MEMS谐振器的发展历程.docx

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1、MEMS谐振器的开展历程20世纪中期以来，频率控制的市场就是由石英晶体谐振器和石英振荡器所主导 的。甚至到了今天，几乎所有的电子设备在某方面仍是依赖机械石英晶体来产 生多种可能运行频率中的至少一种。现今市场上有无数的电子器件，从吉他扩 音器到腕表，从智能手机到叉车等，其中绝大多数都使用晶体或晶体振荡器(X0) o由于电子市场每年要用到无数的晶体，庞大的规模经济促进了石英晶体和石英 振荡器的制造精密程度到达了新高一一提供了更小、更薄、频率更高的解决方 案。在此之前，可行的石英晶体替代方案屈指可数，因为石英压电谐振器的特 性和稳定性众所皆知，所以很容易做出性能可靠的晶体振荡器。可是过去几年来，效仿

2、拥有两个元件(谐振器和放大器)架构的晶体振荡器的 微机电系统(MEMS)振荡器已打入了频率控制市场。这些MEMS振荡器具有绝佳 的可靠性，并且可提供具有本钱优势的各种封装尺寸，尤其是在晶体振荡器上 属于高本钱结构的小巧型封装。此外，通过引进单芯片MEMS解决方案，把 MEMS谐振器直接叠放在CMOS放大器基座的上方后，MEMS振荡器的可靠性、可 编程性、温度稳定性和本钱水平如今也得以更上一层楼。晶体振荡器晶体振荡器的工作频率范围广一一从几千赫兹一直到几百兆赫兹。晶体振荡器 在金属盖密封陶瓷封装中结合了石英谐振器以及放大器电路。陶瓷封装和金属 盖为非常脆弱的晶体提供了强大的防护罩，使组装好的元件

3、防止受损。一般来 说，放大器电路会充分运用晶体的压电性，以电反应来创造特定频率的共振或 振荡，并由晶体谐振器的大小、切割和电镀来控制。为了支持电子产业所需的 范围宽广的频率，频率控制供应供应商必须设计、储存和制造数百、甚至数千 种不同的定制晶体谐振器。除了定制晶体谐振器，石英振荡器解决方案还面临着制造上的挑战。在整个晶 体市场上，便携设备占据很大的比重。更加轻薄小型的便携设备使所有的供应 商必须提供体积愈来愈小的元件。而随着所有需求频率的石英谐振器尺寸的缩 减，更小、更脆弱的晶体给制造的复杂度与可靠性带来了挑战，这就为晶体式 振荡器带来了问题。此外，晶振方案在每个市场上都面临着一大难题，那就是

4、 它们先天上对环境因素很敏感，像震动、摇晃、热应力和制造上的变化都会造 成启动问题和后续的使用故障。MEMS谐振器过去几年来，MEMS振荡器已成为石英解决方案的可行替代方案，原因有几点。第一，MEMS振荡器是在以硅材料为基础(硅工艺，silicon-based processes) 的工艺流程中制造，其品质管理十分严格，因此只要供应商设计、保障和赋予 振荡器的特性得当，所生产的众多元件都能具备非常可靠的性能。第二，硅工艺的直接结果就是符合摩尔定律，亦即处理能力会愈来愈强大，成 本会愈来愈低。换句话说，更小、更先进的硅器件在本钱上势必会逐渐降低。 而遗憾的是，晶振方案那么和这项定律背道而驰，亦即

5、材料会随着它体积的缩小 而变得更贵，原因就在于上述的制造难题。此外，随着晶体的制造变得更难且 更贵，其产量也会因为器件愈来愈脆弱与小巧而下降。第三个优点同样源于硅工艺。属于硅解决方案的MEMS振荡器天生就对环境因素 比拟有抵抗力。但这并不代表所有的MEMS解决方案在这方面都一样理想，产品 设计会大大影响到不同的MEMS振荡器的工作能力。不过，硅解决方案比晶体、 尤其是小晶体在抵抗震动与摇晃能力方面更强，这是不争的事实。第一代MEMS振荡器第一代的MEMS振荡器跟石英振荡器的架构类似，都是把两个截然不同的元件结 合起来，一是谐振器，一是能补偿谐振器频率的任何漂移（drift）的放大器 IC/基座

6、芯片。采用MEMS使振荡器的制造大为改善，因为它免除了石英振荡器 所需要的复杂材料处理技术，并且把石英振荡器所使用本钱较高的陶瓷封装和 金属盖换成了比拟经济实惠的塑料封装。不过，这种第一代的做法在先天上还是受到石英振荡器所使用的双重元件架构 的限制。这些限制首先表现在两个元件的封装复杂，同时电路数量至少是类似 的单晶式组装所需要的两倍。这会使得封装比拟昂贵，潜在失效点也会比类似 的单晶/组装工艺要多。另一层限制是，双重元件的解决方案缺乏能够有效补偿所有温度变化的能力， 而这也是晶振方案所面临的问题。这点是因为双重元件（谐振器和放大器/基座） 所组成的系统必须同步运行。基座那么是在补偿由温度造成

7、的谐振器的频率变化。 由于两种器件没有整合，而是各自独立并靠多条焊线相连，因此当温度变化时, 它们并不会同步运行。这种缺乏直接联系的情形会造成这些系统在温度变化时 产生偏移。事实上，在温度变动的多种情况下，晶体振荡器的表现还是比多芯 片的MEMS器件要好。第二代MEMS振荡器近期在工艺技术上的新进展使MEMS振荡器得以直接制造在CMOS基座芯片的上 方。这是很大的进步，原因有几点。第一，在标准代工厂里制造单芯片时，成 本会低于用多家代工厂的元件来制作双芯片解决方案，或是制造晶体式解决方 案。第二，在单芯片的架构中，谐振器是直接和基座补偿与放大器芯片整合起 来的，等于是单一的整合系统，稳定性一流

8、，能克服晶体和第一代MEMS所应付 不了的震动、摇晃、老化和温度波动等问题。最后，一如摩尔定律所示，单芯 片解决方案比以往的解决方案提供了更大的弹性与作用，其价位一般来说也比 较低。CMEMS技术(CMOS和MEMS这两个缩写的简称)的问世实现了 MEMS和CMOS的单 芯片整合。这项独特的技术与工艺是由Silicon Labs联合其他领先的代工业者 开发而成。CMEMS是同类工艺的先驱，它能把高质量的MEMS层直接构建于先进 CMOS技术之上，而成为单一的单芯片。Silicon Labs的首批CMEMS产品是 MEMS振荡器，在设计上可提供10年的可靠性保障，不受震动与摇晃的影响， 灵活的可

9、编程方式满足许多的应用需求，在温度变化的环境中展现优异的性能。探讨单芯片的优点第一代双重芯片MEMS振荡器的架构必须把MEMS谐振器芯片和振荡器芯片线焊 起来，所以会增加本钱、复杂度，以及多芯片模块(MCM)设计中的许多失效点。 再者，在第一代双重芯片的解决方案中，MEMS谐振器是由位于欧洲的专业MEMS 代工厂所打造，制造本钱多半比在亚洲要高。这些MEMS谐振器的晶圆会经过单 一化(singulated),再跟位于远东本钱较低的代工厂所生产的标准CMOS芯片 共同封装。CMEMS振荡器是由世界第二大标准CMOS代工厂中芯国际(SMIC)所打造。CMEMS谐振器采用应用广泛价格廉价的硅楮(Si

10、Ge)材料直接建构于CMOS之上。 这种工艺创新使CMEMS解决方案得以受惠于单一来源的较低本钱晶圆，而防止 了多芯片和大量焊线所导致的裕量堆栈(margin stacking)与复杂封装。温度补偿跟双重芯片的架构比起来，单芯片CMEMS振荡器在性能上还有别的优势。基于 上述的种种原因，双重芯片的架构所提供的输出频率可能会受到温度变化的负 面影响。如图1所示，把领先的晶体振荡器、第一代MEMS振荡器和Silicon Labs的 CMEMS暴露在温度快速变化的情形中来测量输出频率的稳定性。理想的结果是Y 轴的零值没有产生变化，这代表温度的变化并没有使输出频率改变。情况下的你合相对谡图1：温度骤冷

11、对晶体振荡器、第一代MEMS和CMEMS的影响。&20晶体振荡器(X0)所产生的频率偏移到达了宣称的20 ppm的两倍，第一代MEMS解决方案所产生的频率偏移那么到达了 20Ppm规格的八倍。这两种解决方案 跟CMEMS形成了强烈的比照，CMEMS和目标频率相差不到Ippm。Si50x CMEMS振荡器概述图2显示了 Silicon Labs Si50x CMEMS振荡器的单芯片架构。图2： Silicon Labs单芯片CMEMS谐振器电路图。Si50x振荡器系列产品可支持32kHz和100MHz之间的分辨率到达六位数的任何 频率。此振荡器系列产品包含了四种基座器件，并可依照供电电压、输出升降 时间、频率稳定性、温度支持等来做配置。这些器件在功能上与很多晶体振荡 器和第一代MEMS解决方案兼容，并且是以引脚兼容的4引脚封装来供应 (2mm&TImes;2. 5mm 2. 5mm&TImes;3. 2mm 和 3. 2mm&TImes;5mm)。