单晶硅生产制备方法大全.doc

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1、【精品文档】如有侵权，请联系网站删除，仅供学习与交流单晶硅生产制备方法大全单晶硅晶片及单晶硅的制造方法本发明的单晶硅晶片及单晶硅的制造方法，是属于切克劳斯基法(CZ法)生长单晶硅晶片，其特征为：对全部晶片进行热氧化处理时，在环状发生OSF的外侧的N区域，不存在通过Cu淀积所检测出的缺陷区域。由此，可以利用确实能提高氧化膜耐压等电气特性的CZ法，在稳定的制造条件下，制造既不属于富含空孔的V区域、OSF区域，也不属于富含晶格间隙硅的I区域的硅单晶晶片。绝缘体上的单晶硅(SOI)材料的制造方法本发明公开了一种采用SIMOX技术制造SOI材料的方法。通过在传统的注氧隔离制造工艺中引入离子注入非晶化处理

2、，使得非晶化区域内的各种原子在退火时产生很强的增强扩散效应，从而制造出顶部硅层中的穿通位错等晶体缺陷和二氧化硅埋层中的硅岛和针孔等硅分凝产物得以消除的高品质的SOI材料。本发明还公开了一种将离子注入非晶化处理应用到采用注氮隔离或注入氮氧隔离技术中制造SOI材料的方法，使得氮化硅埋层或者氮氧化硅埋层是非晶层，顶部硅层是和氮化硅埋层或者氮氧化硅埋层的界面具有原子级陡峭的单晶硅层。分离单晶硅埚底料中石英的工艺本发明属于半导体分离技术领域，特别是涉及一种分离单晶硅埚底料中石英的工艺，包括下列步骤：a.将埚底料破碎，得到颗粒状的埚底料；b.用Si3N4涂料刷抹坩埚底部和内壁，让其自然干燥；c.把颗粒状埚

3、底料放置在坩埚内；d.装有颗粒状埚底料的坩埚放入中频感应电炉，开启电源使炉内温度升高至熔点温度后100左右，保温10-30分钟，则颗粒状埚底料在坩埚内重熔；e.在加热达到规定时间后，关掉电源，待自然冷却后，可得到已分离的硅与石英；本发明提供的分离单晶硅埚底料中石英的工艺方法，通过将混含有石英的埚底料放置在中频炉中高温加热熔融，利用硅的熔点低于石英熔点的特性，能够方便地将石英颗粒与硅液分离开，因此，本发明具有工艺简单、生产安全、能耗低、分离效果好等优点。单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法本发明公开了一种单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法，它涉及微电子机械工艺加工技术领域中的微

4、电子机械系统结构器件的制造。它采用浓硼扩散、光刻、深反应离子刻蚀和选择性湿法腐蚀技术工艺，实现可动悬空与固定微结构都制作在同一单晶硅片上，达到可动微机械单片集成制作目的。本发明具有制造成本低廉，操作制造简易，能单片集成和大规模集成等优点，适合于光开关、谐振器、加速度计等多种具有可动微结构器件的制作。直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片及其制造方法本发明涉及直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片，从表面到3微米以上的深度存在无COP的无缺陷层；及一种单晶硅的制造方法，通过CZ法掺杂氮拉制直径300mm及300mm以上的单晶硅时，将拉晶速度设为Vmm/min，以GK/mm表示从硅的熔点至

5、1400间的拉晶轴向的结晶内温度梯度平均值，将V/Gmm2/Kmin的值设为低于0.17以生长结晶；及一种单晶硅晶片的制造方法，对掺杂氮的直径300mm及300mm以上的硅单晶硅晶片进行热处理，在惰性气体或氢或它们的混合气体的环境下，进行1230以上、1小时以上的热处理。由此，确立单晶硅拉晶条件及晶片的热处理条件，用于拉制直径300mm及300mm以上的单晶硅并加工成晶片，并对晶片进行热处理，获得在表层的相当深度具有无COP的无缺陷层的单晶硅晶片。抑制长的大直径单晶硅生长条纹的直拉生长装置在一种丘克拉斯基单晶硅生长装置中，其在生长炉（）中通过提线（）上拉晶种（）来生长硅单晶（），一个磁环（）被

6、安装在硅单晶上，一个电磁体（）被固定于生长炉上以便上拉磁环。制备单晶硅片表面完整层的新途径本发明属于集成电路用半导体材料的制备技术.发明人利用中子辐照氢气氛下区熔单晶硅.经切、磨、抛后,硅片实行两次热处理的方法,获得单晶硅片由于体内氢沉淀造成的表面完整层,为集成电路用硅材料提供了新的可能途径.非线性磁场中单晶硅拉制方法及其装置一种在磁场中拉制单晶的方法和单晶炉,该单晶炉的螺旋管分成内径大小不同的两组,螺旋管的衔铁做成炉壁的形状,同时作为整个炉体的炉壁,并与炉体的上下端盖和磁环形成全封闭结构,螺旋管由升降器支撑,可以相对坩埚做上下运动,拉晶时,坩埚位于由螺旋管所产生磁场的上端或下端具有喇叭形状的

7、非线性区域,以获得对熔硅热对流的尽可能大的抑制效果,全封闭结构的炉壁兼作衔铁,使得用较小的直流功率源获得较大的磁场强度成为可能.掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其制作方法本发明提供一种掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其制作方法，属于温度敏感器技术领域。它主要采用在型单晶硅中掺入金、铂两种杂质的方法，使电阻呈现负温度特征，其值为，值的偏差分布小于，使用温区为之间。由于该电阻元件的值适中，互换性能好，又易制作，成本低廉，不失为一种用于配制具有线性输出的线性组件的理想元件。并可广泛适用于医疗仪器、食品工业、家用电器等行业的测温、控温等实用技术领域。单晶硅的制造方法和设备按照本发明，用一个隔板环将放有熔化

8、原料的坩埚的内部隔开，从而使被提拉的单晶被包围并且使熔化原料可以流动，颗粒状硅加到隔板环的外侧，从而使外侧的熔化液体成为一个颗粒状硅的可溶区域，以保持隔板环内侧的熔化液面几乎保持恒定，并且用一块保温板复盖隔板环及其外侧的熔化液面，使隔板环外侧的熔化液体温度至少比其内部的温度高出，或更高些。一种单晶硅压力传感器制造方法及其结构本发明涉及到单晶硅压力传感器的制造方法及其结构。本发明提供了一种单晶硅压力传感器单面加工的新方法和单晶硅绝对压力传感器的盒式结构。本发明具有制造工艺简单、成品率高、成本低，与集成电路工艺兼容性好等优点。$单晶硅生产装置一种单晶硅生产装置，包括一个置于石墨坩埚内的石英坩埚、隔

9、板和加热器，隔板将石英坩埚中的熔融硅料分成两部分，内侧是单晶硅生长部分，外侧是材料熔化部分；加热器用以使单晶硅生长部分中的熔融硅料保持在适于单晶硅生长的温度下，并为熔化装进材料熔化部分的原材料提供热量；隔板上开有一些小孔。$隔板的材料为不透明的石英玻璃。$向材料熔化部分加入原材料而从单晶硅生长部分拉出单晶硅。$熔融硅料通过隔板小孔由材料熔化部分流入晶体生长部分。制造单晶硅的设备在本发明的单晶硅制造设备中，有一热辐射屏在单晶生长区上方，以屏蔽和调节来自单晶生长区中熔融硅表面的热辐射，而降低坩埚温度从而降低单晶中的氧浓度以减少熔融硅中的氧量。该热辐射屏包括一用金属板覆盖的耐火纤维材料，一多层金属薄

10、板组合件或一电阻加热元件。此外，坩埚内部还被一加工成许多小孔在隔离部件隔开，或一石英管沿该隔离件的圆周方向延伸安装在其内侧，使熔融硅从物料熔化区流畅地流向单晶生长区并从而提供有效的措施。单晶硅直径测定法及其设备本发明涉及一种测定单晶硅直径的方法和设备。在用法提拉单晶的一规定转动周期的间隔内，用光学装置对熔融环的亮度分布进行取样，由此得出该提拉单晶的直径测定值，再用低通滤波器处理该直径测定值，以产生转换成时序直径数据的滤波器输出值，然后求出滤波器输出值的移动平均值，从而计算出直径值。本发明涉及的设备包括能完成上述测定方法的光学装置、一低通滤波器和计算装置。单晶硅直径控制法及其设备单晶硅直径的一种

11、控制方法，在单晶硅边相对于坩埚转动边受提拉的单晶硅制造过程中，将光学装置测出的提拉单晶的直径测定值与要求直径值进行比较，以确定偏差，再对得出的偏差进行不完全微分处理或史密斯法处理，以计算提拉速度，再将提拉速度加到晶体提拉设备的电动机控制器上，从而通过控制提拉速度控制提拉单晶的参数。为完成上述单晶硅直径的一种控制方法的设备，包括输入装置、不完全微分计算装置和输出装置。单晶硅生产设备一种单晶硅生产设备，用以按照坩埚旋转的切克劳斯基法高速提拉大直径单晶硅。该设计的特点在于，分隔件是坩埚式的，熔融硅表面上方分隔件的厚度不小于毫米，且不大于熔融硅表面下方分隔件厚度的，分隔件的底部部分紧固在坩埚底部部分上

12、，且分隔件支撑在圆柱形石英件上。单晶硅生产设备一种按照坩埚不旋转的切克劳斯基法高速提拉直径大、组成稳定的单晶硅的单晶硅生产设备。通过妥善维持单晶硅外周边与分隔件内侧熔融硅自由表面的热平衡，可以高速提拉大直径单晶硅。必须满足的条件如下：英寸，；毫米，度；及毫米，其中为单晶硅直径，为保温盖圆柱形侧面部分下端处的孔径，为分隔件的直径，为坩埚直径，为熔融硅表面至部分的距离。单晶硅生产设备一种大直径单晶硅生产设备，具有一旋转式石英坩埚、一电阻式加热器、一具有连通孔的石英分隔件、一保温盖等。$开在分隔件上的连通孔其横截面的总面积，当原料进料速度在与克分子之间时在与平方毫米之间，当原料进料速度在至克分的范围

13、时不小于平方毫米，但不大于平方毫米，当原料进料速度在至克分的范围时不小于平方毫米，但不大于平方毫米。制造单晶硅的装置一种利用切克劳斯基单晶生长法的大直径单晶制造装置，在保温罩上部设置适当的开口，防止气体介质产生不良影响。开口总面积大于保温罩下端和硅熔液液面之间形成间隙的面积，保温罩和热屏蔽件用金属板构成。单晶硅上大面积(100)取向的金刚石膜的生长方法在单晶硅上大面积（）取向金刚石膜的生长方法，是将单晶硅衬底在金刚石粉中研磨产生划痕，以2、4、为反应气体，采用微波制膜技术，控制系统压力范围，严格控制衬底温度在范围，并使衬底以转分的转速匀速转动，可制备大面积均匀生长的（）取向的金刚石膜。本发明具

14、有工艺简单、设备少、对衬底的解理面要求宽松、生长速度快，生长面积大等特点，适于生产。单晶硅锭及其制造方法本发明涉及单晶硅锭及其制造方法。其底部侧直胴部的特性与顶部侧直胴部及中部侧直胴部的特性相近似，高品位单晶硅的制品数率高，而且在直胴部整个长度上的品质大致均匀。并可按同一形状反复制造，在每批制品间，底部的形状没有偏差。这种效果是通过控制底部的直径2使得直胴部侧底部的外表面相对于直胴部的外表面连续具有度的倾斜角而获得。提拉单晶硅的装置一种提拉硅单晶装置，包括装置主体，其中配置坩埚且坩埚包括石英坩埚部件和坩埚保护部件，环绕坩埚外部配置加热元件，在加热元件外部配置保温筒，和在保温筒和装置主体之间配置

15、隔热材料，其中由碳质材料制造的保温筒和或坩埚保护部件内侧至少上部区域用热分解碳膜覆盖。直拉生长单晶硅期间实时监测和控制氧的一氧化硅探针一种接近实时定量化诸如直拉硅熔体的熔体硅池挥发的和熔体上方气氛中存在的一氧化硅的数量的方法。优选的方法包括将从硅熔体上方气氛提取的含有一氧化硅的气体试样与反应剂反应生成可检测的反应产物，测定所生成反应产物的量，和将所测定反应产物的量换算成气氛中存在的一氧化硅量。一氧化硅的量化用于监视和或控制硅熔体的氧量或从硅熔体正在提拉的单晶硅中的氧含量。还公开了一种一氧化硅探针和使用该探针监视和或控制氧的一种系统。双电极单晶硅电容加速度传感器及其制造方法一种双电极单晶硅电容加

16、速度传感器，包括一质量块，至少两根弹性梁，若干细长片，由底部挖孔的硅外延层构成，支撑弹性梁的台座，上部由硅外延层构成，下部由氧化层将其与衬底隔开，起电绝缘作用，细长片侧面用来制作横向可变电容器的活动电极，质量块和细长片的底面用来制作纵向可变电容器的活动电极，横向可变电容器的固定电极由若干与衬底电绝缘但与衬底硬连接的细长片构成，纵向可变电容器的固定电极由衬底面构成。通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品一种硅锭按一拉晶速率分布下进行，其拉速要足够高以限制间隙凝聚，且还要足够低以便将空位凝聚限定在晶锭轴向上的富含空位区上。将晶锭切割成许多半纯晶片，每个晶片在中央具有富含空位区，包括空位凝

17、聚，和在富含空位区与晶片边缘之间的纯度区，无空位凝聚和间隙凝聚。按照本发明的另一方面，晶锭可按一拉晶速率分布拉制硅锭，其拉速要足够高以便防止间隙凝聚，且还要足够低以便防止空位凝聚。因此，当将该晶锭切割成晶片时，晶片为纯硅晶片，可包含点缺陷，但无空位凝聚团的间隙凝聚团。单晶硅纳米晶立方氮化硼薄膜类PN结及其制作方法本发明属单晶硅纳米晶立方氮化硼薄膜的类结及制作方法。单晶硅衬底加温并加负偏压，六角氮化硼作源加射频功率，氩气作工作气体，在衬底上沉积c薄膜，二者间形成类结。再经镀铝渗铝形成欧姆接触电极。本发明在形成机理、构成结的晶体形态及制作方法上都不同于传统结，但具有传统结的电学特性，电容值增大倍，

18、由于c能隙大于ev的宽禁带，使类结具有耐高温、抗辐射、大功率运转等优良性能。低浓度钙杂质的石墨支撑容器及其在制造单晶硅中的应用拉制单晶硅的方法和所用的石墨支撑容器。拉制单晶硅时，碱土金属和碱金属特别是钙的浓度严重影响石英容器的不均匀反玻璃化。用低浓度钙的石墨支撑容器，在拉单晶硅时可以使盛装熔硅的透明石英容器不发生严重的不均匀反玻璃化，甚至在将支撑容器加热到较高温度时也具有以上效果，所述钙浓度最好按重量计不超过约。减少透明石英容器的局部结晶度，可以减少丧失石英容器结构完整性的可能性，从而提高硅晶体的质量，增加零位错生长。单晶硅片抗机械力的提高本发明与单晶硅片的减薄方法相关，以便圆片最终厚度小于u

19、m。生长富空位单晶硅的热屏蔽组件和方法在直接法拉晶机中采用热屏蔽组件，用于有选择地保护半导体材料的单晶锭料，以便控制锭料单晶结构中聚集的缺陷类型和数据密度。热屏蔽组件具有一个上热屏蔽，该上热屏蔽连接到一个下热屏蔽上。上热屏蔽和下热屏蔽相互连接，并滑动式连接到一个中间热屏蔽上。下热屏蔽能够向上伸入中间热屏蔽，以便使位于拉晶机单晶生长室内部的热屏蔽组件的外形减至最小。然而，当必须控制单晶锭料的形成时，下热屏蔽可以从中间热屏蔽延伸，并向下伸入拉晶机坩埚中，以便非常靠近坩埚中熔化的半导体原材料的上表面。还公开了应用热屏蔽组件的方法。用于单晶硅生长的非Dash缩颈法制造单晶硅棒的非Dash缩颈法，该单晶

20、硅棒按照直拉法拉晶。该方法其特征在于：在硅棒生长开始之前，让一大直径、无位错的籽晶进行热平衡，以避免形成由对单晶热冲击而产生的位错。该方法其特征还在于：采用电阻加热器来熔化籽晶的下面末端，以便在它接触熔体之前，形成一熔化的帽体。该方法生产出一种单晶硅棒，此种单晶硅棒具有大直径的短缩颈，该大直径的短缩颈是无位错的，并能在生长和随后的处理期间，支承至少重约kg的硅棒。形成单晶硅层的方法和制造半导体器件的方法在其上形成台阶（）的作为籽晶的绝缘衬底（）上淀积单晶硅，形成硅外延层（）。在低温甚至在其有相对低应变点的大玻璃衬底上均匀生长硅外延层（），使它可能在其上制造大电流密度的高速半导体元件。热退火后的

21、低缺陷密度单晶硅一种具有中心轴、通常垂直于中心轴的正面和反面、正面与反面之间的中心平面、外围边沿、以及从中心轴延伸到外围边沿的半径的单晶硅晶片。此晶片包含第一和第二轴对称区。第一轴对称区从外围边沿向内径向延伸，含有硅自填隙作为占优势的本征点缺陷，且基本上无聚集的填隙缺陷。第二轴对称区以空位为占优势的本征点缺陷，它包含从正面向中心平面延伸的表面层和从表面层向中心平面延伸的本体层，其中存在于表面层中的聚集空位缺陷的数量密度低于本体层中的浓度。从低缺陷密度的单晶硅上制备硅绝缘体结构本发明涉及一种硅绝缘体(SOI)结构，它有一层低缺陷密度器件层，还可以有一具有较好吸附杂质能力的基底硅片。该器件层包含一

22、中央轴，一圆周边缘，一个从中央轴延至圆周边缘的半径，以及一个第一轴对称区，其中基本没有堆积本征点缺陷。另外本发明还针对这样一种SOI结构，其有一片切氏单晶硅基底硅片，该基底硅片在经受几乎任意电子学器件制作过程都要采用的热处理周期时，能够形成一个理想的氧淀析物非均匀深度分布。标定单晶硅晶圆晶向的方法一种涉及微机械和微电子领域的用于标定单晶硅晶圆晶向的方法。通过一套精心设计的比对图案和随之而进行的预刻蚀加工，将晶圆的晶向清晰地暴露出来，通过观察不同的比对图案所形成的刻蚀结果，可以将晶圆的晶向标定误差控制在0.1之内，采用数字图象处理技术对刻蚀结果作进一步的处理，则该标定精度还可以提高到0.05或者

23、更高的水平。制备具有均匀热过程的单晶硅的方法一种生产单晶硅锭的Czochralski法具有一均匀的热过程。在该方法中，在晶锭的主体和尾锥生长的整个过程中使加到侧面加热器上的功率保持基本上恒定，而在主体的第二个一半和尾锥生长过程中逐渐增加加到底部加热器上的功率。本方法能得到一种晶锭，使从该晶锭生产出的晶片具有较少超过约0.2微米的光点缺陷，同时具有改善的栅氧化层完整性。单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备方法本发明公开了一种单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备方法。采用位向分别为(100)及(111)的两种单晶硅片为载膜衬底，通过磁控溅射沉积25150nm厚度的纯铁膜，再将纯铁膜

24、和在硫化温度下能产生80kPa压力所需质量的升华硫粉封装于石英管中，抽真空后密封置于加热炉中以3/min的升温速率加热至400500进行热硫化反应1020h，以2/min的速率降温至室温。本发明简化了直接溅射二硫化铁时通入硫蒸气或硫化氢的复杂过程，所合成的二硫化铁薄膜具有较标准的化学计量成分，不出现过渡相；薄膜与衬底之间具有较高的附着力，不易产生局部剥落；可以为关于衬底晶体结构和晶格参数对二硫化铁晶体生长影响规律的研究提供实验样品。单晶硅高效复合切割方法及其切割系统一种单晶硅高效复合切割方法，其特征将是将待切割的单晶硅棒装夹于电火花线切割机床上，利用固结有金刚石磨料的金属线作为切割线进行电火花

25、线切割，充分发挥电火花线切割加工速度快和固结磨料金属线上的金刚石磨料切割效果好的优点，达到快速高效实现对单晶硅棒进行切割的目的，同时使被切割的单晶硅表面自然形成具有减反射效果的绒面结构。本发明具有方法简单，加工效率高，质量好等一系列优点。新型铝背发射结N型单晶硅太阳电池本发明提供一种新型铝背发射结N型单晶硅太阳电池；本发明的太阳电池结构是，自上层至下层，依次是：(1)Ag银金属栅线正电极；(2)SiNx减反射层，厚度约为80nm；(3)正面N+磷扩散层，厚度为0.30.5um；(4)N型单晶硅片，电阻率0.215.cm；(5)P+Al-Si合金层；(6)背面Al电极；(7)背面银铝主栅线电极。

26、通过两次丝网印刷铝浆，两次烧结，把铝硅合金的烧结与背电极的烧结分开进行，成功解决了背面全覆盖铝，使电极可焊性、牢固度问题无法解决的问题，使铝背发射结N型单晶硅太阳电池规模化生产可以实现。过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻本发明涉及一种过渡金属多重掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻采用涂源高温扩散方法，将过渡金属元素锰和铜作为掺杂剂，掺入P型单晶硅中；利用锰和铜在P型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高B值低阻值热敏电阻，电学参数为50-1.2K，材料B值4100-4500K。单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池本发明是一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气

27、体离子注入单晶硅基板的工序；以该离子注入面作为贴合面，经由透明粘结剂，粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；固化该透明粘结剂的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；在该单晶硅层的该剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在该单晶硅层的该剥离面，存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序；在该单晶硅层的该多个第一导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；以及形成各个集电电极的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层作成结晶性高的单晶硅层，可提供作为透视型太阳能电池。单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池本发明是一种单晶硅太阳

28、能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；对该单晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方，进行表面活化处理的工序；以该进行表面活化处理后的面作为贴合面，来贴合该单晶硅基板的离子注入面与该透明绝缘性基板的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；以及在该单晶硅层的该剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在该单晶硅层的该剥离面，存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层，可提供作为透视型太阳能电池。单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电

29、池一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子中的至少一种注入单晶硅基板的工序；以该离子注入面作为贴合面，经由透明导电性粘结剂，粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；固化该透明导电性粘结剂成为透明导电性膜，并贴合该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；以及在该单晶硅层形成pn结的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，于硅太阳能电池中，为了有效活用其原料(硅)而将光变换层制成薄膜，且变换特性优异，并且因光照射产生的劣化少，所以可使用作为住宅等的采光窗材料的透视型太阳能电池。单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳

30、能电池一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；形成透明导电性膜于透明绝缘性基板的表面的工序；于该单晶硅基板的离子注入面及/或该透明绝缘性基板上的该透明导电性膜的表面，进行表面活化处理的工序；贴合该单晶硅基板的离子注入面与该透明绝缘性基板上的该透明导电性膜表面的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，形成单晶硅层的工序；以及于该单晶硅层形成pn结的工序。由此，提供一种单晶硅太阳能电池，于硅太阳能电池中，为了有效活用其原料(硅)而将光变换层制成薄膜，且变换特性优异，并且因光照射产生的劣化少，所以可使用作为住宅等的采光窗材料的透视型太阳能电池。

31、超声波清洗单晶硅片方法及其装置一种清洗单晶硅片方法及其装置，方法是将被洗研磨硅片水平状放置在清洗槽底部上方栅栏状的石英棒框架上，在确保清洗槽内具有去离子水高度并不断流动的条件下，利用设在清洗槽底部的超声波振子进行清洗，超声波频率为40KHz，每5分钟将研磨硅片翻一个面，连续超洗至被超洗的研磨硅片表面没有黑色污染物冒出止。装置中搁置单晶硅片框架的底壁为栅栏状的石英棒，整个框架由支撑脚支撑在清洗槽内。本发明改竖超洗水平超洗后，解决了因硅片距离超声波源不等、污染物易堆积在硅片表面下部而造成局部难以清洗干净的问题，以及消除了用聚四氟材料制成的承载硅片的软体花篮会吸附和阻挡超声波源的传递，造成硅片表面局

32、部区域清洗不干净的现象。使用金属污染及热处理识别单晶硅中的晶体缺陷区的方法本发明是有关于一种使用金属污染以及热处理识别单晶硅的晶体缺陷区的方法。在此方法中，制备硅晶片或单晶硅锭切片形状的样品。用金属以约11014到51016个原子/平方厘米的污染浓度污染样品的至少一侧。热处理受污染的样品。观察热处理过的样品的受污染侧或相反侧来识别晶体缺陷区。在不使用另一检查装置的情况下，可准确、容易且快速地分析晶体缺陷区，而与单晶硅中的氧浓度无关。可反射出色域的电极结构以及单晶硅面板与显示装置一种电极结构，包括一基板、一电极结构层以及一色域反射层。基板上包括已形成的一电路。电极结构层位于基板上与该电路耦接。色

33、域反射层位于电极结构层上。当一入射光入射于该色域反射层与该电极结构层时，该色域反射层用以仅会反射特定的一光域。依照所述电极结构，可以制造出反射式单晶硅面板，以及投射式显示装置。单晶硅的生长方法本发明涉及单晶硅的生长方法。在生长中的单晶硅侧面部负荷有热应力的条件下通过卓克拉尔斯基法生长单晶硅。使生长单晶的气氛气体为惰性气体和含氢原子物质气体的混合气体。单晶硅薄膜及其组件的制备方法本发明涉及单晶硅薄膜的制备及其太阳能电池使用的单晶硅薄膜组件的形成方法。一种单晶硅薄膜制备方法，其主要特点包括有如下步骤：(1)基底抛光；(2)用静电除尘枪对抛光后的基底清洗，速度为1-5s/cm2，并采用惰性气体防止氧

34、化；(3)单晶硅薄膜制备，将经抛光清洗后的基底放入真空室体，采用直流脉冲磁控溅射制备单晶硅薄膜，靶材为99.99的高纯硅块体，溅射时功率密度为1-10W/cm2，靶和基底的距离为50-300mm，镀膜时，真空室体的温度为100-160，在工件和真空室体间加占空比为40-80的200-1000V的直流偏压，磁场强度300500Gs；沉积厚度为0.5-5m。本发明的优点是在低温下进行，不需二次退火热处理，工艺过程简单，便于硅膜工业化生产。单晶硅棒制造方法和单晶硅棒结构一种制造单晶硅棒的方法可包括：在基底上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成孔；选择性地使硅在所述孔中生长；在所述孔和所述绝缘层上形成硅层；

35、在所述硅层上沿不是关于所述孔的径向的方向形成棒图案；通过将激光束照射到所述硅层上熔化所述硅层并在对应于所述孔的位置产生成核位置，使所述硅层结晶。根据所述方法，可形成没有缺陷的单晶硅棒。提高单晶硅太阳能电池减反射膜质量的方法一种PECVD沉积SiN薄膜工艺，是一种产品致密性好、均匀性好、附着性好的PECVD沉积SiN薄膜工艺。本发明经过清洁单晶硅片、在PECVD设备真空室内升温至300400并保持稳定时，给真空室冲入流量3500ml/min的NH3气体至200Pa左右，并加高频功率使其放电，进行体钝化，然后在反应室内通入流量245ml/min的SiH4气体和2800ml/min的NH3气体，并使

36、反应室真空保持在265Pa左右，并加高频功率使其放电，进行沉积，本发明可以制作出致密性好、均匀性好、附着性好的SiN薄膜，并可使薄膜厚度控制在600埃667埃之间，具有沉积温度低，沉积效率高的优点。改善半导体单晶硅研磨硅片平行度的方法及其装置本发明属于一种改善半导体单晶硅研磨硅片平行度的方法及其装置，本发明针对现有技术被磨硅片因磨盘直径因素引起的线速度变化，使被磨硅片外圆部分比中心部分磨去较多，导致被磨硅片中间厚而边缘薄的塌边现象，采用在研磨过程中，自始至终使被磨硅片的中部落在磨盘区域内作公转和自转运动，而使被磨硅片的边缘侧间隙式落在磨盘区域外作公转和自转运动的技术方案，改善半导体单晶硅研磨硅

37、片的平行度，达到了所磨硅片外圆部分和中心部分厚薄一致、平行度好的目的，利用该方法磨研硅片不但可以大大减少磨盘的修磨次数，还可以有效确保被磨硅片的平行度指标达到所需要求。一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器本实用新型公开了一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器，所述的硅籽晶夹持器(13)上端为一与籽晶轴(12)连接的联接件(13c)，其特征在于所述的硅籽晶夹持器(13)下端包括硅籽晶夹持器上部(13a)和硅籽晶夹持器下部(13b)，所述的硅籽晶夹持器上部(13a)与所述的硅籽晶夹持器下部(13b)之间为可拆卸联接，所述的硅籽晶夹持器下部(13b)内含一上大下小且上下贯通的空腔。硅籽晶夹持器能保证硅籽晶

38、的安全使用，避免硅籽晶断裂，大大延长籽晶的使用寿命，可以用于制备重量高达500Kg的硅晶体。可以用于制造集成电路和其它电子元件的半导体级硅单晶的制备，满足半导体硅材料的发展需要。区熔单晶炉单晶硅棒夹持机构一种区熔单晶炉拉制大直径单晶硅棒的夹持机构，由一个置于真空炉室内，随同下轴边旋转边升降；内腔可通循环冷却水的夹持体，一个焊有拨叉并装有三个支持块的夹持环，与支持块 位置对称安装的支持柱，三根斜插在夹持体孔内的夹持棒等零部件组成，当拨转夹持环时，支持块随之转动，脱离支持柱，三根夹持棒不再被卡而在重力作用下沿斜孔下滑，棒端同步接触单晶硅棒，达到夹持目的。单晶硅太阳电池微电机风扇凉帽一种单晶硅太阳电

39、池微电机风扇凉帽，它是在普通凉帽的顶部装有单晶硅太阳电池板，在帽檐上开有窗口，窗口上装有微电机风扇，微电机与太阳电池联接。在阳光照射下太阳电池产生电流，驱动电风扇转动，产生轻风吹到脸部。单晶硅片各向异性腐蚀夹具一种电子器件制备中用于单晶硅片各向异性腐蚀的夹具。它包括两块胶合板和在这两块胶合板之间夹有的三块橡胶块、在胶合板和橡胶块中心开有一贯穿整个胶合板和橡胶块的通孔、一片玻璃片位于橡胶块的一个夹层之间。本夹具通过将单晶硅片上制备有器件的一面密封在由玻璃片和单晶硅片形成的密闭空间内，使其与腐蚀液隔离，可以实现在各向异性腐蚀过程中保护器件的目的。用于制备薄膜的单晶硅辐射式加热器本实用新型涉及一种薄

40、膜制备技术，特别是涉及一种薄膜制备中用加热器制造技术领域。本实用新型为了制备均匀厚度的大面积双面超导薄膜，从而提供一种由单晶硅加工成凹型的加热板，它通过金属夹板把电极固定在辐射屏蔽架子上构成单晶硅辐射基片加热器。该加热器使用温度达，恒温区可达，它不仅可适于制备单面薄膜，而且适于制备双面薄膜。单晶硅炉传动轴用磁性液体密封装置本实用新型介绍的单晶硅炉传动轴用磁性液体密封装置，包括上传动密封构件和下传动密封构件构成，其特征在于所述传动轴上设置着一个由传动轴与辅助支架、螺母、或紧固螺栓、旋转盖、密封垫圈等组合成的可密封区间，在该区间段内的传动轴上交错迭置着若干片环状极靴和环状永磁体，其上下两顶部各置一

41、密封垫圈、在贴近传动轴的极靴内径面上，开设有若干凹槽，在极靴的极齿与传动轴微小间隙内充填着磁性液体。单晶硅衬底双面抛光片本实用新型公开的一种用于制造高性能的半导体器件和集成电路的单晶硅衬底双面抛光片，其单晶硅衬底（）的双面具有抛光层（）、（），且双面的抛光层（）、（）同片总厚度变化。采用这种单晶硅衬底双面抛光片制造的半导体器件和集成电路的电性能一致好、稳定，因而可以用来生产高质量的双向闸管、放电管。单晶硅炉传动轴用磁性流体密封装置单晶硅炉传动轴用磁性流体密封装置，由晶转轴系统与埚转轴系统两部分构成，它们有传动轴、轴承、外壳、O型密封圈、骨架油封和磁芯组件等零件，其特征在于所述的传动轴上套置一个

42、由导磁材料制作的导磁套，在导磁套外侧设置着外壳，在所述的外壳与导磁套两者的空腔上部设置着螺母、压盖与轴承等组件，在轴承下部由导磁套及外壳形成的空间内设置着由极靴和永磁体、磁性液体组成的磁性组件，由该磁性组件组成与导磁套构成的磁流体密封段。该密封装置具有密封可靠、使用寿命长等优点。低氧碳单晶硅复投料自卸机构本实用新型属于自卸机构，特别是指一种低氧碳单晶硅复投料自卸机构。它包括设置于料筒内壁的筒状衬板，在筒状衬板的侧壁下方活络设置有由三角形或扇形挡板组成的圆锥状或棱锥状筒底，挡板的上部及中下部分别与筒状衬板和摇杆下端活络连接，拉杆垂直设置于料筒内腔中，摇杆的上端与拉杆下端横向设置的连杆活络连接，料

43、筒外壁设置有限位块。本实用新型解决了现有技术生产成本及电能消耗大、工人的劳动强度高等问题。本装置结构设计合理，零部件选配得当，除能充分满足现有生产过程中的工艺条件要求外，可大幅度提高石英坩埚的利用率，降低生产过程中的电消耗和操作工人的劳动强度。一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽，包括槽体、加热管、支撑平板、硅片承载器，在支撑平板的左右两端分别开有左缺口和右缺口，支撑平板架设在槽体内，并与槽体底面形成一个空腔，所述加热管安装在槽体内壁上，且位于左缺口或右缺口的上方，硅片承载器放置在支撑平板上。当腐蚀槽加热时，腐蚀液从加热管的缺口垂直于承载器的方向流动，沿着支撑平板的缺口

44、流到支撑平板下面的空腔中，再沿着靠近加热管的缺口上升继续加热，如此不断循环。这样，整个硅片表面的受热均匀，腐蚀液流动均匀，腐蚀速度均匀，绒面结构一致。超声波清洗单晶硅片装置一种超声波清洗单晶硅片装置，清洗槽的槽壁上设有进水口和出水口，槽底部下方设有超声波振子，清洗槽槽内设有一搁置单晶硅片的框架，框架底壁为栅栏状的石英棒，石英棒形成的平面低于去离子水水平面，整个框架由支撑脚支撑在清洗槽内。具体实施时，石英棒距离清洗槽的底壁为15厘米。清洗时，单晶硅片可以平置在石英棒上，将现有的竖超洗改成平超洗，消除了单晶硅片在竖超洗状态下，污染物会残留堆积在硅片表面，形成局部区域清洗不干净，以及承载硅片的软体花

45、篮会吸附和阻挡掉超声波源的传递，从而造成硅片表面局部区域清洗不干净的现象，具有结构更为简单、用水量大大减少的优点。一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻本发明涉及一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻采用真空气相扩散方法，将锌原子作为掺杂剂，掺入n型单晶硅中；利用锌在n型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高B值热敏电阻器。该电阻器适用于温度计(如体温计)使用的热敏电阻必须是高B值的元件；集成电路板上表面贴片技术使用的热敏元件要求采用高B值片式元件；电动机等设备中，需要抑制机器启动时较强的浪涌电流，对设备进行保护；在各类充电设备中，需要使用高B值的热敏电阻抑制浪涌电流，延长电池的寿命。一

46、种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻本发明涉及一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻通过金属锰真空高温扩散或硝酸锰涂层高温扩散将锰掺入单晶硅中，锰原子形成深施主能级，硅单晶成为高度补偿的半导体材料。温度升高，深能级俘获的载流子跃迁至导带，引起材料电阻率发生变化，从而呈现热敏特性，改变扩散温度和时间，即可实现其材料常数B值和25标称电阻的改变。单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片本发明涉及一种利用不进行达斯颈部法的柴可劳斯基法而进行的单晶硅的制造方法，利用前端部的角度为28以下的前端尖或者去掉尖前端的形状的晶种，在使上述晶种的前端部接触硅熔液之前，使其停止在硅熔液的正上方并予以加温，之后，

47、使上述晶种的前端部接触硅熔液，沉入硅熔液直至成为期望直径为止，之后，转为拉升而进行单晶的拉升时，至少在使上述晶种的前端部接触硅熔液而转为拉升的期间，使硅熔液表面的温度变动保持在5以内。由此，在不使用达斯颈部法而利用柴可劳斯基法来育成单晶硅的方法中，可以提的单晶硅的育成，也可以育成固定直径部直径超过200mm的大直径高重量的单晶硅。单晶硅晶片及外延片以及单晶硅的制造方法本发明提供一种由柴可拉斯基法进行的单晶硅的制造方法，将生长速度控制在：在逐渐降低拉晶中的单晶硅的生长速度的情况下，通过OSF环衰减后残留的Cu沉积所检测出的缺陷区域衰减的边界生长速度，及在进一步逐渐降低生长速度的情况下，在进行氧析

48、出处理时，BMD密度表示为1107个/cm3以上及/或者晶片寿命表示为30sec以下的数值的高氧析出Nv区域衰减的边界生长速度之间，以育成单晶体。由此，提供一种在由柴可拉斯基法制造单晶硅时，不属于空位多的V区域、OSF区域、及晶格间硅多的I区域的任意其一，并且具有优异的电特性及吸气能力，可以确实提升器件成品率的单晶硅及外延片。单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法一种单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法，将表面经过处理的单晶基片作为基底材料，在其表面采用自组装方法制备巯基硅烷-稀土纳米薄膜，首先将单晶硅片放入王水中，对单晶硅片进行预处理，清洗、干燥后，浸入巯基硅烷溶液中，静置8小时后取出，冲洗后用氮气吹干