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编号：**/**-**-***-**
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电子元器件选型规范
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CHBCHBCHB有限责任公司
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1 目录
2 总则 3
2.1 目的 3
2.2 适用范围 3
2.3 电子元器件选型基本原则 3
2.4 其他具体选型原则： 3
3 各类电子元器件选型原则 5
3.1 电阻选型 5
3.2 电容选型 6
3.2.1 铝电解电容 6
3.2.2 钽电解电容 7
3.2.3 片状多层陶瓷电容 7
3.3 电感选型 7
3.4 二极管选型 8
3.4.1 发光二极管： 8
3.4.2 快恢复二极管： 8
3.4.3 整流二极管： 8
3.4.4 肖特基二极管： 9
3.4.5 稳压二极管： 9
3.4.6 瞬态抑制二极管： 9
3.5 三极管选型 9
3.6 晶体和晶振选型 10
3.7 继电器选型 10
3.8 电源选型 11
3.8.1 AC/DC电源选型规则 11
3.8.2 隔离DC/DC电源选型规则 11
3.9 运放选型 11
3.10 A/D和D/A芯片选型 12
3.11 处理器选型 13
3.12 FLASH选型 14
3.13 SRAM选型 14
3.14 EEPROM选型 14
3.15 开关选型 15
3.16 接插件选型 15
3.16.1 选型时考虑的电气参数： 15
3.16.2 选型时考虑的机械参数： 15
3.16.3 欧式连接器选型规则 15
3.16.4 白色端子选型规则 16
3.16.5 其它矩形连接器选型规则 16
3.17 电子线缆选型 16
4 附则 17
2 总则
2.1 目的
为本公司研发电子产品时物料选型提供指导性规范文件。
2.2 适用范围
适用于公司研发部门开发过程中元器件选型使用。
2.3 电子元器件选型基本原则
1) 普遍性原则：所选的元器件要是被广泛使用验证过的，尽量少使用冷门、偏门芯片，减少开发风险。
2) 高性价比原则：在功能、性能、使用率都相近的情况下，尽量选择价格比较好的元器件，降低成本。
3) 采购方便原则：尽量选择容易买到、供货周期短的元器件。
4) 持续发展原则： 尽量选择在可预见的时间内不会停产的元器件,禁止选用停产的器件,优选生命周期处于成长期、成熟期的器件。
5) 可替代原则：尽量选择pin to pin兼容芯片品牌比较多的元器件。
6) 向上兼容原则：尽量选择以前老产品用过的元器件。
7) 资源节约原则：尽量用上元器件的全部功能和管脚。
8) 降额设计原则：对于需要降额设计的部件，尽量进行降额选型，参考标准参见GJB/Z 35 《元器件降额准则》。
9) 便于生产原则：在满足产品功能和性能的条件下，元器件封装尽量选择表贴型，间距宽的型号，封装复杂度低的型号，降低生产难度，提高生产效率。
2.4 其他具体选型原则：
除满足上述基本原则之外,选型时还因遵循以下具体原则:
1) 所选器件遵循公司的归一化原则，在不影响功能、可靠性的前提下，尽可能少选择物料的种类。
2) 功率器件优先选用RjA热阻小,Tj结温更大的封装型号。
3) 禁止选用封装尺寸小于0402（含）的器件。
4) 所选元器件MSL（潮湿敏感度等级）不能大于5级（含）。
5) 优先选用密封真空包装的型号，MSL（潮湿敏感度等级）大于2级（含）的，必须使用密封真空包装。
6) 优先选用卷带包装、托盘包装的型号。如果是潮湿敏感等级为二级或者以上的器件，则要求盘状塑料编带包装，盘状塑料编带必须能够承受125℃的高温。
7) 使用的材料要求满足抗静电、阻燃、防锈蚀、抗氧化以及安规等要求。
8) 选型时必须向我公司合格供应商确认供货渠道是否通畅。
9) 电子物料选型时需确定的几个基本因素：
技术参数：电气参数，机械参数，见《规格书》；
型号，厂家料号，包括尾缀，以及可替换的型号；
封装；
使用环境；
供货渠道（品牌，供货商）；
价格；
技术支持；
引用文件：
GJB/Z 35 《元器件降额准则》
3 各类电子元器件选型原则
3.1 电阻选型
首先确认电阻的基本参数：
1) 阻值大小。
2) 精度：常规使用优选1%精度。
3) 额定功率和体积：优先选择常规功率的体积，具体参见下表1。
4) 温漂，有特殊要求的应用，比如传感器应用，必须关注此参数带来产品性能的影响。
5) 工作温度范围，超过70摄氏度的环境必须降额使用。
6) 电阻类别：贴片厚膜电阻，贴片薄膜电阻，线绕电阻等，普通应用为贴片厚膜电阻或者薄膜电阻。
封装
额定功率(W)
@ 70C
最高工作电压
(V)
工作温度(C)
英制
(inch)
公制
(mm)
常规功率系列
01005
0402
1/32
15
-55 ~ +125
0201
0603
1/20
25
0402
1005
1/16
50
-55 ~ +155
0603
1608
1/10
50
0805
2012
1/8
150
1206
3216
1/4
200
1210
3225
1/4
200
-55 ~ +125
2010
5025
1/2
200
2512
6432
1
200
表1
具体选型原则如下：
1) 电阻阻值优先选用10系列，12系列，15系列，20系列，30系列，39系列，47系列，51系列, 68系列，82系列。
2) 贴片电阻优选0603和0805的封装，0402以下的封装禁选。
3) 插脚电阻优选0.25W， 0.5W，1W，2W，3W， 5W，7W，10W ，15W。
4) 对于电阻的温漂，J档温漂不能超过500ppm/℃，F档温漂不能超过100ppm/℃，B档温漂不能超过10ppm/℃。
5) 慎选电位器，如果无法避免，选用多圈的，品牌用BOURNS。
6) 优选贴片封装。
7) 电阻品牌优选YAGEO，厚生。
8) 特种场合电阻选型：
反馈电路，电流/电压采样检测电阻选无感电阻，精度越高越好。
芯片或网络输入端的启动电阻或滤波吸收电阻，电压功率降额。
高压电阻：安规认证； 1KV额定电压，电阻本体长度≥10mm，4KV时本体长度≥25mm。
3.2 电容选型
3.2.1 铝电解电容
缺点：体积大，ESR大，感抗较大，温度敏感；
适用场合：温度变化小、工作频率低（<25kHz）场合；
选型规则：
1) 需快速充放电的场合禁用铝电解电容。
2) 寿命：普通应用中选择标准型、寿命1000HR~3000HR（为价格考虑，慎选长寿命型），优选2000Hr。
3) 耐压：降额使用，3.3V系统取10V、5V系统取10V、12V系统取25V、24V系统取50V；48V系统选100V，
4) 在发热元件附件使用，慎选电解电容；
5) 滤波电路，按（电路额定电压+噪声叠加后）的电压峰值*（1.2—1.5）选择电解电容耐压。
6) 额定电压*1.3 作为电容器的浪涌电压，工作电压>160V时，额定工作电压+50V作为浪涌电压；
7) 降额标准参见GJB/Z 35 《元器件降额准则》 。
8) 工作温度：铝电解电容必须选用工作温度为105度的。
9) 容值：优选10、22、47系列；25V以下禁选224、105、475之类容值型号（用片状多层陶瓷电容或钽电解电容替代）。
10) 极性：对于高压型铝电解电容保留400V。禁选无极性铝电解电容。
11) 品牌：普通铝电解电容选用品牌“SAMWHA”（三和），高端铝电解电容选用NCC（黑金刚）或其他日本名牌铝电解电容，或者台湾利隆。
12) 封装：优先选用贴片的铝电解电容。
3.2.2 钽电解电容
优点：在串联电阻、感抗、对温度的稳定性与铝电解相比优势明显；
缺点：工作电压较低。
选型规则：
1) 漏电流要求较高的场合，不选钽电解电容，需选用薄膜电容。
2) 耐压：降额选用，禁止选用耐压超过35V以上的，3.3V系统取10V、5V系统取16V、12V系统取35V、
3) 10V、16V、35V为优选，4V、6.3V、50V为禁用（用铝电解电容替代），电源输入级或低阻抗环境使用，推荐降额到0.3，电源输出级及一般应用环境推荐降额0.5。
4) 封装：插脚式钽电解电容禁选。
5) 品牌：仅限选择KEMET、AVX。
3.2.3 片状多层陶瓷电容
1) 选用基本原则：低ESR和高的谐振频率，ESR越小越好。
2) Q值：高Q值陶瓷电容慎选；只用在射频电路上。
3) 封装：0603、0805优选、1206、1210慎选、1808以上禁选。
4) 耐压：优选25V、50V、100V； 106（含）以上容值的耐压不大于25V。
5) 容量：优选10、22、33、47、68系列。
6) 材料：优选NPO、X7R、X5R，其它禁选。
7) 品牌：优选YAGEO，其他可选TAIYO（太阳诱电）、MURATA（村田）、KEMET、TEMEX（高Q陶瓷电容）
3.3 电感选型
电感选型时考虑的因素如下：
1) 体积大小；
2) 电感值所在工作频率；
3) 开关频率下的电感值为实际需要的电感值；
4) 线圈的直流阻抗(DCR)越小越好；
5) 工作电流应降额至额定饱和电流的0.7倍以下，额定rms电流；
6) 交流阻抗(ESR)越小越好；
7) Q因子越大越好；
8) 屏蔽类型：屏蔽式或非屏蔽式，优先选择屏蔽式。
9) 工作频率和绕组电压不可降额；
10) 品牌：贴片电感优选TDK，MURATA(村田),“三礼”（台湾）和“SUMIDA”（胜美达，日本）。
3.4 二极管选型
二极管参数需降额使用，具体参考《GJB/Z 35 元器件降额准则》。
3.4.1 发光二极管：
1) 发光二极管优选直径为5mm的插脚型号.贴片发光二极管优选选用有焊接框架的型号，ESD/MSL等级遵循上述的标准。
2) 发光二极管优选有边、短脚的；为了保持公司产品的一致性，红发红、绿发绿等型号优选，白发红、白发绿等型号慎选；如果没有特殊要求，尽量不要使用长脚、无边的。
3) 发光二极管优选品牌为“亿光”。
3.4.2 快恢复二极管：
1) 低电压（耐压值200V以下）下，高时间特性时选肖特基二极管；
2) 肖特基管热阻和电流都较大，优选分立式封装。通常3A以下可以选择SOD-123或D-64封装；3～8A可以选择D2－PAK封装；8A以上DO-201、TO-220、TO-3P。
3) 在高电压时选择PIN结构快恢复二极管。
3.4.3 整流二极管：
1) 主要考虑最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数；
2) 开关电源整流、脉冲整流用整流二极管，宜选工作频率较高、反向恢复时间较短、或选快恢复二极管。
3) 低电压、大电流时整流，选肖特基二极管。
4) 同电流等级优先选择反压最高的型号.如1A以下选用1N4007（M7），3A的选用IN5408。
3.4.4 肖特基二极管：
同电流档次的保留反压最高的等级，如：1N5819保留,1N5817禁选， SS14保留，SS12禁选;B340A保留。
3.4.5 稳压二极管：
1) 稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同；
2) 最大稳定电流高于应用电路的最大负载电流50%左右；
3) 稳压管在选型时务必注意器件功率的降额处理。实际功率应小于0.5P。
4) 功率在0.5W以下的型号选择贴片式封装，0.5W及以上选择直插式封装
3.4.6 瞬态抑制二极管：
1) Vrmax（最大反向工作电压）≥正常工作电压。
2) Vcmax（最大钳位电压）≤最大允许安全电压。常规CMOS电路电源电压为3～18V，击穿电压为22V，则应选Vcmax为18～22V的TVS管。
3) Pp（瞬态脉冲功率的最大值）=最大峰值脉冲电流Ipmax与Vcmax。Pp大于被保护器件或线路的最大瞬态
4) 浪涌功率。
5) 品牌：优选NXP和ON。
3.5 三极管选型
1) 三极管选型时，以下几个参数必须考虑：
ICM集电极最大允许电流 < 实际集电极电流，降额70%使用；
BVCEO，基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压 > 电源电压 * 70%，有感电路降额使用，并加保护电路；
PCM，集电极最大允许耗散功率，降额70%使用；
Ft,特征频率 > 3倍实际工作频率；
2) 小功率的三极管选用901X系列的9012，9013，9014以及8550,8050等；
3) 开关用三极管可用NMOS管代替的，尽量用NMOS管代替，可用NMOS有：2N2002, IRF120N,IRF540N等。
4)
5) 品牌：尽量选用大品牌的贴片封装器件，例如：NXP，DIODE，ST，TI等；
3.6 晶体和晶振选型
1) 优选表贴封装晶体或晶振；
2) 优选金属壳封装，电磁屏蔽特性好；
3) 要求频率稳定度（温度稳定度）<15ppm时，优选温补晶振（TCXO）；
4) 晶体物料通用技术要求：AT切（基频），12.5pF负载电容，温度范围-20～+70℃（工业温度等级），制造频偏30ppm，温漂50ppm/℃，无铅产品。
5) 负载电容：对于内置振荡器的处理器，注意振荡器对晶体负载电容的要求，如STM32的RTC晶体，为6pf负载电容，不满足可能造成振荡器不起振或者频率偏差过大。
6) 晶体和晶振品牌优选HOSONIC和EPSON。
7) 晶体和晶振优选系列如下表：
名称
品牌
优选型号
频率范围
矮型插脚晶体
HOSONIC
ESA**.****F20E35F
<25MHz
矮型贴片晶体
HOSONIC
ESB**.****F20E35F
<25MHz
方形贴片晶体
HOSONIC
E6SB**.****F20E35F
8MHz
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