毕设开题报告_2.docx

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1、毕设开题报告浙江师范大学本科毕业设计(论文)开题报告12345篇二：毕设开题报告范文斯莱克学院毕业设计开题报告课题名称：学生姓名：指导老师：所在院(系)部：专业名称：数控机床的人机工程学设计唐山学号：202010101周漪副教授帆羽副教授武魂学院工业工程2021年03月20日篇三：毕设开题报告某某大学某某学院本科生毕业论文设计开题报告2020届课题名称：学生姓名：学号：指导老师：报告日期：2本课题需要重点研究的关键问题、解决的思路及实现预期目的的可行性分析?关键问题1)怎样提高tfet的开态电流；2)怎样降低tfet亚阈值斜率；3)怎样提高tfet的开态电流同时降低tfet的亚阈值斜率。?解决

2、思路通过前期查阅相关书籍及论文，深化理解量子遂道效应，进而进一步了解tfet的原理。利用现有的量子力学和半导体物理的知识，继续理解tfet的构造特性，探究怎样才能通过改变构造加强其性能。了解国内外对tfet器件的研究现状，获得启发，然后进行进一步研究。?可行性分析1)理论方面：固然对tfet器件的研究还在逐步进行，但由于传统mosfet的性能受到众多因素的影响，tfet这种新的器件已经被人们接受认可，对其认识也越来越深化，因而，这方面的资料也非常充足。2)计算方面：如今通过模拟和仿真，已经能够得到tfet器件的转移特性和输出特性，这对tfet的性能进一步加强有着很大的帮助。3)国内外研究成果：

3、2021年9月，欧洲“高能效隧道场效应晶体管开关和电路e2switch项目立项启动，该项目目的是实现新型超低能耗电子系统，包括大学、研究机构和公司在内的9所机构将共同努力使“明天的电路更节能。e2switch项目任务是研发基于硅衬底隧道场效应晶体管tfet异质结构造的超低功率电子系统，并利用量子力学效应使新晶体管的工作电压仅是如今标准手机电路工作电压的1/5。这是一个真正的挑战，十分是在将来便携式器件中独立功能将出现爆炸式增长的情况下。英特尔也是看中了tfet的潜力的企业之一。作为以低电压工作的新一代晶体管技术，该公司以前就在大力开发tfet。英特尔在ssdm2021上就tfet发表特邀演讲，

4、演讲题目为“tunnel-fettransistorsfor13nmgate-lengthandbeyond，由此可见，英特尔已将tfet作为10nm以后工艺的技术候补。东芝已经开发出了可利用cmos工艺制造，而且与以往的硅材料tfet相比在导通电流和工艺偏差方面更有利的tfet。此次开发的tfet有3种类型，分别根据设想应用的电路块对特性进行了优化。这三种tfet分别是1用于逻辑部分、关态漏电流小、导通电流和工艺偏差获得平衡的tfet；2用于逻辑部分、关态漏电流小、导通电流大的tfet；3用于sram、工艺偏差小的tfet。后两种是东芝和日本产综研的共同开发成果。2021年复旦大学的科研人员们把一个隧穿场效应晶体管tfet和浮栅器件结合起来，构成了一种全新的“半浮栅构造的器件，被称为“半浮栅晶体管。把tfet和浮栅相结合，半浮栅晶体管的“数据擦写便愈加容易与迅速。篇四：毕业设计开题报告模板西南科技大学毕业设计论文开题报告2、题目“难度分为：a、b、c、d四个等级。