2022年电子元器件型号命名规则 .pdf

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1、电子元器件型号命名规则1，常用电阻器、电位器第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分第六部分第七部分第八部分用字母表示主称用字母表示材料用数字或者字母表示分类用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示用数字或者字母直接表示符号意义符号意义符号意义额定功率阻值允许误差精密等级封装R 电阻器H 合成膜1， 2 普通W 电位器S 有机实芯3 超音频N 无机实芯4 高阻T 碳膜5 高温Y 氧化膜7 精密J 金属膜（箔）8 电阻器高压I 玻璃釉膜电位器特殊X 线绕9 特殊G 高功率T 可调W 微调M 敏感2，电容器第一部分(材料)第二部分分类（第三部分）（用

2、数字或者字母直接表示）第四部分（用数字或者字母直接表示）第五部分（用数字或者字母直接表示）第六部分符号意义符号意义符号意义容值精密封装名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页，共 6 页 - - - - - - - - - 瓷介云母有机电解等级C 电容器C 高频瓷1 圆片非密封非密封箔式T 低频瓷2 圆形非密封非密封箔式I 玻璃釉3 叠形密封密封烧结粉液体O 玻璃膜4 独石密封密封烧结粉固体Y 云母5 穿心穿心V 云母纸6 支柱等无极性Z 纸介7 J 金属化纸8 高压高

3、压高压D 铝电解9 特殊特殊A 钽电解G 高功率N 铌电解W 微调Q 漆膜G 合金电解E 其它电解材料B 聚苯乙烯等非极性有机薄膜L 聚酯等极性有机薄膜H 复合介质名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页，共 6 页 - - - - - - - - - 3，电感器第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分第六部分主称特征型式序号符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义L 线圈G 高频X 小型A ZL 高频阻流圈B 4,变压器第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分第六部分

4、主称特征型式序号符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义DB 电源变压器G 高频X 小型A CB 音频输出变压器B RB 音频输入变压器GB 高压变压器HB 灯丝变压器SB/ZB 音频 (阻尼)输送变压器SB/EB 音频（定压或者自耦式）输送变压器5,半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分的意义分别如下: 第一部分 :用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、 3三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时 :A-N 型锗材料、 B

5、-P 型锗材料、 CN 型硅材料、 DP 型硅材名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 3 页，共 6 页 - - - - - - - - - 料。表示三极管时：APNP 型锗材料、 BNPN 型锗材料、CPNP 型硅材料、 D-NPN 型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、 V- 微波管、 W稳压管、 C-参量管、 Z-整流管、 L整流堆、 S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、 K-开关管、 X- 低频小功率管（f3MHz ，Pc1W ）、

6、A高频大功率管(f3MHz ，Pc1W）、 T-半导体晶闸管(可控整流器 )、Y- 体效应器件、 B雪崩管、 J阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH复合管、 PINPIN 型管、 JG-激光器件。第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示 NPN 型硅材料高频三极管。二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下: 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型. 0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1二极管、2三极或具有两个pn 结的其他器件、3具有四个

7、有效电极或具有三个pn 结的其他器件、依此类推。第二部分：日本电子工业协会JEIA 注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA 注册登记的半导体分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型. APNP 型高频管、B-PNP 型低频管、CNPN 型高频管、DNPN 型低频管、F-P 控制极可控硅、GN 控制极可控硅、H-N 基极单结晶体管、JP沟道场效应管，如2SJ-KN 沟道场效应管，如2SK -M- 双向可控硅。第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA 登记的顺序号。两位以上的整数 从“11”开始 ,表示在日本电子工业协会JEIA 登记的顺序号; 不同公司的性能相同的器件可

8、以使用同一顺序号；数字越大,越是近期产品。第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F 表示这一器件是原型号产品的改进产品。三、美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN 军级、JANTX- 特军级、名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 4 页，共 6 页 - - - - - - - - - JANTXV 超特军级、JANS宇航级、无

9、-非军用品。第二部分 :用数字表示pn 结数目。 1-二极管、 2=三极管、 3-三个 pn 结器件、 nn 个 pn 结器件。第三部分 :美国电子工业协会（EIA ）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字 该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。第五部分 :用字母表示器件分档。A、B、C、D、 同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A 表示 PNP 硅高频小功率开关三极管JAN- 军级、2三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA 登记顺序号、A2N3251A 档. 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法

10、国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成 ,各部分的符号及意义如下：第一部分：用字母表示器件使用的材料。A- 器件使用材料的禁带宽度Eg=0.61。 0eV 如锗、B- 器件使用材料的Eg=1.01.3eV 如硅、C器件使用材料的Eg1。3eV 如砷化镓、D器件使用材料的Eg0。6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料。第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A- 检波开关混频二极管、B- 变容二极管、C低频小功率三极管、D低频大功率三极管、E隧道二极管、

11、F高频小功率三极管、G复合器件及其他器件、H磁敏二极管、K- 开放磁路中的霍尔元件、L高频大功率三极管、M 封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X- 倍增二极管、Y- 整流二极管、名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 5 页，共 6 页 - - - - - - - - - Z稳压二极管。第三部分 :用数字或字母加数字表示登记号。三位数字 代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字表示专

12、用半导体器件的登记序号. 第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E、表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀.其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围，字母 A、B、C、D、E 分别表示容许误差为 1%、 2、 5、 10、 15；其后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V, 代小数点 , 字母 V 之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。3、晶闸管型号的后缀也是数

13、字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值. 如:BDX51 表示 NPN 硅低频大功率三极管，AF239S表示 PNP 锗高频小功率三极管五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法：第一部分： O表示半导体器件。第二部分： A- 二极管、 C三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ稳压管、 RP-光电器件。第三部分：多位数字表示器件的登记序号. 第四部分 :A、 B、C、表示同一型号器件的变型产品. 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 6 页，共 6 页 - - - - - - - - -