俄歇电子能谱.ppt

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1、俄歇电子能谱现在学习的是第1页，共46页俄歇电子能谱法俄歇电子能谱法n俄歇电子能谱法是用具有一定能量的电子束(或X射线)激发样品俄歇效应，通过检测俄歇电子的能量和强度，从而获得有关材料表面化学成分和结构的信息的方法。现在学习的是第2页，共46页 俄歇电子能谱俄歇电子能谱(AES)(AES)俄歇电子能谱的基本机理是：入射电子束或俄歇电子能谱的基本机理是：入射电子束或X射线使原子射线使原子内层能级电子电离，外层电子产生无辐射俄歇跃迁，发射内层能级电子电离，外层电子产生无辐射俄歇跃迁，发射俄歇电子，用电子能谱仪在真空中对它们进行探测。俄歇电子，用电子能谱仪在真空中对它们进行探测。19251925年法

2、国的物理学家俄歇（年法国的物理学家俄歇（P.AugerP.Auger）在用）在用X X射线研究光电效应时就射线研究光电效应时就已发现俄歇电子，并对现象给予了正确的解释。已发现俄歇电子，并对现象给予了正确的解释。19681968年年L.A.HarrisL.A.Harris采用微分电子线路，使俄歇电子能谱开始进入实采用微分电子线路，使俄歇电子能谱开始进入实用阶段。用阶段。19691969年，年，PalmbergPalmberg、BohnBohn和和TraceyTracey引进了筒镜能量分析器，提高了引进了筒镜能量分析器，提高了灵敏度和分析速度，使俄歇电子能谱被广泛应用。灵敏度和分析速度，使俄歇电子

3、能谱被广泛应用。现在学习的是第3页，共46页俄歇过程和俄歇电子能量俄歇过程和俄歇电子能量 WXY俄歇过程示意图俄歇过程示意图WXYWXY跃迁产生的俄歇电子的跃迁产生的俄歇电子的动能可近似地用经验公式动能可近似地用经验公式估算，即：估算，即： YXWWXYEEEE俄歇电子俄歇电子现在学习的是第4页，共46页俄歇过程至少有两个能级和三个电子参与俄歇过程至少有两个能级和三个电子参与，所以氢原子和氦原子不能产生俄歇电子，所以氢原子和氦原子不能产生俄歇电子。(Z(Z 3)3)孤立的锂原子因最外层只有一个电子孤立的锂原子因最外层只有一个电子，也不能产生俄歇电子，但固体中因价电子是，也不能产生俄歇电子，但固

4、体中因价电子是共用的，所以金属锂可以发生共用的，所以金属锂可以发生 KVV KVV 型的俄歇型的俄歇跃迁。跃迁。现在学习的是第5页，共46页俄歇电子产额俄歇电子产额n俄歇电子产额或俄歇跃迁几率俄歇电子产额或俄歇跃迁几率决定俄歇谱峰强度，直接关系决定俄歇谱峰强度，直接关系到元素的定量分析。俄歇电子到元素的定量分析。俄歇电子与荧光与荧光X射线是两个互相关射线是两个互相关联和竞争的发射过程。对同联和竞争的发射过程。对同一一K层空穴，退激发过程中荧光层空穴，退激发过程中荧光X射线与俄歇电子的相对发射几射线与俄歇电子的相对发射几率，即荧光产额率，即荧光产额( K)和俄歇电和俄歇电子产额子产额( )满足满

5、足 =1 KKK俄歇电子产额与原子序数的关系由图可知，对于由图可知，对于K层空穴层空穴Z19，发射俄歇电子，发射俄歇电子的几率在的几率在90以上；随以上；随Z的增加，的增加，X射线荧光产额射线荧光产额增加，而俄歇电子产额下降。增加，而俄歇电子产额下降。Z33时，俄歇发射占优势。时，俄歇发射占优势。现在学习的是第6页，共46页俄歇分析的选择俄歇分析的选择n通常n对于Z14的元素，采用KLL俄歇电子分析；n14Z42时，以采用MNN和MNO俄歇电子为佳。现在学习的是第7页，共46页为什么说俄歇电子能谱分析是一种表面分析为什么说俄歇电子能谱分析是一种表面分析方法且空间分辨率高？方法且空间分辨率高？n

6、大多数元素在大多数元素在501000eV能量范围内都有产额较高的能量范围内都有产额较高的俄歇电子，它们的有效激发体积（空间分辨率）俄歇电子，它们的有效激发体积（空间分辨率）取决取决于入射电子束的束斑直径和俄歇电子的发射深度于入射电子束的束斑直径和俄歇电子的发射深度。n能够保持特征能量（没有能量损失）而逸出表面的俄歇电子能够保持特征能量（没有能量损失）而逸出表面的俄歇电子，发射深度仅限于表面以下大约，发射深度仅限于表面以下大约2nm以内，约相当于表面以内，约相当于表面几个原子层，且发射（逸出）深度与俄歇电子的能量几个原子层，且发射（逸出）深度与俄歇电子的能量以及样品材料有关。以及样品材料有关。n

7、在这样浅的表层内逸出俄歇电子时，入射在这样浅的表层内逸出俄歇电子时，入射X射线或电子射线或电子束的侧向扩展几乎尚未开始，故其空间分辨率直接由入束的侧向扩展几乎尚未开始，故其空间分辨率直接由入射电子束的直径决定。射电子束的直径决定。现在学习的是第8页，共46页直接谱与微分谱直接谱与微分谱n直接谱直接谱：俄歇电子强度密度(电子数)N(E)对其能量E的分布N(E)E。n微分谱微分谱：由直接谱微分而来，是dN(E)/dE对E的分布dN(E)/dEE。俄歇电子能谱示例(Ag的俄歇能谱) 现在学习的是第9页，共46页石墨的俄歇谱石墨的俄歇谱 从微分前俄歇谱的从微分前俄歇谱的N(E)看出，这部分电子能看出，

8、这部分电子能量减小后迭加在俄歇峰的量减小后迭加在俄歇峰的低能侧，把峰的前沿变成低能侧，把峰的前沿变成一个缓慢变化的斜坡，而一个缓慢变化的斜坡，而峰的高能侧则保持原来的峰的高能侧则保持原来的趋势不变。俄歇峰两侧的趋势不变。俄歇峰两侧的变化趋势不同，微分后出变化趋势不同，微分后出现正负峰不对称现正负峰不对称。现在学习的是第10页，共46页化学位移效应化学位移效应化学环境的强烈影响常常导致俄歇谱有如下三种可能的变化学环境的强烈影响常常导致俄歇谱有如下三种可能的变化：化：( (称为化学效应称为化学效应) )锰和氧化锰的俄歇电子谱锰和氧化锰的俄歇电子谱1 1）俄歇跃迁不涉及价带，化学）俄歇跃迁不涉及价带

9、，化学环境的不同将导致内层电子能环境的不同将导致内层电子能级发生微小变化，造成俄歇电级发生微小变化，造成俄歇电子能量微小变化，表现在俄歇子能量微小变化，表现在俄歇电子谱图上，谱线位置有微小电子谱图上，谱线位置有微小移动，这就是移动，这就是化学位移化学位移。现在学习的是第11页，共46页锰和氧化锰的俄歇电子谱锰和氧化锰的俄歇电子谱3 , 23 , 23MML5 , 43 , 23MML5 , 45 , 43MML氧化锰氧化锰540540eVeV587587eVeV636636eVeV 锰锰543543eV eV 590590eV eV 637637eVeV锰锰氧化锰氧化锰现在学习的是第12页，共

10、46页2 2）当俄歇跃迁涉及到价电子）当俄歇跃迁涉及到价电子能带时，情况就复杂了，这能带时，情况就复杂了，这时俄歇电子位移和原子的化时俄歇电子位移和原子的化学环境就不存在简单的关系学环境就不存在简单的关系，不仅峰的位置会变化，而，不仅峰的位置会变化，而且峰的形状也会变化。且峰的形状也会变化。Mo2C、SiC、石墨和金刚石中、石墨和金刚石中碳的碳的 KLL（KVV或）俄歇谱或）俄歇谱现在学习的是第13页，共46页3)3)能量损失机理导致的变化将改变俄歇峰低能侧能量损失机理导致的变化将改变俄歇峰低能侧的拖尾峰。的拖尾峰。 由于俄歇电子位移机理比较复杂，涉及到由于俄歇电子位移机理比较复杂，涉及到三个

11、能级，不象三个能级，不象X X射线光电子能谱那样容易识别和射线光电子能谱那样容易识别和分析，并且通常使用的俄歇谱仪分辨率较低，这方分析，并且通常使用的俄歇谱仪分辨率较低，这方面的应用受到了很大的限制。面的应用受到了很大的限制。现在学习的是第14页，共46页俄歇电子能谱法的应用俄歇电子能谱法的应用n优点：n作为固体表面分析法，其信息深度取决于俄歇电子逸出深度(电子平均自由程)。对于能量为50eV2keV范围内的俄歇电子，逸出深度为0.42nm。深度分辨率约为1nm，横向分辨率取决于入射束斑大小。n可分析除H、He以外的各种元素。n对于轻元素C、O、N、S、P等有较高的分析灵敏度。n可进行成分的深

12、度剖析或薄膜及界面分析。现在学习的是第15页，共46页在材料科学研究中的应用在材料科学研究中的应用n材料表面偏析、表面杂质分布、晶界元素分析；n金属、半导体、复合材料等界面研究；n薄膜、多层膜生长机理的研究；n表面的力学性质(如摩擦、磨损、粘着、断裂等)研究；n表面化学过程(如腐蚀、钝化、催化、晶间腐蚀、氢脆、氧化等)研究；n集成电路掺杂的三维微区分析；n固体表面吸附、清洁度、沾染物鉴定等。现在学习的是第16页，共46页局限性局限性n不能分析氢和氦元素；n定量分析的准确度不高；n对多数元素的探测灵敏度为原子摩尔分数0.1%1.0%；n电子束轰击损伤和电荷积累问题限制其在有机材料、生物样品和某些

13、陶瓷材料中的应用；n对样品要求高，表面必须清洁(最好光滑)等。 现在学习的是第17页，共46页俄歇电子能谱的信息n元素沿深度方向的分布分析元素沿深度方向的分布分析 AES的深度分析功能是俄歇电子能谱最有用的分析功能。一般采用Ar离子束进行样品表面剥离的深度分析方法。该方法是一种破坏性分析方法，会引起表面晶格的损伤，择优溅射和表面原子混合等现象。但当其剥离速度很快时和剥离时间较短时，以上效应就不太明显，一般可以不用考虑。 现在学习的是第18页，共46页深度分析n图是PZT/Si薄膜界面反应后的典型的俄歇深度分析图。横坐标为溅射时间，与溅射深度有对应关系。纵坐标为元素的原子百分比。从图上可以清晰地

14、看到各元素在薄膜中的分布情况。在经过界面反应后，在PZT薄膜与硅基底间形成了稳定的SiO2界面层。这界面层是通过从样品表面扩散进的氧与从基底上扩散出的硅反应而形成的 00.511.522.533.54020406080100OOSiSiOPZT溅射时间 / min原子摩尔百分数浓度SiO2 界面层PZT/Si薄膜界面反应后的俄歇深度分析谱 现在学习的是第19页，共46页微区分析微区分析 n微区分析也是俄歇电子能谱分析的一个重要功能，可以分为选点分析，线扫描分析和面扫描分析三个方面。n这种功能是俄歇电子能谱在微电子器件研究中最常用的方法，也是纳米材料研究的主要手段。 现在学习的是第20页，共46

15、页微区分析n选点分析选点分析 俄歇电子能谱由于采用电子束作为激发源，其束斑面积可以聚焦到非常小。从理论上，俄歇电子能谱选点分析的空间分别率可以达到束斑面积大小。因此，利用俄歇电子能谱可以在很微小的区域内进行选点分析，当然也可以在一个大面积的宏观空间范围内进行选点分析。这种方法的优点是可以在很大的空间范围内对样品点进行分析，选点范围取决于样品架的可移动程度。利用计算机软件选点，可以同时对多点进行表面定性分析，表面成分分析，化学价态分析和深度分析。这是一种非常有效的微探针分析方法。 现在学习的是第21页，共46页微区分析图为Si3N4薄膜经850快速热退火处理后表面不同点的俄歇定性分析图。从表面定

16、性分析图上可见，在正常样品区，表面主要有Si, N以及C和O元素存在。而在损伤点，表面的C,O含量很高，而Si, N元素的含量却比较低。 这结果说明在损伤区发生了Si3N4薄膜的分解。 图 Si3N4薄膜表面损伤点的俄歇定性分析谱 现在学习的是第22页，共46页微区分析Si3N4薄膜表面正常点的俄歇深度分析 Si3N4薄膜表面损伤点的俄歇深度分析 现在学习的是第23页，共46页微区分析n 从图上可见，在正常区，Si3N4薄膜的组成是非常均匀的，N/Si原子比为0.43。而在损伤区，虽然Si3N4薄膜的组成也是非常均匀的，但其N/Si原子比下降到0.06。N元素大量损失，该结果表明Si3N4薄膜

17、在热处理过程中，在某些区域发生了氮化硅的脱氮分解反应，并在样品表面形成结碳。 现在学习的是第24页，共46页 俄歇电子能谱的应用举例俄歇电子能谱的应用举例 n 俄歇电子能谱可以用来研究固体表面的能带结构、态密度等。俄歇电子能谱还常用来研究表面的物理化学性质的变化。如表面吸附、脱附以及表面化学反应。在材料科学领域，俄歇电子能谱主要应用于材料组分的确定，纯度的检测，材料特别是薄膜材料的生长。俄歇电子能谱可以研究表面化学吸附以及表面化学反应。在物理学，化学，材料科学以及微电子学等方面有着重要的应用。现在学习的是第25页，共46页固体表面清洁程度的测定固体表面清洁程度的测定 n在研究工作中，经常需要获

18、得清洁的表面。一般对于金属样品可以通过加热氧化除去有机物污染，再通过真空热退火除去氧化物而得到清洁表面。而最简单的方法则是离子枪溅射样品表面来除去表面污染物。样品的表面清洁程度可以用俄歇电子能谱来实时监测。 现在学习的是第26页，共46页固体表面清洁程度的测定固体表面清洁程度的测定n图显示了在磁控溅射制备的铬薄膜表面清洁前后的俄歇谱。从图上可见，在样品的原始表面上，除有Cr元素存在外，还有C、O等污染杂质存在。在经过Ar离子溅射清洁后，其表面的C杂质峰基本消失。样品表面的C污染并不是在制备过程中形成的，而是在放置过程中吸附的大气中的污染。但氧的特征俄歇峰即使在溅射清洁很长时间后，仍有小峰存在。

19、该结果表明有少量O存在于制备的Cr薄膜层中。该氧可能是由靶材的纯度或薄膜样品制备过程中的真空度较低有关，而不仅仅是表面污染。现在学习的是第27页，共46页表面清洁前后的铬薄膜表面俄歇电子能谱检测固体表面清洁程度的测定固体表面清洁程度的测定现在学习的是第28页，共46页表面吸附和化学反应的研究表面吸附和化学反应的研究 n由于俄歇电子能谱具有很高的表面灵敏度，可以检测到10-3原子单层，因此可以很方便和有效地用来研究固体表面的化学吸附和化学反应。n下图分别是在多晶锌表面初始氧化过程中的Zn LVV和O KLL俄歇谱。 现在学习的是第29页，共46页n从图上可见，当暴氧量达到50 L时，Zn LVV

20、的线形就发生了明显的变化。俄歇动能为54.6eV的峰增强，而俄歇动能为57.6eV的峰则降低。表明有少量的ZnO物种生成。随着暴氧量的继续增加，Zn LVV线形的变化更加明显，并在低能端出现新的俄歇峰。表明有大量的ZnO表面反应产物生成。 表面初始氧化过程的Zn LVV谱 Zn LVV 俄歇谱现在学习的是第30页，共46页n1 L的暴氧量的吸附后，开始出现动能为508.2eV的峰。该峰可以归属为Zn表面的化学吸附态氧，当暴氧量增加到30L时，在O KLL谱上出现了高动能的伴峰，通过曲线解叠可以获得俄歇动能为508.6 eV和512.0eV的两个峰。后者是由表面氧化反应形成的ZnO物种中的氧所产

21、生。即使经过3000L剂量的暴氧后，在多晶锌表面仍有两种氧物种存在。这结果表明在低氧分压的情况下，只有部分活性强的Zn被氧化为ZnO物种，而活性较弱的Zn只能与氧形成吸附状态。 表面初始氧化过程的O KLL谱 O KLL俄歇谱现在学习的是第31页，共46页薄膜厚度测定薄膜厚度测定 n通过俄歇电子能谱的深度剖析，可以获得多层膜的厚度。由于溅射速率与材料的性质有关，这种方法获得的薄膜厚度一般是一种相对厚度。但在实际过程中，大部分物质的溅射速率相差不大，或者通过基准物质的校准，可以获得薄膜层的厚度。这种方法对于薄膜以及多层膜比较有效。对于厚度较厚的薄膜可以通过横截面的线扫描或通过扫描电镜测量获得。

22、现在学习的是第32页，共46页薄膜厚度测定薄膜厚度测定n图是在单晶Si基底上制备的TiO2 薄膜光催化剂的俄歇深度剖析谱。从图上可见，TiO2薄膜层的溅射时间约为6分钟，由离子枪的溅射速率（30nm/min），可以获得TiO2 薄膜光催化剂的厚度约为180nm。该结果与X射线荧光分析的结果非常吻合（182nm）。 AES测定TiO2薄膜光催化剂的厚度 现在学习的是第33页，共46页薄膜的界面扩散反应研究薄膜的界面扩散反应研究 n在薄膜材料的制备和使用过程中，不可避免会产生薄在薄膜材料的制备和使用过程中，不可避免会产生薄膜层间的界面扩散反应。对于有些情况下，希望薄膜膜层间的界面扩散反应。对于有些

23、情况下，希望薄膜之间能有较强的界面扩散反应，以增强薄膜间的物理之间能有较强的界面扩散反应，以增强薄膜间的物理和化学结合力或形成新的功能薄膜层。而在另外一些和化学结合力或形成新的功能薄膜层。而在另外一些情况则要降低薄膜层间的界面扩散反应。如多层薄膜情况则要降低薄膜层间的界面扩散反应。如多层薄膜超晶格材料等。通过俄歇电子能谱的深度剖析，可以超晶格材料等。通过俄歇电子能谱的深度剖析，可以研究各元素沿深度方向的分布，因此可以研究薄膜的研究各元素沿深度方向的分布，因此可以研究薄膜的界面扩散动力学。同时，通过对界面上各元素的俄歇界面扩散动力学。同时，通过对界面上各元素的俄歇线形研究，可以获得界面产物的化学

24、信息，鉴定界面线形研究，可以获得界面产物的化学信息，鉴定界面反应产物。反应产物。 现在学习的是第34页，共46页薄膜的界面扩散反应研究薄膜的界面扩散反应研究 难熔金属的硅化物是微电子器件中广泛应用的引线材料和欧母结材料，是大规模集成电路工艺研究的重要课题，目前已进行了大量的研究。图是Cr/Si薄膜在热处理后形成界面扩散反应后样品的俄歇深度分析图。从图上可见，薄膜样品在经过热处理后，已有稳定的金属硅化物层形成。同样，从深度分析图上还可见， Cr表面层已被氧化以及有C元素存在。这主要是由热处理过程中真空度不够以及残余有机物所引起的。此外，界面扩散反应的产物还可以通过俄歇线形来鉴定。 AES研究Cr

25、/Si的界面扩散反应 现在学习的是第35页，共46页界面扩散反应研究 从图可见，金属Cr LMM谱为单个峰，其俄歇动能为485.7 eV，而氧化物Cr2O3也为单峰，俄歇动能为484.2 eV。在CrSi3硅化物层以及与单晶硅的界面层上，Cr LMM的线形为双峰，其俄歇动能为481.5 和485.3 eV。可以认为这是由CrSi3金属硅化物所产生。硅化物中Cr的电子结构与金属Cr以及而氧化物Cr2O3的是不同的。形成的金属硅化物不是简单的金属共熔物，而是具有较强的化学键存在。该结果还表明不仅在界面产物层是有金属硅化物组成，在与硅基底的界面扩散层中，Cr也是以硅化物的形式存在。 在不同界面处的C

26、r LMM俄歇线形现在学习的是第36页，共46页界面扩散反应研究n从图可见，金属Cr的MVV俄歇线的动能为32.5 eV, 而氧化物Cr2O3的MVV俄歇线的动能为28.5 eV。在金属硅化物层及界面层中，Cr MVV的俄歇动能为33.3 eV，该俄歇动能比纯金属Cr的俄歇动能还高。根据俄歇电子动能的讨论，可以认为在金属硅化物的形成过程中，Cr不仅没有失去电荷，并从Si原子得到了部分电荷。这可以从Cr和Si的电负性以及电子排布结构来解释。Cr和Si原子的电负性分别为1.74和1.80，表明这两种元素的得失电子的能力相近。而Cr和Si原子的外层电子结构分别为3d54s1和3s13p3。当Cr原子

27、与Si原子反应形成金属硅化物时，硅原子的3p电子可以迁移到Cr原子的4s轨道中，形成更稳定的电子结构。 图29 在不同界面处的Cr MVV俄歇线形现在学习的是第37页，共46页固体表面离子注入分布及化学状态的研究固体表面离子注入分布及化学状态的研究 n通过俄歇电子能谱的深度剖析，不仅可以研究离子注入元素沿深度方向的分布，还可以研究注入元素的化学状态。n图是SnO2薄膜经离子注入Sb后的薄膜的俄歇深度分析图。从图上可见，离子注入层的厚度大约35nm，而注入元素的浓度达到12%。仅从Sb离子的注入量和分布很难解释离子注入薄膜的电阻率的大幅度降低。 离子注入Sb的SnO2气敏薄膜的俄歇深度分析图 现

28、在学习的是第38页，共46页固体表面离子注入分布及化学状态的研究固体表面离子注入分布及化学状态的研究n图是沿注入方向的Sn MNN俄歇线形变化。在注Sb膜层中，Sn MNN的俄歇动能为422.8 eV和430 .2 eV，介于金属锡和SnO2之间。显然在离子注入层中，Sn并不是以SnO2物种存在。在注Sb层中，Sn MNN的俄歇动能比无Sb层低，说明Sn的外层轨道获得了部分电子，这与UPS的研究结果是一致的。 在离子注Sb薄膜层中的Sn MNN 线形 现在学习的是第39页，共46页固体表面离子注入分布及化学状态的研究固体表面离子注入分布及化学状态的研究n从Sb MNN的俄歇线形也可见，在注入层

29、中，Sb MNN的俄歇动能为450.0 eV和457.3 eV，而纯Sb2O3的俄歇动能为447.2 eV和455.1eV。表明离子注入的Sb并不以三价态的Sb2O3存在，也不以金属态存在。由此可见，离子注入Sb薄膜的电阻率的降低不是由于金属态的Sb所产生的。这与Sb与SnO2的相互作用有关。Sb中的部分5p轨道的价电子转移到Sn的5s轨道，改变了薄膜的价带结构，从而促使薄膜导电性能的大幅度提高。在Sb离子注入薄膜层中Sb MNN俄歇线形 现在学习的是第40页，共46页固体化学反应研究固体化学反应研究 n俄歇电子能谱在薄膜的固体化学反应研究上也有着重要的作用。金刚石颗粒是一种重要的耐磨材料，经

30、常包覆在金属基底材料中用作切割工具和耐磨工具。为了提高金刚石颗粒与基底金属的结合强度，必须在金刚石表面进行预金属化。 现在学习的是第41页，共46页固体化学反应研究固体化学反应研究 n图是金刚石表面镀Cr样品的俄歇深度分析图。从图上可见，在金刚石表面形成了很好的金属Cr层。Cr层与金刚石的界面虽有一定程度的界面扩散，但并没有形成稳定的金属化合物相出现。在高真空中经高温热处理后，其俄歇深度剖析图发生了很大的变化。 Cr/金刚石原始薄膜的俄歇深度分析 现在学习的是第42页，共46页固体化学反应n从图可见，热处理后，在Cr/C界面上发生了固相化学反应，并形成了两个界面化学反应产物层。表面层为CrC物种，而中间层为Cr3C4物种。Cr/金刚石薄膜经真空热处理后的俄歇深度分析 现在学习的是第43页，共46页固体化学反应n图是热处理后样品不同深度处的俄歇线形谱。从Cr LMM俄歇线形上，可以获得在界面层上的确发生了化学反应并形成了新的物种CrCx。但从该线形还是难以分辨CrC和Cr3C4物种。但从Cr MVV谱可见，CrC与Cr3C4物种的俄歇动能还是有微小的差别。从C KLL俄歇线形上也可见，界面反应的确形成了金属碳化物。现在学习的是第44页，共46页Cr LM1M2 Cr LM3M4 Cr MVV C KLL 现在学习的是第45页，共46页 END现在学习的是第46页，共46页