2022年基于集成驱动电路的IGBT驱动电路设计.docx

《2022年基于集成驱动电路的IGBT驱动电路设计.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《2022年基于集成驱动电路的IGBT驱动电路设计.docx（19页珍藏版）》请在得力文库 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、精品学习资源辽 宁工 业 大 学电力电子技术课程设计（论文）题目：基于集成驱动电路地 IGBT驱动电路设计院（系）： 电气工程学院专业班级： 自动化 124班学 号： 120302098同学姓名：李晓晨 指导老师：（签字）起止时间：2021.12.29-2021.01.09欢迎下载精品学习资源课程设计（论文）任务及评语院（系）：电气工程学院教研室：自动化学 号120302098同学姓名李晓晨专业班级自动化 124欢迎下载精品学习资源课程设计（论文）题目基于集成驱动电路地 IGBT 驱动电路设计课题完成地功能：本课程设计利用集成驱动电路实现绝缘栅双极晶体管IGBT 地驱动电路设欢迎下载精品学习资

2、源计.设计任务及要求：程（1）依据给出地绝缘栅双极晶体管IGBT 地额定数据，利用集成驱动电路（如课EXB841 、M57962L 等）实现 IGBT 地外围驱动电路设计 .设（2）要求为 IGBT 供应肯定幅值地正反向栅极电压 U GE .计（3）驱动电路要具有隔离输入、输出信号地功能.论（4）要求掌握好 U地前后沿陡度，掌握好IGBT 地开关损耗 .GE文（5）具有过电压爱护和 du/dt 爱护才能 .任）（6）具有完善地短路爱护才能 .务（7）撰写课程设计说明书（论文）.技术参数：绝缘栅双极晶体管 IGBT 地额定电压 1200V，额定电流 400A，最大开关频率 20kHz，驱动电压

3、+15V，关断电压 -5V.（1）布置任务，查阅资料，确定系统地组成（2 天） 进（2）对系统各组成部件进行功能分析（ 3 天）度（3）系统电气电路设计及调试设计（ 3 天）划计（4）撰写、打印设计说明书及答辩（ 2 天）指导教评师平常： 论文质量： 答辩：语总成果：指导老师签字： 及成年 月 日绩注：成果：平常 20%论文质量 60%答辩20% 以百分制运算欢迎下载精品学习资源摘要介绍了绝缘栅双极型晶体管 IGBT（ Insulated Cate Bipolar Transisto）r 器件驱动电路设计地一般要求，对 EXB 841 芯片地工作过程作了深化地分析，讨论了EXB 841 对 I

4、GBT 地开通和关断以及过流爱护地原理，指出了用EXB 841 直接驱动 IGBT 时存在地问题和不足，主要是过流爱护地阀值太高，关断不行靠及在软关断时没有对外部输入信号进行封锁.同时，提出了针对这些不足在设计驱动电路时应当实行地几种有效方法.最终，运用 EXB 841 及其他器件设计和优化了一个 IGBT 地驱动电路，该驱动电路通试验证明能够有效地对 IGBT 器件进行驱动和过电流爱护 .关键词：绝缘栅双极型晶体管； EXB 841；驱动电路欢迎下载精品学习资源目录第 1 章 绪论 1第 2 章 课程设计地方案 32.1 概述 32.2 系统组成总体结构 3第 3 章 IGBT 驱动电路设计

5、 43.1 IGBT驱动电路设计要求 53.2 EXB841 地掌握原理 53.3 EXB841 存在地不足与改进 7第 4 章 基于 EXB 841 驱动电路设计、优化 94.1 IGBT驱动电路及故障信号封锁电路设计94.2 IGBT驱动电路优化 10第 5 章 课程设计总结 13参考文献 14欢迎下载精品学习资源第1章 绪论80 岁月初期，用于功率MOSFET 制造技术地 DMOS （双扩散形成地金属 -氧化物-半导体）工艺被采纳到IGBT 中来.在那个时候，硅芯片地结构是一种较厚地 NPT（非穿通）型设计 .后来，通过采纳 PT（穿通）型结构地方法得到了在参数折衷方面地一个显著改进，这

6、是随着硅片上外延地技术进步，以及采纳对应给定阻断电压所设计地n+缓冲层而进展地 .几年当中，这种在采纳PT 设计地外延片上制备地 DMOS 平面栅结构，其设计规章从 5 微 M 先进到 3 微 M.90 岁月中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念地IGBT，它是采纳从大规模集成（ LSI ）工艺借鉴来地硅干法刻蚀技术实现地新刻蚀工艺，但仍旧是穿通（ PT）型芯片结构 .在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时间之间折衷地更重要地改进 .硅芯片地重直结构也得到了急剧地转变，先是采纳非穿通（NPT ）结构，继而变化成弱穿通（ LPT）结构，这就使安全工作区（SOA）得到同表面栅结构演化类似地改善 .

7、这次从穿通（ PT）型技术先进到非穿通（ NPT）型技术，是最基本地，也是很重大地概念变化 .这就是：穿通（ PT）技术会有比较高地载流子注入系数，而由于它要求对少数载流子寿命进行掌握致使其输运效率变坏.另一方面，非穿通（ NPT）技术就是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好地输运效率，不过其载流子注入系数却比较低 .进而言之，非穿通（ NPT）技术又被软穿通（ LPT）技术所代替，它类似于某些人所谓地 “软穿通 ”（SPT）或 “电场截止 ”（ FS）型技术，这使得“成本性能”地综合成效得到进一步改善 .1996 年， CSTBT（载流子储存地沟槽栅双极晶体管）使第5 代 IGBT 模块得以实现

8、，它采纳了弱穿通（LPT）芯片结构，又采纳了更先进地宽元胞间距地设 计.目前，包括一种 “反向阻断型 ”（逆阻型）功能或一种“反向导通型 ”（逆导型）功能地 IGBT 器件地新概念正在进行讨论，以求得进一步优化.经过 20 多年地进展， IGBT 表现出了很强地生命力，其开关性能经受五代改进也日臻完善 .同时， IGBT 地容量等级也在快速提升，单管电压已6500V，无均流并联电流已 3300 A，已成为基本上取代了GTR，并在很多应用领域挑战 GTO 地电力半导体开关器件 .驱动电路地结构和参数会对IGBT 地运行性能产生显著影响，如开关时间、开关损耗、短路电流爱护才能和抗du/dt 地才能

9、等 .因此，依据 IGBT 地型号类型和参数指标合理设计驱动电路对于充分发挥IGBT 地性能是特别重要地 .欢迎下载精品学习资源功率器件地不断进展使其驱动电路也在不断地进展，相继显现了很多专用地驱动集成电路 .IGBT 地触发和关断要求给栅极和发射极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同地驱动电路产生.当挑选这些驱动电路时，必需基于以下因素进行：器件关断偏置地要求、栅极电荷地要求、耐固性地要求等.IGBT 地驱动电路是 IGBT 与掌握电路之间地接口，它对IGBT 地正常运行具有特别重要地影响.采纳一套性能良好地驱动电路可缩短开关时间，减小开关损耗，使IGBT 工作在较抱负地开关状态下，

10、同时对电源地运行效率、牢靠性和安全性都有重要地意义 .另外，一套性能良好地驱动电路由于本身具有多种爱护措施，可以防止 运行中地一些意外冲击而损坏IGBT.因此驱动电路地挑选和设计显得尤为重要.IGBT 作为功率电源地主要电力电子器件，其栅极驱动电路设计地优劣直接关系到由 IGBT 构成地系统长期运行地牢靠性 .只有设计合理地 IGBT 驱动电路， 才能保证 IGBT 地牢靠运行 .欢迎下载精品学习资源第2章 课程设计地方案2.1 概述本次设计主要是综合应用所学学问，运用EXB841 及其他器件设计和优化了一个IGBT地驱动电路 .能够较全面地巩固和应用“电力电子技术 ”课程中所学地基本理论和基

11、本方法， 并初步把握利用IGBT 设计地基本方法 .应用场合 :随着电力电子技术朝着大功率、高频化、模块化进展,绝缘栅双极晶体管 IGBT 已广泛应用于开关电源、变频器、电机掌握以及要求快速、低损耗地领域中.IGBT是复合全控型电压驱动式电力电子器件,兼有 MOSFET 和 GTR 地优点 :输人阻抗高 ,驱动功率小 ,通态压降小 ,工作频率高和动态响应快.目前 ,市场上 500 3000V ， 8001300A地 IGBT ，因其耐高压、功率大地特性，已成为大功率开关电源等电力电子装置地首选功率器件.2.2 系统组成总体结构驱动电路电压信号主电路爱护电路图 2.1 系统结构图EXB 841

12、存在过流爱护无自锁功能等问题，再结合这些问题设计了驱动电路并对其进行了优化.设计一个爱护电路对IGBT进行有效地驱动、掌握和过电流爱护.使其正常工作，爱护电路中地器件不被损坏 .欢迎下载精品学习资源第3章 IGBT驱动电路设计绝缘栅双极型晶体管 IGBT（ Insulated Cate Bipolar Transistor）是一欢迎下载精品学习资源种由双极晶体管与 MOSFE组T合地器件，它既具有 MOSFE地T栅极电压掌握快速开欢迎下载精品学习资源关特性，又具有双极晶体管大电流处理才能和低饱和压降地特点，近年来在各种电力变换装置中得到广泛应用 . 但是 IGBT地门极驱动电路影响 IGBT地

13、通态压降、开关时间、开关损耗、承担短路电流才能及等参数，打算了 IGBT地静态与动态特性 . 因此，在使用 IGBT时，最重要地工作就是要设计好驱动与爱护电路.IGBT地等效电路如图 3.1 所示. 由图 1 可知，如在 IGBT地栅极 G和发射极E 之间加上驱动正电压，就 MOSFE导T 通，这样 PNP晶体管地集电极 C与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；如IGBT地栅极和发射极之间电压为 0V，就MOS截止，切断 PNP晶体管基极电流地供应，使得晶体管截止.IGBT 与 MOSFE一T 样也是电压掌握型器件，在它地栅极G发射极 E 间施加十几伏地直流电压，只有在 uA 级地漏电流流过，

14、基本上不消耗功率 .图 3.1 a为 IGBT 等效电路图 b为 IGBT 电气符号IGBT模块地电压规格与所使用装置地输入电源即试电电源电压紧密相关.欢迎下载精品学习资源使用中当 IGBT模块集电极电流增大时，所产生地额定损耗亦变大. 同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流 . 特殊是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应当降温等使用.3.1 IGBT驱动电路设计要求1. 动态驱动才能强，能为 IGBT栅极供应具有陡峭前后沿地驱动脉冲 . 否就 IGBT会在开通及关断过程中产生较大地开关损耗 .2 ）. 能向 IGBT供应适当地正向和

15、反向栅压 . 一般取+15V左右地正向栅压比较恰当，取 -5V 地反向栅压让 IGBT能牢靠截止 .(3). 具有栅压限幅电路，爱护栅极不被击穿 .IGBT 栅极极限电压一般为20V，驱动信号超出此范畴可能破坏栅极 .(4). 当 IGBT处于负载短路或过流状态时，能在 IGBT答应时间内通过逐步降低栅压自动抑制故障电流，实现 IGBT地软关断 . 驱动电路地软关断过程不应随输入信号地消逝而受到影响 .当然驱动电路仍要留意其他几个问题 . 主要是要挑选合适地栅极电阻 Rg和Rge 以及要有足够地输入输出电隔离才能，要能够保证输入输出信号无延时，同EXB841 是 300A/1200V 快速型

16、IGBT 驱动专用模块，整个电路推迟时间不超过 1s，最高工作频率达 40 一 50kHz，它只需外部供应一个部产生一个一 5V 反偏压，模块采纳高速光耦合隔离，射极输出速关断功能 .+20V 单电源，内.有短路爱护和慢EXB841 主要由放大、过流爱护、 5V 基准电压和输出等部分组成 .其中放大部分由 TLP550,V2,V4,V5 和 R1,C1,R2,R9 组成， TLP550 待改进.起信号输人和隔离作用， V2 是中间级， V4 和 V5 组成推挽输出；短路过流爱护部分由V1,V3,V6,VZ1 和 C2,R3,R4,R5,R6,C3,R7,R8,C4等组成，实现过流检测和延时保护

17、功能.EXB841 地 6 脚通过快速复原二极管接至 IGBT 地 C 极，检测 IGBT 地集射之间地通态电压降地高低来判定IGBT 地过流情形加以爱护； 5V 电压基准部分由 R10,VZ2,C5 组成，为 IGBT 驱动供应一 5V 反偏压.时要保证当 IGBT损坏时驱动电路中地其他元件不会被损坏 .日本 FUJI 公司地 EXB 841芯片具有单电源、正负偏压、过流检测、爱护、软关断等主要特性，是一种比较典型地驱动电路 . 其功能比较完善，在国内得到了广泛应用 .3.2 EXB 841 地掌握原理EXB 841 工作原理如图 3.2 所示（图中 V1G即为 IGBT管，下图同； V1S

18、为欢迎下载精品学习资源光耦 IS01 ）.欢迎下载精品学习资源(1). 正常开通过程图 3.2 EXB 841 地工作原理图欢迎下载精品学习资源当 EXB 841输入端脚 14 和脚 15 有 10mA地电流流过时，光耦IS01 导通， A点电位快速下降至 0V， V1和 V2 截止； V2 截止使 D点电位上升至 20V，V4 导通， V5 截止， EXB 841通过 V4 及栅极电阻 Rg向 IGBT供应电流使之快速导通 .(2). 正常关断过程掌握电路使 EXB 841输入端脚 14 和脚 15 无电流流过，光耦 IS01 不通， A 点电位上升使 V1和 V2导通； V2 导通使 V4

19、 截止、 V5导通， IGBT栅极电荷通过V5 快速放电，使 EXB 841 地脚 3 电位快速下降至 0V（相对 EXB 841 脚 1 低5V），使 IGBT牢靠关断 .(3). 爱护动作IGBT已正常导通，就 V1 和 V2 截止， V4导通， V5 截止， B点和 C点电位稳固在 8V 左右， VZ1不被击穿， V3截止， E 点电位保持为 20V，二极管 VD6截止. 如此时发生短路， IGBT承担大电流而退饱和， uce 上升很多，二极管 VD7截止， 就 EXB 841地脚 6“悬空”， B点和 C点电位开头由 8V 上升；当上升至 13V 时，欢迎下载精品学习资源Vz1 被击穿

20、， V3导通， C4 通过 R7 和 V3 放电， E点电位逐步下降，二极管 VD6导通时 D点电位也逐步下降，使 EXB 841地脚 3 电位也逐步下降，缓慢关断 IGBT.B 点和 C 点电位由 8V 上升到 13V 地时间可用下式求得：（） （ 3-1 ）式 3-1 中 t=1.3 s； 1 为 R3和 C2地充电时间常数 ,1=R3C2.（3-2 ）C3与 R7 组成地放电时间常数为2=C3R7=4.84（ s）（ 3-3 ）E 点由 20V 下降到 3.6V 地时间由下式求得：，t=8.3 s（3-4 ）此时慢关断过程终止， IGBT栅极上所受偏压为 0V，这种状态始终连续到掌握信号

21、使光耦 ISO1截止， IGBT栅极所受偏压由慢关断时地 0V 快速下降到 -5V， IGBT完全关断 .V1 导通 C2快速放电， V3 截止， 20V电源通过 R9对 C4充电， RC 充电时间常数为 3=C4R9=4.84s ，就 E 点由 3.6V 充至 19V 地时间可用下式求得：， t=135 s（ 3-5 ）就 E点复原到正常状态需 135 s，至此 EXB 841 复原到正常状态，可以进行正常地驱动 .3.3 EXB 841 存在地不足与改进1.EXB 841存在地不足. 过流爱护阀值太高 . 由 EXB841实现过流爱护地过程可知， EXB841判定过流地主要依据是 6 脚电

22、压.6 脚电压 U6 不仅和 Uce 有关，仍和二极管 V7 地导通电压 Ud及 Ue有关， V7 在 0.5 0.6 V 时即可开通，故过流爱护阈值Uceo=U-Ud-Ue=13V-0.6V-5.1V=7.3V （3-6 ）通常 IGBT在通过额定电流时导通压降 Uce为 3.5V ，当 Uce=Uceo =7.5 V时.IGBT 已严峻过流，对应电流约为额定电流地2 3 倍，因此，应降低 Uceo. 存在爱护盲区 . 一般大功率 IGBT地导通时间 ton 在 1us 左右. 实际上， IGBT导通时尾部电压下降是较慢地，试验说明，当工作电压较高时，Uce 下降至饱合导通压降约需 45 s

23、 ，而过流检测地推迟时间约为 2.7 s.因此，在 IGBT 开通过程中，如过流爱护动作阈值太高，会显现虚假过流. 为了识别真假过流， 5 脚地过流故障输出信号应延时5us，以便外部爱护电路对真正地过流进行爱护， 在 EXB841完成内部软关断后再封锁外加PWM信号. 软关断爱护不行靠 . 过流爱护后，在 10s 内驱动信号缓降至零 . 由于存欢迎下载精品学习资源在盲区时间 . 同时仍有较长地软关断时间，这就导致不行靠，使爱护成效变差 . 负偏压不足 .EXB841 为了防止较高 dv/dt 引起 IGBT误动作设置了负栅压，实际负栅压值一般不到 -5V. 在大功率臭氧电源等具有较大电磁干扰地

24、全桥逆变应用中，电磁干扰使负栅压信号中存在随工作电流增大而增大地干扰尖锋脉冲，其值可超过 6V，甚至达到 8-9 V ，能导致截止地 IGBT误导通，造成桥臂直通. 过电流爱护无自锁功能 . 在显现过流时， EXB841将正常地驱动信号变成一系列降幅脉冲实现 IGBT地软关断，并在 5 脚输出故障指示信号，但不能封锁输入地 PWM掌握信号 . 因 5 脚输出信号无锁存功能，须在发生真正地过流时，用 触发器锁定故障输出信号，用外部电路实现对系统地爱护和停机.2.改进措施针对以上不足，可以考虑实行一些有效地措施，从而解决以上问题. 以下结合设计地具体电路进行说明 .欢迎下载精品学习资源第4章 基于

25、 EXB 841 驱动电路设计、优化本文基于 EXB 841设计 IGBT地驱动电路如图 4.2 所示，图中上半部分是利用EXB 841 构成地 IGBT地驱动电路，下半部分是由 NE555定时器构成地以实现对IGBT过流时封锁故障信号地电路 .4.1 IGBT驱动电路及故障信号封锁电路设计驱动电路中 Vz5 起爱护作用 . 防止 EXB 841地 6 脚承担过电压，通过 VD1检测是否过电流，接 VZ3地目地是为了转变 EXB模块过流爱护起控点，以降低过高地爱护阙值从而解决过流爱护阀值太高地问题.R1 和 C1及 VZ4接在+20V电源上保证稳固地电压 .VZ1 和 VZ2 防止栅极和射极显

26、现过电压， Rge是防止 IGBT误导通. 针对 EXB 841存在爱护盲区地问题，可如图4.2 所示将 EXB 841地 6 脚地超快速复原二极管 VD1换为导通压降大一点地超快速复原二极管或反向串联一个稳压二极管，也可实行对每个脉冲限制最小脉宽使其大于盲区时间，防止IGBT过窄脉宽下地低输出大功耗状态 . 针对 EXB 841软关断爱护不行靠地问题，可以在EXB 841 地 5 脚和 4 脚间接一个可变电阻 ,4 脚和地之间接一个电容，都是用来调剂关断时间，保证软关断地牢靠性 . 针对负偏压不足地问题，可以考虑提高负偏压 . 一般采纳地负偏压是 -5V 可以采纳 -8V 地负偏压（当然负偏

27、压地挑选受到 IGBT栅射极之间反向最大耐压地限制） .图 4.2 下半部分所示为故障信号地封锁电路 . 当 IGBT正常工作时 EXB 841 地 5 脚是高电平，此时间耦 6N137截止，其 6 脚为高电平，从而 V1 导通，于是电容 C6 不充电， NE555P地 3 脚输出为高电平，输入信号被接到15 脚， EXB 841 正常工作驱动 IGBT.当 EXB 841检测到过电流时 EXB 841地 5 脚变为低电平，于是光耦导通使V1 截止+5V电压经 R4 和 R5 对 C6，充电 R4和 R5地总阻值为 90k， C6为 100pF，经过 5s 后 NE555P地 3 脚输出为低电

28、平，通过与门将输入信号封锁. 由于 EXB 841 从检测到 IGBT过电流到对其软关断终止要 10 s 此电路推迟 5 s 工作是由于 EXB 841检测到过电流到 EXB 841地 5 脚信号为低电平需要 5s 这样经过NE555P定时器推迟 5s 使 IGBT软关断后再停止输入信号，防止立刻停止输入信号造成硬关断 .同时，在 EXB 841检测到过流时进行软关断地过程中为了防止外部输入信号撤除从而直接使 IGBT硬关断，可从 V1 地集电极引出一高电平对输入信号进行封欢迎下载精品学习资源图 4.2 IGBT 驱动电路锁，从而保证软关断地顺当进行. 该电路解决了 EXB 841存在地过电流

29、爱护无自锁功能这一问题 .经过试验发觉该电路在正常工作时，可以通过EXB 841地 3 脚发出+15V和-5V 电压信号驱动 IGBT开通和关断，当 IGBT发生过流时该电路能牢靠地进行软关断.4.2 IGBT驱动电路优化（1） ）过流爱护欢迎下载精品学习资源过电流损坏缘由IGBT内部有寄生晶闸管，在规定漏极电流范畴内，其产生地正偏压不足以使晶 体管导通，当漏极电流大到肯定程度，正偏压足以使晶体管导通，近而使寄生晶 闸管开通，栅极失去掌握，发生擎柱效应. 此时关断无效，集电极电流很大致使IGBT损坏. 当电流仍未达到擎柱效应所需电流大小时，假如IGBT运行指标超过SOA所限定地电流安全边界，也

30、就工作在了过流状态下，长时间过流运行造成很 高地功耗，损坏器件 . 当最严峻地过流情形，短路发生时，电流很快达到额定电流地 4-5 倍，此时必需尽快关断器件，否就器件将很快损坏.过电流地处理依据 IGBT地静态特性，当发生过流时， VCE会随电流急剧变大，可以通过检测 VCE地大小来判定是否过流 . 当检测到过流发生时，第一实行降栅压措施， 从图 4.2 地静态特性曲线可知，栅压降低以后，电流显著减小. 这样一方面可以爱护器件，另一方面假如确定是短路需要关闭器件时，不用在相当大电流地基础 上执行关断，反而引入 di/dt地问题. 当降栅压运行一段时间后（一般是10），假如电流复原正常，可以再加

31、上正常地栅压. 这样可以有效防止假过流造成地误爱护 . 但假如电流仍旧处于过流地状态，可以判定是短路故障，应当立刻对 IGBT进行关断 . 此时肯定不能快速关断，由于短路时电流特别大，直接关断会在线路寄生电感上产生很大地电压，进而损坏器件. 此时应当保证电流变化率不会过大，让栅极电压缓慢降低关断器件.图 4.2 IGBT特性曲线（2） ）栅极过压地爱护栅极过压缘由IGBT大多是工作于感性负载状态，当其处于关断状态，而反并二极管正在欢迎下载精品学习资源反向复原过程时，就会有很大地dv/dt加 于 CE两端. 由于密勒电容地存在，该dv/dt将在电容上产生瞬时电流，流向栅极驱动电路. 该电流与 R

32、g 作用，假如 Rg 值偏大，使 Vge超过 IGBT开通门限电压值，器件就会被误触发导通.栅极过压地处理在栅射间并接入一个栅射电阻可以解决这个问题. 另外，为了防止栅极驱动电路显现高压尖峰，我们在栅射间并接两只反向串联地稳压二极管，其稳压值与 正栅压和负栅压相同 . 这样可以保证栅射电压地稳固，并且能有效地将密勒电容产生地电流通过栅射电阻释放，达到栅极过压爱护地目地IGBT应用时仍需留意在关断时在源射极间会有较大地电压，此时主回路采用软关断技术，并且在 IGBT地源射极间加阻容或其他地吸取缓冲电路. 同时在关断 IGBT地时候 du/dt较大，会导致 IGBT发生擎住效应，因此在关断地时候要

33、增大栅极电阻 RG这样可以延长关断时间，以减小过电压 . 电路改进部分如图 4.3 所示，在 IGBT开通时 EXB 841地 3 脚供应+15V电压，此时，两个电阻并联使Rg 值较小， IGBT关断地时候， EXB 841供应-5V 电压，此时二极管截止， Rg=Rg2，此时 Rg值较大，可以增大关断时间，减小过电压. 当然 Rg阻值地增加会加大IGBT地开关损耗，因此要合理挑选 Rg1和 Rg2地阻值 .图 4.3 驱动电路优化部分欢迎下载精品学习资源第5章 课程设计总结本文在对 IGBT 器件地驱动要求进行深化地分析之后，具体地讨论了EXB 841 地工作原理 ,，并且指出了存在地诸如过

34、流爱护无自锁功能等一系列问题，再结合这些问题设计了驱动电路并对其进行了优化.经实际电路试验证明，所设计地电路完全可以对 IGBT 进行有效地驱动、掌握和过电流爱护 .经过十多天地电力电子课程设计让我懂得了很多，也得到了很多地收成，受益匪浅.不仅仅是在学问方面得到了提升，在沟通方面也有了进一步提高.刚刚看到这个课程设计任务书时，对这些课程很熟识却无从入手，课本上都有提 到，但有些不打全面 .考虑很久，才确定了课程设计，那就是“基于集成驱动电路地 IGBT 驱动电路设计 ”这个课题时，在复习这章节地同时，也去了图书馆找了很多资料 .经过几天地努力，最终有了一个电路图地基本框架，只带了一个完整地电路

35、应当包含几部分，各部分之间地连接又应当留意什么问题等等.知道了大致地模块之后，我仔细地设计每个模块，在设计过程中发觉问题后，可 以再加一完善 .实在不懂地问题，可以和团队沟通，再者上网查资料.也正因此， 我对 IGBT 驱动电路有了更深地熟识和明白，同时，也加强了自己地文件检索才能，特殊是如何利用互联网检k 索需要地文献资料 .为了能够使设计更加合理， 对很多实际问题也进行了比较深化地摸索.比如，爱护电路这个模块 .所以在很大程度上提高了摸索才能和解决实际问题地才能.在掌握电路这个环节，花费了很多地心思.查资料明白 EXB 841 地运用和功能， 最终再和其他地器件进行对比，究竟课程设计才其次

36、次，才能不够，所以很多问 题都没有考虑下周到，期间和同是一个课程设计地同学和学习好地同学做了很多 地沟通和商议，解决了很多地问题，这在沟通上是不小地进步.同时，老师也赐予了很多地知道和看法，这让我明白了很多东西.这次地设计体会，在以后地学习.设计中供应了基础 .也让我懂得无论多么大地设计，都应当分模块去完成，才会把看似难题地东西解决掉 .欢迎下载精品学习资源参考文献1 胡俊达 .IGBT 地驱动与爱护电路讨论 .电机电器技术,2003,6:37-402 富士电机电子设备技术株式会社.富士 IGBT 驱动混合集成电路使用说明书 .2004.3 丁祖军,郑建勇 ,等.基于 EXB 841 地 IG

37、BT 驱动电路 设 计 及 优 化 . 电 力 自 动 化 设备,2004,246:37-40.4 孙佃升,白连平 .一种基于 EXB 841 地 IGBT 驱动与爱护电路设计 .微电机,2007,404:98-100.5 田颖,陈培红 ,聂圣芳 ,等.功率 MOSFET 驱动爱护电路设计与应用 .电力电子技术 ,2005,391:73-74.6 王兆安 ,黄俊.电力电子技术 . 北京:机械工业出版社,2000.7 周志敏,周纪海.开关电源有用技术设计与应用 .北京:人民邮电出版社 ,20038 张立,黄两一 ,王平,等.电力电子场控器件及其应用 .北京:机械工业出版社 ,1996.9 张占松

38、 ,蔡宣三 .开关电源地原理与设计 . 北京:电子工业出版社 ,2005.10 郝威,夏栋.IGBT 地应用及专用驱动器EXB841地改进J. 电子技术 ,200411:43-46.11 梁中华,李勇,胡庆.基于 IGBT 特性地电路改进 J.沈阳工业高校学报 ,2004,261:23-25.12 许峰 , 柳玉秀 , 徐殿国 . 新型软开关全桥变换器 IGBT高 速 驱 动 电 路 J. 电 力 电 子 技术,2004,381:109-111.13 孟志强.中频电源并联逆变掌握规律地讨论 J.湖欢迎下载精品学习资源南高校学报 :自然科学版 ,1995,226:92-98.14 丁祖军 ,邓建勇 ,梅军,等.基于 EXB841 地 IGBT 驱 动 电 路 设 计 及 优 化 J. 电 力 自 动 化 设备,2004,246:37-40.15 张青,康勇.IGBT 驱动模块 EXB841 剖析J.电气传动,1994 4:40-46.16 卢红.IGBT 驱动爱护与应用技术 J.电力电子技术,1993, 272:1-5.欢迎下载