数字逻辑电路第7章半导体存储器资料优秀PPT.ppt

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1、第七章 半导体存储器7.1 半导体存储器概述能存储大量二值信息的器件一、一般结构形式输输入入/出出电电路路I/OI/O输入输入/出出控制控制！单元数浩大！输入/输出引脚数目有限二、分类1、从存/取功能分：只读存储器(Read-Only-Memory）随机读/写（Random-Access-Memory）2、从工艺分：双极型MOS型7.2 只读存储器（ROM）ROM的基本电路结构7.2.1 7.2.1 掩模掩模ROMROM 举例举例A0An-1W0W(2n-1)D0Dm两个概念：存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0”存储器的容量：“字数 x 位数”掩

2、模ROM的特点：出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产简洁，便宜，非易失性7.2.2 可编程ROM可编程ROM（programmable ROM,PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同7.2.3 可擦除的可编程ROMEPROM E2PROM总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同1.EPROM（erasable programmable ROM）叠栅注入MOS管（stacked-gate injection metal-oxide-semiconductor，SIMOS管）用SIMOS管构成的存储单元2.E2PROM（electrically erasable programmab

3、le ROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同7.2.4 利用ROM实现组合逻辑函数从ROM的数据表可见：若把ROM的输入地址A1A0看作输入逻辑变量，将输出数据D3D2D1D0看作一组输出逻辑变量，那么输入输出之间实现的就是一组多输出的组合逻辑函数：地址译码器是一个与阵列，它的输出包含了输入地址变量的全部最小项，每一条字线对应一个最小项；存储矩阵是一个或阵列，每一位输出数据都是将地址译码器输出的一些最小项相加。结论：用具有n位输入地址和m位数据输出的ROM可以获得一组（最多m个）任何形式的n变量组合逻辑函数。7.3 随机存取存储器（RAM）也称随机读/写存储器依据工作原理的不同，分为

4、：1.静态随机存储器（static RAM，SRAM）存储单元是以双稳态锁存器或触发器为基础构成的 电源不变信息不会丢失 不需刷新 集成度较低2.动态随机存储器（dynamic RAM，DRAM）存储原理以MOS管栅极电容为基础 电路简洁 集成度高 需定时刷新7.3.1 RAM的基本结构与工作原理 以SRAM为例7.3.2 存储单元6只N沟道增加型MOS管组成的静态存储单元7.4 存储器的扩展7.4.1 位扩展指存储器字数不变，只增加存储器的位数接法：将各片存储器的地址线、读/写信号线、片选信号线对应地并接在一起。例：用例：用256 x 1256 x 1的的RAM 256 x 4RAM 256 x 4位的存储系统位的存储系统7.4.2 字扩展方式指扩展成的存储器字数增加而数据位数不变1024 x 8RAM例：用例：用4 4片片256 x 8256 x 8位位RAMRAM1024 x 81024 x 8位位 存储器存储器