集成电路制造工艺.docx

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1、集成电路制造工艺集成电路制造工艺一、集成电路设计与制造的主要流程设计-掩膜版-芯片制造芯片检测封装测试沙子硅锭-晶圆设计：功能要求行为设计行为仿真-时序仿真布局布线版图-后仿真。展厅描绘的是制造环节经过，分为晶圆制造与芯片制造工艺。图形转换，将设计在掩膜版上的图形转移到半导体单晶片上。光刻：光刻胶、掩膜版、光刻机三要素。光刻刻蚀：参杂，根据设计需要，将各种杂质掺杂在需要的位臵上，构成晶体管接触等制作各种材料的薄膜二、晶圆制造1.沙子：硅是地壳内第二丰富的元素，脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25的硅元素，主要以二氧化硅(SiO2)的形式存在。2.硅熔炼：通太多步净化得到可用于半导体制造质量的

2、硅，学名电子级硅(EGS)，平均每一百万个硅原子中最多只要一个杂质原子。本文指12英寸/300毫米晶圆级，下同。三、芯片制造经过6.光刻胶(PhotoResist)：图中蓝色部分就是在晶圆旋转经过中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种。晶圆旋转能够让光刻胶铺的非常薄、非常平。光刻一：光刻胶层随后透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下，变得可溶，期间发生的化学反响类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会构成微处理器的每一层电路图案。一般来讲，在晶圆上得到的电路图案是掩模上图案的四分之一。紫外光UV分类，g线：436nm;

3、i线：365nm。深紫外光DUV,KrF准分子激光：248nm,ArF准分子激光：193nm。极紫外光EUV，10-15nm。光刻二：由此进入50-200纳米尺寸的晶体管级别。一块晶圆上能够切割出数百个处理器，不过从这里开场把视野缩小到其中一个上，展示怎样制作晶体管等部件。如今的晶体管已经如此之小，一个针头上就能放下大约3000万个。晶体管：是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。10.光刻胶：再次浇上光刻胶(蓝色部分)，然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。11.离子注入(IonImplantation)：在真空系统中，用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料，进而在被注入的区域构成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性。经过电场加速后，注入的离子流的速度能够超过30万千米每小时。