椭圆偏振.doc

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1、精品文档，仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除椭圆偏振测量实验一、实验背景在近代科学技术的许多门类中对各种薄膜的研究和应用日益广泛。因此，能够更加迅速和精确地测量薄膜的光学参数已变得非常迫切。在实际工作中可以利用各种传统的方法，测定薄膜光学参数，如：布儒斯特角法测介质膜的折射率，干涉法测膜厚。另外，还有称重法、X射线法、电容法、椭偏法等等。其中，因为椭圆偏振法具有测量精度高，灵敏度高，非破坏性等优点，故已在光学、半导体学、生物学、医学等诸多领域得到广泛的应用。椭圆偏振测厚技术是一种测量纳米级薄膜厚度和薄膜折射率的先进技术，同时也是研究固体表面特性的重要工具。椭圆偏振测量实验已成为高校近代物理

2、实验中最重要的一项内容。二、实验目的1、 学习椭偏法的测量原理与方法； 2、 测量透明介质薄膜厚度和折射率。 三、实验仪器 TPY-2型自动椭圆偏振测厚仪四、实验原理光是一种电磁波，且是横波。电场强度E、磁场强度H和光的传播方向构成一个右旋的正交三矢族。偏振态可以作为一种光学探针。如果已知入射光束的偏振态，一旦测得通过光学系统后出射光的偏振态，就可确定薄膜的特性参数（n,d,k），式中：n,d,k分别为薄膜的折射率、厚度及吸收系数。使一束自然光（非偏振激光）经起偏器变成线偏振光，再经1/4波片，使它变成椭圆偏振光，入射到待测的膜面上。反射时光的偏振态将发生变化。通过检测这种变化，便可计算出待测

3、膜面的光学参数。对于一定的样品，总可以找到一个起偏方位角P，使反射光由椭圆偏振光变成线偏振光。这时，转动检偏器，在某个检偏器的方位角A下得到消光状态，即没有光到达光电倍增管。以上方法被称为消光测量法。 现以普通玻璃表面镀以透明单层介质膜为例作一说明。图一所示为一光学均匀和各向同性的单层介质膜。它有两个平行的界面。通常，上部是折射率为n1的空气（或真空）。中间是一层厚度为d折射率为n2的介质薄膜，均匀地附在折射率为n3的衬底上。当一束光射到膜面上时，在界面1和界面2上形成多次反射和折射，并且各反射光和折射光分别产生多光束干涉。其干涉结果反映了膜的光学特性。 设薄膜表面的复振幅反射率分别为： 其中

4、复反射率的模表示反射光振幅大小的改变，表示反射光相位的改变，又设：ss1k0 k1 k2 k323dn1n2n3界面1界面2自然光而两分量的相位变化差之差则： 图一 自然光在单层介质膜表面的反射与折射根据电磁场的麦克斯韦方程和边界条件及菲涅尔反射系数公式，可以导出 式中，r1p、r2p为界面1、2处p分量的振幅反射系数，r1s、r2s为界面1、2处s分量的振幅反射系数，2系指薄膜表面的相继两束反射光因光程差而引起的位相差，它满足： 式中，分别为入射角、光在薄膜内表面的入射角。于是得到如下椭偏方程式中，和称为椭偏参数并具有角度量值，是n1，n2，n3，及d的函数，由于n1，n3，为已知量，只要利

5、用实验测出和，并利用计算机作数值计算，即可得到薄膜折射率n2和厚度d。为此，令，得到展开后，有，式中:解上述一元二次方程，得两个复根：根据上述假设，x的模应为1，故在x1、x2中选取模更接近1的一个作为解（另一个舍去）。设解为，即可求得测量时，利用电机分别带动检偏器和起偏器转动（扫描）找到处于消光状态时的检偏角A和起偏角P，根据下式计算椭偏参数、：需要说明的是，上述测得的薄膜厚度d为一个周期（）内的值，由知薄膜厚度的周期d0为：若实际膜厚大于d0，设此时所对应的周期数为j，则实际膜厚为：D（j1）d0+dTPY2型椭偏仪光路结构如图二所示：自然光起偏器1检偏器光电倍增管1/4波片图二 椭偏仪光

6、学原理图五、实验步骤1. 首先开启主机电源，点亮氦氖激光器（预热30分钟后再测量为宜）。然后将电控箱调节旋钮逆时针旋到头，联接好主机与电控箱间的各种数据线，开启电控箱电源。联接主机与PC机间的USb线。2. 双击桌面的快捷方式，运行程序。3. 装卡被测样品。注意：旋紧吸盘拉杆时要视被测样品直径和质地而适当调节，切记不可用力过大，使样品损坏。4. 选定入射角（如70），调节起偏机构悬臂和检偏机构悬臂，使经样品表面反射后的激光束刚好通过检偏器入光口。5. 顺时针旋转电控箱调节旋钮，将读数调到150伏左右（视仪器情况而定）即可。6 实验过程：说明：通过旋转起偏器的角度，可使入射到样品表面的椭圆偏振光

7、的两个分量的位相差变化，当起偏器调到某一角度P时，经样品反射的椭圆偏振光就变成了线偏振光。此时，旋转检偏器到某一角度A，使检偏器的透光方向与线偏振光的振动方向垂直，达到消光状态，探测器接收的光强最小，这时，A、P就是我们要测的一对消光角。为了减小因系统的不完善造成的系统误差，通常仪器采取在多个不同的消光位置进行测量。重复上述步骤，即可得到多对消光角。6.1 点击进入按钮，再点击实验，选择实验类型（通常选择第一类），再点击实验填入相应参数，确定后。点击测量，填入相应参数点击确定。此时，如果一切准备就绪，就可以点击测量，开始实验。测量时实验框的左侧会显示出仪器测量过程的步骤提示，同时还能在右侧的坐

8、标栏中看到扫描曲线。等待测量结束后，选择数据平均次数，点击确定。现在窗体会回到进入时的对话框，同时测量数据已自动填入参数栏内，点击测量旁的计算按钮。程序将自动计算出测量结果。点击确定，第一组数据测量完毕。（提示：在实验过程中，如果扫描曲线的谷点过低，接近0点，此时可适当把电控箱电压上调一些。）为了计算薄膜的真实厚度：由理论分析可知，样品的一组（，）只能求得一个膜厚周期内的厚度值，要测量膜厚超过一个周期的真实厚度，常采用改变入射角或波长的方法得到多组（，），真实膜厚d可由下式解得：d=式中：为正整数为膜厚周期数分别为不同测量条件时，所对应一个周期内的厚度值。此时，将测得的（,）和（,）加上测量时

9、对应的角度，分别代入公式，就能求出真实的薄膜厚度。6.2 重新设定一个入射角后，接着上面的过程，点击测量，填入新的参数点击确定。此时点测量，开始第二组实验。等待测量结束后，选择数据平均次数，点击确定。回到进入时的对话框，点击计算按钮。程序将计算出第二组测量结果。6.3 两次测量完毕后，点击折射率拟合，在弹出对话框中选择拟合类型。点击确定，得到薄膜的真实厚度及折射率。至此，实验完毕。五、数据记录与处理1）测量参数n1n2n3样品编号数据平均次数1ZnO硅632.81262）第一次测量结果 入射角1=70=31.98=42.75被测折射率n2=2.059被测厚度d=67.6 nm周期D=172.7

10、 nm周期m01234567891011厚度nm67.6240.3412.9585.6758.3930.91103.61276.21448.91621.61794.21966.93）第二次测量结果 入射角1=72=32.29=39.93被测折射率n2=2.061被测厚度d=66.0 nm周期D=173.1 nm周期m01234567891011厚度nm66.0239.1412.2585.3758.3931.41104.51277.61450.61623.71796.81969.8扫描A61.2156.5256.6957.0257.3257.47扫描P24.4424.8624.9925.0324.9825.924）拟合（平均）结果周期数m=3，实际厚度d=585.43 nm, 折射率n=2.0607【精品文档】第 3 页