霍尔效应及霍尔元件基本参数的测量.doc

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1、精品文档，仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除霍尔效应及霍尔元件基本参数的测量086041B班D组 何韵摘要：霍尔效应是磁电效应的一种，利用这一现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面.霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法.本实验的目的在于了解霍尔效应的原理及有关霍尔器件对材料的要求，使用霍尔效应试验组合仪，采用“对称测量法”消除副效应的影响，经测量得到试样的VHIM和VHIS曲线，并通过实验测定的霍尔系数，判断出半导体材料试样的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数.关键词：霍尔效应hall effect，半导体霍尔元件semiconductor

2、 hall effect devices，对称测量法symmetrical measurement，载流子charge carrier，副效应secondary effect 美国物理学家霍尔(Hall,Edwin Herbert,1855-1938)于1879年在实验中发现,当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这一现象便是霍尔效应.这个电势差也被叫做霍尔电势差.霍尔的发现震动了当时的科学界,许多科学家转向了这一领域，不久就发现了爱廷豪森(Ettingshausen)效应、能斯托(Nernst)效应、里吉-勒迪克(Righi-Leduc)效应和

3、不等位电势差等四个伴生效应.在霍尔效应发现约100年后,德国物理学家克利青(Klaus von Klitzing, 1943-)等在研究极低温度和强磁场中的半导体时发现了量子霍耳效应,这是当代凝聚态物理学令人惊异的进展之一,克利青为此获得了1985年的诺贝尔物理学奖.之后，美籍华裔物理学家崔琦 (Daniel Chee Tsui,1939- )和美国物理学家劳克林(Robert B.Laughlin，1950-)、施特默(Horst L. St rmer，1949-)在更强磁场下研究量子霍尔效应时发现了分数量子霍尔效应，这个发现使人们对量子现象的认识更进一步，他们为此获得了1998年的诺贝尔物

4、理学奖.最近，复旦校友、斯坦福教授张首晟与母校合作开展了“量子自旋霍尔效应”的研究.“量子自旋霍尔效应”最先由张首晟教授预言，之后被实验证实.这一成果是美国科学杂志评出的2007年十大科学进展之一.如果这一效应在室温下工作，它可能导致新的低功率的“自旋电子学”计算设备的产生.目前工业上应用的高精度的电压和电流型传感器有很多就是根据霍尔效应制成的,误差精度能达到0.1%以下.一、 霍尔效应的原理1. 霍尔效应霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力作用而引起的偏转.置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，即霍尔电场EH ,这个现象

5、被称为霍尔效应.在x方向通以电流IS ,在z方向加磁场B,则在y方向即试样A-A电极两侧因一号电荷的聚集而产生附加电场.电场的指向取决于式样的导电类型，如图1示.图1EH0, P型霍尔电场EH阻止载流子继续向侧面偏移，平衡时载流子所受电场力等于洛仑兹力得其中为载流子在电流方向的平均漂移速率.设试样宽b(y方向的长度)厚d（z方向的长度），载流子浓度为n，则IS=nbde得,由此得到, VH与ISB乘积成正比，与试样厚度d成反比，比例系数RH=1/ne称为霍尔系数，是反映材料霍尔效应强弱的重要参数.,其中磁场单位用T.2. RH与其他参数的关系（1） 由RH的符号判断导电类型：三元组（IS,B,

6、EH）满足右手螺旋法则，则导电类型为N型，反之为P型.（2） 由RH求载流子的浓度：假定所有载流子的漂移速度相同，则.若考虑载流子的统计分布，须引入3 /8的修正因子.（3） 结合电导率求载流子的迁移率.由=ne得=|Rh|.3. 霍尔效应与材料性能为得到较大的霍尔电压，根据其产生原理，可以采取下述方法：（1） 关键是选取RH较大的材料,而RH=（其中为电阻率），金属导体和都很小，不良导体较大，但太小，都不适合做霍尔元件.只有半导体和大小适中，是制作霍尔元件的较理想材料.由于电子的迁移率比空穴的迁移率大，一般霍尔元件采用N型材料.（2） 其次是减小d，因此常用薄膜型霍尔器件.一般，用霍尔灵敏度

7、来表示器件的灵敏度.二、霍尔效应的副效应上述推导是从理想情况出发的,实际情况要复杂得多,在产生霍尔电压的同时,还伴生有四种副效应,副效应产生的电压叠加在霍尔电压上,造成系统误差.为便于说明，画一简图如图2所示.图2 在磁场中的霍尔元件（1）爱廷豪森(Ettingshausen)效应引起的电势差.由于电子实际上并非以同一速度v沿X轴负向运动,速度大的电子回转半径大,能较快地到达接点3的侧面,从而导致3侧面较4侧面集中较多能量高的电子,结果3、4侧面出现温差,产生温差电动势.的正负与I和B的方向有关.（2）能斯托(Nernst)效应引起的电势差.焊点1、2间接触电阻可能不同,通电发热程度不同,故1

8、、2两点间温度可能不同,于是引起热扩散电流.与霍尔效应类似,该热扩散电流也会在3、4点间形成电势差.若只考虑接触电阻的差异，则的方向仅与B的方向有关. （3）里吉-勒迪克(Righi-Leduc)效应产生的电势差 .在能斯托效应的热扩散电流的载流子由于速度不同,一样具有爱廷豪森效应,又会在3、4点间形成温差电动势. 的正负仅与B的方向有关,而与I的方向无关.（4）不等位电势差效应引起的电势差.由于制造上困难及材料的不均匀性,3、4两点实际上不可能在同一条等势线上.因此,即使未加磁场,当I流过时,3、4两点也会出现电势差. 的正负只与电流方向I有关,而与B的方向无关.综上所述,在确定的磁场B和电

9、流I下，实际测出的电压是、和这5种电压的代数和. 根据副效应的性质,采用电流和磁场换向的对称测量法,尽量消减它们的影响.具体做法如下： 给样品加（B、I）时,测得3、4两端横向电压为 给样品加（B、I）时,测得3、4两端横向电压为 给样品加（B、I）时,测得3、4两端横向电压为 给样品加（B、I）时,测得3、4两端横向电压为由以上四式可得 通常比小得多,可以略去不计,因此霍尔电压为三、 具体实验过程实验采用霍尔实验组合仪,给定的霍尔元件长l=1.5mm, 宽b=1.5mm, 厚d=0.2mm,KH=184mV/(mA.T). 1.首先根据仪器性能,连接测试仪与试验以之间的各种连线，注意接线对应

10、连接.2.实验中使用换向开关改变电源正负极的连接从而改变电流和磁场的方向,可以实现对称测量.在作VHIS曲线和VHIM曲线时,使用控制变量法.3.将测试仪的功能切换置于“VH”.当IM=500mA（磁感应强度B）保持不变时,调整IS,用换向开关改变电流和磁场的方向,测，.列表记录数据如下：IS(mA)V1(mV)V2(mV)V3(mV)V4(mV)（mv）B, ISB, ISB, ISB, IS0.5-1.170.88-0.881.17-1.031.00-2.341.76-1.762.34-2.051.50-3.502.62-2.633.50-3.062.00-4.663.50-3.504.6

11、7-4.082.50-5.824.37-4.375.83-5.093.00-6.995.27-5.247.01-6.13作VHIS曲线注意到随着B和IS 的方向的改变,测得的，大小不同,这是由于霍尔效应的副效应引起的,最后用得到可消除副效应对结果的影响.4.当IS=3.00mA保持不变时,调整IM ， 再次用换向开关改变电流和磁场的方向,测，列表记录数据如下：IM (A)V1(mV)V2(mV)V3(mV)V4(mV)（mv）B, ISB, ISB, ISB, IS0.100-2.110.35-0.352.11-1.230.150-2.710.95-0.952.71-1.830.200-3.3

12、21.57-1.563.32-2.440.250-3.932.17-2.173.93-3.050.300-4.542.784.55-2.78-3.660.350-5.163.40-3.405.16-4.280.400-5.774.01-4.015.77-4.890.450-6.394.62-4.626.39-5.500.500-7.005.24-5.247.00-6.12作VHIM曲线判断霍尔片的导电类型：当IS0，IM0时，VH小于零 ，则霍尔片为N型半导体。由给定的KH,根据公式KH=RH/d得霍尔系数：由VHIS曲线得, 载流子浓度：5.将测试仪的功能切换置于“V”,在零磁场(IM=0)下,测.列表记录数据如下：IS（mA）0.501.001.502.002.503.00V（mV）396783117615711962-计算：, 得电导率：=6.38 -1.m-1迁移率：四、扩展应用半导体随着温度升高,迁移率增大,基本不变,由此判断RH随温度的升高而增大,这样可以制造对温度敏感的霍尔元件,用于测量制造温度传感器,或是用于测量温度变化引起元件的微小形变.参考资料：张志东、魏怀鹏、展永et al.，2004.大学物理实验（第二版）. 科学出版社, 354-358韦凤年 , 2006. 怎样写科技论文. 河南水利,9【精品文档】第 9 页