东南大学信息学院模电答案解析课后题集第四章.ppt

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1、作 业,第四章,4-1,4-6： 略（方法：先画直流通路，再根据饱和模式下IDQ和VGSQ之间的关系解方程，得到IDQ）,4-7,直流通路： 隔直流电容和旁路电容开路，电感短路。 交流通路： 隔直流电容和旁路电容短路，扼流圈等大电感开路，独立的直流电压源短路，独立的直流电流源开路。,直流通路,交流通路,4-8,共源放大电路如图P4-8所示。已知场效应管的gm=1mS，rds=200 k。试：(1)画出小信号等效电路；(2)求Av，Ri，Ro。,电路图,小信号等效电路,解： (1) 见右下图 (2),忽略rds，则,4-11,共发放大器如图P4-11所示，试画出直流、交流通路、小信号等效电路。图

2、中各电容对信号频率呈短路。已知晶体三极管=200，VBE(on)=0.7V，|VA|=150V，试求输入电阻Ri，输出电阻Ro，电流增益Ai，电压增益Av，源电压增益Avs，最大电压增益极限值Avtmax。,解：,4-14,在共基放大电路的基极上接入电阻RB，其交流通路如图P4-14所示。试画出小信号等效电路，若rce忽略不计，试写出输入电阻Ri、输出电阻Ro、电流增益Ai和源电压增益Avs表达式。,解：,4-19,图P4-19所示为有源负载共发放大器原理电路，试导出输出电阻Ro的表达式。图中CE对交流呈短路。,解：,电路图,交流通路,4-20,图P4-20所示为单级MOS放大电路，已知各管参

3、数：gm1= 600S，gm2=200S，rds1 = rds2 =1M，,， (W/l) 1=200/20。（1）指出各电路名称，画出小信号等效电路；（2）计算Av=vo/vi，和(W/l)2值。,解： (b),电路图,交流通路,小信号等效电路,解： (d),4-20,电路图,交流通路,小信号等效电路,4-28,图P4-28所示为共集-共发放大器，已知晶体管1=2=150，VBE(on) =0.7V, rce忽略不计，ICQ1=1mA，ICQ2 =1.5mA， ，,试求 Ri、Av、Avs。,解：,4-30,解：,图P4-30所示为共发-共基组合放大器，试画出直流通路和交流通路，已知晶体三极

4、管1=2=100，VBE(on)1= VBE(on)2=0.7V，VB2=5V，各电容对交流呈短路，试求VCEQ1，VCEQ2，Av，Avs。,电路图,交流通路,4-33,解：,在图P4-33所示的差分放大器中，已知场效应管的nCoxW/2l =1mA/V2，VGS(th)=-1V，若电容CD对交流呈短路， vi =10mV，试求ISS, Avd2，Avc2，KCMR，vo值。,4-36,解：,图P4-36所示为E/D MOS差分放大电路，试导出双端输出的差模电压增益Av= vo/vi 表达式。设各管衬底与地相连，沟道长度调制效应忽略不计。,差模交流通路(半电路),小信号等效电路(半电路),4

5、-38,解：,在图P4-38所示电路中，已知100， ，RL10k，,rce可忽略。试画出差模、共模交流通路，并求：(1)差模输入电阻Rid，差模输出电阻Rod，差模电压增益Avd；(2)共模输入电阻Ric，共模输出电阻Roc，共模电压增益Avc；(3)共模抑制比KCMR。,差模交流通路 (半电路),共模交流通路 (半电路),(1)：差模性能(双端输出),(2)：共模性能(单端输出),(3)：共模抑制比,4-47,解：,比例式电流源电路如图P4-47所示，已知各晶体管特性一致，VBE(on)=0.7V，100，|VA|=120V，试求IC1、IC3和T3侧的输出交流电阻Ro3。,4-55,解：

6、(1),图P4-55所示电路中，各双极性晶体管的参数均为=100，|VA| =100, |VBE(on)|=0.7V, rbb =0, 场效应管参数也都相同，VGS(th)=2V , 试求：,(1) T1、T2管的静态工作点电流； (2) 放大器的差模输入电阻 Rid、输出电阻Rod，差模电压增益 Avd (图中Cc为隔直流电容)。,(2),4-72,解：,在图P4-70所示电路中，已知管子参数为，场效应管：VGS(th) =1V, , 晶体管的 , =100，VBE(on)= 0.6 V，试求差模电压增益Av = vo/ vi 。,已知一无零三极系统的中频电压增益AvI=105，三个极点角频率p均为106rad/s。(1)试写出该系统的传递函数Av(s)，并画出该传递函数的渐近波特图；(2)分别计算106rad/s、107rad/s的实际增益和相位值；(3)计算上限频率H。,4-75,解：(1),(2),(3),