内存颗粒识别.doc

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1、如有侵权，请联系网站删除，仅供学习与交流内存颗粒识别【精品文档】第 5 页内存颗粒识别存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron（美光）、德国的Infineon（英飞凌）；韩国的SAMSUNG（三星）、HY（现代）；日本的NEC（日本电气）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT（晶豪）、EtronTech（钰创）、Winbond（华邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard（世界先进）、Nanya（南亚）。有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR时代采用的也不多了。显存种类主要分SD

2、和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x254，DDR的管脚数量为33X2=66。注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的

3、18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 SAMSUNG目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。编码规则：K 4 X X X X X X XX - X X X X主要含义：第1位芯片功能K，代表是内存芯片。第2位芯片类型4，代表DRAM。第3位芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、D代表DDR、G代表SGRAM。第

4、4、5位容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。第6、7位数据线引脚个数（代宽），08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。第11位连线“-”，没有实际意义。第12、13位为速度标志。第14、15位芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66M

5、Hz)。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） 16片/8bits=256MB（兆字节）。 图1 三星颗粒（左边为采用TSOP封装DDR颗粒，右边为采用TSOP封装的SD颗粒）图3 采用mBGA封装方式的DDR显存颗粒Hynix(Hyundai)现代 韩国现代公司的显存，应该为大多数朋友熟悉了。目前全球排名第四位，它的产品线也是很丰富的，在内存中，现代HY是物美价廉的代表。现代内存的含义：HY

6、5DV641622AT-36 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片输

7、出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系 7、I/O界面：1 :SSTL_3、2 :SSTL_2 8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新 9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 10、内存形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-，TD=13mm TSOP-，TG=16mm TSOP- 11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、

8、L :DDR200、H :DDR266B、K :DDR266A 图4 现代的颗粒（左图为DDR颗粒，右图为SD颗粒）第一个编号为HY5DV641622AT-36的颗粒，它是DDR显存颗粒，第4位的字母“D”即代表为DDR，单颗64/88MB，速度为3.6ns；第二颗编号为HY57V641620HG T-6，它是SDR颗粒，它的第6、7两位标称了显存单颗粒为64/88MB，8，9两位代表了显存位宽为16bit，T-6表示速度为6ns，一般以-2A的标识方式进行标注。图5 采用mBGA封装方式的颗粒Infineon（亿恒） Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司In

9、fineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。 HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。 Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加

10、一短线，然后标上工作速率。 -7.5表示该内存的工作频率是133MHz； -8表示该内存的工作频率是100MHz。 例如：1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）16片/8=256MB（兆字节）。 1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） 8 片/8=128MB（兆字节）。 图6 Infineon（亿恒）颗粒这颗编号为HYB25D128323C-3.3，编号中正数第10、11位，也就是

11、“32”代表了该颗粒的数据输出位宽。32也就是单颗32位。顺便说一下，这是DDR SGRAM显存颗粒。KINGMAXKingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。 容量备注： KSVA44T4A0A64Mbits，16M地址空间 4位数据宽度； KSV884T4A0A64Mbits，8M地址空间 8位数据宽度； KSV244T4XXX128Mbits

12、，32M地址空间 4位数据宽度； KSV684T4XXX128Mbits，16M地址空间 8位数据宽度； KSV864T4XXX128Mbits，8M 地址空间 16位数据宽度。 Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： -7APC133 /CL=2； -7PC133 /CL=3； -8APC100/ CL=2； -8PC100 /CL=3。 例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）16片/8=128MB（兆字节）。 Micron（美光） 美光是美国第一大、全球第二

13、大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron（美光）颗粒编号的简单含义作介绍：以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。 含义： MTMicron的厂商名称。 48内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。 LC供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。 16M8内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）8位数据宽度。 A2内存内核版本号。 TG封装方式，TG即。 -75内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。 实例：一条Micron DDR内存条，采用

14、18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。 其容量计算为：容量32M 4bit 16 片/ 8=256MB（兆字节）。图7 美光芯片颗粒颗粒编号MT48LC8M8A2TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。Winbond（华邦） 台湾华邦为台湾5大内存芯片厂商之一，近年来，大陆客户采用它的内存颗粒较多，因此为我们较熟悉的一种品牌。含义说明：W XX XX XX XX 1 2 3 4 5 1、W代表内存颗粒是由Winbond生产 2、代表显存类型：98

15、为SDRAM，94为DDR RAM 3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H； 4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装 5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz图8 winbond颗粒这颗粒编号为W946432AD-5H，第1位W为台湾华邦显存颗粒开头标志，编号中的4、5为64表示单颗显存为64/8=8Mb，第6、7为32表示单颗粒位宽为32位，第9位D表示位DDR颗粒，后面的第11、12位表示颗粒速度位5ns。台湾晶豪电子台湾晶

16、豪电子是台湾5大内存芯片厂商之一，它近年来发展迅速，主要中国大陆显卡商采用它的颗粒较多。图9 EilteMT颗粒这颗显存编号为-5.5Q，9948S M32L32321SB，-5.5Q代表显存的速度为5.5ns，对应的运行速度=1/5.5=183MHz；9948S表示封装日期为99年第48周；第二行中的3232表示容量为32/8=4MB，数据带宽为32bit。图10 ESMT颗粒这颗显存编号为M13L128168A-4T，5、6、7位的128表示单颗是128/816MB，8、9位表示位宽16bit，最后的-4T表示速度为4ns。台湾钰创科技台湾钰创科技为最近兴起的存储芯片领域里的一颗新星，它的

17、内存颗粒被各大显卡产商大量采用，品质性能都非常不错。这颗显存编号为EM658160TS-4.5，其中EM代表EtronTech(钰创)显存，65代表容量为64/8=8MB，16代表数据带宽为16bit。T代表工作电压为2.5V，S代表种类为DDR SDRAM。4.5代表显存速度为4.5ns，额定工作频率为230MHz。图11 钰创颗粒南亚科技（NANYA）南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。图12 南亚颗粒这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。台湾茂矽（MOSEL）台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。图13 MOSEL显存颗粒这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/88MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns。