二极管三极管, .docx

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1、精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结按极性分：三极管与二极管型号可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结三极管： PNP 型和 NPN二极管： P 型和 N 型多数国产管用xxx 表示：如 3 A X 31，第一位管型：3 代表三极管2 代表二极管其次位材料和极性：A代表 PNP型锗材料。 B代表 NPN型锗材料。 C为 PNP型硅材料。 D为 NPN型硅材料。第三位用途：X代表低频小功率管。 D代表低频大功率管。 G代表高频小功率管。 A代表高频大功率管。留意：二极管同三极管其次位意义基本相同，而第三位就含义不同。二极管： 第三位的 P代表检波管。 W代表

2、稳压管。 Z 代表整流管。上面举的例子，详细来说就是 PNP型锗材料低频小功率管。进口的三极管： 各有不同：常用的进口管有韩国的90xx、80xx 系列，欧洲的 2Sx 系列。在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。最终面的数字是产品的序号：序号不同，各种指标略有差异。NPN和 PNP 三极管主要区分可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结主要就是电流方向 和电压正负 不同：极性反转）NPN：是用 BE 的电流 IB）掌握 CE 的电流 IC）。正常放大时：电位直接或间接） ： 的板 VE VB VC天花板PNP：是用 EB 的电流 IB）掌握 EC 的电流 IC）。正常放大时

3、：电位直接或间接） ： 的板 VC VB 管/ 单极型晶体管FETFi el d Ef f ectTr ansi st or ）由多数载流子参加导电 ,属于电压掌握型半导体器件。优点:输入电阻高 108 109）、噪声小、功耗低、动态范畴大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等.RTCrpUDGiT特点:1）场效应管是电压掌握器件，它通过VGS来掌握 ID。2）场效应管的输入端电流微小，因此它的输入电阻很大。3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳固性较好。4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数。5）场效应管的抗辐射才能强。，此时过渡层大致成为掩盖全

4、区域的状态。而且 VDS 的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。xHAQX74J0X主要作用:1.场效应管可应用于放大。场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2.场效应管很高的输入阻抗特别适合作阻抗变换。LDAYtRyKfE常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3. 场效应管可以用作可变电阻。4. 场效应管可以便利的用作恒流源。5. 场效应管可以用作电子开关。分类简介结型场效应管 JFET）和绝缘栅场效应管 MOS 管）。按沟道材料型和绝缘栅型各分N 沟道和 P 沟道两种。按导电方式：耗尽型与增强型，

5、结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS 场效应晶体管，而MOS 场效应晶体管又分为 N 沟耗尽型和增强型。 P 沟耗尽型和增强型四大类。Zzz6ZB2Ltk结型场效应管， N 沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN 结中的载流子已经耗尽，故PN 结基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED 肯定时， 假如栅极电压越负， PN 结交界面所形成的耗尽区就越厚，就漏、源极之间导电的沟道越窄，可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结漏极电流 ID 就愈小。反之，假如栅极电压没有那么负，就沟道变宽，ID 变大，所

6、以用栅极电压 EG可以掌握漏极电流ID 的变化，就是说，场效应管是电压掌握元件。dvzfvkwMI1绝缘栅场效应管IG-FET）它是利用UGS 来掌握 “感应电荷 ”的多少，以转变由这些“感应电荷 ”形成的导电沟道的状况，然后达到掌握漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中显现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的 N 区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0 时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压转变时，沟道内被感应的电荷量也转变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流 ID 随着栅极电压的变化而变化。rqyn14ZNXI工作方式：耗散型：当栅压为零

7、，有较大漏极电流。增强型：当栅压为零，漏极电流为零，必需再加肯定的栅压之后才有漏极电流。用万用表判定三极管的极性和质量1. 基极 B把万用表的欧姆档旋到X 100 或 X 1K ，将黑表笔接到自认为的基极上，然后用红表笔去接碰其余的管脚，假如两次测量的电阻都很大或都很小，就黑表笔接的是基极。EmxvxOtOco两次测量电阻都很大时此管为 PNP 型的，电阻都很小为 NPN 型的。2. 集电极 C 和发射极 E判定集电极 c 和发射极 e 的原理：把三极管接成单管放大电路，以测量管脚在不同接法时的电流放大系数的大小来比较，当管脚接法正确时的电流放大系数较接法错误时的电流放大系数大，由此可判定出c

8、 和 e 。SixE2yXPq5虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但认真观看，总会有一次偏转角度稍大，红表笔所接的肯定是发射极 e 。6ewMyirQFL可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结3. 管型找出三极管的基极后，我们就可以依据基极与另外两个电极之间PN 结的方一直确定管子的导电类型 图 1 。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，如表头指针偏转角度很大，就说明被测三极管为NPN 型管。如表头指针偏转角度很小，就被测管即为 PNP 型。可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结名称E 共发射极电路c 共集电极电路射极输出器）B 共基极电路可

9、编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结输入阻抗中几百欧几千欧）输出阻抗中几千欧几十千欧）大几十千欧以上）小几欧几十欧）小几欧几十欧）大几十千欧几百千欧）可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结电压放大倍数大小大小于 1 并接近于 1）可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结电流放大倍数大几十）功率放大倍数大约 30 40 分贝）大几十） 小约 10 分贝）小小于 1 并接近于 1） 中共“ X” 电路中的对管。BE是正偏， BC是反偏： VCE=VCB-0.7。E 所以 VBOVCEOOTL ，有输出电容，单电源供电，电路

10、轻巧牢靠。y6v3ALoS89“两组串联的输出中点”可懂得为采纳互补对称电路NPN、PNP 参数一样，互补对称，均为射随组态，串联，中间两管子的射极作为输出。M2ub6vSTnP优点 :只需要一组电源供电。缺点 :需要能把一组电源变成了两组对称正、负电源的大电容。低频特性差。CMOS 电路与 TTL 电路可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结单级器件场效应管负载力小,功耗小 ,省电uA 级）TTL 电路双极型器件双极晶体管负载力大功耗较大1 5mA/ 门） 瓦与 CM OS 门的静态功耗相比， 是较大的， 约为数十毫瓦mw）可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结速度慢 几百

11、 ns） 较 TTL 略低必需处理 :连到高电平或低电平由于 CMOS 是高输入阻抗器件, 抱负状态是没有输入电流的. 假如不用的输入引脚悬空, 很简单感应到干扰信号, 影响芯片的规律运行, 甚至静电积存永久性的击穿这个输入端, 造成芯片失效 .速度快数 ns）高速 CM OS 速度与 TTL 差不多相当多数不用处理可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结CMOS 驱动 TTL，要考虑驱动电流不能太低。74HC/74HCT 型 CMOS 可直接驱动74/74LS 型TTL，除此需要电平转换设计便携式和电池供电的设备多用CMOS 芯片，应用

12、最广，具有输入阻抗高、扇出才能强、电源电压宽、静态功耗低、抗干扰才能强、温度稳固性好等特点，但多数工作速度低于TTL 电路。输入时互补的:保证了转换电平是电源电压的1/2L 电平：小于等于0.3Vcc 。 H 电平：大于等于0.7VccTTL 驱动 CM OS， 要考虑电平的接口。 TTL 可 直接 驱动 74HCT 型 的CM OS， 其余 必需考虑 规律电平 的转换问题。对速度要求较高的最好选用 TTL 中的 74SXXX 系列输入多射击晶体管的结构:打算了转换电平是 2 倍的 PN 结正向压降， 大约为 1.4V。电源只有 5V 的， 且输入电流的方向是向外的！L 电平： 小于等于 0.

13、8V 。H 电平： 大于等于 2V可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。由于 CMOS 的输入阻抗都比较大，一般比较简单捕获到干扰脉冲，所以NC 的脚尽量要接个上拉电阻，而且CMOS 具有电流闩锁效应，简单烧掉IC，所以输入端的电流尽量不要太大，最好加限流电阻。平板显示器目前竞争最猛烈的平板显示器有四个品种：1. 场致发射平板显示器FED）2. 等离子体平板显示器PDP）。3. 有机薄膜电致发光器OLED）4. 薄膜晶体管液晶平板显示器TFT-LCD） 。LCD， 它们的分子指向就可能有规律性。于是我们就可将液态又细分为很多型态。分子方

14、向没可编辑资料 - - - 欢迎下载精品名师归纳总结有规律性的液体我们直接称为液体，而分子具有方向性的液体就称之为“液态晶体 ”，又简称 “液晶 ”。液晶产品其实对我们来说并不生疏，我们常见到的手机、运算器都是属于液晶产品。液晶是在1888 年，由奥的利植物学家Reinitzer发觉的，是一种介于固体与液体之间，具有规章性分子排列的有机化合物。一般最常用的液晶型态为向列型液晶，分子外形为瘦长棒形，长宽约1nm 10nm ，在不同电流电场作用下，液晶分子会做规就旋转 90 度排列，产生透光度的差别，如此在电源ON/OFF下产生明暗的区分，依此原理掌握每个像素，便可构成所需图像。sQsAEJkW5

15、TLCD 投影机的主要成像器件是液晶板。LCD 投影机的体积取决于液晶板的大小，液晶板越小，投影机的体积也就越小。现在 LCD已经替代 CRT成为主流，价格也已经下降了很多，并已充分的普及。TFT Thi n Fi l m Tr ansi st or薄膜场效应晶体管指液晶显示器上的每一液晶象素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动。从而可以做到高速度高亮度高对比度显示屏幕信息。LCDLiquid Crystal Display） :TFT,OLED,UFB,TFD,ST等N 类型的液晶显示器 .TFTThin Film Transistor）：属于有源矩阵液晶显示器。是有源矩阵类型液晶显示器,在其背部设置特殊光管,可以主动对屏幕上的各个独立的像素进行掌握 ,这也是所谓的主动矩阵TFT 的来历 , 这样可以大的提高反应时间,约为 80 毫秒 ,而STN模糊的现象 ,有效的提高了播放动态画面的才能 ,和 STN 相比,TFT 有杰出的颜色饱和度 ,仍原才能和更高的对比度,太阳下依旧看的特别清晰。 TIrRGchYzg缺点：比较耗电 ,成本较高 .TFD扫描打在前面显示屏产生字幕和画面的一种显示器。可编辑资料 - - - 欢迎下载