济宁存储器项目申请报告模板参考.docx

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1、泓域咨询/济宁存储器项目申请报告目录第一章 项目背景、必要性7一、 产业链下游应用场景丰富，市场需求广阔7二、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线10三、 行业发展面临的机遇与挑战13四、 坚定实施扩大内需战略，主动融入新发展格局15五、 项目实施的必要性16第二章 项目概述18一、 项目名称及项目单位18二、 项目建设地点18三、 可行性研究范围18四、 编制依据和技术原则19五、 建设背景、规模20六、 项目建设进度20七、 环境影响21八、 建设投资估算21九、 项目主要技术经济指标21主要经济指标一览表22十、 主要结论及建议23第三章 行业发展分析25一、 半导体存储产业链特征25

2、二、 半导体存储器简介26第四章 项目选址分析29一、 项目选址原则29二、 建设区基本情况29三、 强化企业创新主体地位33四、 完善科技创新体制机制35五、 项目选址综合评价36第五章 建筑工程说明38一、 项目工程设计总体要求38二、 建设方案40三、 建筑工程建设指标41建筑工程投资一览表41第六章 SWOT分析43一、 优势分析（S）43二、 劣势分析（W）44三、 机会分析（O）45四、 威胁分析（T）45第七章 法人治理51一、 股东权利及义务51二、 董事56三、 高级管理人员61四、 监事63第八章 工艺技术方案分析65一、 企业技术研发分析65二、 项目技术工艺分析68三、

3、 质量管理69四、 设备选型方案70主要设备购置一览表71第九章 原材料及成品管理72一、 项目建设期原辅材料供应情况72二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理72第十章 项目节能分析74一、 项目节能概述74二、 能源消费种类和数量分析75能耗分析一览表76三、 项目节能措施76四、 节能综合评价79第十一章 进度计划80一、 项目进度安排80项目实施进度计划一览表80二、 项目实施保障措施81第十二章 环保方案分析82一、 编制依据82二、 建设期大气环境影响分析83三、 建设期水环境影响分析85四、 建设期固体废弃物环境影响分析85五、 建设期声环境影响分析85六、 环境管理分析87七、

4、 结论89八、 建议89第十三章 投资方案分析91一、 投资估算的依据和说明91二、 建设投资估算92建设投资估算表94三、 建设期利息94建设期利息估算表94四、 流动资金96流动资金估算表96五、 总投资97总投资及构成一览表97六、 资金筹措与投资计划98项目投资计划与资金筹措一览表99第十四章 经济效益及财务分析100一、 基本假设及基础参数选取100二、 经济评价财务测算100营业收入、税金及附加和增值税估算表100综合总成本费用估算表102利润及利润分配表104三、 项目盈利能力分析104项目投资现金流量表106四、 财务生存能力分析107五、 偿债能力分析108借款还本付息计划表

5、109六、 经济评价结论109第十五章 风险风险及应对措施111一、 项目风险分析111二、 项目风险对策113第十六章 项目总结分析116第十七章 附表附件118主要经济指标一览表118建设投资估算表119建设期利息估算表120固定资产投资估算表121流动资金估算表122总投资及构成一览表123项目投资计划与资金筹措一览表124营业收入、税金及附加和增值税估算表125综合总成本费用估算表125利润及利润分配表126项目投资现金流量表127借款还本付息计划表129第一章 项目背景、必要性一、 产业链下游应用场景丰富，市场需求广阔存储器产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网络通信设备、可穿

6、戴设备、物联网硬件、安防监控、工业控制、汽车电子等行业以及个人移动存储等领域。不同应用场景对存储器的参数要求复杂多样，涉及容量、读写速度、可擦除次数、协议、接口、功耗、尺寸、稳定性、兼容性等多项内容。半导体存储器根据下游应用场景形成了不同的产品形态，NANDFlash主要包括嵌入式存储（用于电子移动终端低功耗场景）、固态硬盘（大容量存储场景）、移动存储（便携式存储场景）等，其中嵌入式存储与固态硬盘是NANDFlash的主要产品类别，市场规模占NANDFlash市场85%以上。NANDFlash中，嵌入式存储市场主要受智能手机、平板等消费电子行业驱动，固态硬盘下游市场主要包括服务器、个人电脑，移

7、动存储广泛应用于各类消费者领域。DRAM中，LPDDR主要与嵌入式存储配合应用于智能手机、平板等消费电子产品，近年来亦应用于功耗限制严格的个人电脑产品，DDR主要应用于服务器、个人电脑等。1、智能手机市场随着移动通信技术的发展和移动互联网的普及，作为半导体存储下游重要的细分市场，智能手机的景气度是NANDFlash，特别是嵌入式存储市场发展的核心驱动力。全球智能手机市场得益于3G/4G通信网络的建设，出货量自2010年的3.05亿台迅速攀升至2016年的14.73亿台。2017年开始智能手机趋向饱和，主要是随着4G通信普及，4G智能手机增量市场触及天花板，智能手机整体出货量主要受存量市场手机单

8、位容量增长驱动。2019年是5G商用化元年，随着5G逐渐普及，新一轮的换机周期开启。据Omida（IHSMarkit）预测，2020-2025年，5G智能手机出货量年均复合增长率（CAGR）将达到约44.95%。同时，智能手机对于NANDFlash需求不仅取决于手机出货量，同时取决于单台手机的存储容量。根据Omdia（IHSMarkit）数据，单台智能手机的RAM模块（LPDDR）和ROM模块（嵌入式NANDFlash）均在经历持续、大幅的提升。随着5G手机渗透率的逐步提升，智能手机的性能进一步升级，RAM扩容是CPU提升处理速率的必要条件。功能更为强大的移动终端将允许手机搭载功能更为复杂、占

9、据存储容量更大的软件程序，且消费者通过移动终端欣赏更高画质、音质内容物的消费习惯亦会进一步持续推动智能手机ROM扩容。2、数据中心市场近年来，云计算、大数据、物联网、人工智能等市场规模不断扩大，数据量呈现几何级增长，数据中心固定投资不断增加。据国际数据公司（IDC）预测，全球数据总量预计2020年达到44ZB，我国数据量将达到8,060EB，占全球数据总量的18%。数据爆发式增长为存储行业带来巨大的需求空间。一方面互联网巨头纷纷自建数据中心，同时传统企业上云进程加快，两者共同带动服务器数据存储市场规模快速增长。根据国际数据公司（IDC）统计，2019年第四季度全球服务器出货量340万台，同比增

10、长14%，服务器厂商收入同比增长7.5%至254亿美元。在数据中心作为新型基础设施加快建设的背景下，服务器/数据存储的市场规模将继续快速增长，该细分领域的需求将大幅增加。3、个人电脑（PC）市场个人电脑（PC）市场曾是磁性存储器的主要市场之一，由于NANDFlashSSD的制造成本较高，PC端数据存储过去主要使用机械硬盘（HDD）。HDD是以磁性材料为存储载体的存储器，在平整的磁性表面存储和检索数字数据。近年来，随着NANDFlash单位存储经济效益持续凸显，同时笔记本电脑，特别是轻薄笔记本电脑对存储物理空间限制严格，SSD对HDD的替代效应显著。同时，PC与其他消费电子产品相同，正在经历性能

11、和数据存储需求的持续增长。随着消费者处理数据的需求不断增加，单台设备的存储容量需求亦持续增加。4、移动存储消费市场用户对于可靠的存储解决方案的需求是移动存储消费市场存在的前提，经过多年的发展，移动存储消费市场已经充分发展，产品形态以U盘、存储卡以及移动便携SSD产品为主，产品形态趋于成熟，需求稳中有降，整体市场进入成熟期，移动存储消费市场的品牌作用日益凸显。5、汽车电子市场随着汽车消费升级、新能源汽车的推广以及相关政策推动，汽车电动化和智能化将成为新趋势。随着智能化程度的不断加深，汽车正逐步完成由交通工具到移动终端的转变，同时也给存储行业带来新的市场机遇。当前，汽车产品中主要是信息娱乐系统、动

12、力系统和高级驾驶辅助（ADAS）系统中需要使用存储设备，随着自动化程度提高，所需的存储容量也随之增长。根据Gartner的数据显示，2019年全球ADAS中的NANDFlash存储消费达到2.2亿GB，同比增长214.29%，未来几年增速有所放缓但仍将保持强劲增长，预计至2024年，全球ADAS领域的NANDFlash存储消费将达到41.5亿GB，2019年-2024年复合增速达79.9%。二、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线存储晶圆的设计与制造产业具有较高的技术和资本门槛，早期进入存储器领域的全球领先企业通过巨额资本投入不断积累市场竞争优势，全球存储晶圆市场被韩国、美国和日本的少数企业

13、主导。国际领先的存储原厂凭借多年技术积累，不断提升晶圆制程以提高单位面积的存储密度和降低存储芯片功耗，随着制程工艺不断逼近极限，芯片设计与晶圆制造的研发门槛不断提高，研发资本投入不断增加。同时，主要存储原厂还需通过持续大额资本支出来投放成熟制程产能，维持规模优势和市场份额。1、NANDFlash市场竞争格局及技术路线NANDFlash全球市场高度集中，根据Omdia（IHSMarkit）数据，2020年全球NANDFlash市场规模为571.95亿美元，由三星电子、铠侠、西部数据、美光科技、SK海力士、英特尔六家公司主导，其中三星电子全球市场份额约34%，此外，SK海力士收购英特尔NANDFl

14、ash业务已于2021年获得主要市场监管当局批准，全球NANDFlash市场将进一步集中。技术路线方面，主要存储原厂在激烈竞争中不断提升NANDFlash存储密度。目前，存储密度提升的主要技术路径包括提高存储单元的可存储数位（bit）量和提升3DNANDFlash的堆叠层数。根据每个存储单元存储的可存储数位量，NANDFlash分为SLC、MLC、TLC、QLC。SLC（Single-levelCell）为每个存储单元存储的数据只有1位，而MLC（Multi-levelCell）、TLC（Triple-levelCell）和QLC（Quad-LevelCell）每个存储单元存储的数据分别为2位

15、、3位与4位，存储密度梯度提升。传统NANDFlash为平面闪存（2DNAND），3DNAND使用多层垂直堆叠技术，拥有更大容量、更低功耗、更优耐用性以及更低成本的优势。三星电子2013年率先开发出可以商业化应用的24层3DNAND，2020年3DNAND高端先进制程进入176层阶段。2、DRAM市场竞争格局及技术路线DRAM全球市场相较于NANDFlash更为集中，2020年全球DRAM市场规模为663.83亿美元，由三星电子、SK海力士和美光科技三家公司主导。技术路线方面，行业龙头三星电子于2014年率先实现20纳米制程量产（4GbDDR3DRAM），将技术路线竞争引入20nm时代，此后D

16、RAM制程大约每两年实现一次突破，从1Xnm（16nm-19nm）到1Ynm（14nm-16nm）到1Znm（12-14nm）。2021年1月，美光科技率先宣布量产1nm（接近10nm）DRAM产品，主流原厂开始进入1nm制程阶段。目前市场高端制程为1Znm，该制程生产的芯片主要标准规格包括DDR4X/5及LPDDR4X/5。3、中国大陆存储晶圆仍处于发展初期近年来，在集成电路产业政策和国家集成电路基金等市场资本的扶持推动下，中国在DRAM与NANDFlash两大存储核心领域均取得关键技术突破，以长江存储和长鑫存储为代表的本土存储晶圆原厂技术实力与国际主流原厂快速缩小；依托中国市场广阔需求，市

17、场份额取得实质进展。尽管国产晶圆生产取得实质进展，但是国产晶圆在技术实力和市场规模方面与国际存储原厂仍有显著差距。三、 行业发展面临的机遇与挑战1、行业机遇（1）国家政策高度重视集成电路行业发展集成电路产业是现代信息产业的基础和核心产业之一。近年来，为加快推进我国集成电路及封装测试产业发展，国务院、国家发改委、工信部等政府部门从投资、融资、财政、税收、技术和人才等多方面推出了一系列法规和产业政策，国家层面也设立相应产业投资基金，给行业注入新动力。（2）下游应用行业蓬勃发展，国内市场对存储器芯片需求较大存储器行业的发展主要取决于下游的终端应用领域。随着一系列国家战略的持续深入实施，下游制造业的升

18、级换代进程加快，其中消费电子、云计算、大数据、物联网、汽车电子等存储器应用的重要领域维持较快增速。下游市场处于蓬勃发展的态势，直接推动存储器产业链的持续扩张，有利于维持存储器行业需求端的规模增长。（3）存储产业链向大陆转移带来的机遇随着国内集成电路行业的发展，全球集成电路行业经历了向中国转移的过程，中国已经成为世界最大的集成电路芯片市场。在这一趋势带动下，存储晶圆厂和主控芯片代工厂商如台积电、三星电子、日月光等纷纷在大陆投资建厂和扩张生产线，下游晶圆加工工艺持续改进，国内封装测试企业技术水平达到国际先进水平，为存储器厂商提供了充足的产能基础和完整的产业链配套。（4）信创产业助力存储行业发展近年

19、来，国家大力推动信创产业发展，从最上游的半导体材料到核心芯片、元器件、基础软件，再到整机、应用软件全面实现自主安全可控。而存储是信创产业的关键一环，当前信创产业处于全面提速阶段，必将对整个国产存储产业链起到带动作用。2、行业挑战（1）高端技术人才不足在市场需求增长、国家政策支持、产业中心转移等利好因素下，高端技术才是企业抓住机遇、发展壮大的关键。国内具备战略视野和产业运营经验的领军型人才和国际高端技术人才相对稀缺。（2）国内存储晶圆制造能力仍需进一步实现突破存储晶圆制造能力是存储产业实力的重要体现，当前世界先进的存储晶圆制造工艺及主要市场份额仍掌握在国外存储原厂手中，国内存储晶圆制造仍处于起步

20、阶段，专利和技术积累相对薄弱，虽然长江存储、合肥长鑫等存储原厂已经实现量产，但与国外存储原厂在技术和市场份额方面仍存在较大差距。（3）我国集成电路基础技术有待提升国际市场上主流的集成电路公司大都经历了四十年以上的发展。国内同行业的厂商仍处于一个成长的阶段，与国际大厂依然存在技术差距，尤其是制造及封装测试环节所需的高端技术支持存在明显的短板，目前我国集成电路行业中的部分高端市场仍由国外企业占据主导地位。因此，产业链上下游的技术水平也在一定程度上限制了我国集成电路行业的发展。四、 坚定实施扩大内需战略，主动融入新发展格局坚持把扩大内需战略基点与深化供给侧结构性改革战略方向有机结合，以创新驱动、高质

21、量供给引领和创造新需求，增强畅通国内大循环和联通国内国际双循环的功能。（一）建设地方特色消费城市顺应国际市场环境新变化和国内消费升级新趋势，以新消费引领新供给、满足新需求，打造鲁南消费中心，增强自我循环、健康发展能力。（二）扩大精准有效投资充分发挥投资对优化供给结构的关键作用，完善市场主导的投资内生增长机制，撬动政府和民间，保持投资合理增长，打造投资兴业高地。（三）畅通国内国际双循环坚持“巩固、增强、提升、融通”八字方针，推动内需和外需、进口和出口、引进外资和对外投资协调发展，成为全省全国双循环格局中“重要一极”和“战略支点”。五、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为

22、行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高

23、生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第二章 项目概述一、 项目名称及项目单位项目名称：济宁存储器项目项目单位：xxx有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx（待定），占地面积约88.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围根据项目的特点，报告的研究范围主要包括：1、项目单位及项目概况；2、产业规划及产业政策；3、资源综合利用条件；4、建设用地与厂址方案；5、环境和生态影响分析；6、投资方案分析；7、经济效益和社会效益分

24、析。通过对以上内容的研究，力求提供较准确的资料和数据，对该项目是否可行做出客观、科学的结论，作为投资决策的依据。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托；2、国家和地方有关政策、法规、规划；3、现行有关技术规范、标准和规定；4、相关产业发展规划、政策；5、项目承办单位提供的基础资料。（二）技术原则1、所选择的工艺技术应先进、适用、可靠，保证项目投产后，能安全、稳定、长周期、连续运行。2、所选择的设备和材料必须可靠，并注意解决好超限设备的制造和运输问题。3、充分依托现有社会公共设施，以降低投资，加快项目建设进度。4、贯彻主体工程与环境保护、劳动安全和工业卫生、消

25、防同时设计、同时建设、同时投产。5、消防、卫生及安全设施的设置必须贯彻国家关于环境保护、劳动安全的法规和要求，符合行业相关标准。6、所选择的产品方案和技术方案应是优化的方案，以最大程度减少投资，提高项目经济效益和抗风险能力。科学论证项目的技术可靠性、项目的经济性，实事求是地作出研究结论。五、 建设背景、规模（一）项目背景易失性存储主要指随机存取存储器（RAM）。RAM需要维持通电以临时保存数据供主系统CPU读写和处理。由于RAM可以实现对数据的高速读写，因此通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积58667.00（折合约88.00亩），

26、预计场区规划总建筑面积106009.76。其中：生产工程69360.35，仓储工程17267.80，行政办公及生活服务设施11138.66，公共工程8242.95。项目建成后，形成年产xxx件存储器的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx有限公司将项目工程的建设周期确定为24个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目所选生产工艺及规模符合国家产业政策，在严格采取环评报告规定的环境保护对策后，各污染源所排放污染物可以达标排放，对环境影响较小，仅从环保角度来看本项目建设是可行的。八、 建设投资

27、估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资37264.68万元，其中：建设投资29381.24万元，占项目总投资的78.84%；建设期利息718.49万元，占项目总投资的1.93%；流动资金7164.95万元，占项目总投资的19.23%。（二）建设投资构成本期项目建设投资29381.24万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用24762.95万元，工程建设其他费用3930.35万元，预备费687.94万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入78500.00万元，

28、综合总成本费用65714.13万元，纳税总额6282.56万元，净利润9334.58万元，财务内部收益率17.87%，财务净现值10368.04万元，全部投资回收期6.32年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积58667.00约88.00亩1.1总建筑面积106009.761.2基底面积32853.521.3投资强度万元/亩319.752总投资万元37264.682.1建设投资万元29381.242.1.1工程费用万元24762.952.1.2其他费用万元3930.352.1.3预备费万元687.942.2建设期利息万元718.492.3流动资金万元71

29、64.953资金筹措万元37264.683.1自筹资金万元22601.483.2银行贷款万元14663.204营业收入万元78500.00正常运营年份5总成本费用万元65714.136利润总额万元12446.117净利润万元9334.588所得税万元3111.539增值税万元2831.2710税金及附加万元339.7611纳税总额万元6282.5612工业增加值万元21892.7913盈亏平衡点万元31350.32产值14回收期年6.3215内部收益率17.87%所得税后16财务净现值万元10368.04所得税后十、 主要结论及建议项目产品应用领域广泛，市场发展空间大。本项目的建立投资合理，回

30、收快，市场销售好，无环境污染，经济效益和社会效益良好，这也奠定了公司可持续发展的基础。第三章 行业发展分析一、 半导体存储产业链特征半导体存储产业链形态与逻辑芯片产业有所不同。逻辑芯片产业从1990年代起，受降低成本和提升效率等要素驱动，原来主流的IDM（设计-制造垂直整合）模式向产业链分工模式切换，Fabless（设计）、Foundry（制造）、Test（测试）各环节开始独立，产业链纵向分化；而半导体存储器由于布图设计与晶圆制造的技术结合更为紧密，半导体存储主要晶圆厂仍采用IDM模式经营。同时，半导体存储器核心功能即为数据存储，存储晶圆标准化程度高，应用场景所需的功能则在NANDFlash主

31、控芯片设计、固件开发以及SiP封装等产业链后端环节实现。因此存储原厂完成晶圆制造后，仍需开发大量应用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。由于以上的产业特征，部分存储原厂凭借晶圆优势向下游存储产品领域渗透，同时独立的存储器供应商（含品牌商）应运而生。存储原厂的竞争重心在于创新晶圆IC设计与提升晶圆制程，在产品应用领域，囿于产品化成本等要素限制，原厂仅能聚焦具有大宗数据存储需求的行业和客户（如智能手机、个人电脑及服务器行业的头部客户）。存储原厂的目标市场之外，仍存在极为广泛的应用场景和市场需求，包括细分行业存储需求（如工业控制、商用设备、汽车电子、网络通信设备、家用电器、影像监控、物联

32、网硬件等）以及主流应用市场中小客户的需求。存储器厂商面向下游细分行业客户的客制化需求，进行晶圆分析、主控芯片选型与定制、固件开发、封装设计、芯片测试、提供后端的技术支持等，将标准化存储晶圆转化为存储产品，扩展了半导体存储器的应用场景，提升了半导体存储器在各类应用场景的适用性，推动实现存储晶圆的产品化，是半导体存储产业链承上启下的重要环节。领先的存储器厂商在存储晶圆产品化的过程中形成品牌声誉，推动存储产品企业塑造自身的品牌形象，进而巩固其市场地位并改善利润空间，推动其增加研发投入，形成良性循环。二、 半导体存储器简介存储器是指利用磁性材料或半导体等材料作为介质进行信息存储的器件，半导体存储器利用

33、半导体介质贮存电荷以实现信息存储，存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放，半导体存储是集成电路的重要分支。1、易失性存储易失性存储主要指随机存取存储器（RAM）。RAM需要维持通电以临时保存数据供主系统CPU读写和处理。由于RAM可以实现对数据的高速读写，因此通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。RAM根据是否需要周期性刷新以维持数据存储，进一步分为动态随机存取存储器（DRAM）和静态随机存取存储器（SRAM）。动态随机存取存储器（DRAM）需要在维持通电的同时，通过周期性刷新来维持数据，故称“动态”存储器。DRAM结构简单，因此单位面积的存储密度显著高于SRAM，但访问速度

34、慢于SRAM；此外，由于DRAM需要周期性刷新以维持正确的数据，因此功耗较SRAM更高。DRAM作为一种高密度的易失性存储器，主要用作CPU处理数据的临时存储装置，广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。2、非易失性存储非易失性存储主要指只读存储器（ROM），无需持续通电亦能长久保存数据的存储器。早期的ROM产品信息首次写入后即固定下来，以非破坏性读出方式工作，只能读出而无法修改或再次写入信息，故称“只读”存储器。ROM经过不断演变发展，经过掩膜只读存储器（MaskROM）、可编程只读存储器（PROM）、可编程可擦除只读存储器（EPROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）

35、和快闪存储器（Flash）等阶段，已经突破原有的“只读”限制。Flash主要包括NANDFlash和NORFlash。NANDFlash是使用电可擦技术的高密度非易失性存储。NANDFlash每位只使用一个晶体管，存储密度远高于其他ROM；在正常使用情况下，Flash所存的电荷（数据）可长期保存；同时，NANDFlash能够实现快速读写和擦除。NANDFlash为大容量数据存储的实现提供了廉价有效的解决方案，是目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案。NORFlash特点在于允许CPU直接从存储单元中读取代码执行（eXecuteInPlace,XIP），即应用程序可直接在Flash内运行，而

36、不必再读到系统RAM中；但NORFlash写入和擦除速度慢，因此不适宜作为大容量存储器，仅在小容量场景具有成本效益。第四章 项目选址分析一、 项目选址原则项目选址应符合城乡规划和相关标准规范，有利于产业发展、城乡功能完善和城乡空间资源合理配置与利用，坚持节能、保护环境可持续利用发展，经济效益、社会效益、环境效益三效统一，土地利用最优化。二、 建设区基本情况济宁，山东省辖地级市，位于山东省西南部，东邻临沂市，西与菏泽市接壤，南面是枣庄市和江苏省徐州市，北面与泰安市交界。是山东省政府批复的淮海经济区中心城市之一、是历史文化名城、滨水生态旅游城市。济宁属暖温带季风气候，面积1.1万平方公里。济宁地区

37、历史文化悠久，是东夷文化、华夏文明、儒家文化、水浒文化、运河文化的重要发祥地之一。儒家创始人至圣孔子、亚圣孟子、复圣颜回、史家左丘明皆出生于此。元明清时期，京杭大运河促进了济宁商品经济的繁荣，使济宁成为京杭大运河沿岸重要的工商业城市。济宁市11县市区人文旅游资源丰富，曲阜孔庙、孔府及孔林和境内的京杭大运河被联合国教科文组织列入世界遗产名录，拥有孟庙、孟府、曲阜鲁国故城、崇觉寺铁塔等41处全国重点文物保护单位，以及水泊梁山、微山湖、宝相寺、峄山等风景名胜区。拥有曲阜师范大学、济宁医学院等高校，以及世界儒学研究与交流中心孔子研究院。2018年10月，获得“国家森林城市”称号。2020年10月20日

38、，被评为全国双拥模范城（县）。锚定2035年远景目标，聚焦聚力高质量现代化竞争力，经过五年不懈奋斗，新时代现代化强市建设取得突破性进展。综合实力实现新跃升，全市生产总值等主要经济指标迈上新台阶，在鲁南经济圈中的辐射带动作用更加凸显，全面打造成为淮海经济区中心城市，常住人口城镇化率达到65%；发展质效实现新跃升，经济结构持续优化，“四新”经济增加值占地区生产总值比重提升到33%，新动能成为引领经济发展的主引擎，现代产业体系初步形成，产业链产品链迈向中高端；科技创新实现新跃升，自主创新体系更加完善，科技战略支撑和引领作用持续增强，高标准打造资源型城市转型示范区，高水平建设国家创新型城市；改革开放实

39、现新跃升，强化改革系统集成、协同高效，重点领域关键环节改革取得更大突破，建成全省营商环境改革创新示范区，加快建设内陆开放型经济新高地；治理效能实现新跃升，平安济宁、法治济宁、诚信济宁建设深入推进，“和为贵”社会治理机制深化完善，市域治理体系和治理能力现代化水平持续提升，防范化解重大风险体制机制不断健全，统筹发展和安全更加有力；民生保障实现新跃升，实现更加充分更高质量就业，城镇登记失业率控制在4%以内，居民收入增长和经济增长基本同步，社会保障体系不断健全，基本公共服务均等化水平大幅提高，人民生活品质明显改善。重点在以下领域聚力突破、塑成优势。“十三五”时期是我市发展极不平凡的五年。综合实力显著增

40、强。地区生产总值达到4494.3亿元、年均增长5.5%，居民人均可支配收入年均增长7.8%。在大幅减税降费的情况下，一般公共预算收入达到411.8亿元、年均增长3.7%。进出口总额、利用外资年均分别增长10%、31.6%，社会消费品零售总额、固定资产投资年均分别增长4.9%、5.6%。金融机构存贷款余额分别新增2468.3亿元、2034.1亿元。三次产业结构优化调整为11.739.249.1，服务业占比提高5.9个百分点，高新技术产业产值占比提升10.9个百分点，辰欣药业、东宏管业、联诚精密制造等5家企业主板上市，以先进制造业和现代服务业为主体的现代产业体系初步形成，高质量发展迈出坚实步伐。动

41、能转换初见成效。资源型城市转型发展路径日益清晰，全面铺开“1+5+N”总体布局和“5+5”产业布局。新动能加速成长，累计落地亿元以上项目3190个，如意纺织全流程智能工厂项目获批国家级智能制造试点示范，装备制造、精品旅游、新能源等7个产业集群入选省优势产业集群和“雁阵形”产业集群，“十强”产业增加值占比达到25%，“四新”经济占比由15.3%提高到23%。阿里巴巴、京东、苏宁云商先后进驻，电商交易额2700亿元、年均增长30%。过剩产能加快出清，压减煤炭消费430万吨，化解产能1750万吨/年。创新发展实现历史性突破，高新技术企业达到614家、五年新增337家，省级以上科创平台达到430家，在

42、全省率先实体化运作产业技术研究院，济宁创新谷破题起步，太阳纸业获国家科技进步一等奖，我市获评支持绿色发展国家级创新型城市。人力资源加速聚集，成立济宁人才发展集团，建设院士工作站63家，获评国家“万人计划”、泰山产业领军人才87人。到2035年基本建成新时代现代化强市。经济实力、科技实力、综合竞争力大幅跃升，经济总量突破1万亿元、在2020年基础上翻一番，人均生产总值达到中等发达经济体水平；基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化，形成现代化经济体系，建成先进制造业强市、数字强市；基本实现治理体系和治理能力现代化，平安济宁建设达到更高水平，基本建成法治济宁、法治政府、法治社会；国家优秀传统

43、文化“两创”先行示范区建设纵深推进，市民素质和社会文明程度达到新高度，建成文化强市、科教强市、健康强市；绿色生产生活方式广泛形成，生态环境根本好转，建成生态强市；构建对外开放新格局，市场化法治化国际化营商环境全面塑成，建成交通物流强市；城乡融合发展水平显著提高，乡村振兴齐鲁样板引领区活力迸发，建成现代农业强市；城乡居民人均收入迈上新的大台阶，城乡区域发展差距和居民生活水平差距显著缩小，基本公共服务实现均等化；人民生活更加美好，人的全面发展、人民共同富裕取得更为明显的实质性进展，充分展示现代化强市建设丰硕成果。三、 强化企业创新主体地位完善以企业为主体、市场为导向，产学研深度融合的技术创新体系，

44、促进各类创新要素向企业集聚。（一）发挥头雁企业引领支撑作用突出规上企业研发主力军作用，集聚项目、人才、资金，实施“优势企业攀登计划”，攻克行业重大关键技术100项，承担省、市科技重点研发计划700项以上，提升标准、品牌、知识产权核心竞争力，打造行业细分领域领头雁。到2025年，力争产值超50亿元的创新型领军企业达到20家以上，支持30家以上优质企业运作科创板上市。推动国有企业调整战略布局，增加研发经费投入，加快向创新型企业转型。支持先进制造业“231”产业集群领军企业与高等院校、科研机构、行业协会等建设共性技术平台和创新联合体，打造一批全生命周期创新服务平台，构建以企业为核心的协同创新体系，新

45、增企业研发平台150家以上，全市规上企业研发平台建有率达到30%以上。（二）培育科创型中小企业群体健全“引、孵、壮”科技型中小企业扶持和企业研发机构滚动培育机制，实施国家高新技术企业和科技型中小企业“双倍增”计划，培育一批“单项冠军”“瞪羚”“独角兽”“专精特新小巨人”企业，支持创新型中小微企业成长为创新重要发源地。支持企业建设技术中心、工业设计中心和重点实验室，新建50家左右科技企业孵化器和众创空间。完善“高校院所研发、济宁孵化转化”模式，每年促成200家以上科技型中小微企业在我市落地。设立“创新基金”“创新券”等政策，支持大企业入股初创型高成长性企业，推动产业链上中下游、大中小企业融通创新

46、。到2025年，高新技术企业突破1000家，纳入国家科技型中小企业库企业1000家。（三）推进关键核心技术联合攻坚引导骨干企业、创新型企业与高校、科研院所、新型研发机构等组建和完善产业技术创新战略联盟，聚焦“卡脖子”问题，实施高端针状焦、医药中间体、激光传感等关键技术攻关，突破若干原创性、颠覆性技术，加速实现产业化应用，到2025年，形成300项重大产业技术领先成果。支持企业与国内外高校院所、领军企业开展协同攻关，采取“揭榜组阁”方式，每年开展产学研协同攻关项目100项。组建鲁南技术转移促进平台，充分发挥浙江大学技术转移中心、中科院山东分中心等高校院所技术转移分支机构的作用，打造北上广深科研成果产业化拓展基地、京沪廊道上的创新转化基地。加强与国内大学科技园联盟、高校院所技术转移机构等对接合作，招引落地100个以上技术完备、优势突出的“熟化”产业项目，推动建立20家技术转移机构，培养技术转移转化人才100人。四、 完善科技创新体制机制推动科技供给与市场需求高效衔接，促进创新链、产业链、人才链、政策链、资金链深度融合，打造活力高效开放的创新生态，为产业创新发展提供良好环境。（一）强化政府科技服务职能坚持市场化导向，以产业为中心优化重大科技项目、科技资源布局。全面建立以科技成果绩效为导向的新型管理评价模式，深化科技攻关“