2022年荧光机理 .pdf

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1、1 光致电子转移 (PET) 递给荧光基团的键合基团(RecePtor)，负责光吸收并产生荧光发射信号的荧光基团 (Fluorophorc)其荧光发射强度反映键合基团的结合状态，以及连接键合集团和荧光基团的连接基团(Spacer) 。键合基团和荧光基团通常为电子给体或者电子受体。光致电子转移是指电子给体或电子受体受光激发后，激发态的电子给体与电子受体之间发生电子转移从而导致荧光的淬灭过程。例如，当荧光分子传感器的键合基团是电子给体，荧光基团是电子受体时，具体 PET 作过程如下 :在光激发下，具有电子给予能力的键合基团能够将其处于最高能级的电子转入激发态下荧光基团空出的电子轨道，使被光激发的电

2、子无法直接跃迁巨到原基态轨道发射荧光，从而导致荧光的淬灭 ;当键合基团与底物结合后，降低了键合基团的给电子能力，抑制了PET 过程，荧光基团中被光激发的电子可以直接跃迁回到原基态轨道， 从而增强了的荧光基团的荧光发射。因此在未结合底物前， 传感器分子表现为荧光淬灭， 一旦键合基团与底物相结合，荧光基团就会发射荧光(见图) 由于与客底物结合前后的荧光强度差别很大，呈现明显的“关” 、 “开”状态，因此这类荧光化学传感器又被称为荧光分子开关。PET荧光分子传感器的作用机制可由前线轨道理论“来进一步说明(见图 1.5)。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - -

3、 - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页，共 9 页 - - - - - - - - - 2 分子内电荷转移 (ICT) ICT 荧光化学传感器由推电子基团、 吸电子基团通过p 电子体系连接而成，在基态时表现为极化结构，一端为缺电子部分，另一端为富电子部分;而在光激发下，偶极矩增大，强化了这种极化特征，容易发生 ICT 过程(如图)。ICT 荧光化学传感器的工作原理有两种(见图 l.7a):当底物是缺电子基团(阳离子 )时，一种是底物与吸电子基团结合，将增大分子内电荷转移程度，导致荧光光谱红移;一种是底物与推电子基团结合，则使原来向共扼体系转移的孤

4、对电子用于与阳离子形成配位键，导致ICT推一拉电子的特征下降， 导致荧光光谱蓝移。 当底物是富电子基团 (阴离子)时，情况相反。一般情况下，ICT 荧光化学传感器对荧光强度的影响不如PET 荧光化学传感器显著。典型例子是同时含有吸电子名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页，共 9 页 - - - - - - - - - 取代基、推电子取代基的电子体系，如氨基邻苯二甲酞亚胺、二苯基烯、氟代香豆素等。 ICT 荧光化学传感器的缺点是对外部环境的变化十分敏感，有较强的溶剂化

5、效应。在 ICT 中，有一种情况被称为扭曲的分子内电荷转移(TICT twisted Intramolecular charge transfer)。在具有推一拉电子共扼体系的荧光分子中，如果推电子基(如二甲氨基 )通过可旋转的单键与荧光团相连接，当荧光团被光子激发时，由于强烈的分子内光致电荷转移，导致原来与芳环共平面的电子给体绕单键旋转，而与芳环平面处于正交状态，原来的共辘系统被破坏，部分电荷转移变为完全的电子转移，形成 TICT 激发态 (见图)。当形成 TICT 激发态时，原有的ICT 荧光则被淬灭。 TICT 态常常不发射荧光或者发射弱的长波荧光，少数情况下会出现 ICT 与 TICT

6、 双重荧光现象。3 荧光共振能量转移 (FRET) FRET 荧光传感器分子的组成与其他类型传感器有所不同，除了含有名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 3 页，共 9 页 - - - - - - - - - 键合基团 (Reccptor)彩!连接基团 (Spacer) ， 还含有两个负责光吸收井产生荧光发射信号荧光基团(FluoroPhore)，而这两个荧光基团一个是能量给体 (Energy donor，D)，另一个是能量受体 (Energy acceptor ，A)。荧

7、光共振能量转移是指在一定波长的光激发下，荧光基团中的能量给体(D) 产生荧光发射，并通过偶极一偶极之间的相互作用把能量无辐射地转移给其附近的处于基态的能量受体(A)荧光基团的过程。 FRET过程的发生与很多因素如光谱重叠的程度、跃迁偶极的相对方向， 给体(D)和受体 (A)之间的距离等有关。首先，能量给体(D)的发射光谱与能量受体 (A)的吸收光谱有明显的重叠，能量受体必须能够在能量给体的发射波长处吸收能量， 但能量受体可以是荧光发射基团，也可以是荧光淬灭基团。对于前一种情形，激发能量给体时，可以观察到能量受体的荧光发射 ;而后一种情形，只能观察到能量给体的荧光变化。其次，能量给体与能量受体相

8、隔的距离必须远大于它们之间的碰撞直径 (有时甚至相距远达70-100?)时，才可能发生能量给体与能量受体的非辐射能量转移， 又称为长距离能量转移。 另外，能量给体 (D)与能量受体 (A)还必须以适当的方式排列。利用FRET 效率对距离的强的依赖性， FRET 广泛应用于蛋白质和核酸的结构及动力学研究、分子结合的测定等领域。例如，当荧光分子传感器的两个荧光基团都是荧光发射基团时，具体FRET 工作过程如下 (见图 1.8):在光激发下，荧光基团中的能量给体 (D)产生荧光发射 ;传感器分子通过键合基团键合底物来调节能量给体(D)和能量受体 (A)之间的距离以及排列方向。如果底物的加入使这些因名

9、师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 4 页，共 9 页 - - - - - - - - - 素均在适当范围，能量给体(D)可将能量通过非辐射转移给能量受体(A)，表现为能量受体(A)的荧光发射 ;如果底物的加入使这些因素与FRET 因素不能匹配，则会抑制FRET 过程，则表现为能量给体(D)的荧光发射 (图)。4 激基缔/复合物 (exeimer/exciplex) 基于激基缔 /复合物 (excimer/exciplex)的荧光化学传感器分子的特点是在一个分子中含有两个荧

10、光基团，如多环芳烃萘、蒽和芘等，并且两个基团处于分子的合适位置。当两个荧光基团相同时， 其中一个荧光基团 (单体)被激发后，会和另一个处于基态的荧光基团形成分子内激基缔合物 (excimer)。激基缔合物的荧光发射光谱取代了单体的发射峰，呈现出一个新的强而宽的、长波长的、无精细结构的荧光发射峰。当两个荧光基团不同时， 则称之为激基复合物 (exciplex)。激基缔/复合物形成与否的关键是两个荧光基团之间的距离，只有激发态名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 5 页，共 9

11、 页 - - - - - - - - - 分子与基态分子之间的距离约为3.5? 时，才能形成激基缔 /复合物。基于激基缔 /复合物 (excimer/exciplex)的荧光化学传感器就是利用受体结合底物后导致激基缔/复合物构型的形成或破坏，使激基缔/复合物的荧光增强或消失，通过单体、激基缔/复合物的荧光光谱变化表达底物识别的信息。因此，构型的变化是此类信息产生的原因，图给出了加入底物后可以形成激基缔合物的荧光化学传感器的工作原理。萘、芘、蒽等荧光团由于具有较长的激发单线态寿命，容易形成激基缔 /复合物，常常被用于此类荧光化学传感器中。杂原子对荧光的影响比较复杂，有时增强荧光，有时减弱荧光。主

12、要看杂原子化合物的结构。 简单杂环化合物的荧光量子产率很小，几乎为 0，但当他们与苯环相并后的产物荧光大大增强。含氮杂环化合物的分子中含有N 原子。在非极性介质中它们的荧光很弱，随着介质极性的提高，其荧光强度亦随之提高。取代基的影响取代基的性质对荧光体的荧光特性和强度均有强烈影响，芳烃和杂环名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 6 页，共 9 页 - - - - - - - - - 化合物荧光光谱和荧光产率常随取代基而改变，取代基对荧光体的激发和发射光谱以及荧光效率的影响规

13、律和机理，是人们甚为光注的领域，可惜人们对激发态分子的性质了解甚少，影响规律多出自实验总结和猜测。（a） 推电子取代基增加荧光属于这类基团的有。含有这类基团的荧光体，其激发态是有环外的前几或氨基上的非键电子 （n 电子）激发转移到环上而产生的。由于他们的 n 电子云几乎与芳环上的轨道成品活性，实际上共享了共轭而电子结构，扩大了共轭双键体系。因此，这类化合物的吸收光谱与发射光谱的波长， 都比未取代的芳族化合物的波长长，荧光效率也提高很多，但在应用这类荧光体是要特别小心，因为这类基团都含有未键和的 n 电子。他们容易与极性溶剂生成氢键。当取代基是酸基或碱基是，在酸碱性介质中容易转化为相应的盐或质子

14、化，使荧光强度减弱甚至消失。（b）吸电子取代基含有吸电子基团的荧光化合物，其荧光强度一般都会减弱， 属于这类取代基的有羰基卤素和基等，这类取代基也含有n 电子，然而其m 电子的电子云并不与芳环上的电子云共平面，这类化合物的n*跃迁是属于禁戒跃迁，摩尔吸收系数很小（约为102） ，最低单线激发态S1 为 n，*，S1T1 的系间跨越强烈，因为荧光强度都很弱，而磷光强度相应的增强。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 7 页，共 9 页 - - - - - - - - - 氰基

15、是一个很有意思的基团， 是不饱和的取代基， 它应使取代的化合物的荧光减弱， 但实际结果是表现为退电子的效果荧光强度。它的取代 9，10-二氰基蒽的f 不但大于蒽， 而且 9-氯-10-二氰基蒽的f也高达 0.95，远大于 9-氯代蒽的f（0.11）（C）重原子的取代荧光体取代上重原子之后，荧光减弱，二磷光往往相应增强。所谓重原子取代，一般指的是卤素 （Cl,Br 和 I）取代芳烃取代上重原子后荧光强度一般随卤素原子量增加而减弱，这一效应称为 “重原子效应”。这种效应被解释为： 由于重原子的存在， 使得荧光体中的电子自选一轨道偶合作用加强、 S1 T1的系间跨越显著增大，结果导致荧光强度极爱你若

16、、磷光强度增加。（d）饱和烷烃的取代此类取代基对荧光体的荧光强度影响不大，可是，由于可动的饱和烃基的引入， 增加了荧光体的振动和转动自由度，因而消弱了荧光激发光谱和发射光谱振动结构的分辨率，同时激发峰和发射峰略为红移。(e) 取代基数量及其所处位置的影响取代基在试剂分子上的位置及取代基的数量对试剂的荧光量子产率的影响视具体情况而定， 是有一个退电子取代基， 处于空间位阻最小火空间位阻的位置可使荧光增强。对于不同的发光母体， 同类取代基所处位置不同所表达的荧光强度变化规律也不相同。另外对荧光的影响还要看取代基的种类，校体积取代基所贡献的共轭名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - -

17、 - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 8 页，共 9 页 - - - - - - - - - 效应小，只是体现出其电荷影响， 若一个大的取代基如苯或乙炔基苯其共轭效应大， 取代后扩大了试剂共轭体系， 使荧光增强的效应大于其吸电子是荧光减弱的效应， 结果是取代后荧光强度不是减弱二十大大增强。（f ）芳香环中杂原子的影响杂原子对荧光的影响比较复杂，有时增强荧光，有时减弱荧光，主要看杂原子化合物的结构， 简单杂环化合物的荧光量子产率很小，几乎为 0，但当它们与苯相并后产物荧光大大增强。如：含氮杂环有机物是研究的较多的杂环化合物，它们的每个分子都含有一个或多个N 原子。在非极性介质中它们的荧光很弱，随着介质极性的提高，其荧光强度亦随之提高， 如 8-羟基喹啉在强酸性介质中产生质子化，从而使原来最低单线激发态S1由 n，*型转化为，1*型，荧光由弱变强。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 9 页，共 9 页 - - - - - - - - -