墨坩埚、加热器、保温层等。等。石英坩埚内层一般须涂一层高纯度的石英坩埚内层一般须涂一层高纯度的SiO2，以削，以削减一般石英中的杂质对熔硅的污染。由于石英减一般石英中的杂质对熔硅的污染。由于石英在在1420时会软化，将石英坩埚置于石墨坩埚时会软化，将石英坩埚置于石墨坩埚之中，由石墨坩埚支撑着。之中，由石墨坩埚支撑着。石墨坩埚石墨坩埚单单个个三三瓣瓣埚和埚和埚底埚底三瓣埚组合后三瓣埚组合后单个三瓣埚单个三瓣埚单单个个三

11、三瓣瓣埚和埚和埚底埚底及中及中轴轴 左图为石墨加热器三维图。左图为石墨加热器三维图。上图为加热器脚的连接方式。加热器上图为加热器脚的连接方式。加热器脚和石墨螺丝、石墨电极间须要垫石墨纸，脚和石墨螺丝、石墨电极间须要垫石墨纸，目的是为了更加良性接触，防止打火。目的是为了更加良性接触，防止打火。加热器加热器1 1、硅的基本性质、硅的基本性质金刚石晶胞结构金刚石晶胞结构重要的原、辅料重要的原、辅料原生纯多晶原生纯多晶单晶边皮和头尾单晶边皮和头尾料状纯多晶料状纯多晶埚底料埚底料硅片硅片 西门子法、改良西门子法和流西门子法、改良西门子法和流化床法生产的纯多晶，太阳能级化床法生产的纯多晶，太阳能级纯多晶要

12、求纯度纯多晶要求纯度99.9999%99.9999%以上。以上。单晶的头尾；单晶的头尾；圆棒切成方棒而圆棒切成方棒而产生的边角。产生的边角。单晶生产最终单晶生产最终剩余在坩埚中的剩余在坩埚中的原料。杂质较多。原料。杂质较多。切片及以后的工切片及以后的工序中产生的废片。序中产生的废片。其它原料其它原料2 2、原料、原料3 3 、籽晶、籽晶 按截面分为：圆形和方形；按截面分为：圆形和方形；按晶向分为：按晶向分为：111111110110100100；按夹头分为：大小头和插销。按夹头分为：大小头和插销。留意事项：籽晶严禁玷污和磕碰；晶向确定要符合要求；安装时确定要装正。插销型籽晶：插销型籽晶：通过插

13、销固通过插销固定籽晶。定籽晶。大小头籽晶：通大小头籽晶：通过大小头处变径过大小头处变径固定籽晶。固定籽晶。单晶炉拉晶籽晶4 4、石英坩埚石英坩埚 主要检查事项：主要检查事项：1 1未熔物；未熔物；2 2白点和白色附着物；白点和白色附着物；3 3杂质（包括黑点）；杂质（包括黑点）；4 4划伤和裂纹；划伤和裂纹；5 5气泡；气泡；6 6凹坑和凸起；凹坑和凸起；7 7坩埚重量。坩埚重量。两个检查步骤两个检查步骤 用单晶炉拉制单晶硅时，须要给单晶炉内通入高纯氩气作为爱护用单晶炉拉制单晶硅时，须要给单晶炉内通入高纯氩气作为爱护气体。假如氩气的纯度不高，含有水、氧等其他杂质，会影响单晶生气体。假如氩气的纯

14、度不高，含有水、氧等其他杂质，会影响单晶生产，严峻时无法拉制单晶。产，严峻时无法拉制单晶。5 5、氩气氩气 检测设备：氩气露点、氧含量便携检测仪检测设备：氩气露点、氧含量便携检测仪 6 6、保温材料保温材料软毡软毡 保温材料一般为固化毡和软毡。保温材料一般为固化毡和软毡。固化毡：成本较高，加工周期长，但搬运便利。固化毡：成本较高，加工周期长，但搬运便利。软软 毡：造型可以随意变更，运用广泛。毡：造型可以随意变更，运用广泛。CZCZ各生各生产环节产环节及留意事及留意事项项单晶基本作业流程单晶基本作业流程拆炉、清扫安装热场装料化料收尾等径放肩转肩引晶稳定冷却 直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺直

15、拉生长工艺 （1）原料的准备）原料的准备还炉中取出的多晶硅，经裂开成块状，用还炉中取出的多晶硅，经裂开成块状，用HF和和HNO3的混合的混合溶液进行腐蚀，再用纯净水进行清洗，直到中性，烘干后溶液进行腐蚀，再用纯净水进行清洗，直到中性，烘干后备用。备用。HF浓度浓度40%，HNO3浓度为浓度为68%。一般。一般HNO3：HF=5：1(体积比体积比)。最终再作适当调整。反应式。最终再作适当调整。反应式Si+2HNO3=SiO2+2HNO22HNO2=NO+NO2+H2OSiO2+6HF=H2SiF6+2H2O综合反应式综合反应式 Si+2HNO36HF=H2SiF6+NO2+3H2O 直拉生长工艺

16、直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺 p腐蚀清洗的目的是除去运输和硅块加工中，在硅料表面留下腐蚀清洗的目的是除去运输和硅块加工中，在硅料表面留下的污染物。的污染物。pHNO3HNO3比例偏大有利于氧化，比例偏大有利于氧化，HF HF的比例偏大有利于的比例偏大有利于SiO2SiO2的剥离，的剥离，若若HFHF的比例偏小，就有可能在硅料表面残留的比例偏小，就有可能在硅料表面残留SiO2SiO2，所以限制，所以限制好好HNO3HNO3和和HFHF的比例是很重要的。的比例是很重要的。p腐蚀清洗前必需将附在硅原料上的石墨、石英渣及油污等清腐蚀清洗前必需将附在硅原料上的石墨、石英渣及油污等清除干净。除干净

17、。p石英坩埚若为已清洁处理的免洗坩埚，则拆封后就可运用。石英坩埚若为已清洁处理的免洗坩埚，则拆封后就可运用。p所用的籽晶也必需经过腐蚀清洗后才能运用。所用的籽晶也必需经过腐蚀清洗后才能运用。直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺 装炉装炉选定与生产产品相同型号、晶向的籽晶，把它固定在籽晶轴选定与生产产品相同型号、晶向的籽晶，把它固定在籽晶轴上。上。将石英坩埚放置在石墨坩埚中。将石英坩埚放置在石墨坩埚中。将硅块料及所需掺入的杂质料放人石英坩埚中。将硅块料及所需掺入的杂质料放人石英坩埚中。装炉时应留意：热场各部件要垂直、对中，从内到外、从下装炉时应留意：热场各部件要垂直、对中，从内到外、

18、从下到上逐一对中，对中时决不行使加热器变形。到上逐一对中，对中时决不行使加热器变形。4 4、装料装料装料基本步骤装料基本步骤底部铺碎料底部铺碎料大块料铺一层大块料铺一层用边角或小块料填缝用边角或小块料填缝装一些大一点的料装一些大一点的料最上面的料和坩埚最上面的料和坩埚点接触，防止挂边点接触，防止挂边严禁出现大块料严禁出现大块料挤坩埚状况挤坩埚状况 直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺 抽空抽空 装完炉后，将炉子封闭，启动机械真空泵抽空。装完炉后，将炉子封闭，启动机械真空泵抽空。加热熔化加热熔化待真空达到待真空达到1Pa左右检漏，通入氩气，使炉内压力保持在左右检漏，通入氩气，使炉内压

19、力保持在15torr左右，然后开启电源向石墨加热器送电，加热至左右，然后开启电源向石墨加热器送电，加热至1420以上，将硅原料熔化。以上，将硅原料熔化。熔料时温度不行过高也不行太低，太低熔化时间加长，影响熔料时温度不行过高也不行太低，太低熔化时间加长，影响生产效率，过高则加剧了生产效率，过高则加剧了Si与石英坩埚的反应，增加石英与石英坩埚的反应，增加石英中的杂质进入熔硅，太高甚至发生喷硅。中的杂质进入熔硅，太高甚至发生喷硅。化料中要随时视察是否有硅料挂边、搭桥等不正常现象，若化料中要随时视察是否有硅料挂边、搭桥等不正常现象，若有就必需刚好加以处理。有就必需刚好加以处理。1.melting 2.

20、temperature stabilisation 3.accretion of seed crystal 4.pulling the neck of the crystal 5.growth of shoulder 6.growth of body 晶颈生长晶颈生长 硅料熔化完后，将加热功率降至引晶位置，坩埚也置于硅料熔化完后，将加热功率降至引晶位置，坩埚也置于引晶位置，稳定之后将晶种降至与熔硅接触并充分熔引晶位置，稳定之后将晶种降至与熔硅接触并充分熔接后，拉制细颈。接后，拉制细颈。籽晶在加工过程中会产生损伤，这些损伤在拉晶中就会籽晶在加工过程中会产生损伤，这些损伤在拉晶中就会产生位错，在晶

21、种熔接时也会产生位错产生位错，在晶种熔接时也会产生位错拉制细颈就是要让籽晶中的位错从细颈的表面滑移出来拉制细颈就是要让籽晶中的位错从细颈的表面滑移出来加以消退，而使单晶体为无位错。加以消退，而使单晶体为无位错。直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺 引晶的主要作用是为了消退位错。全自动单晶炉接受自动引晶。假如特殊状况须要手动引晶，则要求：细晶长度大于150mm，直径4mm左右，拉速2-5mm/min 晶颈生长晶颈生长 引晶埚位的确定：引晶埚位的确定：对一个新的热场来说，一下就找准较志向的结晶埚对一个新的热场来说，一下就找准较志向的结晶埚位是较难的。位是较难的。埚位偏低，热惰性大，温度

22、反应慢，想放大许久放不出埚位偏低，热惰性大，温度反应慢，想放大许久放不出来，想缩小许久不见收；埚位偏高，热惰性小，不易限来，想缩小许久不见收；埚位偏高，热惰性小，不易限制；埚位适当，缩颈、放肩都好操作。制；埚位适当，缩颈、放肩都好操作。不同的热场或同一热场拉制不同品种的产品，埚位都可不同的热场或同一热场拉制不同品种的产品，埚位都可能不同。热场运用一段时间后，由于能不同。热场运用一段时间后，由于COCO等的吸附，热场等的吸附，热场性能将会变更，埚位也应做一些调整。性能将会变更，埚位也应做一些调整。直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺 晶颈生长晶颈生长 引晶温度的推断：引晶温度的推断：

23、在在1400熔硅与石英反应生成熔硅与石英反应生成SiO，可借助其反应速率即，可借助其反应速率即SiO排放的速率来推断熔硅的温度。排放的速率来推断熔硅的温度。具体来讲，就是视察坩埚壁处液面的起伏状况来推断熔具体来讲，就是视察坩埚壁处液面的起伏状况来推断熔硅的温度。硅的温度。温度偏高，液体频繁地爬上埚壁又急剧下落，埚边液面温度偏高，液体频繁地爬上埚壁又急剧下落，埚边液面起伏猛烈；起伏猛烈；温度偏低，埚边液面较安静，起伏很微；温度偏低，埚边液面较安静，起伏很微；温度适当，埚边液面缓慢爬上埚壁又缓慢下落。温度适当，埚边液面缓慢爬上埚壁又缓慢下落。直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺 温度偏

24、高 温度偏低 温度合适熔接时熔硅不同温度示意图 晶颈生长晶颈生长 在温度适当的状况下稳定几分钟后就可将籽晶插入进在温度适当的状况下稳定几分钟后就可将籽晶插入进行熔接。行熔接。液体温度偏高，籽晶与硅液一接触，立刻出现光圈，亮液体温度偏高，籽晶与硅液一接触，立刻出现光圈，亮而粗，液面掉起很高，光圈抖动，甚至熔断；而粗，液面掉起很高，光圈抖动，甚至熔断；液体温度偏低，籽晶与硅液接触后，不出现光圈或许久液体温度偏低，籽晶与硅液接触后，不出现光圈或许久后只出现一个不完整的光圈，甚至籽晶不仅不熔接，后只出现一个不完整的光圈，甚至籽晶不仅不熔接，反而结晶长大；反而结晶长大；液体温度适中，籽晶与硅液接触后，光

25、圈渐渐出现，渐液体温度适中，籽晶与硅液接触后，光圈渐渐出现，渐渐从后面围过来成一宽度适当的完整光圈，待稳定后渐从后面围过来成一宽度适当的完整光圈，待稳定后便可降温引晶了。便可降温引晶了。直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺 晶颈生长晶颈生长 晶颈直径的大小，要依据所生产的单晶的重量确定，其晶颈直径的大小，要依据所生产的单晶的重量确定，其阅历公式为阅历公式为 d=1.60810-3DL12 d为晶颈直径；为晶颈直径；D为晶体直径；为晶体直径；L为晶体长度，为晶体长度，cm。目前，投料量目前，投料量6090kg，晶颈直径为，晶颈直径为46mm。晶颈较志向的形态是：表面平滑，从上至下直径

26、微收或晶颈较志向的形态是：表面平滑，从上至下直径微收或等径，有利于位错的消退。等径，有利于位错的消退。直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺 放肩 晶颈生长完后，降低温度和拉速，使晶体直径渐渐增大到所需的大小，称为放肩。放肩角度必需适当，角度太小，影响生产效率，而且因晶冠部分较长，晶体实收率低。一般接受平放肩(150左右)，但角度又不能太大，太大简洁造成熔体过冷，严峻时将产生位错和位错增殖，甚至变为多晶。直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺 等径生长等径生长 晶体放肩到接近所需直径晶体放肩到接近所需直径(与所需直径差与所需直径差10mm左右左右)后，后，升温升拉速进行转肩

27、生长。升温升拉速进行转肩生长。转肩完后，调整拉速和温度，使晶体直径偏差维持在转肩完后，调整拉速和温度，使晶体直径偏差维持在2mm范围内等径生长。这部分就是产品部分，它的范围内等径生长。这部分就是产品部分，它的质量的好坏，确定着产品的品质。质量的好坏，确定着产品的品质。热场的配置、拉晶的速率、晶体和坩埚的转速、气体的热场的配置、拉晶的速率、晶体和坩埚的转速、气体的流量及方向等，对晶体的品质都有影响。这部分生长流量及方向等，对晶体的品质都有影响。这部分生长一般都在自动限制状态下进行，要维持无位错生长究一般都在自动限制状态下进行，要维持无位错生长究竟，就必需设定一个合理的控温曲线竟，就必需设定一个合

28、理的控温曲线(事实上是功率限事实上是功率限制曲线制曲线)。直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺 适当地降低拉速将有利于维持晶体的无位错生长。适当地降低拉速将有利于维持晶体的无位错生长。熔体的对流对固液界面的形态会造成干脆的影响，而且熔体的对流对固液界面的形态会造成干脆的影响，而且还会影响杂质的分布。还会影响杂质的分布。总的说来，自然对流、晶体提升引起的对流不利于杂质总的说来，自然对流、晶体提升引起的对流不利于杂质的匀整分布；的匀整分布；晶体和坩埚的转动有利于杂质的匀整分布，但转速太快晶体和坩埚的转动有利于杂质的匀整分布，但转速太快会产生紊流，既不利于无位错生长也不利于杂质的匀整会产

29、生紊流，既不利于无位错生长也不利于杂质的匀整分布分布 直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺 熔体对流收尾收尾晶体等径生长完毕后，假如马上将晶体与熔液分别，热晶体等径生长完毕后，假如马上将晶体与熔液分别，热应力将使晶体产生位错排和滑移线，并向晶体上部延应力将使晶体产生位错排和滑移线，并向晶体上部延长，其延长长度可达晶体直径的一倍以上。长，其延长长度可达晶体直径的一倍以上。为避开这种状况发生，必需将晶体的直径渐渐缩小，直为避开这种状况发生，必需将晶体的直径渐渐缩小，直到接近一尖点才与液面分别，这一过程称为收尾。收到接近一尖点才与液面分别，这一过程称为收尾。收尾是提高产品实收率的重要步骤

30、，切不行忽视。尾是提高产品实收率的重要步骤，切不行忽视。此后，将生长的晶体升至副炉室中，待冷却后拆炉。这此后，将生长的晶体升至副炉室中，待冷却后拆炉。这样，便完成了单晶生长的一个周期。样，便完成了单晶生长的一个周期。直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺直拉生长工艺 我国硅单晶生产设备发展状况国内硅的单晶炉主要生产厂家1 1）埚位埚位 什么是埚位：导流筒下沿和液面的距离。在CZ等径过程中，要求硅熔液的液面位置不变。距离一般为15-20mm。如何推断埚位：视察导流筒下沿和它在熔液中倒影的距离。有确定阅历的人才能正确地推断埚位的凹凸。为什么会出现埚位异样：晶体直径偏大或小，或埚跟比/随动比不合适。如

31、何处理埚位异样：1确认一下晶体直径；2确认埚跟比/随动比参数；3假如以上都在正常范围内，报告工程师或主管，确认是否坩埚传动机械问题。2 2）晶棒晃动晶棒晃动 晶棒晃动：晶棒的中心没有在熔液的中心，显示出在熔液中摇摆。可能缘由：1埚位太高；2上下对中或水平有问题；3提拉头动平衡有问题 如何处理：依据实际状况，报告主管或工程师，适当降低晶转和埚转，停炉之后检查对中、水平状况和提拉头动平衡。3 3）晶棒扭曲晶棒扭曲 晶棒扭曲：晶棒不直，出现S形。缘由：1 熔液径向温度低；2 上下对中和水平有问题；3 埚位太低；4 氩气流不匀整；5 籽晶阻尼套问题。出现扭曲一般如何处理：视察扭曲程度，适当提高埚位。假

32、如扭曲较严峻，退出自动，手动拉晶：适当降低拉速，增加补温，并使直径适当变大，待扭曲状况改善后把直径变回正常，重新进入自动。待停炉之后查找扭曲根本缘由！4 4）CCDCCD状态状态 操作工须要常常查看CCD状态，视察相机工作是否正常，且相机取样范围须要有确定的余量，以防止晶棒出现晃动和扭曲时相机失控。等径时的等径时的CCD取像取像5 5 ）真空状态）真空状态 CZ过程炉内的压强一般在12-20Torr，全自动炉会依据设定压强，自动调整真空蝶阀开度，使炉内真实压强接近于设定值。6 6 ）冷却水状态）冷却水状态 冷却水对单晶炉的正常运行起着特别重要的作用。各单晶炉都有冷却水异样报警，但员工还须要常常

33、用手试炉子法兰处的温度，一旦出现异样，刚好报告给单晶设备。7 7）单晶是否断棱单晶是否断棱 即使是全自动单晶炉，也不会出现断棱的报警，因此，操作工须要常常视察单晶状况，一旦发觉出现断棱，刚好依据作业指导书要求操作。什么是断棱？单晶会有四条轴对称的“棱线”，在生长过程中，一旦四条中的一条或几条棱线消逝，也就意味着单晶变成了多晶，CZ过程失败，称为单晶断棱。1010 、收尾、收尾 收尾的作用是在长晶的最终阶段防止热冲击造成单晶等径部分出现滑移线而进行的逐步缩小直径过程。晶体等径生长完毕后，假如马上将晶体与熔液分别，热应力将使晶体产生位错排和滑移线，并向晶体上部延长，其延长长度可达晶体直径的一倍以上

34、。为避开这种状况发生，必需将晶体的直径渐渐缩小，直到接近一尖点才与液面分别，这一过程称为收尾。收尾是提高产品实收率的重要步骤，切不行忽视。此后，将生长的晶体升至副炉室中，待冷却后拆炉。这样，便完成了单晶生长的一个周期。单晶棒（右端锥形为收尾的形态）单晶棒（右端锥形为收尾的形态）1111、冷却和拆炉冷却和拆炉 停炉之后，必需按作业指导书的规定冷却确定时间，然后进行取棒和开炉操作。留意事项：取棒的动作确定要稳，防止籽晶突然断裂；开炉后晶棒和石墨部件的温度还比较高，当心烫伤；剪断籽晶时确定要确保晶棒落实，并且一手按住重锤，防止籽晶线向上跳动而脱槽；剪籽晶后的断面须磨平，以防伤人。热场部件轻拿轻放。双

35、层热场车双层热场车取导流筒工具取导流筒工具取石墨坩埚工具取石墨坩埚工具拧加热器螺丝工具拧加热器螺丝工具取加热器工具取加热器工具 小结小结 CZ法原理，所涉及到的主要法原理，所涉及到的主要设备设备、原、原辅辅料；料；CZ的流程，主要工序、操作概要及留意事的流程，主要工序、操作概要及留意事项项。4.2 4.2 悬浮区熔生长工艺悬浮区熔生长工艺p 区熔法区熔法(Zone meltng method)又称又称Fz 法法(Float-Zone method)，即悬浮区熔法，于，即悬浮区熔法，于1953 年由年由Keck 和和Golay 两两人将此法用在生长硅单晶上。人将此法用在生长硅单晶上。p区熔硅单晶

36、由于在它生产过程申不运用石英坩埚，氧含区熔硅单晶由于在它生产过程申不运用石英坩埚，氧含量和金属杂质含量都远小于直拉硅单晶，因此它主要被量和金属杂质含量都远小于直拉硅单晶，因此它主要被用于制作高反压元件上，如可控硅、整流器等，其区熔用于制作高反压元件上，如可控硅、整流器等，其区熔高阻硅单晶高阻硅单晶(一般电阻率为几千一般电阻率为几千cm以至上万以至上万cm)用用于制作探测器件。于制作探测器件。4.2.1、Fz法的基本设备法的基本设备 Fz硅单晶，是在惰性气体爱护下，用射频加热制取的，它硅单晶，是在惰性气体爱护下，用射频加热制取的，它的基本设备由机械结构、电力供应及协助设施构成。的基本设备由机械结

37、构、电力供应及协助设施构成。机械设备包括机械设备包括:晶体旋转及升降机构，高频线圈与晶棒相对移动的机构，晶体旋转及升降机构，高频线圈与晶棒相对移动的机构，硅棒料的夹持机构等。硅棒料的夹持机构等。电力供应包括电力供应包括:高频电源及其传送电路，各机械运行的限制电路。高频电高频电源及其传送电路，各机械运行的限制电路。高频电源的频率为源的频率为24MHz。协助设施包括协助设施包括:水冷系统和爱护气体供应与限制系统、真空排气系统等。水冷系统和爱护气体供应与限制系统、真空排气系统等。区熔单晶4.2.2区熔硅单晶的生长区熔硅单晶的生长原料的准备原料的准备:将高质量的多晶硅棒料的表面打磨光滑，然将高质量的多

38、晶硅棒料的表面打磨光滑，然后将一端切磨成锥形，再将打磨好的硅料进行腐蚀清后将一端切磨成锥形，再将打磨好的硅料进行腐蚀清洗，除去加工时的表面污染。洗，除去加工时的表面污染。装炉装炉:将腐蚀清洗后的硅棒料安装在射频线圈的上边。将将腐蚀清洗后的硅棒料安装在射频线圈的上边。将准备好的籽晶装在射频线圈的下边。准备好的籽晶装在射频线圈的下边。关上炉门，用真空泵解除空气后，向炉内充入情性气体关上炉门，用真空泵解除空气后，向炉内充入情性气体(氮气或氢与氮的混合气等氮气或氢与氮的混合气等)，使炉内压力略高于大气，使炉内压力略高于大气压力。压力。给射频圈送上高频电力加热，使硅棒底端起先熔化，给射频圈送上高频电力加

39、热，使硅棒底端起先熔化，将棒料下降与籽晶熔接。当溶液与籽晶充分熔接后，将棒料下降与籽晶熔接。当溶液与籽晶充分熔接后，使射频线圈和棒料快速上升，以拉出一瘦长的晶颈，使射频线圈和棒料快速上升，以拉出一瘦长的晶颈，消退位错。消退位错。晶颈拉完后，渐渐地让单晶直径增大到目标大小，此晶颈拉完后，渐渐地让单晶直径增大到目标大小，此阶段称为放肩。放肩完成后，便转入等径生长，直到阶段称为放肩。放肩完成后，便转入等径生长，直到结束。结束。区熔单晶生长的几个问题：熔区内热对流（a）集肤效应，表面温度高，（b）多晶硅棒转速很慢时，与单晶旋转向（c）与单晶旋转反向（d）表面张力引起的流淌（e）射频线圈引起的电磁力在熔

40、区形成的对流（f）生长速率较快时的固液界面区熔单晶生长的几个问题：区熔单晶生长的几个问题：表面张力：悬浮区熔法中熔体之所以可以被支撑在单晶与棒表面张力：悬浮区熔法中熔体之所以可以被支撑在单晶与棒料之间，主要是由于硅熔体表面张力的作用。假设它是料之间，主要是由于硅熔体表面张力的作用。假设它是唯一支撑力，能够维持稳定形态的最大熔区长度唯一支撑力，能够维持稳定形态的最大熔区长度Lm为：为：A=2.623,.41。对硅。对硅 。适用于小直径单晶。适用于小直径单晶。大直径单晶比较困难，依靠阅历确定大直径单晶比较困难，依靠阅历确定区熔单晶生长的几个问题：区熔单晶生长的几个问题：电磁托力：高频电磁场对熔区的

41、形态及稳定性都有确定的影电磁托力：高频电磁场对熔区的形态及稳定性都有确定的影响，尤其当高频线圈内径很小时，影响较大。以至此种响，尤其当高频线圈内径很小时，影响较大。以至此种支撑力在某种程度上能与表面张力相当。晶体直径越大，支撑力在某种程度上能与表面张力相当。晶体直径越大，电磁支撑力的影响就越显著。电磁支撑力的影响就越显著。重力：重力破坏熔区稳定。当重力的作用超过了支撑力作用重力：重力破坏熔区稳定。当重力的作用超过了支撑力作用时，熔区就会发生流垮，限制了区熔单晶的直径。目前时，熔区就会发生流垮，限制了区熔单晶的直径。目前150mm单晶。若无重力影响，单晶。若无重力影响，Fz法理论上可以生长出任法

42、理论上可以生长出任何直径的单晶。何直径的单晶。离心力：由晶体旋转引起，主要影响固液界面的熔体。晶体离心力：由晶体旋转引起，主要影响固液界面的熔体。晶体直径越大，影响愈大。大单晶制备须要用低转速。直径越大，影响愈大。大单晶制备须要用低转速。4.2.3掺杂方法掺杂方法 区熔硅单晶的掺杂方法是多样的。较原始的方法是将区熔硅单晶的掺杂方法是多样的。较原始的方法是将B2O3或或P2O5 的酒精溶液干脆的酒精溶液干脆 涂抹在多晶硅棒料的表面。涂抹在多晶硅棒料的表面。这种方法生产出的单晶硅，电阻率分布极不匀整，且掺这种方法生产出的单晶硅，电阻率分布极不匀整，且掺杂量也杂量也 很难限制。下面介绍几种掺杂方法。

43、很难限制。下面介绍几种掺杂方法。(1)填装法填装法 这种方法较适用于分凝系数较小的杂质，如这种方法较适用于分凝系数较小的杂质，如Ga(分凝系分凝系数为数为0.008)、In(分凝系数分凝系数 为为0.0004)等。这种方法是在原等。这种方法是在原料棒接近圆锥体的部位钻一个小洞，把掺杂原料填塞在料棒接近圆锥体的部位钻一个小洞，把掺杂原料填塞在小洞里，依靠分凝效应使杂质在单晶的轴向分布趋于匀小洞里，依靠分凝效应使杂质在单晶的轴向分布趋于匀整。整。(2)气相掺杂法气相掺杂法 这种掺杂方法是将易挥发这种掺杂方法是将易挥发的的PH3(N型型)或或B2H6(P型型)气体干脆吹入熔区内。这气体干脆吹入熔区内

44、。这是目前最普遍运用的掺杂是目前最普遍运用的掺杂方法之一，所运用的掺杂方法之一，所运用的掺杂气体必需用氧气稀释喷嘴气体必需用氧气稀释喷嘴后，再吹入熔区后，再吹入熔区气相掺杂法 (3)中子嬗变掺杂中子嬗变掺杂(NTD)接受一般掺杂方法。电阻率不匀整率一般为接受一般掺杂方法。电阻率不匀整率一般为1525%。利用利用NTD法，可以制取法，可以制取N型、电阻率分布匀整的型、电阻率分布匀整的FZ硅单晶。它硅单晶。它的电阻率的径向分布的不匀整率可达的电阻率的径向分布的不匀整率可达5%以下。以下。NTD法目前广泛地被接受，它是在核反应堆中进行的。法目前广泛地被接受，它是在核反应堆中进行的。硅有三种稳定性同位

45、素，硅有三种稳定性同位素，28Si占占92.23%，29Si占占 4.67%,30Si占占3.1%。其中。其中30Si俘获一个热中子成为俘获一个热中子成为31Si。31Si极不稳定，极不稳定，释放出一个电子而嬗变为释放出一个电子而嬗变为31P。30Si+n 31Si+r 31Si 31P+e 式中式中 n-热中子，热中子，r-光子，光子，e-电子。电子。31Si的半衰期为的半衰期为2.6h (3)中子嬗变掺杂中子嬗变掺杂(NTD)由于由于30Si在在Si中的分布是特别匀整的，加之热中子对硅而言几中的分布是特别匀整的，加之热中子对硅而言几乎是透亮的，所以乎是透亮的，所以Si中的中的30Si俘获热

46、中子的概率几乎是相同俘获热中子的概率几乎是相同的，因而檀变产生的的，因而檀变产生的31P 在硅中的分布特别匀整，因此电在硅中的分布特别匀整，因此电阻率分布也就特别匀整。阻率分布也就特别匀整。在反应堆中，除热中子外还有大量的快中子，快中子不能被在反应堆中，除热中子外还有大量的快中子，快中子不能被30Si俘获，而快中子将会撞击硅原子使之离开平衡位置。俘获，而快中子将会撞击硅原子使之离开平衡位置。另一方面，在进行核反应过程中，另一方面，在进行核反应过程中，31P大部分也处在晶格的间大部分也处在晶格的间隙位置。间隙隙位置。间隙31P是不具备电活化性的，所以中子辐照后的是不具备电活化性的，所以中子辐照后

47、的Fz硅表观电阻率极高，这不是硅的真实电阻率，须要经过硅表观电阻率极高，这不是硅的真实电阻率，须要经过800C850的热处理，使在中子辐照中受损的晶格得到复的热处理，使在中子辐照中受损的晶格得到复原，这样中子辐照后的硅的真实电阻率才能得到确定。原，这样中子辐照后的硅的真实电阻率才能得到确定。中子嬗变掺杂中子嬗变掺杂(NTD)的缺点：的缺点：生产周期长，中子照射后的单晶必需放置一段时间，使照射后生产周期长，中子照射后的单晶必需放置一段时间，使照射后硅单晶中产生的杂质元素衰减至半衰期后才能再加工，避开硅单晶中产生的杂质元素衰减至半衰期后才能再加工，避开对人体产生辐射对人体产生辐射;增加了生产成木和

48、能源消耗，每公斤硅单晶的中子辐照费用为增加了生产成木和能源消耗，每公斤硅单晶的中子辐照费用为400元，一个中子反应堆消耗的能源相当可观元，一个中子反应堆消耗的能源相当可观;区熔硅单晶的区熔硅单晶的产量受中子照射资源的限制，不能满足市场需求。产量受中子照射资源的限制，不能满足市场需求。中子辐照掺杂低电阻率的单晶特别困难，这种方法只适于制取中子辐照掺杂低电阻率的单晶特别困难，这种方法只适于制取电阻率大于电阻率大于30cm(掺杂浓度为掺杂浓度为l.510l4cm-3)的的N 型产品。型产品。电阻率太低的产品，中子辐照时间太长，成本很高。电阻率太低的产品，中子辐照时间太长，成本很高。p悬浮区熔工艺：为

49、了防止由于熔体与坩埚材料的化学悬浮区熔工艺：为了防止由于熔体与坩埚材料的化学反应造成的玷污，而发展了无坩埚直拉工艺，这种工反应造成的玷污，而发展了无坩埚直拉工艺，这种工艺对拉制硅单晶尤其合适。艺对拉制硅单晶尤其合适。p一根垂直安装并能旋转的多晶硅棒，利用水冷射频感一根垂直安装并能旋转的多晶硅棒，利用水冷射频感应线圈使棒的下端熔化。以低阻硅可以干脆加热熔化，应线圈使棒的下端熔化。以低阻硅可以干脆加热熔化，但对高阻材料硅则必需用其它方法使棒预热。但对高阻材料硅则必需用其它方法使棒预热。p因为硅密度低因为硅密度低(2.42g/cm3)(2.42g/cm3)、表面张力大、表面张力大(720(720达因

50、达因/厘厘米米)，加上高频电场产生的悬浮力的作用支撑着熔融硅，加上高频电场产生的悬浮力的作用支撑着熔融硅，使之与硅棒牢牢地粘附在一起。然后，把一根经过定使之与硅棒牢牢地粘附在一起。然后，把一根经过定向的籽晶使其绕垂直轴旋转并从下面插入熔体中，象向的籽晶使其绕垂直轴旋转并从下面插入熔体中，象直拉工艺所接受的方法一样，渐渐向下抽拉籽晶，于直拉工艺所接受的方法一样，渐渐向下抽拉籽晶，于是单晶就生长出来了。是单晶就生长出来了。p为了保持熔体与高频感应线圈的相对位置固定不变，为了保持熔体与高频感应线圈的相对位置固定不变，多晶棒也要向下移动。也可使高频感应线圈向上移动多晶棒也要向下移动。也可使高频感应线圈