复旦大学微电子882半导体器件原理完整版.pdf

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1、一选择题。pn结耗尽层宽度主要取决于：B：p区浓度：n区的浓度：p区和 n 区的浓度。二极管正向阈值电压f：b：随温度升高而升高：随温度升高而下降：不随温度变化。pn结隧穿电压比雪崩击穿电压：B：来得大：来得小：在同一数量级上。双极型晶体管共基极连接：只有电流放大作用：既有电流放大作用又有电压放大作用：无电流放大有电压放大。晶体管基区运输系数主要决定于：c：基区浓度：基区电阻率和基区少子寿命：基区宽度和基区少子扩散长度。npn 平面晶体管发射效率与发射区浓度关系；C：发射区浓度越高发射效率越高：发射区电阻率越高发射率越高：发射区浓度不能太高否则发射率反而下降。电子迁移率等于，温度下其扩散系数为

2、：B：。题目给出 mos结构的 scs关系图，要求判断其衬底是什么型（n 型，p型，中性）理想的 mos结构关系图与实际的关系图的差别是：只有 p 型时，向负方向平移一段距离：n型时向正方向平移一段距离：向负方向平移一段距离，与类型无关mos管缓变沟道近似是指：垂直与沟道方向电场和沿沟道方向电场变化很慢：沿沟道方向的电场变化很慢：沿沟道方向的电场很小mos工作时的沟道夹断点电压dsat：与栅电压 gs 无关：在长沟道与短沟道是不同：始终等于 gstnos 管体电荷变化效应是指；：衬源偏压 bs 对阈值电压t 的影响：沟道耗尽层受栅压 gs 影响而对电流 ds 影响：沟道耗尽层受栅压漏源电压ds

3、 影响而对电流 ds 影响mos亚阈值电流的主要特征：具体选项没记下，主要是电流随gs 指数变化，当 ds 大于q 时电流与ds 关系不大nos 管短沟道效应是指：选项没有记下控制 cmos倒相管 latch up 最有效的方法：提高沟道电场：等比率缩小器件：增大衬底电阻二名词解析试说明迁移率的定义是什么？其量纲是什么？试说明 mos管沟道长度调变效应及其影响试说明 mos管有放大作用的基本原理试说明 mos管的频率特性和其基本参数的关系试说明如何降低n 沟道 mos集成倒相器静态工作时的功耗三计算题有一个 n 沟道 mos场效应管，衬底浓度 a（cm），氧化层厚度oxnm，氧化层中正电荷密度

4、 ss（cm），金属的功函数m ev，硅的电子亲和势为ev试求该管的阈值电压 t，它是什么型？在gv，dsv时，它工作在什么区？（注：其他的所有常数都没有给出）器件题目：一 单项选择题5*12（部分选项可能与实题有出入）1.在 P正-N 结中 耗尽层的宽度取决于A.NaB.NdC.Na和 Nd2.在二极管中，正向阈值电压Vf 和温度的关系是A.Vf 随温度升高而上升B.Vf 随温度升高而下降C.Vf 不随温度变化3.二极管中的隧道击穿电压和齐纳击穿电压相比A.隧道击穿电压高B.齐纳击穿电压高C.两个击穿电压在一个数量级之上4.P 正-N 结中，势垒电容的大小取决于aA.NaB.NdC.Na和

5、Nd5.双极型 p-n-p 晶体管中，发射区掺杂浓度和发射效率的关系是文档编码:CL4H5H5A3H2 HW1U9F10F8L4 ZT7F6O7U9J2文档编码:CL4H5H5A3H2 HW1U9F10F8L4 ZT7F6O7U9J2文档编码:CL4H5H5A3H2 HW1U9F10F8L4 ZT7F6O7U9J2文档编码:CL4H5H5A3H2 HW1U9F10F8L4 ZT7F6O7U9J2文档编码:CL4H5H5A3H2 HW1U9F10F8L4 ZT7F6O7U9J2文档编码:CL4H5H5A3H2 HW1U9F10F8L4 ZT7F6O7U9J2文档编码:CL4H5H5A3H2 HW

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11、编码:CL4H5H5A3H2 HW1U9F10F8L4 ZT7F6O7U9J2文档编码:CL4H5H5A3H2 HW1U9F10F8L4 ZT7F6O7U9J2文档编码:CL4H5H5A3H2 HW1U9F10F8L4 ZT7F6O7U9J2文档编码:CL4H5H5A3H2 HW1U9F10F8L4 ZT7F6O7U9J2文档编码:CL4H5H5A3H2 HW1U9F10F8L4 ZT7F6O7U9J2A.掺杂浓度越高，发射效率越高B.掺杂浓度和发射效率没有关系C.掺杂浓度并非越高越好，过高反而会降低发射效率6.在双极型晶体管中，使用Ge-Si 基区的目的是（选项记不清了）A.提高发射效率并且

12、降低基区电阻B.提高基区输运系数C.仅仅为了提高发射效率7.在双极型晶体管中，基区输运系数与什么有关A.发射区掺杂浓度B.基区宽度和少子扩散长度C.基区掺杂浓度和少子分布8.在漂移基区晶体管中，基区内建电场与什么因素关系最大A.少子浓度分布B.掺杂浓度C.基区宽度9.在 N沟道耗尽型 MOS 管中，何时沟道会消失A.VgVtC.Vg010.MOS管的沟道电流与以下那些因素有关（选项记不清了，知道公式就能选对）11.MOS管的阈值电压与以下那些因素有关（同上）12.MOS管的短沟道效应会导致以下什么的发生A.沟道电流和阈值电压都增大B.沟道电流增大C.阈值电压增大二 计算题 30*31.根据以下

13、四个 MOS 电容中直流电荷的分布图，判断1)衬底类型2)MOS电容工作在什么区3)画出 MOS 表面能带图（四个图为半物课本MOS 结构中的那几张，因为我现在手里没有半物书，具体是否一一对应暂时不明）2.已知 IDSS 10-4A,VDSAT=4V,Vt=0.8V1)求 VGS2)若 VGS=2V,VDS=2V,求 IDS3)若 VGS=3V,VDS=1V,再求 IDS3.已知在 CMOS 集成倒相器中，tox 50nm,p-sub 衬底浓度为 4.5*1016,Nss=2*1010(这个数量级记不清了)，Al 的功函数为 4.2V，p阱的注入浓度为 3*1017,Vdd3V文档编码:CL4

14、H5H5A3H2 HW1U9F10F8L4 ZT7F6O7U9J2文档编码:CL4H5H5A3H2 HW1U9F10F8L4 ZT7F6O7U9J2文档编码:CL4H5H5A3H2 HW1U9F10F8L4 ZT7F6O7U9J2文档编码:CL4H5H5A3H2 HW1U9F10F8L4 ZT7F6O7U9J2文档编码:CL4H5H5A3H2 HW1U9F10F8L4 ZT7F6O7U9J2文档编码:CL4H5H5A3H2 HW1U9F10F8L4 ZT7F6O7U9J2文档编码:CL4H5H5A3H2 HW1U9F10F8L4 ZT7F6O7U9J2文档编码:CL4H5H5A3H2 HW1U

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