《半导体物理学》考研大纲.doc

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1、半导体物理学半导体物理学(科目代码科目代码 843)考试大纲考试大纲特别提醒特别提醒：本考试大纲仅适合本考试大纲仅适合 2010 年微电子学与固体电子学专业的年微电子学与固体电子学专业的半导半导体物理体物理考试科目。考试科目。1考研建考研建议议参考参考书书目目刘恩科等著半导体物理学 ，国防工业出版社; 或西安交通大学出版社 ISBN 7- 5605-1010-8/TN.54。 2基本要求基本要求 （1）掌握半导体中的电子状态和能带；本征半导体中的导电机构和空穴；半导体中电子 的运动和有效质量；硅和锗的能带结构和族化合物半导体的能带结构。 （2）掌握半导体中杂质和缺陷能级；重点掌握硅、锗晶体中的

2、杂质能级和族化合 物中的杂质能级。 （3）掌握半导体中载流子的统计分布理论以及简并半导体的基础理论；并掌握本征半导 体和杂质半导体的载流子浓度和一般情况下的载流子统计分布。 （4）掌握半导体的导电性理论；载流子的散射；迁移率、电阻率及其杂质浓度和温度的 关系；强电场下的热载流子效应和耿氏效应。 （5）掌握非平衡载流子的注入、复合、寿命；准费米能级；复合理论。并掌握载流子的 扩散运动；漂移运动和爱因斯坦关系式及连续性方程。 （6）掌握 p-n 结及其能带图，p-n 结电流电压特性，p-n 结电容和 p-n 结击穿与隧道效 应的基础知识。 （7）掌握金属与半导体的接触及其能带图；金属半导体接触整流理论基础知识。 （8）掌握半导体表面和表面电场效应；MIS 结构的电容电压特性，硅二氧化硅系统 的性质。 （9）掌握异质结及其能带图，异质结的电流输运机构基础知识。